JPH01201918A - パタン形成方法 - Google Patents
パタン形成方法Info
- Publication number
- JPH01201918A JPH01201918A JP63026089A JP2608988A JPH01201918A JP H01201918 A JPH01201918 A JP H01201918A JP 63026089 A JP63026089 A JP 63026089A JP 2608988 A JP2608988 A JP 2608988A JP H01201918 A JPH01201918 A JP H01201918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- mask
- defect
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路の製造において、マスク・パ
タンの欠陥に対して有効なパタン形成方法を提供するも
のである。
タンの欠陥に対して有効なパタン形成方法を提供するも
のである。
従来の技術
マスクの製造時あるいは、マスクの使用中に、２、、７
マスクに微細な欠陥、例えば第２図（Ｃ）に示す様にパ
タン甲２１、パタン乙２２の間に微細欠陥２３が発生し
た場合、露光の際の焦点をレジスト表面の位置に合わせ
る従来の露光方法では、微細欠陥２３がレジスト膜４１
に転写され、レジストを現像後に第２図（（１）に示す
様にレジスト・パタンの断面はパタン甲と乙とが連らな
シ、これらが配線パタンである場合には互いにショート
した状態となり、マスク・パタンか正しくレジストに転
写されない欠点がある。集積回路の製造工程において、
これらの微細欠陥は極力少なくする必要がちシ、従来の
パタン形成方法では、マスク・パタンの使用回数に限シ
があるばかシか、マスクの欠陥による歩留シの低が、産
業上大きな問題である。
タン甲２１、パタン乙２２の間に微細欠陥２３が発生し
た場合、露光の際の焦点をレジスト表面の位置に合わせ
る従来の露光方法では、微細欠陥２３がレジスト膜４１
に転写され、レジストを現像後に第２図（（１）に示す
様にレジスト・パタンの断面はパタン甲と乙とが連らな
シ、これらが配線パタンである場合には互いにショート
した状態となり、マスク・パタンか正しくレジストに転
写されない欠点がある。集積回路の製造工程において、
これらの微細欠陥は極力少なくする必要がちシ、従来の
パタン形成方法では、マスク・パタンの使用回数に限シ
があるばかシか、マスクの欠陥による歩留シの低が、産
業上大きな問題である。
発明が解決しようとする課題
本発明は、マスクに微細欠陥が存在する場合に、欠陥を
レジスト・パタ／に転写されるのを防ごうとするもので
ある。
レジスト・パタ／に転写されるのを防ごうとするもので
ある。
課題を解決するだめの手段
前記目的を達成する為に、従来レジスト表面に３ ベー
ン 焦点を合せ、マスクの像を転写していたものを、焦点を
ボカせて露光、転写する手段によって問題を解決しよう
とするものである。
ン 焦点を合せ、マスクの像を転写していたものを、焦点を
ボカせて露光、転写する手段によって問題を解決しよう
とするものである。
作用
本発明は、上記の手段によシ、マスク・ノ（タン上の微
細欠陥を焦点をポカして露光する事により、微細欠陥の
像をボカせて前記欠陥をレジストに転写しない様にする
マスク・パタン形成方法である。
細欠陥を焦点をポカして露光する事により、微細欠陥の
像をボカせて前記欠陥をレジストに転写しない様にする
マスク・パタン形成方法である。
実施例
第１図は本発明の一実施例を示す。（ａ）はレジスト塗
布工程、（ｂ）はパタン露光工程、（Ｃ）はレジスト現
像工程である。レジスト塗布工程では、例えばジアゾ系
ポジ型フォトレジストを回転塗布し、半導体基板上４２
に膜厚１．０μｍのレジスト膜４１を形成する。パタン
露光工程では、波長が０．４６５μｍ１ レンズの開口
数ＮＡが０．４２の光学系をもつ１０：１の縮少投影露
光器により、・（タンの転写露光を行う。この際に、レ
ジスト表面を焦点面４３から上あるいは下に２．０μｍ
ずらせた位置に置き、マスク・バタ／のピントがほけた
状態で露光を行う。焦点をボカすことによって、この場
合には０．６μｍ以下の微細欠陥について、欠陥・くタ
ンは、レジストに転写されない。マスク・パタンについ
ては、１．０μｍ以上のパタンについては、焦点ボケの
影響なく転写がなされる。この後、デツプ・エッチ等に
よる現像を行う。
布工程、（ｂ）はパタン露光工程、（Ｃ）はレジスト現
像工程である。レジスト塗布工程では、例えばジアゾ系
ポジ型フォトレジストを回転塗布し、半導体基板上４２
に膜厚１．０μｍのレジスト膜４１を形成する。パタン
露光工程では、波長が０．４６５μｍ１ レンズの開口
数ＮＡが０．４２の光学系をもつ１０：１の縮少投影露
光器により、・（タンの転写露光を行う。この際に、レ
ジスト表面を焦点面４３から上あるいは下に２．０μｍ
ずらせた位置に置き、マスク・バタ／のピントがほけた
状態で露光を行う。焦点をボカすことによって、この場
合には０．６μｍ以下の微細欠陥について、欠陥・くタ
ンは、レジストに転写されない。マスク・パタンについ
ては、１．０μｍ以上のパタンについては、焦点ボケの
影響なく転写がなされる。この後、デツプ・エッチ等に
よる現像を行う。
第２図に、本発明による方法と、従来の方法によるマス
