JPH06161092A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
- Publication number
- JPH06161092A JPH06161092A JP33111792A JP33111792A JPH06161092A JP H06161092 A JPH06161092 A JP H06161092A JP 33111792 A JP33111792 A JP 33111792A JP 33111792 A JP33111792 A JP 33111792A JP H06161092 A JPH06161092 A JP H06161092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mask
- shielding pattern
- pattern
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の投影露光装置の光学系で深い焦点深度
を得ることができる露光用マスクを提供する。 【構成】 露光用マスク１は、転写すべき主遮光パター
ン３をガラス基板２の主面２ａ上に設け、副遮光パター
ン４をガラス基板２の副面２ｂ上に設ける。副遮光パタ
ーン４は、主面２ａを投影露光装置の光学系の焦点面に
位置させたとき、主遮光パターン３によって生じる０次
光、＋１次光及び−１次光の３つの回折光のうち、マス
ク面に対して垂直な方向へ生じる０次光を遮光する位置
に配置する。ウエハ上へのパターン露光の際、ウエハ上
に到達する回折光は、焦点深度を小さくする特性を有す
る０次光が除外された±１次光のみとなる。 【効果】 従来の３光束の干渉による結像を２光束の干
渉による結像へと変換でき、転写の際に深い焦点深度が
得られる。
を得ることができる露光用マスクを提供する。 【構成】 露光用マスク１は、転写すべき主遮光パター
ン３をガラス基板２の主面２ａ上に設け、副遮光パター
ン４をガラス基板２の副面２ｂ上に設ける。副遮光パタ
ーン４は、主面２ａを投影露光装置の光学系の焦点面に
位置させたとき、主遮光パターン３によって生じる０次
光、＋１次光及び−１次光の３つの回折光のうち、マス
ク面に対して垂直な方向へ生じる０次光を遮光する位置
に配置する。ウエハ上へのパターン露光の際、ウエハ上
に到達する回折光は、焦点深度を小さくする特性を有す
る０次光が除外された±１次光のみとなる。 【効果】 従来の３光束の干渉による結像を２光束の干
渉による結像へと変換でき、転写の際に深い焦点深度が
得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造工程において投影露光法により転写されるパターンの
原版として用いられる露光用マスクに関する。
造工程において投影露光法により転写されるパターンの
原版として用いられる露光用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、一般
的に、光を用いた投影露光法によって、ウエハ（或いは
ウエハ上に形成されている各種の薄膜）上にパターンを
転写している。即ち、所定の遮光パターンを有する露光
用マスクを光源の光により照明し、その照明によって得
られるパターンの像をウエハ上に投影して露光する。
的に、光を用いた投影露光法によって、ウエハ（或いは
ウエハ上に形成されている各種の薄膜）上にパターンを
転写している。即ち、所定の遮光パターンを有する露光
用マスクを光源の光により照明し、その照明によって得
られるパターンの像をウエハ上に投影して露光する。
【０００３】図２は縮小投影露光に用いられる従来の露
光用マスクの拡大断面図である。このマスク１１は、石
英ガラス等からなる透明なガラス基板１２の上面に、ク
ロム（Ｃｒ）等の薄膜によって所定の遮光パターン１３
が形成されたものである。なお、縮小投影露光用のマス
ク１１は拡大された遮光パターン１３を有するものであ
り、通常、拡大マスク或いはレチクルと称されている。
光用マスクの拡大断面図である。このマスク１１は、石
英ガラス等からなる透明なガラス基板１２の上面に、ク
ロム（Ｃｒ）等の薄膜によって所定の遮光パターン１３
が形成されたものである。なお、縮小投影露光用のマス
ク１１は拡大された遮光パターン１３を有するものであ
り、通常、拡大マスク或いはレチクルと称されている。
【０００４】図３は上記マスク１１が用いられる縮小投
影露光装置の概略斜視図である。この図において、例え
ば超高圧水銀灯からなる光源２１の光によって、楕円集
光鏡２２やコンデンサレンズ２３等の照明光学系を介し
て、マスクマウント２４に保持されたマスク１１が一様
に照明される。このマスク１１によるパターンの像が、
縮小レンズ２５によってウエハ２６上のホトレジストに
縮小投影される。ウエハ２６はＸＹステージ２７上に支
持されたウエハチャック２８に保持されており、ＸＹス
テージ２７によってウエハ２６がＸ、Ｙ方向へ順次移動
されながら縮小投影露光が繰り返され、このステップア
ンドリピートによってウエハ２６の全面が露光される。
