JPH02267941A - 突起電極の形成方法 - Google Patents
突起電極の形成方法Info
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- JPH02267941A JPH02267941A JP8891889A JP8891889A JPH02267941A JP H02267941 A JPH02267941 A JP H02267941A JP 8891889 A JP8891889 A JP 8891889A JP 8891889 A JP8891889 A JP 8891889A JP H02267941 A JPH02267941 A JP H02267941A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は弾性を有する突起電極の形成方法に関する。
弾性を有する突起電極の形成方法として、例えば特開昭
６３−１６０３５１号公報に記載の方法がある。この公
報に記載の突起電極の形成方法は、半導体基板の電極パ
ッド上に、この電極パッド位置に対応した開口を有する
金属マスクを配置し、印刷法により導電性弾性樹脂を電
極パッド上に形成し、弾性を有する突起電極を形成して
いる。導電性弾性樹脂としては、ニッケル粉にメッキに
より金の薄厚を被覆し、これをシリコン樹脂中に混入し
たものを用いる。
６３−１６０３５１号公報に記載の方法がある。この公
報に記載の突起電極の形成方法は、半導体基板の電極パ
ッド上に、この電極パッド位置に対応した開口を有する
金属マスクを配置し、印刷法により導電性弾性樹脂を電
極パッド上に形成し、弾性を有する突起電極を形成して
いる。導電性弾性樹脂としては、ニッケル粉にメッキに
より金の薄厚を被覆し、これをシリコン樹脂中に混入し
たものを用いる。
上記の製造方法により形成した弾性を有する突起電極を
用いて半導体基板と回路基板とを接続すれば、半導体基
板と回路基板との熱膨張係数の違（・に起因する実装信
頼性の低下を防ぐことができる利点がある。しかしなが
ら導電性弾性樹脂からなる突起電極を電極パッド上に形
成するため、金属マスクを用いて（・る。このため突起
電極の位置゛精度に対する対応は充分でない。さらに突
起電極の輪郭で印刷にじみが発生することにより、突起
電極間隔の小さ（突起電極径の小さいものを形成するこ
とは難しい。
用いて半導体基板と回路基板とを接続すれば、半導体基
板と回路基板との熱膨張係数の違（・に起因する実装信
頼性の低下を防ぐことができる利点がある。しかしなが
ら導電性弾性樹脂からなる突起電極を電極パッド上に形
成するため、金属マスクを用いて（・る。このため突起
電極の位置゛精度に対する対応は充分でない。さらに突
起電極の輪郭で印刷にじみが発生することにより、突起
電極間隔の小さ（突起電極径の小さいものを形成するこ
とは難しい。
本発明の目的は、突起電極位置精度が高く、さらに突起
電極間隔が小さく突起電極径の小さな突起電極を形成す
るための製造方法を提供することにある。
電極間隔が小さく突起電極径の小さな突起電極を形成す
るための製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明における突起電極は、下
記記載の工程により形成する。
記記載の工程により形成する。
（イ）半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成しさら
に全面に保護膜を形成しホトエツチングにより該保護膜
をエツチングして電極パッドを露出する工程と、電極パ
ッドに対応した位置に開口部を設けたマスク膜を形成す
る工程と、このマスク膜の開口部内に導電性弾性樹脂を
形成する工程と、マスク膜を除去することにより導電性
弾性樹脂からなる突起電極を形成する工程とを有する。
に全面に保護膜を形成しホトエツチングにより該保護膜
をエツチングして電極パッドを露出する工程と、電極パ
ッドに対応した位置に開口部を設けたマスク膜を形成す
る工程と、このマスク膜の開口部内に導電性弾性樹脂を
形成する工程と、マスク膜を除去することにより導電性
弾性樹脂からなる突起電極を形成する工程とを有する。
（ロ）半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成しホト
エツチングにより保護膜をエツチングして電極パッドを
露出しさらに全面に共通電極膜を形成する工程と、電極
パッドに対応した位置に開口部を設けたマスク膜を形成
する工程と、メッキ法によりこのマスク膜の開口部内に
金属膜を形成する工程と、′マスク膜の開口部内の金属
膜上に導電性弾性樹脂を形成する工程と、マスク膜を除
去しさらに導電性弾性樹脂をエツチングのマスクとして
共通電極膜をエツチングして導電性弾性樹脂と金属膜と
からなる突起電極を形成する工程とを有する。
エツチングにより保護膜をエツチングして電極パッドを
