JPH08274000A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH08274000A JPH08274000A JP7072593A JP7259395A JPH08274000A JP H08274000 A JPH08274000 A JP H08274000A JP 7072593 A JP7072593 A JP 7072593A JP 7259395 A JP7259395 A JP 7259395A JP H08274000 A JPH08274000 A JP H08274000A
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- Japan
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェハの周辺部のフォトレジストを除去する
際、露光装置の処理能力の低下を最小限にし、コストの
削減を行う。 【構成】縮小投影露光装置を用いてウェハ上のパターン
形成部にパターンを形成し、パターンの形成されないウ
ェハ周辺部のフォトレジストを除去したい場合に、レチ
クル交換無しでパターン形成用のレチクル１枚のみを用
いる。ウェハ周辺部を露光する場合に、パターン形成部
の露光と同様のレチクル領域を用いて、露光条件をパタ
ーン形成時と大きく変更し露光する。
際、露光装置の処理能力の低下を最小限にし、コストの
削減を行う。 【構成】縮小投影露光装置を用いてウェハ上のパターン
形成部にパターンを形成し、パターンの形成されないウ
ェハ周辺部のフォトレジストを除去したい場合に、レチ
クル交換無しでパターン形成用のレチクル１枚のみを用
いる。ウェハ周辺部を露光する場合に、パターン形成部
の露光と同様のレチクル領域を用いて、露光条件をパタ
ーン形成時と大きく変更し露光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法に関し、特に
紫外線を用いた半導体基板への露光方法に関する。
紫外線を用いた半導体基板への露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路では、半導体基板（以下
ウェハとする）上のパターン形成において露光装置が使
用される。
ウェハとする）上のパターン形成において露光装置が使
用される。
【０００３】図５は露光装置の一例を示すもので、縮小
投影露光装置の概略を示している。露光光１は、光源２
から反射鏡３，フライアイレンズ４，アパーチャー絞り
５，レチクルブラインド９，コンデンサレンズ６，レチ
クル７，投影レンズ８を通ってウェハステージ１０上の
ウェハ１１に所望の露光量だけ照射される。これをウェ
ハステージ駆動部１２によりウェハステージ１１を移動
させることにより、ウェハ１１全面にレチクル８上のパ
ターンが繰り返し露光される。
投影露光装置の概略を示している。露光光１は、光源２
から反射鏡３，フライアイレンズ４，アパーチャー絞り
５，レチクルブラインド９，コンデンサレンズ６，レチ
クル７，投影レンズ８を通ってウェハステージ１０上の
ウェハ１１に所望の露光量だけ照射される。これをウェ
ハステージ駆動部１２によりウェハステージ１１を移動
させることにより、ウェハ１１全面にレチクル８上のパ
ターンが繰り返し露光される。
【０００４】図６は、レチクル７の形状を示す図であ
る。
る。
【０００５】レチクルは、１チップないし、数チップ分
の回路パターンを有している。図６で示されるレチクル
７は、２チップ分の回路パターンと、ウェハ上で隣接ペ
レットに光が漏れないようにするための遮光帯１７を有
している。
の回路パターンを有している。図６で示されるレチクル
７は、２チップ分の回路パターンと、ウェハ上で隣接ペ
レットに光が漏れないようにするための遮光帯１７を有
している。
【０００６】従来、ポジ型フォトレジストを用い、縮小
投影露光装置により、ウェハ１１上の図７に破線で示す
ような領域のパターン形成部１３にレチクル７のパター
ンを露光すると同時に、パターンが形成されないウェハ
周辺部１４のフォトレジストを除去したい場合には、以
下のような露光方法を用いていた。
投影露光装置により、ウェハ１１上の図７に破線で示す
ような領域のパターン形成部１３にレチクル７のパター
ンを露光すると同時に、パターンが形成されないウェハ
周辺部１４のフォトレジストを除去したい場合には、以
下のような露光方法を用いていた。
【０００７】図８に従来の露光方法のフロー図を示す。
はじめに、パターン付きのレチクル７を露光装置ヘロー
ディングし、ポジ型フォトレジストが塗布されたウェハ
１１においてウェハアライメントを行い、パターン形成
部をステップアンドリピートにて全面を露光する。次に
レチクルをブランクレチクル（露光１ショット分の光が
全面透過するレチクル）に交換し、再度ウェハアライメ
ントを行い、ウェハ周辺部をステップアンドリピートに
て全面を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺
部のフォトレジストが除去され、パターン形成部にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。
はじめに、パターン付きのレチクル７を露光装置ヘロー
ディングし、ポジ型フォトレジストが塗布されたウェハ
１１においてウェハアライメントを行い、パターン形成
部をステップアンドリピートにて全面を露光する。次に
レチクルをブランクレチクル（露光１ショット分の光が
全面透過するレチクル）に交換し、再度ウェハアライメ
ントを行い、ウェハ周辺部をステップアンドリピートに
