JPS61144093A

JPS61144093A - 再使用可能なマンドレルをそなえた絶縁基板上にパターン化された相互接続を形成する方法

Info

Publication number: JPS61144093A
Application number: JP60281854A
Authority: JP
Inventors: ジヨセフ・ジエイ・ベイクウエル
Original assignee: Dynamics Research Corp
Current assignee: Dynamics Research Corp
Priority date: 1984-12-14
Filing date: 1985-12-13
Publication date: 1986-07-01
Also published as: EP0185998A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は可撓性リフトオフによる回路の形成に係り、特
に可撓性もしくは他の基板に転写するための物理的相互
接続を必要としない回路パターンの形成に関する。

［技術的背景］［精密な導電メツシュパターン」と題してＪ。

Ｊ、ベークウェルに与えられ本願出願人に譲渡された米
国特許第３，７０３，４５０号に示されたように、写真
食刻法もしくは他の技術によりパターンが設けられた非
導性ガラス基板上に非常に正確で上記パターンに対応す
る導電性メツシュを形成する工程が説明されている。こ
の全体構造はフォトレジスト材により被覆されて底部か
らの光で照射される。フォトレジスト材は次いで現像さ
れてパターン形成された金属領域の頂部上に置かれる。

この金属領域上には全構造を覆うように誘電体が形成さ
れる。現像工程中にフォトレジストは次いで溶融されて
誘電体が現像されたフォトレジストの頂部から同時に除
去される。これにより何れかの側に誘電体を持った元の
金属パターンが残る。中間に誘電体材料を有するパター
ンは次いで金属で被覆されてかなり厚いワイヤメツシュ
が誘電体材料間に形成され、端部は一端を持ち上げるこ
とによりワイヤメツシュがマンドレルから持上げられる
ように連続的に構成される。ワイヤメツシュでは全ての
メツシュ部分が一方と他方とに相互接続されパターンの
一端を持上げることにより引はがしは簡単に行える。本
発明ではメツシュは独立したものであり電子回路以外の
目的にも使用できる。

しかし電子回路は独立している絶縁された相互接続バス
もしくはパターン状の接続体を必要とし、これらは−緒
に接続されたり、あるいは端部に接続されるものではな
く、上記特許の方法はプリント回路と組合わされる絶縁
されたパターンを形成するのに一般的に応用し得るもの
ではない。

さらに、プリント回路板における線密度を増加したいと
いう要求があり、これは通常の回路板技術では達成でき
ない。銅積層プリント回路板上にシルクスクリーンレジ
ストパターンを形成するか、あるいはこの板上に７オト
レジストパターンを形成してエツチングしても０．０７
６ａａ＋７！＋至０．２５４＃１１１の範囲の線しか得
られない。

電気メッキを用いた付加的工程を用いて可撓性あるいは
固定基板上に２５．４履当り１０，０００本の線密度の
細かい線を得ることができる。しかし）号トレジストパ
ターンを各回路毎に作らなければならず、しかもコスト
のかかる繰返しパターニング工程を行うことになる。

他の例としてドアンジェロ等に与えられた米国特許第３
．７２９．３８８号を参照する。この例では銅のような
導電金属がバルブ金属から引はがされるリフトオフ装置
が示されている。この技術は、パターンが引はがされる
とその都度マンドレル上に金属のバターニングを要する
から再使用可能なパターンマンドレルを提供するもので
はない。しかもこの技術は現在の印刷回路板技術に要求
される線密度を達成するものではない。重要なことはこ
の第２の例の特許が予め選択された少数の金属に対して
のみ有効であり且つ導電マンドレルを用いることである
。この第２の例の特許では、タンタル、ニオビウム、モ
リブデンおよびタングステンからなる群から適当なバル
ブ金属が選択される。無電解メッキによりバルブ金属ベ
ース上にパターンを形成するには、続いて形成される個
別のｌｌｉパターンがバルブ金属に接着し難くバルブ金
属ベースから持上げられることによりかなり簡単に手で
除去される。しかし、この第２の例では誘電体材料がパ
ターンライン間に分散配置されておらず、したがってパ
ターン形成はかなり限定される。また誘電体材料がない
ため使用の都度のパターニングを要する。

