JPS63291428A - 転写用バンプの形成方法 - Google Patents
転写用バンプの形成方法Info
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- JPS63291428A JPS63291428A JP12653487A JP12653487A JPS63291428A JP S63291428 A JPS63291428 A JP S63291428A JP 12653487 A JP12653487 A JP 12653487A JP 12653487 A JP12653487 A JP 12653487A JP S63291428 A JPS63291428 A JP S63291428A
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- conductive film
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、圧着転写されることで半導体素子の実装に
用いられるバンプ（突起電極）となる転写用バンプの形
成方法に関する。
用いられるバンプ（突起電極）となる転写用バンプの形
成方法に関する。
半導体素子を実装基板等に実装する際、両者の電気的接
続には、従来、ワイヤボンディングが行われていた。し
かし、半導体素子の電極パッド数の増加に伴い、より簡
単、確実で工程時間のかからない、バンプを用いた、い
わゆる、ギヤングボンディングが行われるようになって
きた。
続には、従来、ワイヤボンディングが行われていた。し
かし、半導体素子の電極パッド数の増加に伴い、より簡
単、確実で工程時間のかからない、バンプを用いた、い
わゆる、ギヤングボンディングが行われるようになって
きた。
この方法は、半導体素子あるいは実装基板のいずれかに
、電極パッドの数および配置に応じた多数のバンプ（突
起電極）を形成しておき、両者（半導体素子と実装基ｉ
）を結合固定した際には、このバンプを介して両者の電
気的接続を行うものである。
、電極パッドの数および配置に応じた多数のバンプ（突
起電極）を形成しておき、両者（半導体素子と実装基ｉ
）を結合固定した際には、このバンプを介して両者の電
気的接続を行うものである。
バンプは、その都度、半導体素子あるいは実装基板の表
面に形成するようにしてもよいが、あらかじめ他の基板
表面に多数のバンプを配置形成しておき、それを、半導
体素子や実装基板の表面に転写する、いわゆる転写バン
プによれば、バンプを簡単に形成できるようになる。
面に形成するようにしてもよいが、あらかじめ他の基板
表面に多数のバンプを配置形成しておき、それを、半導
体素子や実装基板の表面に転写する、いわゆる転写バン
プによれば、バンプを簡単に形成できるようになる。
このような転写バンプは、従来、第２図（ａ）〜（ｄ）
にみるようにして形成されている。
にみるようにして形成されている。
すなわち、まず、ガラス板、シリコンウェファ−等の平
坦な基板１′表面に導電膜３′をスパッタリング法等で
形成する（第２図（ａ））。
坦な基板１′表面に導電膜３′をスパッタリング法等で
形成する（第２図（ａ））。
つぎに、この導電膜３′の上に感光性レジストをスピン
ナー等を用いて均一に塗布し、プリベークしてレジスト
層４を形成する（第２図（ｂ））。
ナー等を用いて均一に塗布し、プリベークしてレジスト
層４を形成する（第２図（ｂ））。
そして、このレジスト層４上にバンプ形状のパターン７
ａ・・・が形成されたガラスマスク７を重ね（第２図（
Ｃ））、露光、現像してレジストＮ４にバンプの形状を
有する多数の穴４ａ・・・を形成する（第２図（ｄ））
。
ａ・・・が形成されたガラスマスク７を重ね（第２図（
Ｃ））、露光、現像してレジストＮ４にバンプの形状を
有する多数の穴４ａ・・・を形成する（第２図（ｄ））
。
このあと、前記導電膜３′に通電しながら電解メッキ処
理を行うと、導電膜３′が露出した前記穴４ａ・・・内
にのみ金属が析出して、第１図（「）にみるような金属
層５′と同様の金属層が導電膜ご上に積層され、つぎに
レジスト層４を除去すれば、第１図（幻にみるようなバ
ンプ５・・・と同様なバンプが多数基板１′上に形成さ
れるのである。
理を行うと、導電膜３′が露出した前記穴４ａ・・・内
にのみ金属が析出して、第１図（「）にみるような金属
層５′と同様の金属層が導電膜ご上に積層され、つぎに
