JPH0443624A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0443624A JPH0443624A JP2152045A JP15204590A JPH0443624A JP H0443624 A JPH0443624 A JP H0443624A JP 2152045 A JP2152045 A JP 2152045A JP 15204590 A JP15204590 A JP 15204590A JP H0443624 A JPH0443624 A JP H0443624A
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- exposed
- dust
- pattern
- photomask
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造工程において、フォトレジ
ストを使用してパターン転写を行う工程において、二重
露光を行うことによりパターン異常を減少させる半導体
装置の製造方法に関する。
ストを使用してパターン転写を行う工程において、二重
露光を行うことによりパターン異常を減少させる半導体
装置の製造方法に関する。
従来の技術
従来のりソグラフィ技術としては、フォトマスクに対し
て、−度の露光を行ったあと、現像を行っていた。
て、−度の露光を行ったあと、現像を行っていた。
以下、その構成について第２図および第３図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第２ 図ｉａ）に示すようにフォトレジストとしてネガ
レジスト２工を使用したとするとき、パター７２２をも
ったフォトマスク２３を使用し、露光を行う。
レジスト２工を使用したとするとき、パター７２２をも
ったフォトマスク２３を使用し、露光を行う。
これを現像すると、第２図ｆｂ）に示すように未露光部
が溶解し、露光された部分２１ａが残ることとなる。
が溶解し、露光された部分２１ａが残ることとなる。
ところが、第３図１３＋に示すようにフォトマスク２３
上にダスト２４か乗っていたとすると、露光後フォトレ
ジストにダストのパターンの未露光部かできて、現像後
レジストに、ダストのパター７のパターン異常部２５が
発生する。通常、フォトマスク上にダストが乗るのを抑
えるために、部屋のクリーン度を高めるという方法をと
っているが、現実には費用も高くなり、またダストをな
くするということは不可能に近い。
上にダスト２４か乗っていたとすると、露光後フォトレ
ジストにダストのパターンの未露光部かできて、現像後
レジストに、ダストのパター７のパターン異常部２５が
発生する。通常、フォトマスク上にダストが乗るのを抑
えるために、部屋のクリーン度を高めるという方法をと
っているが、現実には費用も高くなり、またダストをな
くするということは不可能に近い。
発明が解決しようとする課題
このような従来の半導体装置の１！８！遣方法では、１
回の露光によるので、フォトマスク上に乗ったダストに
対して致命的なパターン異常部２５か発生する可能性が
非常に高い。
回の露光によるので、フォトマスク上に乗ったダストに
対して致命的なパターン異常部２５か発生する可能性が
非常に高い。
本発明は上記課題を解決するもので、ダストによるパタ
ーン異常部の発生によるトラブルのない半導体装置を提
供することを目的としている。
ーン異常部の発生によるトラブルのない半導体装置を提
供することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、−度露光を行った
フォトレジストに対し、実質的に同一のパターンを有す
るが、最初と異なるフォトマスクで再度露光を行い、そ
の後現像を行う構成による。
フォトレジストに対し、実質的に同一のパターンを有す
るが、最初と異なるフォトマスクで再度露光を行い、そ
の後現像を行う構成による。
作用
本発明は上記した構成により、フォトマスク上にダスト
が乗っていたとしても、同一場所にダストが存在する確
率の小さいっぎのフォトマスクによって再露光するので
、１回目のダスト存在部も２回目には露光されることに
なる。また２回目のフォトマスクの別場所のダスト存在
部は１回目に露光されている。
が乗っていたとしても、同一場所にダストが存在する確
率の小さいっぎのフォトマスクによって再露光するので
、１回目のダスト存在部も２回目には露光されることに
なる。また２回目のフォトマスクの別場所のダスト存在
部は１回目に露光されている。
実施例
本発明の一実施例として、半導体装置の表面に形成され
たパッド上にＡｕで突起電極（金バンブ）を形成する工
程に使用した第１図を参照しながら説明する。
たパッド上にＡｕで突起電極（金バンブ）を形成する工
程に使用した第１図を参照しながら説明する。
第コ図ｔａ）のように、半導体基板１上に保護膜２で被
覆され一部が開孔、露出している電極端子３上にバリア
メタル層４を形成させる。バリアメタル層４はＴｉ−Ｐ
ｄを使用し、高真空度中で連続蒸着し、電極端子３との
接着力をもつ働きをする。
覆され一部が開孔、露出している電極端子３上にバリア
メタル層４を形成させる。バリアメタル層４はＴｉ−Ｐ
ｄを使用し、高真空度中で連続蒸着し、電極端子３との
接着力をもつ働きをする。
つぎに第１図（ｂｌに示すように半導体基板１の表面に
ネガレジスト５を全面に塗布する。
ネガレジスト５を全面に塗布する。
つぎに第１図（Ｃ）に示すように金バンブを形成すべき
部分が黒パターン７となっているフォトマスクを使用し
て露光を行う。このときに、フォトマスク６に付着した
ダスト８によりフォトレジスト５には、露光された部分
５ａと露光されない部分５ｂ、５ｃができる。ここで５
ｂはパターン７による未露光部、５ｃはダスト８による
未露光部である。
部分が黒パターン７となっているフォトマスクを使用し
て露光を行う。このときに、フォトマスク６に付着した
ダスト８によりフォトレジスト５には、露光された部分
５ａと露光されない部分５ｂ、５ｃができる。ここで５
ｂはパターン７による未露光部、５ｃはダスト８による
未露光部である。
露光を行ったこの半導体基板１を現像を行わずに、第１
図ｔｄ）に示すように再度マスク合せをし、露光を行う
。この場合に使用したフォトマスク９は、第１図＋Ｃ＋
のフォトマスク６のパターン７を太らせたものを使用し
たが実質的に同一のパターンと考えてよい。このフォト
マスク９の別の場所にダスト］−〇がついていても、こ
の部分は先に露光されているので問題か生ぜず、第１図
ｔｃ＋のフォトマスク６」二のダスト８による未露光部
５Ｃが露光され消失することになる。
図ｔｄ）に示すように再度マスク合せをし、露光を行う
。この場合に使用したフォトマスク９は、第１図＋Ｃ＋
