JPH02237018A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02237018A JPH02237018A JP1056937A JP5693789A JPH02237018A JP H02237018 A JPH02237018 A JP H02237018A JP 1056937 A JP1056937 A JP 1056937A JP 5693789 A JP5693789 A JP 5693789A JP H02237018 A JPH02237018 A JP H02237018A
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- Japan
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- photoresist
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- wafer
- photomask
- shielding film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
基板上に塗布されたフォトレジストの露光方法に関し、
基板端部に生じるフォトレジストのエッジビードをフォ
トエッチング工程で同時に除去することを目的とし、 フォトマスク基板に所定のパターンを有する第一の遮光
膜を形成するとともに、該フォトマスク基板の外周部に
対応する位置に前記第一の遮光膜よりも紫外線を透過す
る第二の遮光膜を形成し、該フォトマスク基板を介して
被露光基板上に塗布されたフォトレジストを露光するよ
うに構成する．［産業上の利用分野］ この発明は基板上に塗布されたフォトレジストの露光方
法に関するものである． 近年、半導体装置の製造工程においてチップとパッケー
ジとの間の配線をワイヤボンディングに代えてＴ Ａ
Ｂ （ Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）方式の配線構造が実用化されている，ＴＡＢによる
配線構造ではチップの基板上において所定位置にバンプ
を形成する必要があり、このバンプは通常メッキにより
形成されている． ［従来の技術］ 従来のバングの形成方法を第５図に従って説明すると、
第５図＜ａ＞に示すようにまず表面に多数の素子が形盛
されたウェハ１上にカソード電極として作用するメタル
層２を形成し、その上にフォトレジスト３を塗布する．
このメタル層２は例えばチタンパラジウムで形成される
． 次いで、所定のフオ１・マスクを介してフォトレジスト
３を露光させた後に現像することにより，第５図（ｂ）
に示すようにバンプを形成するための所定位置において
フォトレジスト３に開口部４を形成する．そして、第５
図（Ｃ）に示すようにメタル層２をカソードとして金あ
るいはハンダ等のメッキを施すと、開口部４内にメッキ
層がバンプ５として形成され、この状態でフォトレジス
ト３及び開口部４以外のメタル層２を除去すると、第５
図（ｄ）に示すように所定位置にバンプ５が形成される
． ［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなバンプ５は１０ミクロン以上のメッキ厚を
必要とするため、フォトレジスト３はそのメッキ厚を超
える３０ミクロン程度の厚さで塗布される．すると、第
５図（ａ）に示すようにウエハ１端部にはフォトレジス
ト３の盛り上がりであるエッジビード６が形成される．
このエッジビード６はフォトレジスト３の塗布厚に比例
して大きくなるものであり、上記の場合には２５〜３０
ミクロンの盛り上がりとなる． ところが、このエツジビード６はメッキ工程においてウ
ェハ１の位置合わせの障害となる．また、フォトレジス
ト３の剥離工程においてはこのエッジビード６部分の膜
厚が他の部分の膜厚に対し１．５〜２倍であるため、エ
ッジビード６以外の部分の膜厚に合わせた通常の剥離処
理では第５図（ｄ）に示すようにエッジビード６部分に
レジスト残膜３ａが残る．そこで、このレジストａｌｌ
！３ａを完全に除去するためには処理時間が増大すると
ともに処理液の使用量も増大するという問題点が生じて
いる． この発明の目的は、基板端部に生じるフォトレジストの
エッジビードをフォトエッチング工程で同時に除去可能
とする半導体装置の製造方法を提供するにある． ［諜頚を解決するための手段］ 上記目的は、フォトマスク基板に所定のパターンを有す
る第一の遮光膜を形成するとともに、該フォトマスク基
板の外周部に対応する位置に前記第一の遮光膜よりも紫
外線を透通ずる第二の遮光膜を形成し、該フォトマスク
基板を介して被露光基板上に塗布されたフォトレジスト
を露光する製造方法により達成される． ［作用］ 上記第一の遮光膜及び第二の遮光膜を備えたフォトマス
クで７ォトレジストを塗布した基板をフォトエッチング
すると、所定のパターンが形成されると同時に基板周縁
のフォトレジストのエッジビードが除去される． ［実施例］ 以下、この発明を具体化したー実施例を第１図〜第４図
に従って説明する．なお、前記従来例と同一椙成部分は
同一番号を付して説明する．第１図及び第２図に示す７
ｔ｝マスク７は前記ウェハ１と同一径に形成されたガラ
ス基板８中央部に第一のクロム膜９が形成され、その第
一のクロム膜９は約５０００オングストロームの膜厚で
所定のパターニングが施されている．そのパターニング
は前記ウェハ１に塗布されたフォトレジスト３にバンプ
５形成用の開口部４を形成するためのものである． フォトマスク７の周縁部には約５００オングストローム
の膜厚で第二のクロム膜１０が約５ｒｍの幅で形成され
ている．すなわち、第３図に示すように紫外線の透過率
Ｔはクロム膜厚が薄くなると上昇するため、第二のクロ
ム１１５！１０では紫外線が一部透過可能となる．そし
て、この第一及び第二のクロム！！９．１０は蒸着法に
より形成されたクロム膜に二回のエッチングを施すこと
により形成されている． さて、上記のように構成されたフォトマスク７を使用し