て全面を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺
部のフォトレジストが除去され、パターン形成部にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。
【０００８】しかしながらこの露光方法は、以下のよう
な問題点があった。すなわち、レチクルを２枚用いるた
めにレチクル交換（１回当たり約５分）およびウェハア
ライメントの時間（ウェハ１枚当たり約１分）がかか
り、露光装置の処理能力が低下してしまう。さらに、ブ
ランクレチクルが必要であり、コストも高くなってしま
うという欠点があった。
な問題点があった。すなわち、レチクルを２枚用いるた
めにレチクル交換（１回当たり約５分）およびウェハア
ライメントの時間（ウェハ１枚当たり約１分）がかか
り、露光装置の処理能力が低下してしまう。さらに、ブ
ランクレチクルが必要であり、コストも高くなってしま
うという欠点があった。
【０００９】そこで、この欠点を解決する手段として、
特開平２−６２５４１号公報に示されるように、同一レ
チクル内にパターン部とブランク部の両方のチップを設
け、レチクル交換なしで１枚のレチクルでパターン部と
ウェハ周辺部の両方を露光する方法が提案されている。
特開平２−６２５４１号公報に示されるように、同一レ
チクル内にパターン部とブランク部の両方のチップを設
け、レチクル交換なしで１枚のレチクルでパターン部と
ウェハ周辺部の両方を露光する方法が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この場
合は、複数のチップが１枚のレチクルに形成される必要
があり、１枚のレチクルに１チップしか形成されない場
合には対応できなかった。
合は、複数のチップが１枚のレチクルに形成される必要
があり、１枚のレチクルに１チップしか形成されない場
合には対応できなかった。
【００１１】さらに、ブランク部を設けたことにより１
露光において、露光できるチップ数が減ってしまい、そ
の結果、露光装置の処理能力が低下してしまうという欠
点があった。
露光において、露光できるチップ数が減ってしまい、そ
の結果、露光装置の処理能力が低下してしまうという欠
点があった。
【００１２】例えば、１枚のレチクルに２枚のチップパ
ターン部を有していれば、１００パターンを作成するの
に、５０回露光すればよいが、１枚のレチクルにチップ
パターン部とブランク部を設けた構成では１００回露光
しなげればならないという問題点があった。
ターン部を有していれば、１００パターンを作成するの
に、５０回露光すればよいが、１枚のレチクルにチップ
パターン部とブランク部を設けた構成では１００回露光
しなげればならないという問題点があった。
【００１３】本発明の目的は、上記に鑑み、露光装置の
処理能力を低下させること無く、コストを高くすること
もない露光方法を提供することである。
処理能力を低下させること無く、コストを高くすること
もない露光方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法
は、半導体ウェハにチップの一部として転写すべきレチ
クルのパターンを用い、このパターンで半導体ウェハと
のチップ形成部分以外の周辺部を、チップ形成時の露光
条件とは異なる条件で露出することを特徴としている。
は、半導体ウェハにチップの一部として転写すべきレチ
クルのパターンを用い、このパターンで半導体ウェハと
のチップ形成部分以外の周辺部を、チップ形成時の露光
条件とは異なる条件で露出することを特徴としている。
【００１５】
【作用】このように本願発明では、チップとして転写す
べきパターンそのものを用いてチップ周辺部を露光する
ようにしている。ただし、その露光条件を異ならせてお
り、したがって、周辺部に不所望なパターンの形成は生
じない。よって、レチクルに周辺露光用のパターンを付
加する必要はない。また、専用のレチクルも必要ない。
べきパターンそのものを用いてチップ周辺部を露光する
ようにしている。ただし、その露光条件を異ならせてお
り、したがって、周辺部に不所望なパターンの形成は生
じない。よって、レチクルに周辺露光用のパターンを付
加する必要はない。また、専用のレチクルも必要ない。
【００１６】
［実施例１］次に本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１には本発明の露光方法における、実施
例１の、フロー図を示す。
て説明する。図１には本発明の露光方法における、実施
例１の、フロー図を示す。
【００１７】はじめに、パターン付きのレチクル８を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、フォーカスをパターンが形成されない位に上
または下に５〜１０μｍずらし、ウェハ周辺部１４全面
を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部１４
のフォトレジストが除去され、パターン形成部１３にパ
ターンが形成されたウェハが得られる。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、フォーカスをパターンが形成されない位に上
または下に５〜１０μｍずらし、ウェハ周辺部１４全面
を露光し、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部１４
のフォトレジストが除去され、パターン形成部１３にパ
ターンが形成されたウェハが得られる。
【００１８】ウェハ周辺部１４を露光するときに露光光
がパターン周辺部に漏れないように、可動レチクルブラ
インド９をフォーカスをずらした状態でのウェハ上に結