ク・パタンの転写像と、レジスト・パタン形状を示す。
ク・パタンの転写像と、レジスト・パタン形状を示す。
第２図（ａ）に従来の方法による場合のレジスト表面に
おけるマスク・パタン像の光強度分布を、第２図（ｂ）
には、本発明を用いた場合のマスク・パタン像の計算機
シミュレーションによる光強度分布を示す。この場合用
いたマスク・パタンは、第２図（Ｃ）に示す。
おけるマスク・パタン像の光強度分布を、第２図（ｂ）
には、本発明を用いた場合のマスク・パタン像の計算機
シミュレーションによる光強度分布を示す。この場合用
いたマスク・パタンは、第２図（Ｃ）に示す。
第２図（ａ）の従来に示す様な方法では、パタン甲２１
とパタン乙２２の２つのパタンの間にはさまれた部分の
０．６μｍ口 のマスクの微細欠陥２３によって、２つ
のパタン甲と乙はつながった形となっておシ、レジスト
の現像によって両方のパタンかつながってしまう可能性
がある。一方、第２図５ヘーノ （ｂ）に示す本発明によるマスク・パタン像の光強度分
布では、全体として像がボケでいるが、特に、甲と乙の
パタンにはさまれた微細欠陥部での相対光強度が減少し
ている。しかし、甲及び乙パタンは、レジストが解像さ
れるに十分な相対光強度が得られている。
とパタン乙２２の２つのパタンの間にはさまれた部分の
０．６μｍ口 のマスクの微細欠陥２３によって、２つ
のパタン甲と乙はつながった形となっておシ、レジスト
の現像によって両方のパタンかつながってしまう可能性
がある。一方、第２図５ヘーノ （ｂ）に示す本発明によるマスク・パタン像の光強度分
布では、全体として像がボケでいるが、特に、甲と乙の
パタンにはさまれた微細欠陥部での相対光強度が減少し
ている。しかし、甲及び乙パタンは、レジストが解像さ
れるに十分な相対光強度が得られている。
丑だ、第２図（ｄ） 、 （ｅｌ）に、レジストを現像
後のレジスト・パタンの断面図を示す。第２図（（１）
に従来法によるレジスト・パタンの断面図を示す。レジ
スト断面は、第２図（Ｃ）における破線イから口におけ
る部分での断面図を示す。同様に第２図（ｅ）に、本発
明によるレジスト・パタンの断面図を示す。
後のレジスト・パタンの断面図を示す。第２図（（１）
に従来法によるレジスト・パタンの断面図を示す。レジ
スト断面は、第２図（Ｃ）における破線イから口におけ
る部分での断面図を示す。同様に第２図（ｅ）に、本発
明によるレジスト・パタンの断面図を示す。
近接したパタン甲、乙の間に生じた微細欠陥に対して、
従来の方法ではパタン甲とパタン乙が微細欠陥によって
つながってしまうが、本発明による方法では、甲・乙両
パタンか分離でき、微細欠陥の影響を排除しうる。
従来の方法ではパタン甲とパタン乙が微細欠陥によって
つながってしまうが、本発明による方法では、甲・乙両
パタンか分離でき、微細欠陥の影響を排除しうる。
発明の効果
以上の様に、本発明を用いる事によって、従来マスクの
微細欠陥がもたらしたマスク・パタン転６Ｉ＼−７ ３時におけるパタン間のショートによる不具合が回避で
き、半導体素子製造上の歩留シが大きく向上する。
微細欠陥がもたらしたマスク・パタン転６Ｉ＼−７ ３時におけるパタン間のショートによる不具合が回避で
き、半導体素子製造上の歩留シが大きく向上する。
本発明の使用によシ、マスクの使用耐用回数は、約２０
％向上し、歩留りも２０％程度向上した。
％向上し、歩留りも２０％程度向上した。
第１図は本発明によるパタン形成方法の工程の流れ図、
第２図は本発明及び従来法によるパタン形成方法による
レジスト表面での露光相対強度分布特性図並びにレジス
ト断面図を示す。 １０・・・相対光強度分布、２１・・パタン甲、２２・
・・パタン乙、２３ 微細欠陥、３１ ・・レジス
ト・パタン、３２・・・・半導体基板、４１・・−・レ
ジスト膜、４２・・・・・半導体基板、４３・−・・焦
点面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ＩＵ別珂門次？布 第２図 （ｂ） 相対光蕉洟勿邊 第２図 （Ｃ） 第２図 （ｄ） ３１レジストパタン Ｃｅ）
第２図は本発明及び従来法によるパタン形成方法による
レジスト表面での露光相対強度分布特性図並びにレジス
ト断面図を示す。 １０・・・相対光強度分布、２１・・パタン甲、２２・
・・パタン乙、２３ 微細欠陥、３１ ・・レジス
ト・パタン、３２・・・・半導体基板、４１・・−・レ
ジスト膜、４２・・・・・半導体基板、４３・−・・焦
点面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ＩＵ別珂門次？布 第２図 （ｂ） 相対光蕉洟勿邊 第２図 （Ｃ） 第２図 （ｄ） ３１レジストパタン Ｃｅ）
Claims (1)
- 半導体基板上に感光性フィルム（以下レジストと称す
）を塗布する工程と、マスク・パタンを光光レンズ系を
通してレジストに転写・露光する工程と、露光されたレ
ジスト・パタンを現像する工程から成るパタン形成方法
で、前記マスク・パタンの像をレジスト表面に転写する
工程において、レジスト表面をマスク・パタンの結像面
からズラせた位置に置き、焦点ボケの状態で露光する事