てウェハ１にバンプ５を形成する場合には、まず第４図
（ａ）に示すように前記従来例と同様にメタル層２を形
成したウェハ１表面に７ォトレジスト３を約３０ミクロ
ンの膜厚でスピン塗布すると、ウェハ１周縁部にエッジ
ビード６が形成される．このウェハ１を前記フォトマス
ク７を使用して例えば出力８ｍＷの高圧水銀ラ．ンプか
ら出力される紫外線で約３０秒間露光した後現像すると
、第４図（ｂ）に示すように所定のバンブ形成位置に開
口部４が形成され、これと同時にエッジビード６が除去
される．すなわち、フォトマスク７外周部の第二のクロ
ムＷＡ１０は一部紫外線を透過させるため、その透過光
によりエツジビード６が感光されて現像時に除去される
。
トエッチング工程で同時に除去することを目的とし、 フォトマスク基板に所定のパターンを有する第一の遮光
膜を形成するとともに、該フォトマスク基板の外周部に
対応する位置に前記第一の遮光膜よりも紫外線を透過す
る第二の遮光膜を形成し、該フォトマスク基板を介して
被露光基板上に塗布されたフォトレジストを露光するよ
うに構成する．［産業上の利用分野］ この発明は基板上に塗布されたフォトレジストの露光方
法に関するものである． 近年、半導体装置の製造工程においてチップとパッケー
ジとの間の配線をワイヤボンディングに代えてＴ Ａ
Ｂ （ Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）方式の配線構造が実用化されている，ＴＡＢによる
配線構造ではチップの基板上において所定位置にバンプ
を形成する必要があり、このバンプは通常メッキにより
形成されている． ［従来の技術］ 従来のバングの形成方法を第５図に従って説明すると、
第５図＜ａ＞に示すようにまず表面に多数の素子が形盛
されたウェハ１上にカソード電極として作用するメタル
層２を形成し、その上にフォトレジスト３を塗布する．
このメタル層２は例えばチタンパラジウムで形成される
． 次いで、所定のフオ１・マスクを介してフォトレジスト
３を露光させた後に現像することにより，第５図（ｂ）
に示すようにバンプを形成するための所定位置において
フォトレジスト３に開口部４を形成する．そして、第５
図（Ｃ）に示すようにメタル層２をカソードとして金あ
るいはハンダ等のメッキを施すと、開口部４内にメッキ
層がバンプ５として形成され、この状態でフォトレジス
ト３及び開口部４以外のメタル層２を除去すると、第５
図（ｄ）に示すように所定位置にバンプ５が形成される
． ［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなバンプ５は１０ミクロン以上のメッキ厚を
必要とするため、フォトレジスト３はそのメッキ厚を超
える３０ミクロン程度の厚さで塗布される．すると、第
５図（ａ）に示すようにウエハ１端部にはフォトレジス
ト３の盛り上がりであるエッジビード６が形成される．
このエッジビード６はフォトレジスト３の塗布厚に比例
して大きくなるものであり、上記の場合には２５〜３０
ミクロンの盛り上がりとなる． ところが、このエツジビード６はメッキ工程においてウ
ェハ１の位置合わせの障害となる．また、フォトレジス
ト３の剥離工程においてはこのエッジビード６部分の膜
厚が他の部分の膜厚に対し１．５〜２倍であるため、エ
ッジビード６以外の部分の膜厚に合わせた通常の剥離処
理では第５図（ｄ）に示すようにエッジビード６部分に
レジスト残膜３ａが残る．そこで、このレジストａｌｌ
！３ａを完全に除去するためには処理時間が増大すると
ともに処理液の使用量も増大するという問題点が生じて
いる． この発明の目的は、基板端部に生じるフォトレジストの
エッジビードをフォトエッチング工程で同時に除去可能
とする半導体装置の製造方法を提供するにある． ［諜頚を解決するための手段］ 上記目的は、フォトマスク基板に所定のパターンを有す
る第一の遮光膜を形成するとともに、該フォトマスク基
板の外周部に対応する位置に前記第一の遮光膜よりも紫
外線を透通ずる第二の遮光膜を形成し、該フォトマスク
基板を介して被露光基板上に塗布されたフォトレジスト
を露光する製造方法により達成される． ［作用］ 上記第一の遮光膜及び第二の遮光膜を備えたフォトマス
クで７ォトレジストを塗布した基板をフォトエッチング
すると、所定のパターンが形成されると同時に基板周縁
のフォトレジストのエッジビードが除去される． ［実施例］ 以下、この発明を具体化したー実施例を第１図〜第４図
に従って説明する．なお、前記従来例と同一椙成部分は
同一番号を付して説明する．第１図及び第２図に示す７
ｔ｝マスク７は前記ウェハ１と同一径に形成されたガラ
ス基板８中央部に第一のクロム膜９が形成され、その第
一のクロム膜９は約５０００オングストロームの膜厚で
所定のパターニングが施されている．そのパターニング
は前記ウェハ１に塗布されたフォトレジスト３にバンプ
５形成用の開口部４を形成するためのものである． フォトマスク７の周縁部には約５００オングストローム
の膜厚で第二のクロム膜１０が約５ｒｍの幅で形成され
ている．すなわち、第３図に示すように紫外線の透過率
Ｔはクロム膜厚が薄くなると上昇するため、第二のクロ
ム１１５！１０では紫外線が一部透過可能となる．そし
て、この第一及び第二のクロム！！９．１０は蒸着法に
より形成されたクロム膜に二回のエッチングを施すこと
により形成されている． さて、上記のように構成されたフォトマスク７を使用し
てウェハ１にバンプ５を形成する場合には、まず第４図
（ａ）に示すように前記従来例と同様にメタル層２を形
成したウェハ１表面に７ォトレジスト３を約３０ミクロ
ンの膜厚でスピン塗布すると、ウェハ１周縁部にエッジ
ビード６が形成される．このウェハ１を前記フォトマス
ク７を使用して例えば出力８ｍＷの高圧水銀ラ．ンプか
ら出力される紫外線で約３０秒間露光した後現像すると
、第４図（ｂ）に示すように所定のバンブ形成位置に開
口部４が形成され、これと同時にエッジビード６が除去
される．すなわち、フォトマスク７外周部の第二のクロ