露出しさらに全面に共通電極膜を形成する工程と、電極
パッドに対応した位置に開口部を設けたマスク膜を形成
する工程と、メッキ法によりこのマスク膜の開口部内に
金属膜を形成する工程と、′マスク膜の開口部内の金属
膜上に導電性弾性樹脂を形成する工程と、マスク膜を除
去しさらに導電性弾性樹脂をエツチングのマスクとして
共通電極膜をエツチングして導電性弾性樹脂と金属膜と
からなる突起電極を形成する工程とを有する。
Ｈ半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成し全面に保
護膜を形成しホトエツチングにより保護膜をエツチング
して電極パッドを露出しさらに全面に共通電極膜を形成
する工程と、電極パッドに対応した位置に開口部を設け
たマスク膜を形成する工程と、このマスク膜の開口部内
に導電性弾性樹脂を形成する工程と、マスク膜を除去し
さらに導電性弾性樹脂をエツチングのマスクとして共通
電極膜をエツチングして導電性弾性樹脂からなる突起電
極を形成する工程とを有する。
護膜を形成しホトエツチングにより保護膜をエツチング
して電極パッドを露出しさらに全面に共通電極膜を形成
する工程と、電極パッドに対応した位置に開口部を設け
たマスク膜を形成する工程と、このマスク膜の開口部内
に導電性弾性樹脂を形成する工程と、マスク膜を除去し
さらに導電性弾性樹脂をエツチングのマスクとして共通
電極膜をエツチングして導電性弾性樹脂からなる突起電
極を形成する工程とを有する。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例における
突起電極の形成方法を工程順に示す断面図である。
突起電極の形成方法を工程順に示す断面図である。
まず第１図（ａｌに示すように、所定の素子を形成した
半導体基板１２上に絶縁膜１４を形成し、この絶縁膜１
４上に入出力端子である電極パッド１６を形成する。そ
の後全面にリンを添加した酸化シリコン膜からなる保護
膜１８を形成する。その後ホトエツチングを行なうこと
により、電極パッド１６が露出するように、保護膜１８
に開口を形成する。保護膜１８としては上記の不純物を
添加した酸化シリコン膜以外にも、窒化シリコン膜など
の無機絶縁膜、あるいはポリイミドなどの有機絶縁膜、
あるいは無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造も適用で
きる。
半導体基板１２上に絶縁膜１４を形成し、この絶縁膜１
４上に入出力端子である電極パッド１６を形成する。そ
の後全面にリンを添加した酸化シリコン膜からなる保護
膜１８を形成する。その後ホトエツチングを行なうこと
により、電極パッド１６が露出するように、保護膜１８
に開口を形成する。保護膜１８としては上記の不純物を
添加した酸化シリコン膜以外にも、窒化シリコン膜など
の無機絶縁膜、あるいはポリイミドなどの有機絶縁膜、
あるいは無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造も適用で
きる。
次に第１図（ｂ）に示すように、全面にマスク膜２０と
して厚さ５μｍ ％ １００μｍ程度のフィルム状の感
光性樹脂、いわゆるドライフィルムレジストを、真空雰
囲気中で温度６０度Ｃ程度に加熱した半導体基板１２−
Ｌの全面に形成する。その後所定のホトマスクを用いて
ドライフィルムレジストを露光し、温度８０度Ｃ程度の
熱処理を行なった後、現像処理を行なう。現像後１５０
度Ｃ程度の温度で熱処理を行ない、電極パッド１６位置
に対応した開口部２２を有するマスク膜２０を形成する
。マスク膜２０どしては］二記のドライフィルノ、ｔ／
シスト以外にも、液状の感光性樹脂、あるいはポリ・１
ミド樹脂なども適用できろ。
して厚さ５μｍ ％ １００μｍ程度のフィルム状の感
光性樹脂、いわゆるドライフィルムレジストを、真空雰
囲気中で温度６０度Ｃ程度に加熱した半導体基板１２−
Ｌの全面に形成する。その後所定のホトマスクを用いて
ドライフィルムレジストを露光し、温度８０度Ｃ程度の
熱処理を行なった後、現像処理を行なう。現像後１５０
度Ｃ程度の温度で熱処理を行ない、電極パッド１６位置
に対応した開口部２２を有するマスク膜２０を形成する
。マスク膜２０どしては］二記のドライフィルノ、ｔ／
シスト以外にも、液状の感光性樹脂、あるいはポリ・１
ミド樹脂なども適用できろ。
次（パζ第１図［ｃＪに示すように、印刷法によりマス
、り膜２０の開口部２２内に、シリコン樹脂などの絶縁
性樹脂中に炭素粒子などの導電粒子を混入１−２だ導電
性弾性樹脂２４を埋込むように形成する。
、り膜２０の開口部２２内に、シリコン樹脂などの絶縁
性樹脂中に炭素粒子などの導電粒子を混入１−２だ導電
性弾性樹脂２４を埋込むように形成する。
その後温度８０度Ｃ〜１２０度Ｃの熱処理を行なし・、
導電性弾性樹脂２４を硬化させる。絶縁性樹脂は前述の