レジスト層４を除去すれば、第１図（幻にみるようなバ
ンプ５・・・と同様なバンプが多数基板１′上に形成さ
れるのである。
このようにして基板１′上に形成されたバンプは、基板
１′を実装基板上に圧着することで、実装基板の側に転
写され（第１図（ｈｌ参照）、半導体素子との電気的接
続に使用されるのである。
１′を実装基板上に圧着することで、実装基板の側に転
写され（第１図（ｈｌ参照）、半導体素子との電気的接
続に使用されるのである。
ところが、上記のような従来のバンプの形成法において
は、バンプ形状のパターン７ａ・・・は、基板１′とは
別体のガラス板に形成されてガラスマスク化されている
ため、このガラスマスク７を基板１′に重ねる際、精度
の高いマスク合わせを露光のたび毎に行わねばならず、
また、工程を簡略化しようとすると高価なマスクアライ
ナ−を用いなければならないため、問題となっている。
は、バンプ形状のパターン７ａ・・・は、基板１′とは
別体のガラス板に形成されてガラスマスク化されている
ため、このガラスマスク７を基板１′に重ねる際、精度
の高いマスク合わせを露光のたび毎に行わねばならず、
また、工程を簡略化しようとすると高価なマスクアライ
ナ−を用いなければならないため、問題となっている。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、
工程が簡単で、かつ、高価な装置を用いないにもかかわ
らず高精度で、安価に実施できる転写用バンプの形成方
法を提供することを目的としている。
工程が簡単で、かつ、高価な装置を用いないにもかかわ
らず高精度で、安価に実施できる転写用バンプの形成方
法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、この発明は、圧着転写される
ことで半導体装に用いられるバンプとなる転写用バンプ
を得る方法であって、透明基板表面に遮光性材料を用い
てバンプ形状に対応する遮光パターンを形成し、この上
に透明導電膜およびレジスト層をこの順に形成した後、
これらの層が形成された側とは反対側たる基板裏面より
光を照射して前記レジスト層に前記遮光パターンに沿う
露光を行い、現像してレジスト層にバンプに対応する多
数の穴を形成し、電解メッキ処理によってこの穴内の透
明導電膜上に金属層を積層してバンプを形成する転写用
バンプの形成方法を要旨としている。
ことで半導体装に用いられるバンプとなる転写用バンプ
を得る方法であって、透明基板表面に遮光性材料を用い
てバンプ形状に対応する遮光パターンを形成し、この上
に透明導電膜およびレジスト層をこの順に形成した後、
これらの層が形成された側とは反対側たる基板裏面より
光を照射して前記レジスト層に前記遮光パターンに沿う
露光を行い、現像してレジスト層にバンプに対応する多
数の穴を形成し、電解メッキ処理によってこの穴内の透
明導電膜上に金属層を積層してバンプを形成する転写用
バンプの形成方法を要旨としている。
以下に、この発明を、その一実施例をあられす図面を参
照しつつ、詳しく説明する。
照しつつ、詳しく説明する。
まず、第１図ｔａ＋にみるように、ガラス板等の透明基
板１表面に、バンプの形状に応じた遮光パターン２・・
・を形成する。遮光パターン２は、クロムやニッケル等
からなる遮光性に優れた薄膜を、透明基板１表面に、真
空蒸着等の通常の方法で形成すればよい。
板１表面に、バンプの形状に応じた遮光パターン２・・
・を形成する。遮光パターン２は、クロムやニッケル等
からなる遮光性に優れた薄膜を、透明基板１表面に、真
空蒸着等の通常の方法で形成すればよい。
つぎに、遮光パターン２・・・が形成された透明基板１
上に、ＩＴＯ等の透明導電膜３を形成する（第１図（ｂ
））。透明導電膜３の形成は、スパッタリング等の通常
の方法で行えばよい。
上に、ＩＴＯ等の透明導電膜３を形成する（第１図（ｂ
））。透明導電膜３の形成は、スパッタリング等の通常
の方法で行えばよい。
得られた透明導電膜３の上に、感光性レジストをスピン
ナー等を用いて均一に塗布し、プリベークしてレジスト
層４を形成する（第１図（Ｃ））。感光性レジストとし
ては、通常品を使用することができる。
ナー等を用いて均一に塗布し、プリベークしてレジスト
層４を形成する（第１図（Ｃ））。感光性レジストとし
ては、通常品を使用することができる。
レジスト層４とは反対側にあたる、透明基板１の裏面か
ら、レジス）Ｎ４が感光する波長の光を照射する（第１