ムＷＡ１０は一部紫外線を透過させるため、その透過光
によりエツジビード６が感光されて現像時に除去される
。
そして、このようなウエハ１に前記従来例と同様なメッ
キを施し、次いでフォトレジスト３及び開口部４以外の
メタル層２を除去すれば所定のバンプ５が形成される． 以上のようにこのバンプの製遣方法では、ウエハ１周縁
部に形成されるフォトレジスト３のエッジビード６が同
フォトレジストのフォトエッチング時に同時に除去され
るので、その後工程でのエッジビード６によるウエハ１
の位置ずれを未然に防止することができる．また、フォ
トレジスト３の剥離工程での処理時間を短縮することが
できるとともに、使用薬品量を削減することもできる．
［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明はウェハ端部に生じるフ
ォトレジストのエッジビードをフォトエッチング工程で
同時に除去することができる優れた効果を発揮する．
キを施し、次いでフォトレジスト３及び開口部４以外の
メタル層２を除去すれば所定のバンプ５が形成される． 以上のようにこのバンプの製遣方法では、ウエハ１周縁
部に形成されるフォトレジスト３のエッジビード６が同
フォトレジストのフォトエッチング時に同時に除去され
るので、その後工程でのエッジビード６によるウエハ１
の位置ずれを未然に防止することができる．また、フォ
トレジスト３の剥離工程での処理時間を短縮することが
できるとともに、使用薬品量を削減することもできる．
［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明はウェハ端部に生じるフ
ォトレジストのエッジビードをフォトエッチング工程で
同時に除去することができる優れた効果を発揮する．
第１図はこの発明を具体化するフォトマスクの正面図、
第２図はその断面図，第３図はクロム膜厚と紫外線透過
率との関係を示すグラフ図、第４図（ａ）（ｂ）はこの
発明のフォトエッチング過程を示す断面図、第５図（ａ
）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は従来のバンプ製造過程を示す断
面図である．図中、１はウエハ、３はフォトレジスト、
７はフォトマスク、９は第一の遮光膜、１０は第二の第
３図 クロ４１１厚と紫外線透過率との関係各示すグラフクロ
４ｌＩ厚 第５図 ｆＩ寮のＪ１ンブ要造過捏を示す断面図（ｂ） 本発明のフォトエ・９チング過裡を示す断面図（ｂ） （Ｃ） （ｄ）
第２図はその断面図，第３図はクロム膜厚と紫外線透過
率との関係を示すグラフ図、第４図（ａ）（ｂ）はこの
発明のフォトエッチング過程を示す断面図、第５図（ａ
）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は従来のバンプ製造過程を示す断
面図である．図中、１はウエハ、３はフォトレジスト、
７はフォトマスク、９は第一の遮光膜、１０は第二の第
３図 クロ４１１厚と紫外線透過率との関係各示すグラフクロ
４ｌＩ厚 第５図 ｆＩ寮のＪ１ンブ要造過捏を示す断面図（ｂ） 本発明のフォトエ・９チング過裡を示す断面図（ｂ） （Ｃ） （ｄ）
Claims (1)
- １、フォトマスク基板に所定のパターンを有する第一の
遮光膜を形成するとともに、該フォトマスク基板の外周
部に対応する位置に前記第一の遮光膜よりも紫外線を透
過する第二の遮光膜を形成し、該フォトマスク基板を介
して被露光基板上に塗布されたフォトレジストを露光す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056937A JPH02237018A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1056937A JPH02237018A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237018A true JPH02237018A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13041440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1056937A Pending JPH02237018A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02237018A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183188A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| US6495312B1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-12-17 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1056937A patent/JPH02237018A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183188A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| US6495312B1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-12-17 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates |
| US6614507B2 (en) * | 2001-02-01 | 2003-09-02 | Lsi Logic Corporation | Apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates |
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