第２の例においては、適当な基板すなわち支持板がメッ
キされたパターンを除去するために用いられ、基板はね
ばねばした接着剤が設けられており形成されたパターン
が引はがされる。この例では、その工程はプリント回路
板に用いられるグリッドを形成する。この例による目を
みはる結果は、バルブ金属上に電着しないバルブ金属に
比べ、例えば銅の導電形状すなわちパターンを形成し得
ることを見出したことである。この場合鋼は個別のパタ
ーン上に選択的に電気メッキされバルブ金属カソードベ
ース上に電気メッキされないとされている。この理由と
してドアンジエロ等は、タンタルもしくはニオビウムは
自然に生じる５乃至２０〔入〕厚の酸化膜を有し、この
膜で表面領域を覆うことを挙げている。この仮説は、こ
の酸化膜がベースを不活性化し電着中にカソードとして
機能する間メッキされることを防止するというものであ
る。したがってカソードとして用いられる特定のバルブ
金属ベースは特定のメッキ浴を必要とするもので、これ
により酸化被膜を侵さずにカソードであるベース上に付
着する。したがってドアンジェＯの方法は注意深く選ば
れた金属および厳格な処理技術に限定される。

使用し得る金属の数が制限されていることとはｉＪに、
第２の例に示された方法におけるもう１つの問題は、パ
ターン端部間に何らかの誘電体材料がないことによりパ
ターン画成が著しく貧弱なことである。誘電体部材の詰
め物なしで他の金属上に金属を積み上げると非常に不均
一な電気生成被膜を形成する。それは電気生成材料がマ
ンドレル上のパターンの側部にこぼれると屡々短絡を起
し、非常に狭い線幅もしくは間隔を保つことが不可能で
あるためである。したがってドアンジエロ等によって達
成され得る線画酸は今日のプリント回路技術の要求には
適合しない。

要するにドアンジエロ等の技術にはパターン線間に誘電
体がなくそのため選択的なメッキは誘電性マンドレル材
料および使用される特定の金属に厳格に依存している。

最も重要なことはマンドレルからパターンを完全に除去
するためマンドレルは再使用できないことである。

ＩＣ用の電気生成工程を説明する他の特許は米国特許第
３，４０２，１１０号、同第４，０３９，３９７号、同
第２，６９２，１９０号、同第３，１８１，９８６号、
同第４．１５９，２２２号、同第４，３０６，９２５号
および英国特許第１，１１６，２９９号（１９６８年６
月６日発行）である。

米国特許第３，４０２，１１０号では最終パターンは持
上げられたり基板に固着されたすせず、形成され□るべ
き外側フレームを必要とする。要するに、この特許では
金属刷型が形成されて孔明き金属を有するシートを形成
するためのみに用いられ独立している絶縁された回路を
得る可能性を排除する。

多分、より重要なことは従来の技術では再使用可能なマ
ンドレルを用いないから従来方法の多くは毎回マンドレ
ルの補助処理を必要とし、この補助処理はフォトレジス
ト、現像材料および他の溶媒のような多量の有毒材料を
必要とする。これは有害廃棄物の問題をもたらす。

［発明の要約］本発明の目的は、マンドレル上の永久導電パターンの間
に配されたｉｌｌ電体材料を有する汚染を起さない再使
用可能なマンドレルを提供し、上に設けられたパターン
を持上げることによりこのパターンを所望の線精度およ
び鮮明度で形成でき、同時に電気的に形成されるために
すなわちマンドレルから持上げられるために端部で結合
される必要のない不連続パターンの使用を可能とするこ
とである。

２５．４ｓｍ当り１０，０００本の線密度を提供するた
めに、本発明のある実施例では非導電マンドレル法が用
いられる。この方法ではマンドレルは透明であり、透明
な導電性被膜が設けられていて誘電体の島が分散配置さ
れた永久金属パターンの電気形成を行う。ガラスを使用
することにより導電性マンドレルの使用によっては不可
能な程度までパターニングすることができ、現在の回路
用の非常に精細な線接続体を形成することができる、独
特の再使用可能なマンドレルを提供することができる。

また、線精細度が厳格でないときは導電マンドレルが用
いられる。

何れの場合でも永久パターンが異なる金属で上に設けら
れ、または仮に同一金属が用いられると永久金属パター
ンは自然にあるいは他の方法で不活性化される。何れの
場合でもリフトオフ工程中に上に設けられた金属のみを
除去するようにする。

したがってこの工程においてリフトオフ段階は、マンド
レル上の所定位置に永久パターンを誘電体材料の分散配
置された島により画成されるパターンと共に残す。導電
性マンドレルの場合導電性マンドレルの露出部分が誘電
体材料の分散配置された適当な金属パターンを形成する
。非導電性マンドレルの場合、パターン形成された金ｔ
ｉｔｓが残りこれは永久にマンドレルに固定される。こ
の場合パターンは透明導電層の頂部上に誘電体のパター
ニングにより形成される。