図（ｄ））。そうすると、透明基板１上に形成された前
記遮光パターン２・・・のパターンがレジスト層４に焼
き付けられる（露光工程）。
ら、レジス）Ｎ４が感光する波長の光を照射する（第１
図（ｄ））。そうすると、透明基板１上に形成された前
記遮光パターン２・・・のパターンがレジスト層４に焼
き付けられる（露光工程）。
つぎに、レジスト層４を所定の処方で現像すると、前記
遮光パターン２・・・に応じた、バンプの形状を有する
多数の穴４ａ・・・が形成される（第１図（ｅ））。
遮光パターン２・・・に応じた、バンプの形状を有する
多数の穴４ａ・・・が形成される（第１図（ｅ））。
このあと、前記透明導電膜３に通電しながら電解メッキ
処理を行うと、透明導電膜３が露出した前記穴４ａ・・
・内にのみ金属が析出して、第１図（ｆ）にみるように
金］ｍＦｆ５’が積層され、第１図（ｇ）にみるように
レジスト層４を除去すれば、多数のバンプ５・・・が形
成される。バンプ５となる全屈材料は、この発明では特
に限定されず、金等、通常バンプに用いられている材料
が使用される。
処理を行うと、透明導電膜３が露出した前記穴４ａ・・
・内にのみ金属が析出して、第１図（ｆ）にみるように
金］ｍＦｆ５’が積層され、第１図（ｇ）にみるように
レジスト層４を除去すれば、多数のバンプ５・・・が形
成される。バンプ５となる全屈材料は、この発明では特
に限定されず、金等、通常バンプに用いられている材料
が使用される。
このようにして基板１上に形成されたバンプ５・・・は
、基板１を実装基板６上に圧着することで、第１図（ｈ
ｌにみるように実装基板６の側に転写され、半導体素子
との電気的接続に使用されるのである。
、基板１を実装基板６上に圧着することで、第１図（ｈ
ｌにみるように実装基板６の側に転写され、半導体素子
との電気的接続に使用されるのである。
以上のようなこの発明の転写用バンプの形成方法によれ
ば、バンプに対応する前記遮光パターン２・・・が、あ
らかじめ、レジストＮ４の形成される透明基板１上に形
成されているため、マスク合わせの必要性は全（ない。
ば、バンプに対応する前記遮光パターン２・・・が、あ
らかじめ、レジストＮ４の形成される透明基板１上に形
成されているため、マスク合わせの必要性は全（ない。
しかも、この遮光パターン２・・・は、バンプ５の転写
後も透明基板１上に残っているため反復して使用するこ
とができ、高価な装置を使用しないにもかかわらず、高
い精度のバンプを繰り返し作成することができるように
なる。このため、工程が簡単で、がっ、高価な装置を用
いないにもかかわらず高精度で、安価に実施できるもの
となっている。
後も透明基板１上に残っているため反復して使用するこ
とができ、高価な装置を使用しないにもかかわらず、高
い精度のバンプを繰り返し作成することができるように
なる。このため、工程が簡単で、がっ、高価な装置を用
いないにもかかわらず高精度で、安価に実施できるもの
となっている。
なお、これまでは、この発明の転写用バンブの形成方法
について、上記実施例にもとづいてのみ説明してきたが
、この発明は、図に、あられされた上記実施例に限定さ
れるものではない。
について、上記実施例にもとづいてのみ説明してきたが
、この発明は、図に、あられされた上記実施例に限定さ
れるものではない。
たとえば、上記実施例では、レジストが遮光パターンの
あった部分が除去される、いわゆる、ネガ型であったが
、レジストはポジ型を用いるようでもよい。その場合に
は、遮光パターンを、現在と丁度逆のパターンにすれば
よいのである。
あった部分が除去される、いわゆる、ネガ型であったが
、レジストはポジ型を用いるようでもよい。その場合に
は、遮光パターンを、現在と丁度逆のパターンにすれば
よいのである。
また、上記実施例では、バンプが四つ形成されていたが
、これは、この発明の工程を模式的にあられしたもので
、実際には、もっとバンプの数は多くなるし、その大き
さや各層の厚み等の寸法の関係も実際には異なっている
。
、これは、この発明の工程を模式的にあられしたもので
、実際には、もっとバンプの数は多くなるし、その大き
さや各層の厚み等の寸法の関係も実際には異なっている
。
要するに、転写用バンプを得るにあたり、透明基板表面
に遮光性材料を用いてバンプ形状に対応する遮光パター
ンを形成し、この上に透明導電膜およびレジスト層をこ
の順に形成した後、これらの層が形成された側とは反対
側たる基板裏面より光を照射して前記レジスト層に前記