を特徴とするパタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026089A JPH01201918A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026089A JPH01201918A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | パタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201918A true JPH01201918A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12183881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026089A Pending JPH01201918A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201918A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013021080A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Renesas Electronics Corp | 投影露光方法、投影露光装置、およびマスクパターンの転写方法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63026089A patent/JPH01201918A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013021080A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Renesas Electronics Corp | 投影露光方法、投影露光装置、およびマスクパターンの転写方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011199321A (ja) | リソグラフ方法 | |
| JPH055174B2 (ja) | ||
| JP4613364B2 (ja) | レジストパタン形成方法 | |
| TWI235415B (en) | Method and device for improving uniformity of critical dimension between different patterns of semiconductor devices | |
| US6420101B1 (en) | Method of reducing post-development defects in and around openings formed in photoresist by use of non-patterned exposure | |
| JP2008185970A (ja) | パターンの形成方法、電子デバイスの製造方法および電子デバイス | |
| US5885756A (en) | Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby | |
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| JPH05243115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100526527B1 (ko) | 포토마스크와 그를 이용한 마스크 패턴 형성 방법 | |
| JPH01201918A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH08274000A (ja) | 露光方法 | |
| JP2693805B2 (ja) | レチクル及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| KR100516747B1 (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH06338452A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2578930B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP4267298B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2802999B2 (ja) | カラー固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH03180017A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5733691A (en) | One-step method for on-line lithographic pattern inspection | |
| JPS61241745A (ja) | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH05347244A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS62265723A (ja) | レジスト露光方法 | |
| JPH09160217A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクの形成方法 |