像するように光軸方向に移動させる。このレチクルブラ
インド９は任意の大きさの長方形に変えることができ、
通常はフォーカス位置に結像するような位置に設定され
ている。
がパターン周辺部に漏れないように、可動レチクルブラ
インド９をフォーカスをずらした状態でのウェハ上に結
像するように光軸方向に移動させる。このレチクルブラ
インド９は任意の大きさの長方形に変えることができ、
通常はフォーカス位置に結像するような位置に設定され
ている。
【００１９】［実施例２］次に本発明の実施例２につい
て図面を参照して説明する。図２には本発明の露光方法
における、実施例２の、フロー図を示す。
て図面を参照して説明する。図２には本発明の露光方法
における、実施例２の、フロー図を示す。
【００２０】はじめに、パターン付きのレチクル８を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ周辺部１４全面をパターンが形成でき
ないほどの、パターン形成時の５倍程度の露光量で露光
し、ウェハ１１を現像することで、ウェハ周辺部１４の
フォトレジストが除去され、パターン形成部１３にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。これは、パターン
形成部が形成されているレチクルであっても通常レジス
トが露光されない程度に、パターン部以外にも光がもれ
ている。そこで、露光量を増やすことにより、このもれ
光を利用してウェハ周辺部１４を露光する方式である。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ周辺部１４全面をパターンが形成でき
ないほどの、パターン形成時の５倍程度の露光量で露光
し、ウェハ１１を現像することで、ウェハ周辺部１４の
フォトレジストが除去され、パターン形成部１３にパタ
ーンが形成されたウェハが得られる。これは、パターン
形成部が形成されているレチクルであっても通常レジス
トが露光されない程度に、パターン部以外にも光がもれ
ている。そこで、露光量を増やすことにより、このもれ
光を利用してウェハ周辺部１４を露光する方式である。
【００２１】［実施例３］次に本発明の実施例３につい
て図面を参照して説明する。図３には本発明の露光方法
における、実施例３の、フロー図を示す。
て図面を参照して説明する。図３には本発明の露光方法
における、実施例３の、フロー図を示す。
【００２２】はじめに、パターン付きのレチクル８を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ１１を最大パターン寸法以上の範囲に
２μｍ程度ウェハのオリエンテーションフラット１５と
平行方向と垂直方向の２回移動させながら、ウェハ周辺
部１４を露光する。例えば、図７において、Ａに示され
ている部分を露光するならば、パターン形成部が露光さ
れないように、下へ２回、もどって右へ２回またはその
逆の順番で移動させて露光する。他の場所では、そのパ
ターン形成部の位置によってそれぞれ対応して露光され
る。その後、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部１
４のフォトレジストが除去され、パターン形成部１３に
パターンが形成されたウェハが得られる。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、ウェハ１１を最大パターン寸法以上の範囲に
２μｍ程度ウェハのオリエンテーションフラット１５と
平行方向と垂直方向の２回移動させながら、ウェハ周辺
部１４を露光する。例えば、図７において、Ａに示され
ている部分を露光するならば、パターン形成部が露光さ
れないように、下へ２回、もどって右へ２回またはその
逆の順番で移動させて露光する。他の場所では、そのパ
ターン形成部の位置によってそれぞれ対応して露光され
る。その後、ウェハを現像することで、ウェハ周辺部１
４のフォトレジストが除去され、パターン形成部１３に
パターンが形成されたウェハが得られる。
【００２３】［実施例４］次に本発明の実施例４につい
て図面を参照して説明する。図４には本発明の露光方法
における、実施例４の、フロー図を示す。
て図面を参照して説明する。図４には本発明の露光方法
における、実施例４の、フロー図を示す。
【００２４】はじめに、パターン付きのレチクル８を露
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、レチクル８を最大パターン寸法以上の範囲
に、例えば１／５の縮小投影率では１０μｍ程度ウェハ
のオリエンテーションフラットと平行方向と垂直方向の
２回移動させながら、ウェハ周辺部１４を露光する。こ
の場合ウェハを２μｍ程度移動させる実施例３と同じ効
果が得られる。その後、ウェハを現像することで、ウェ
ハ周辺部１４のフォトレジストが除去され、パターン形
成部１３にパターンが形成されたウェハが得られる。
光装置へローディングし、ポジ型フォトレジストが塗布
されたウェハ１１においてウェハアライメントを行い、
パターン形成部１３全面を露光する。次に、同一レチク
ルを用い、レチクル８を最大パターン寸法以上の範囲
に、例えば１／５の縮小投影率では１０μｍ程度ウェハ
のオリエンテーションフラットと平行方向と垂直方向の
２回移動させながら、ウェハ周辺部１４を露光する。こ
の場合ウェハを２μｍ程度移動させる実施例３と同じ効
果が得られる。その後、ウェハを現像することで、ウェ
ハ周辺部１４のフォトレジストが除去され、パターン形
成部１３にパターンが形成されたウェハが得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ポジ型フォトレジストを用いて、１枚のレチクルでパタ