何れかの型のマンドレル製作の一段階において、誘電体
材料は、その上にフォトレジスト層がパターン形成され
たパターン化金属表面を有するマンドレル上に設けられ
、フォトレジストは金属パターンの頂部上にのみ置かれ
る。ストリップ工程によりｙｈ１体材料は金属パターン
の上部のみが除去されパターン線の間のものが残される
。ストリップ工程では通常アセトンであるストリッパが
フォトレジスト層の直ぐ上の誘電体の比較的薄い頂面を
浸透し、ストリッパがフォトレジスト層を侵して溶解し
且つ上方に拡がることにより比較的薄い直上の誘電体層
を切開き永久金属パターンを露出する。この同一工程は
またパターン化されたフォトレジストの１層部の薄い金
属に対しても作用し、フォトレジスト材料が除去される
べき材料の下方に埋められているとしても非常に精細な
線画成が達成される。

非導電マンドレルの場合精細な線回路分解能は２５．４
層当り１０，０００本を超え、３４電マンドレルの線精
細度は現在のエツチング技術で得られるものを超える、
２５．４層当りｉ　、　ｏｏｏ本のオーダーである。

本発明方法は２５．４ｆｆｉ当り１０，０００本の分解
能の相互接続線すなわちバスを提供するもので、上述の
ものより厚い導体でも上記分解能が得られる。回路は作
業中に廃棄物を出すことなく製作され、溶媒を用いず、
熱い腐食性材料を用いず、一旦永久マンドレルが製作さ
れると酸も霧も生じない。

本発明に係るマンドレルを使用した場合と前記ドアンジ
エロ等のマンドレルを使用した場合の相違は次の通りで
ある。ドアンジェロ等は、金属パターンによって占めら
れていない領域における誘電体材料の欠落に起因する電
気メツキ工程による導電プラテン上のメッキパターンを
排除する金属の狭い群に適用される。誘電体の使用は多
くの材料をより良好な精細度で使用することを可能とす
る。さらに重要なことはドアンジェロ等のマンドレルは
再使用できないが本発明のマンドレルは再使用できる。

注目すべきは本発明に用いられた誘電体材料は電気的に
形成されたパターンが側方に成長するのを防ぎ厚さ方向
に成長する。非導電性実施例に対して前記ベークウェル
法を本発明のリフトオフ法に付加するために、例えばグ
ラスである透明基板には部分的に透明な導電層が設けら
れる。これは高度に精細化された回路線を電気形成する
のに必要である。この部分的に透明な導電層もまた基板
の底部からのフォトレジスト露光を可能とする。

そして回路パターンは、不透明な導電パターンおＪ−び
パターン頂部上のフォトレジストを用いることによりフ
ォトレジスト技術による回路線間に誘電体の島を形成す
るようにマンドレル上に形成される。フォトレジスト技
術ではフォトレジストはガラスマンドレルの底部から透
明尋電層を介して露光される。この結果、半透明導電材
料の連ｊｆ：層が元の基板の表面に付加される点を除き
前記電気的に形成されたメツシュと同様にマンドレルが
製作される。さらに本発明では回路パターンは通常はカ
プトンのシートである接着被覆基板の使用により元のマ
ンドレルから持上げられる点が異なる。

これにより外側フレームを用いずに絶縁されたパターン
セグメントを保存することができる。

ガラス、プラスチック、カプトンあるいはナイロンのよ
うな材料の使用により永久再使用可能マンドレルが可撓
性であり、しかも固体基板に直接転写することを許容す
ることは重要である。ガラス−ガラスあるいはガラス−
セラミックの転写も達成できる。

要約すると、回路パターンが永久再使用可能マンドレル
上に電気的に形成され次いで可撓性基板上に転写され固
定される。あるいは本発明回路はマンドレルから回路パ
ターンを除去して適当な担体に接着し次いで可撓性もし
くは固体基板に固着することにより製作される。適当な
基板は次いで除去され、回路は熱および圧力の使用によ
って仕上げられ回路が基板に接着される。

［実施例］第１図に示すように、基板上にプリント回路パターンを
形成するために、参照符号１０で示される基板が線パタ
ーン１２と共に設けられる。パターンは絶縁された部分
を有し、この絶縁された部分は外部フレームまたはパタ
ーン周りのリングに接続されていない。１つの実施例に
おいては基板１０はカプトンで形成される。これはいわ
ゆる「フレックスプリント」法で一般的な可撓性材料で
ある。