のフォトマスク６のパターン７を太らせたものを使用し
たが実質的に同一のパターンと考えてよい。このフォト
マスク９の別の場所にダスト］−〇がついていても、こ
の部分は先に露光されているので問題か生ぜず、第１図
ｔｃ＋のフォトマスク６」二のダスト８による未露光部
５Ｃが露光され消失することになる。
つぎに第１図ｔｅ＋に示すように二重露光をした後、現
像を行う。二重露光を行ったことにより、ダストによる
パターンの欠陥が残らず、正確なマスクパターンが転写
される。
像を行う。二重露光を行ったことにより、ダストによる
パターンの欠陥が残らず、正確なマスクパターンが転写
される。
最後に第１図Ｔｆｌに示すようにバリアメタル層４をマ
イナス電極として、電解メツキ処理により、Ａ ｕをメ
ツキしたあと、フォトレジスト５ａを除去し、金属突起
１１の近傍以外のバリアメタル層４を除去することによ
り、金バンブの構造が得られる。従来の露光方法では、
ダストのパターンが転写されて、電極端子３上以外の部
分にも金属突起か形成され、金の異常成長として、フィ
ルムキャリア方式でのボンディング不良を発生すること
かあったが、この発明により、金の異常成長を飛躍的に
減少させることかできた。
イナス電極として、電解メツキ処理により、Ａ ｕをメ
ツキしたあと、フォトレジスト５ａを除去し、金属突起
１１の近傍以外のバリアメタル層４を除去することによ
り、金バンブの構造が得られる。従来の露光方法では、
ダストのパターンが転写されて、電極端子３上以外の部
分にも金属突起か形成され、金の異常成長として、フィ
ルムキャリア方式でのボンディング不良を発生すること
かあったが、この発明により、金の異常成長を飛躍的に
減少させることかできた。
なお、本実施例では、ネガのフォトレジストを使用し、
金バンプ形成工程に適用したが、フォトレジストの種類
（ボン・ネガ）には関係なく適用でき、また適用するマ
スク工程の種類にも間係なく適用できる。
金バンプ形成工程に適用したが、フォトレジストの種類
（ボン・ネガ）には関係なく適用でき、また適用するマ
スク工程の種類にも間係なく適用できる。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、実質
的に同一のパターンを有する２枚のフォトマスクを用い
て二重露光を行うのでパターン異常部の発生によるトラ
ブルのない半導体装置を提供できる。
的に同一のパターンを有する２枚のフォトマスクを用い
て二重露光を行うのでパターン異常部の発生によるトラ
ブルのない半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図ｔａ＋〜げ）は本発明の一実施例の半導体装置の
製造方法を示す工程断面図、第２図（ａｌ、 （ｂ）は
従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図、第３図
ｆａｔ、 ｆｂｌは第２図の従来例におけるダストによ
るパターン異常部発生の様子を示す工程断面図である。 ５・・・・・・フォトレジスト、６．９・・・・・・フ
ォトマスク、７・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１８第 図 フォトマスク ハ゛ターソ
製造方法を示す工程断面図、第２図（ａｌ、 （ｂ）は
従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図、第３図
ｆａｔ、 ｆｂｌは第２図の従来例におけるダストによ
るパターン異常部発生の様子を示す工程断面図である。 ５・・・・・・フォトレジスト、６．９・・・・・・フ
ォトマスク、７・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１８第 図 フォトマスク ハ゛ターソ
Claims (1)
- フォトマスクを通してフォトレジストに露光を行う半
導体装置の製造方法において実質的に同一のパターンを
有する２枚のフォトマスクを用いて二重露光を行う半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152045A JPH0443624A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2152045A JPH0443624A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443624A true JPH0443624A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15531851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2152045A Pending JPH0443624A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443624A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005250465A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Toray Ind Inc | ディスプレイ部材の製造方法およびディスプレイ部材 |
| JP2008026474A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Ono Sokki Co Ltd | 露光装置 |
| KR20170098899A (ko) | 2014-12-26 | 2017-08-30 | 산토리 홀딩스 가부시키가이샤 | 식물 섬유 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2152045A patent/JPH0443624A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005250465A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Toray Ind Inc | ディスプレイ部材の製造方法およびディスプレイ部材 |
| JP2008026474A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Ono Sokki Co Ltd | 露光装置 |
| KR20170098899A (ko) | 2014-12-26 | 2017-08-30 | 산토리 홀딩스 가부시키가이샤 | 식물 섬유 |
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