影露光装置の概略斜視図である。この図において、例え
ば超高圧水銀灯からなる光源２１の光によって、楕円集
光鏡２２やコンデンサレンズ２３等の照明光学系を介し
て、マスクマウント２４に保持されたマスク１１が一様
に照明される。このマスク１１によるパターンの像が、
縮小レンズ２５によってウエハ２６上のホトレジストに
縮小投影される。ウエハ２６はＸＹステージ２７上に支
持されたウエハチャック２８に保持されており、ＸＹス
テージ２７によってウエハ２６がＸ、Ｙ方向へ順次移動
されながら縮小投影露光が繰り返され、このステップア
ンドリピートによってウエハ２６の全面が露光される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２に示す
ような従来のマスク１１を用いて投影露光装置によって
ウエハ上に露光を行った場合、同図に示すように、ガラ
ス基板１２上の遮光パターン１３からは、主に０次光、
＋１次光及び−１次光の３つの回折光が生じる。そし
て、これら３光束の干渉によって、ウエハ上にパターン
が転写されることになる。
ような従来のマスク１１を用いて投影露光装置によって
ウエハ上に露光を行った場合、同図に示すように、ガラ
ス基板１２上の遮光パターン１３からは、主に０次光、
＋１次光及び−１次光の３つの回折光が生じる。そし
て、これら３光束の干渉によって、ウエハ上にパターン
が転写されることになる。
【０００６】この際、ウエハ上の素子形成面の凹凸を考
慮して、露光像にはある程度の焦点深度が必要である
が、３光束の干渉による結像の場合、マスク面に対して
垂直な方向に生じる０次光は焦点深度を小さくする特性
がある。このため、特に微細なパターンをウエハ上に転
写する際には、投影露光装置の光学系の解像性能より
も、マスク１１自体の特性による焦点深度の不足に起因
して、マスク１１のパターンをウエハ上に高解像度で転
写できなくなるという問題があった。
慮して、露光像にはある程度の焦点深度が必要である
が、３光束の干渉による結像の場合、マスク面に対して
垂直な方向に生じる０次光は焦点深度を小さくする特性
がある。このため、特に微細なパターンをウエハ上に転
写する際には、投影露光装置の光学系の解像性能より
も、マスク１１自体の特性による焦点深度の不足に起因
して、マスク１１のパターンをウエハ上に高解像度で転
写できなくなるという問題があった。
【０００７】そこで本発明は、従来の投影露光装置の光
学系で深い焦点深度を得ることができる露光用マスクを
提供することを目的とする。
学系で深い焦点深度を得ることができる露光用マスクを
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、投影露光法により転写されるパターンの
原版として用いられる露光用マスクであって、ガラス基
板の両面に遮光パターンを設けたものである。
に、本発明は、投影露光法により転写されるパターンの
原版として用いられる露光用マスクであって、ガラス基
板の両面に遮光パターンを設けたものである。
【０００９】また、本発明は、投影露光法により転写さ
れるパターンの原版として用いられる露光用マスクであ
って、転写すべき主遮光パターンをガラス基板の主面上
に設けると共に、副遮光パターンを前記ガラス基板の副
面上に設け、前記副遮光パターンは、前記主面を投影露
光装置の光学系の焦点面に位置させたとき、前記主遮光
パターンにより生じる回折光のうちマスク面に対してほ
ぼ垂直な方向へ生じる回折光を実質的に遮光する位置に
配置したものである。
れるパターンの原版として用いられる露光用マスクであ
って、転写すべき主遮光パターンをガラス基板の主面上
に設けると共に、副遮光パターンを前記ガラス基板の副
面上に設け、前記副遮光パターンは、前記主面を投影露
光装置の光学系の焦点面に位置させたとき、前記主遮光
パターンにより生じる回折光のうちマスク面に対してほ
ぼ垂直な方向へ生じる回折光を実質的に遮光する位置に
配置したものである。
【００１０】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、ガラ
ス基板の主面を投影露光装置の光学系の焦点面に位置さ
せて露光を行うと、主遮光パターンによって生じた０次
光、＋１次光及び−１次光の３つの回折光のうち、マス
ク面に対してほぼ垂直な方向へ生じる０次光が、副遮光
パターンによって遮光される。即ち、従来の露光用マス
クにおける０次光、＋１次光及び−１次光の３光束の干
渉による結像を、±１次光のみの２光束の干渉による結
像に変換することができる。これによって、従来の投影
露光装置の光学系で深い焦点深度を得ることができる。
ス基板の主面を投影露光装置の光学系の焦点面に位置さ
せて露光を行うと、主遮光パターンによって生じた０次
光、＋１次光及び−１次光の３つの回折光のうち、マス
ク面に対してほぼ垂直な方向へ生じる０次光が、副遮光
パターンによって遮光される。即ち、従来の露光用マス
クにおける０次光、＋１次光及び−１次光の３光束の干
渉による結像を、±１次光のみの２光束の干渉による結
像に変換することができる。これによって、従来の投影