２５．４ｍ当りの線分解能を１０．Ｇｏｏと上述したよ
うに、本発明方法により集積回路パターンを上記基板上
に非常に精細に形成することができ、相互接続回路板に
よって達成される回路密度を向上する。

上述のように、誘電体の島が分散配置された金属の永久
パターンを有する非導電マンドレルの使用、あるいは誘
電体の島によってパターンが形成された導電性マンドレ
ルの使用により不連続パターンがリフトオフ工程中に形
成され、マンドレルの表面上に、持上げられるべきパタ
ーンが設けられる導電面が形成される。何れの方法にお
いてもマンドレルは再使用可能でありマンドレルから電
気メッキされた材料が持上げられた後、再三使用される
。永久Ｆ４電パターンはその上に設けられた金属のリフ
トオフ中ははがされない、すなわち破壊されないという
意味で永久である。

−１′：マンζシル゛− 第２Ａ図において、ガラスまたはプラスチックである透
明非導電ベース１４は部分透明導電層１６で覆われる。

この層はクロムおよび金の蒸着層であり、ニューヨーク
州オレンジバーグのＭＲＣで製作されている。第２Ｂ図
において層１６はパターン形成されたフォトレジスト１
８を有し、このフォトレジスト１８は第２Ｃ図に示すよ
うに蒸着あるいはスパッタ付着された導電層２０を有す
る。

第２Ｄ図に示すように、フォトレジスト１８はアセトン
のような溶媒により溶解すなわち除去される。溶媒はフ
ォトレジスト層および金属層２０の部分を除去する。溶
媒は金属層の頂部表面２２から入り込みフォトレジスト
層に達して溶解し、またフォトレジストの上にある金属
層が溶ける。第２Ｅ図に示すように、除去は粒状構造２
４で示され、不透明導体２６が導電透明層の頂部に残る
。溶媒は頂面から入り込み下方に拡散してフォトレジス
トおよび上にある金属層を除去する。このとき透明導電
層１６上にあるＳ電層２０の部分を侵すことはない。

この過程で得られる分解能は上記した２５．４厘当りｉ
ｏ、ｏｏｏ本に適合するものである。

マンドレルは第２Ｅ図の構造にフォトレジスト層３０を
適用することによりさらに用意され第２Ｆ図の構造が形
成される。フォトレジストはアメリカ・ヘキスト社製モ
デルＡ２１３５Ｇでマサチューセッツ州、ニュートンの
シラプリー社に供給されるものである。不透明導体２６
上の７オトレジストの部分はある実施例では０．００７
６　ｔｍのオーダのかなり薄いものである。

第２Ｆ図に示す段階に見られるように、その構造は底部
からの光で照射され現像により第２０図の構造が残る。

これはベース１４、透明導電層１６、不透明導電体２６
およびフォトレジスト３ｏを右する。

フォトレジストは透明基板上に前部て形成された高分解
能導体と同じ分解能を有する。次に誘電体＠３４が第２
Ｇ図の構造全体に与えられ第２８ｆｆｉの構造が得られ
る。ある実施例における誘電体材料はニューヨーク州、
オレンジバーブのＭＲＣ社製モデＡ／Ｎ１１３０−２０
２　Ａ　　Ｓ　１５１４−４００　す６　シ’Ｊ　：１
ン酸化物で０．００５０厘厚に真空蒸着される。

第２１図において、フォトレジスト３ｏはアセトンのよ
うな溶媒で溶解すなわち除去され、フォトレジストは溶
解され拡がり破壊し、て符号３６で示すように粒状化し
永久導体２６間に分散配置された誘電体の島４０を残す
。

残った構造は第２Ｊ図に示された通りで、仕上った再使
用可能なマンドレルは永久金属パターン導体２６上に隆
起した誘電体の島４ｏを有し、導体２６は基板１４上に
ある導体層１６上に置かれる。ある実施例では島の頂部
は導体２６の頂部上０．００７８　ａｉのところにあり
、持上げられた金属パターンは０．００７６　ｔｔｔｘ
の厚さを有する。