ーン形成部にパターンを形成し、ウェハ周辺部のフォト
レジストを除去するための露光を行うことができるの
で、露光装置の処理能力を低下させること無く、コスト
を高くすることもない露光方法を提供することが可能で
ある。
ポジ型フォトレジストを用いて、１枚のレチクルでパタ
ーン形成部にパターンを形成し、ウェハ周辺部のフォト
レジストを除去するための露光を行うことができるの
で、露光装置の処理能力を低下させること無く、コスト
を高くすることもない露光方法を提供することが可能で
ある。
【図１】本発明の実施例１のフロー図である。
【図２】本発明の実施例２のフロー図である。
【図３】本発明の実施例３のフロー図である。
【図４】本発明の実施例４のフロー図である。
【図５】縮小投影露光装置の概略図である。
【図６】レチクルの上面図である。
【図７】ウェハの上面図である。
【図８】従来技術のフロー図である。
１ 露光光 ２ 光源 ３ 反射鏡 ４ フライアイレンズ ５ アパーチャー絞り ６ コンデンサーレンズ ７ レチクル ８ 縮小投影レンズ ９ レチクルブラインド １０ ウェハステージ １１ ウェハ １２ ウェハステージ駆動部 １３ パターン形成部 １４ ウェハ周辺部 １５ オリエンテーションフラット
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェハにチップの一部として転写
すべきレチクルのパターンを用い、このパターンで半導
体ウェハ上のチップ形成部分以外の周辺部を、チップ形
成時の露光条件とは異なる条件で露光することを特徴と
する露光方法。 - 【請求項２】 半導体基板上にポジ型フォトレジストを
用いてパターンを形成する際に、前記半導体基板のパタ
ーンが形成されない周辺部のフォトレジストを除去する
露光方法において、 前記パターンを形成するレチクルと同一のレチクルで、
且つ同一のレチクル領域を用いたまま前記パターン形成
時と変更した露光条件で半導体装置の周辺部を露光する
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】 前記露光条件は、前記半導体基板上に配
線パターンを形成するフォーカスから、前記半導体基板
上に配線パターンが形成されない程度にフォーカスを変
更することであることを特徴とする請求項２記載の露光
方法。 - 【請求項４】 前記露光条件は、前記半導体基板上に配
線パターンが形成されなくなる程度に露光量を増加させ
ることであることを特徴とする請求項２記載の露光方
法。 - 【請求項５】 前記露光条件は、前記半導体周辺部を露
光しながら、前記半導体基板又は前記レチクルを光軸と
直列方向に移動させることであることを特徴とする請求
項２記載の露光方法。 - 【請求項６】 レチクルのパターンを半導体ウェハ上の
ポジ型レジスト層に転写するように露光する工程と、前
記レチクルの前記パターンを前記半導体ウェハの周辺部
分に合わせ、移動し、当該周辺部分上のポジ型レジスト
層を前記パターンが転写されない条件で露光する工程と
を有する露光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7072593A JP2858543B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 露光方法 |
| US08/626,238 US5919605A (en) | 1995-03-30 | 1996-03-29 | Semiconductor substrate exposure method |
| KR1019960009558A KR100228570B1 (ko) | 1995-03-30 | 1996-03-30 | 반도체 기판 노출 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7072593A JP2858543B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274000A true JPH08274000A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2858543B2 JP2858543B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=13493857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7072593A Expired - Fee Related JP2858543B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 露光方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5919605A (ja) |
| JP (1) | JP2858543B2 (ja) |
| KR (1) | KR100228570B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990030953A (ko) * | 1997-10-07 | 1999-05-06 | 윤종용 | 웨이퍼 노광방법 |
| JP2006278820A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
| JP2007019223A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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