遮光パターンに沿う露光を行い、現像してレジスト層に
バンプに対応する多数の穴を形成し、電解メッキ処理に
よってこの穴内の透明導電膜上に金属層を積層してバン
プを形成するのであれば、その他の構成は特に限定され
ないのである。
に遮光性材料を用いてバンプ形状に対応する遮光パター
ンを形成し、この上に透明導電膜およびレジスト層をこ
の順に形成した後、これらの層が形成された側とは反対
側たる基板裏面より光を照射して前記レジスト層に前記
遮光パターンに沿う露光を行い、現像してレジスト層に
バンプに対応する多数の穴を形成し、電解メッキ処理に
よってこの穴内の透明導電膜上に金属層を積層してバン
プを形成するのであれば、その他の構成は特に限定され
ないのである。
この発明の転写用バンブの形成方法は、以上のようであ
り、圧着転写されることで半導体装に用いられるバンプ
となる転写用バンプを得る方法であって、透明基板表面
に遮光性材料を用いてバンプ形状に対応する遮光パター
ンを形成し、この上に透明導電膜およびレジスト層をこ
の順に形成した後、これらの層が形成された側とは反対
側たる基板裏面より光を照射して前記レジスト層に前記
遮光パターンに沿う露光を行い、現像してレジスト層に
バンプに対応する多数の穴を形成し、電解メッキ処理に
よってこの穴内の透明導電膜上に金属層を積層してバン
プを形成するようになっているため、マスクやマスク合
わせの工程が不要となり、工程が簡単で、かつ、高価な
装置を用いないにもかかわらず高精度で、安価に実施で
きるものとなっている。
り、圧着転写されることで半導体装に用いられるバンプ
となる転写用バンプを得る方法であって、透明基板表面
に遮光性材料を用いてバンプ形状に対応する遮光パター
ンを形成し、この上に透明導電膜およびレジスト層をこ
の順に形成した後、これらの層が形成された側とは反対
側たる基板裏面より光を照射して前記レジスト層に前記
遮光パターンに沿う露光を行い、現像してレジスト層に
バンプに対応する多数の穴を形成し、電解メッキ処理に
よってこの穴内の透明導電膜上に金属層を積層してバン
プを形成するようになっているため、マスクやマスク合
わせの工程が不要となり、工程が簡単で、かつ、高価な
装置を用いないにもかかわらず高精度で、安価に実施で
きるものとなっている。
第１図はこの発明の転写用バンプの形成方法の一実施例
の工程をあられす図であって、同図（ａｌは透明基板上
に遮光パターンを形成した状態を説明する説明図、同図
Ｔｂ）は遮光パターン上に透明導電膜を形成した状態を
説明する説明図、同図（Ｃ）は透明導電膜の上にレジス
ト層を形成した状態を説明する説明図、同図（ｄ）は基
板裏面よりレジスト層を露光する状態を説明する説明図
、同図（ｅ）はレジスト層が現像されバンプに対応する
多数の穴が形成された状態を説明する説明図、同図（ｆ
）はレジスト層の穴内に電解メッキにより金属層が積層
された状態を説明する説明図、同図（ｇｌはレジストを
除去しバンプを完成した状態を説明する説明図、同図（
ｈ）は形成されたバンプを実装基板上に転写した状態を
説明する説明図、第２図は従来の転写用バンプの形成方
法の一例の工程をあられす図であって、同図（ａ）は透
明基板上に導電膜を形成した状態を説明する説明図、同
図（ｂ）は導電膜の上にレジスト層を形成した状態を説
明する説明図、同図（Ｃ）はレジスト層にマスクを合わ
せて露光している状態を説明する説明図、同図（ｄ）は
レジスト層が現像されバンプに対応する多数の穴が形成
された状態を説明する説明図である。 １・・・透明基板 ２・・・遮光パターン ３・・・透
明導電膜 ４・・・レジスト層 ４ａ・・・穴 ５゛・
・・金属層５・・・バンプ 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第２図 ４ （ｄ） （ｈ）
の工程をあられす図であって、同図（ａｌは透明基板上
に遮光パターンを形成した状態を説明する説明図、同図
Ｔｂ）は遮光パターン上に透明導電膜を形成した状態を
説明する説明図、同図（Ｃ）は透明導電膜の上にレジス
ト層を形成した状態を説明する説明図、同図（ｄ）は基
板裏面よりレジスト層を露光する状態を説明する説明図
、同図（ｅ）はレジスト層が現像されバンプに対応する
多数の穴が形成された状態を説明する説明図、同図（ｆ
）はレジスト層の穴内に電解メッキにより金属層が積層
された状態を説明する説明図、同図（ｇｌはレジストを
除去しバンプを完成した状態を説明する説明図、同図（