最終製品用のパターン金属を形成するための上の層によ
って光学的不活性化段階が例えば酸化不活性被膜２２を
導体２６の頂面上に設ける。しかし、通常の場合導体２
６の頂面上には充分な量の汚染酸化物すなわち物質があ
り、これらの導体の頂部を不活性化するのに特別の努力
は必要としない。実際、特に金、クロムおよび銅ではそ
のような層は環境条件下で自然に形成される。これらの
４体に上付は層を設けることが要求されたら清浄および
除去等の特別な処理が必要である。しかし、本発明では
そのような清浄工程は要らない。それは透明基板上のこ
れらの永久金属領域から持上げ得るパターンを形成する
ことが後続の層形成段階の目的だからである。

第２に図に示すように、マンドレルを用いるため、第２
Ｊ図に符号５０で示されたマンドレル構造は符号５２で
示される金属によって覆われる。この金属１１５２はあ
る実施例では０．００７６　ｍ厚で誘電体層４０の頂面
５４の僅か上に延びる金属層である。誘電体層の厚さの
一部は持上げられる層の厚さを決めるし、この厚さの残
部は永久導体２Ｇの厚さで決まる。通常の場合、上に設
けられる層はニッケルまたは銅製で誘電体層の僅か上に
延びる。したがって誘電体の１８１１１度は永久導体の
分解能と適合する分解能を有する、持上げ得る導体のパ
ターンを形成するための永久導体のパターン分解能に対
応したものとする。ニッケルとか銅は好ましいリフトオ
フ金属であり、金とが銀および永久導体上にメッキし得
る金属が用いられる。メッキ工程は、基板１４が非導電
性であるから導電層１６が存在するとき必要となる。

基板上にパターンを形成する工程における次の段階は第
２Ｌ図に示すように、ある実施例ではカプトンである可
撓性基板６０に接着層６２が設けられる。組合わせ構造
は構造５０上から押下げられ上側の導電層５２の頂面が
接着層中に入り込む。この工程は接着層をねばねばさせ
るために緩やかに加熱することを要する。ある実施例で
は接着剤はデュポンＬＦパイローラックスであるが他の
接着剤でもよい。あるいは基板６０は（支）体でマンド
レル基板１４が充分に可撓性でもよく、第２Ｍ図に示す
リフトオフ工程が生じる。図示のように可撓性基板が用
いられると、上のｉｊｌ　Ｉｆ　Ｈ５２は第２Ｊ図に示
すように永久パターンを持ったマンドレルを残すように
永久導体２６から持上げられる。

もし望むなら第２Ｎ図に示すように、符号６６で示され
る構造にプラテン６８または０−ラ（図示せず）を介し
て熱および圧力が与えられ第１図に示されるような仕上
り製品を形成するため接着層６２を硬化する。

クロムのような半透明１３１層の使用と共にこの工程の
ためにガラス基板を用いると通常のプリント回路板のパ
ターン形成技術に用いられるよりも遥かに高い分解能を
もたらす。これは本発明の高分解能の再使用可能マンド
レルの使用を通じて仕上り製品の線密度を増す。

しかも永久導体間の誘電体材料の島の使用により、かな
り厚いパターンが第２Ｌ図および第２Ｍ図の剥し取りす
なわちリフトオフ工程で転写され、この方法で製造され
る集積回路パターンの雷流容最を改善する。

１１ヱ之上上に丑２５．４．当り１０，０００本の分解能がある場合に望
まれるが、２５．４ｍ当り１，０００本の分解能が第３
Ａ乃至３Ｆ図に示されるＳ電マンドレル工程によって与
えられる。この工程で導電マンドレル７０に、ステンレ
ス鋼、クロムメッキされた銅、ニッケルまたはクロムメ
ッキされたセラミック製の導電性マンドレル７０がシル
クスクリーニング、写真食刻、ステンシルまたは′ｆｆ
ｉ層等の何らかの公知の方法でパターン形成されて電ｔ
ｉｉ７２が形成される。第３Ｃ図に示すように、７ｔｊ
電材７４が誘電体の島７２の間の空間に形成される。導
電材７４は第３Ｄおよび３Ｅ図に示される工程によりＳ
電マンドレルから外される。上述のように、外されるべ
き導電材料は自然工程による不活性化の型式の基板のも
のと同一でよく、上の材料はマンドレル７０の頂面７６
から実際に除去される。仮にリフトオフおよびマンドレ
ルに関して異った材料が用いられたら特別な不活性化は
通常は不要である。

第３Ｄ図に示すように、上述の型式の接＠層８０を持っ
た可撓性基板７８は符号８２で示される構造上に押付け
られ、導電マンドレル７０．　導体７０の形の上側材料
および誘電体の島７２を有するようになり、導体マンド
レルから容易に除去されない材料からなる誘電体の島を
そなえたものとなる。ある実施例ではこのような島は３
１６ステンレス鋼であるマンドレル材料を有する硬化エ
ポキシからなる。