シリコン樹脂以外にも、エポキシ、ポリエステル、ポリ
イミドなどが適用可能で、さらに導電粒子と１−２ては
炭素粒子以外にも、ニッケル、金、窒化チタン、炭化タ
ングステン、有機系粒子または無機系粒子に導電膜を被
覆したもの、あるいはハンダなども適用できる。
導電性弾性樹脂２４を硬化させる。絶縁性樹脂は前述の
シリコン樹脂以外にも、エポキシ、ポリエステル、ポリ
イミドなどが適用可能で、さらに導電粒子と１−２ては
炭素粒子以外にも、ニッケル、金、窒化チタン、炭化タ
ングステン、有機系粒子または無機系粒子に導電膜を被
覆したもの、あるいはハンダなども適用できる。
次に第１図（ｄｌに示すように、マスク膜２０を除去す
ることにより、電極バッド１６上に導電性弾性樹脂２４
かもなる突起電極２６を形成する。
ることにより、電極バッド１６上に導電性弾性樹脂２４
かもなる突起電極２６を形成する。
第２図（ａｌ〜（ｄ）は本発明の第２の実施例における
突起電極の形成方法を工程順に示す断面図である。
突起電極の形成方法を工程順に示す断面図である。
まず第２図（ａ）に示すように、絶縁膜１４を形成した
半導体基板１２上の保護膜１８をエツチングし電極パッ
ド１６を露出させる。その後真空蒸着法あるいはスパン
タリング法により、共通電極膜２８とｌ−て膜厚２０ｎ
ｍ程度のクロムと、膜厚５００口ｍ程度の銅を形成する
。共通電極膜２８を積層膜で構成し７たのは、銅１層の
みでは電極バッド１６を構成するアルミニウムとの密着
性が充分得られず、アルミニウムとの密着性の良いクロ
ムを共通電極膜２８の下地層として形成ｌ−１電極バツ
ド１６と共通電極膜２８との密着性を向上させるためで
ある。共通電極膜２８としては上記のクロム−銅以外に
も、アルミニウムークロム−銅、ヂタンークロムー銅、
クロム−銅−ニッケルなどの３層膜で構成１−ても良い
。
半導体基板１２上の保護膜１８をエツチングし電極パッ
ド１６を露出させる。その後真空蒸着法あるいはスパン
タリング法により、共通電極膜２８とｌ−て膜厚２０ｎ
ｍ程度のクロムと、膜厚５００口ｍ程度の銅を形成する
。共通電極膜２８を積層膜で構成し７たのは、銅１層の
みでは電極バッド１６を構成するアルミニウムとの密着
性が充分得られず、アルミニウムとの密着性の良いクロ
ムを共通電極膜２８の下地層として形成ｌ−１電極バツ
ド１６と共通電極膜２８との密着性を向上させるためで
ある。共通電極膜２８としては上記のクロム−銅以外に
も、アルミニウムークロム−銅、ヂタンークロムー銅、
クロム−銅−ニッケルなどの３層膜で構成１−ても良い
。
次に第２図（ｌ〕）に示すように、第１図を用いて説明
ｌ〜だ同じ方法にて、開口部２２を形成したマスク膜２
０を共通電極膜２８上に形成する。その後共通電極Ｍ２
８をメッギ電極として、マスク膜２０の開口部２２内に
、銅、ニッケルなどの金属膜乙２を、例えばマスク膜２
０の膜厚の半分程度の厚さで形成する。
ｌ〜だ同じ方法にて、開口部２２を形成したマスク膜２
０を共通電極膜２８上に形成する。その後共通電極Ｍ２
８をメッギ電極として、マスク膜２０の開口部２２内に
、銅、ニッケルなどの金属膜乙２を、例えばマスク膜２
０の膜厚の半分程度の厚さで形成する。
次に第２図（Ｃ１に示すように、マスク膜２０の開口部
２２内に、印刷法により導電性弾性樹脂２４を埋込むよ
う形成する。
２２内に、印刷法により導電性弾性樹脂２４を埋込むよ
う形成する。
次に第２図（ｄｌに示すように、マスク膜２０を除去し
、導電性弾性樹脂２４をエツチングのマスクとして、共
通電極膜２８の上層膜の銅を硝酸で、下層膜のクロムを
フズリシアン化カリウムと水酸化す） ＩＪウムとの混
合溶液でそれぞれエツチングｌ７、金属膜３２と導電性
弾性樹脂２４との積層構造からなる突起電極２６を得る
。
、導電性弾性樹脂２４をエツチングのマスクとして、共
通電極膜２８の上層膜の銅を硝酸で、下層膜のクロムを
フズリシアン化カリウムと水酸化す） ＩＪウムとの混
合溶液でそれぞれエツチングｌ７、金属膜３２と導電性
弾性樹脂２４との積層構造からなる突起電極２６を得る
。
第３図は本発明の第３の実施例における突起電極の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
第１図を用いて説明した本発明における第１の実施例と
異なる点は、電極バッド１６と導電性弾性樹脂２４から
なる突起電極２６との間に共通電極膜２８を形成するこ
とにある。第３図に示す突起電極の形成方法は、１葎バ
ッド１６を露出するよう保護膜１８をエツチングし、そ
の後全面にクロムと銅の積層膜からなる共通電極膜２８
を形成し、その後開口部を有するマスク膜を形成１〜、
その後このマスク膜の開口部内に導電性弾性樹脂２４を
印刷法により形成後、マスク膜を除去し、さらに導電性
弾性樹脂２４をエツチングのマスクと１−で共通電極膜
２８をエツチングすることにより、導電性弾性樹脂２４
からなる突起電極２６を得る。