ｈ）は形成されたバンプを実装基板上に転写した状態を
説明する説明図、第２図は従来の転写用バンプの形成方
法の一例の工程をあられす図であって、同図（ａ）は透
明基板上に導電膜を形成した状態を説明する説明図、同
図（ｂ）は導電膜の上にレジスト層を形成した状態を説
明する説明図、同図（Ｃ）はレジスト層にマスクを合わ
せて露光している状態を説明する説明図、同図（ｄ）は
レジスト層が現像されバンプに対応する多数の穴が形成
された状態を説明する説明図である。 １・・・透明基板 ２・・・遮光パターン ３・・・透
明導電膜 ４・・・レジスト層 ４ａ・・・穴 ５゛・
・・金属層５・・・バンプ 代理人 弁理士 松 本 武 彦 第２図 ４ （ｄ） （ｈ）
Claims (1)
- （１）圧着転写されることで半導体実装に用いられるバ
ンプとなる転写用バンプを得る方法であって、透明基板
表面に遮光性材料を用いてバンプ形状に対応する遮光パ
ターンを形成し、この上に透明導電膜およびレジスト層
をこの順に形成した後、これらの層が形成された側とは
反対側たる基板裏面より光を照射して前記レジスト層に
前記遮光パターンに沿う露光を行い、現像してレジスト
層にバンプに対応する多数の穴を形成し、電解メッキ処
理によってこの穴内の透明導電膜上に金属層を積層して
バンプを形成する転写用バンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12653487A JPS63291428A (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | 転写用バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12653487A JPS63291428A (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | 転写用バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63291428A true JPS63291428A (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14937581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12653487A Pending JPS63291428A (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | 転写用バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63291428A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223924A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 表示パネルの製造方法 |
| US5171712A (en) * | 1991-12-20 | 1992-12-15 | Vlsi Technology, Inc. | Method of constructing termination electrodes on yielded semiconductor die by visibly aligning the die pads through a transparent substrate |
| US5275970A (en) * | 1990-10-17 | 1994-01-04 | Nec Corporation | Method of forming bonding bumps by punching a metal ribbon |
-
1987
- 1987-05-23 JP JP12653487A patent/JPS63291428A/ja active Pending
Cited By (4)
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| JPH02223924A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 表示パネルの製造方法 |
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