はがし取り工程は第３Ｅ図に示し上述したように、誘電
体の島７２の間のマンドレル７２の表面８４により形成
された導電パターンを有するマンドレルを残す。

第３Ｆ図に示すように、符号９０で示された仕上がり製
品は加熱および加圧されてもよく、一方符号９２で示さ
れる再使用可能なマンドレルは第３Ｂ図のものと同一と
して図示されており、この場合導電マンドレル７Ｇは、
マンドレル７０の表面８４上の空間に導電パターンを画
成する誘電体の島７２を有する。

ガラスのような透明非１１３ｍベースの使用は、２番目
および３番目の層を先行する層に対し非常に正確に位置
決めした多層回路の製造を可能とする。

これは透明非導電ベースを介して各層を光学的に位置観
察することにより達成される。このような層の位置合わ
せは細線の高密度回路のためには非常に重要なことであ
る。

本発明を好適実施例により説明したが、当業者であれば
本発明の精神の範囲内で変形、代替を行い得る。したが
って本発明の範囲は特許請求の範囲のみによって定まる
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法による基板の腹部に形成された絶縁
相互接続回路を示す仕上がりプリント回路板の説明図、
第２Ａ乃至２Ｎ図は非導電マンドレルを用いることによ
る集積回路製品を製作するための工程段階を示す断面図
、第３Ａ乃至３Ｆ図は導電マンドレルを用いることによ
る集積回路製品を製作するための工程段階を示す断面図
である。１０・・・基　板　　　　　　１２・・・線パターン１
４・・・透明非導電ベース　１６・・・部分透明導電層
１８・・・フォトレジスト　　２０・・・導Ｎ層２２・
・・頂部表面　　　　　２４・・・粒状構造２６・・・
不透明導体ｔ’ｔｇ、ｓＦ　　　　　　　　　−ｑ：、ドレルＷ′
ｔマイ１４田１Ｌ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）持上げ得ない導電性パターンを持った永久マンド
レル上に絶縁され切離された対応するパターン部分を有
する持上げ得る金属のパターンであって、この持上げ得
る金属パターンの間のマンドレル上に持上げ得ないパタ
ーン形成された誘電体材料を有するものを形成し、前記持上げ得る金属パターン上に接着支持基板を押圧し
て接着剤を前記持上げ得る金属パターンに接触させ且つ
前記絶縁され切離されたパターン部分の間の何らかの必
要な相互接続の助けなしで前記持上げ得る金属パターン
を前記基板に転送し、前記パターン形成された誘電体材
料が改善された精細度の転写パターンを形成する、再使
用可能なマンドレルを有する絶縁基板上にパターン形成
された相互接続を形成する方法。
（２）前記基板は可撓性であり前記マンドレルは固体で
ある上記第１項の方法。
（３）前記マンドレルは可撓性であり前記基板は固体で
ある上記第１項の方法。
（４）前記持上げ得る金属パターンは前記持上げ得ない
導電パターンの頂部上に電気的に形成された上記第１項
の方法。
（５）前記マンドレルは、半透明導電層を有し、その上
に前記持上げ得ないパターンが形成されたガラスであり
、精細な持上げ得るパターンを形成するようにした上記
第１項の方法。
（６）前記マンドレルは金属である上記第１項の方法。
（７）前記持上げ得ないパターンは金、クロムおよび銅
からなる群から選ばれた金属を有する上記第１項の方法
。
（８）前記持上げ得ないパターンは前記持上げ得るパタ
ーンをその上に電気形成する前に不活性化される上記第
１項の方法。
（９）前記持上げ得るパターンはニッケル、銅、金およ
び銀からなる群から選ばれたものからなる上記第１項の
方法。
（１０）前記接着支持基板は任意の基板である上記第１
項の方法。
（１１）前記任意の基板上のパターンは前記任意の基板
から永久基板上に持上げられる上記第１０項の方法。
（１２）前記接着支持基板上の接着剤を、前記持上げ得
るパターンを持上げた後で硬化する工程を更に有する上
記第１項の方法。
（１３）前記接着支持基板上のパターンを前記持上げ得
る金属パターンを持上げた後で硬化し、この硬化工程中
に圧力を与える上記第１項の方法。
（１４）前記持上げ得る金属パターンは前記誘電体のパ
ターン形成された材料の頂部上のレベルまで形成される
上記第１項の方法。