異なる点は、電極バッド１６と導電性弾性樹脂２４から
なる突起電極２６との間に共通電極膜２８を形成するこ
とにある。第３図に示す突起電極の形成方法は、１葎バ
ッド１６を露出するよう保護膜１８をエツチングし、そ
の後全面にクロムと銅の積層膜からなる共通電極膜２８
を形成し、その後開口部を有するマスク膜を形成１〜、
その後このマスク膜の開口部内に導電性弾性樹脂２４を
印刷法により形成後、マスク膜を除去し、さらに導電性
弾性樹脂２４をエツチングのマスクと１−で共通電極膜
２８をエツチングすることにより、導電性弾性樹脂２４
からなる突起電極２６を得る。
上記の本発明における第１〜３の実施例により導電性弾
性樹脂２４からなる突起電極２６を形成Ｉ−だ半導体集
積回路装置と、回路基板との接続方法としては、導電性
接着剤を用いる方法、半導体集積回路を回路基板に圧接
（−だ状態で両者の間に絶縁性樹脂を塗布し接続と封止
とを同時に行なう方法、あるいは半導体集積回路装置を
回路基板に弾性部材により圧接１〜で接続する方法など
がある。
性樹脂２４からなる突起電極２６を形成Ｉ−だ半導体集
積回路装置と、回路基板との接続方法としては、導電性
接着剤を用いる方法、半導体集積回路を回路基板に圧接
（−だ状態で両者の間に絶縁性樹脂を塗布し接続と封止
とを同時に行なう方法、あるいは半導体集積回路装置を
回路基板に弾性部材により圧接１〜で接続する方法など
がある。
以上の説明で明らかなように本発明における突起電極は
、半導体基板上に形成したマスク膜の開１コ部内に導電
性弾性樹脂を埋込むことにより、突起電極を形成してい
る。［またがって本発明にお（・ては、従来例に比較し
て突起電極の位置精度が高く、さらに突起電極間隔が小
さく突起電極径が小さな突起電極が得られ、半導体集積
回路装置に突起電極を高密度に形成することができる。
、半導体基板上に形成したマスク膜の開１コ部内に導電
性弾性樹脂を埋込むことにより、突起電極を形成してい
る。［またがって本発明にお（・ては、従来例に比較し
て突起電極の位置精度が高く、さらに突起電極間隔が小
さく突起電極径が小さな突起電極が得られ、半導体集積
回路装置に突起電極を高密度に形成することができる。
さらに請求項（２）に記載の突起電極の形成方法におい
ては、突起電極を金属膜と導電性弾性樹脂とにより形成
している。したがって突起電極の高さの均一性がさらに
向上し、半導体集積回路装置と回路基板との接続の信頼
性が一層向上する。
ては、突起電極を金属膜と導電性弾性樹脂とにより形成
している。したがって突起電極の高さの均一性がさらに
向上し、半導体集積回路装置と回路基板との接続の信頼
性が一層向上する。
さらに請求項（３）に記載の突起電極の形成方法におい
ては、突起電極と電極パッドどの間に共通電極膜を形成
している。したがって突起電極と電極パッドとの接触抵
抗がより一層低（なる効果を有する。
ては、突起電極と電極パッドどの間に共通電極膜を形成
している。したがって突起電極と電極パッドとの接触抵
抗がより一層低（なる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例における
突起電極の形成方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ
）〜（ｄｉは本発明の第２の実施例における突起電極の
形成方法を工程順に示す断面図、第３図は本発明の第３
の実施例における突起電極の形成方法を示す断面図であ
る。 １６・・・・・・電極パッド、 ２０・・・・・・マスク膜、 ２２・・・・・・開口部、 ２４・・−・・・導電性弾性樹脂、 ２６・・・・・・突起電極。 第１図 第２図
突起電極の形成方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ
）〜（ｄｉは本発明の第２の実施例における突起電極の
形成方法を工程順に示す断面図、第３図は本発明の第３
の実施例における突起電極の形成方法を示す断面図であ
る。 １６・・・・・・電極パッド、 ２０・・・・・・マスク膜、 ２２・・・・・・開口部、 ２４・・−・・・導電性弾性樹脂、 ２６・・・・・・突起電極。 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成しさら
に全面に保護膜を形成しホトエッチングにより該保護膜
をエッチングして該電極パッドを露出させる工程と、前
記電極パッドに対応した位置に開口部を設けたマスク膜
を形成する工程と、該マスク膜の開口部内に導電性弾性
樹脂を形成する工程と、前記マスク膜を除去することに
より該導電性弾性樹脂からなる突起電極を形成する工程
とを有することを特徴とする突起電極の形成方法。 - （２）半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成し全面
に保護膜を形成しホトエッチングにより該保護膜をエッ
チングして該電極パッドを露出しさらに全面に共通電極
膜を形成する工程と、前記電極パッドに対応した位置に
開口部を設けたマスク膜を形成する工程と、メッキ法に
より該マスク膜の開口部内に金属膜を形成する工程と、
前記マスク膜の開口部内の該金属膜上に導電性弾性樹脂
を形成する工程と、前記マスク膜を除去しさらに該導電
性弾性樹脂をエッチングのマスクとして前記共通電極膜
をエッチングして前記導電性弾性樹脂と金属膜とからな
る突起電極を形成する工程とを有することを特徴とする
突起電極の形成方法。 - （３）半導体基板の絶縁膜上に電極パッドを形成し全面
に保護膜を形成しホトエッチングにより該保護膜をエッ
チングして該電極パッドを露出しさらに全面に共通電極
膜を形成する工程と、前記電極パッドに対応した位置に
開口部を設けたマスク膜を形成する工程と、該マスク膜
の開口部内に導電性弾性樹脂を形成する工程と、前記マ
スク膜を除去しさらに該導電性弾性樹脂をエッチングの
マスクとして前記共通電極膜をエッチングして前記導電
性弾性樹脂からなる突起電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする突起電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8891889A JPH02267941A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 突起電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8891889A JPH02267941A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 突起電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267941A true JPH02267941A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13956301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8891889A Pending JPH02267941A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 突起電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267941A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136146A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の電極と検査方法 |
| JP2006286736A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電気部品、電気装置、及び電気部品の製造方法 |
| JP2007220959A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2011152490A1 (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | コニカミノルタＩｊ株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8891889A patent/JPH02267941A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136146A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の電極と検査方法 |
| JP2006286736A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電気部品、電気装置、及び電気部品の製造方法 |
| JP2007220959A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2011152490A1 (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | コニカミノルタＩｊ株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 |
| JP5720682B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2015-05-20 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法 |
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