露光装置の光学系で深い焦点深度を得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を縮小投影露光用マスク（いわ
ゆる拡大マスク或いはレチクル）に適用した一実施例を
図１を参照して説明する。なお、この露光用マスクが用
いられる縮小投影露光装置は、図３に示した従来の装置
と実質的に同様でよい。
ゆる拡大マスク或いはレチクル）に適用した一実施例を
図１を参照して説明する。なお、この露光用マスクが用
いられる縮小投影露光装置は、図３に示した従来の装置
と実質的に同様でよい。
【００１２】図１は露光用マスクの拡大断面図である。
このマスク１は、石英ガラス等からなる透明なガラス基
板２の上面である主面２ａに、クロム（Ｃｒ）等の薄膜
によって所定の主遮光パターン３が形成されている。ま
た、ガラス基板２の下面である副面２ｂに、同様な所定
の副遮光パターン４が形成されている。
このマスク１は、石英ガラス等からなる透明なガラス基
板２の上面である主面２ａに、クロム（Ｃｒ）等の薄膜
によって所定の主遮光パターン３が形成されている。ま
た、ガラス基板２の下面である副面２ｂに、同様な所定
の副遮光パターン４が形成されている。
【００１３】そして、副遮光パターン４は、上記主面２
ａを投影露光装置の光学系の焦点面に位置させたとき、
主遮光パターン３によって生じる０次光、＋１次光及び
−１次光の３つの回折光のうち、マスク面に対して垂直
な方向へ生じる０次光を遮光する位置に配置されてい
る。即ち、この例では、主遮光パターン３が形成されて
いない非パターン部分に対応して副遮光パターン４が配
置されている。なお、副遮光パターン４の形成幅など
は、ガラス基板２の特性や使用する光の波長等によって
変更可能なことは勿論である。
ａを投影露光装置の光学系の焦点面に位置させたとき、
主遮光パターン３によって生じる０次光、＋１次光及び
−１次光の３つの回折光のうち、マスク面に対して垂直
な方向へ生じる０次光を遮光する位置に配置されてい
る。即ち、この例では、主遮光パターン３が形成されて
いない非パターン部分に対応して副遮光パターン４が配
置されている。なお、副遮光パターン４の形成幅など
は、ガラス基板２の特性や使用する光の波長等によって
変更可能なことは勿論である。
【００１４】上述のように構成された露光用マスク１に
よれば、図３で説明した従来と同様な縮小投影露光装置
を用い、この装置の光学系の焦点面にガラス基板２の主
面２ａを位置させてパターン露光する際、図１に示すよ
うに、主遮光パターン３によって生じた０次光、＋１次
光及び−１次光の３つの回折光のうち、マスク面に対し
て垂直な方向へ生じる０次光が、副遮光パターン４によ
って遮光される。これによって、ウエハ上に到達する回
折光は、焦点深度を小さくする特性を有する０次光が除
外された±１次光のみとなり、２光束の干渉による解像
度の高い結像を実現することができる。
よれば、図３で説明した従来と同様な縮小投影露光装置
を用い、この装置の光学系の焦点面にガラス基板２の主
面２ａを位置させてパターン露光する際、図１に示すよ
うに、主遮光パターン３によって生じた０次光、＋１次
光及び−１次光の３つの回折光のうち、マスク面に対し
て垂直な方向へ生じる０次光が、副遮光パターン４によ
って遮光される。これによって、ウエハ上に到達する回
折光は、焦点深度を小さくする特性を有する０次光が除
外された±１次光のみとなり、２光束の干渉による解像
度の高い結像を実現することができる。
【００１５】以上、本発明の一実施例に付き説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。なお本発明は、ウエハの縮小投影露光用マ
スク以外に、各種の基板に各種のパターンを転写する様
々な投影露光用マスクに適用することができる。
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。なお本発明は、ウエハの縮小投影露光用マ
スク以外に、各種の基板に各種のパターンを転写する様
々な投影露光用マスクに適用することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガラス基板の両面にそれぞれ主遮光パターンと副遮光パ
ターンとを設けることによって、従来の露光用マスクを
使用した場合の３光束の干渉による結像を２光束の干渉
による結像へと変換することができる。従って、従来と
同一の投影露光装置の光学系及び同一のマスクパターン
において焦点深度が向上し、実プロセスで使用できる実
用的な限界解像度を大きく向上させることができる。ま
た、露光用マスク自体で焦点深度を高めることができる
ので、投影露光装置の光学系の解像性能を向上させるこ
とによるコストの増大を避けることができる。
ガラス基板の両面にそれぞれ主遮光パターンと副遮光パ
ターンとを設けることによって、従来の露光用マスクを
使用した場合の３光束の干渉による結像を２光束の干渉
による結像へと変換することができる。従って、従来と
同一の投影露光装置の光学系及び同一のマスクパターン
において焦点深度が向上し、実プロセスで使用できる実
用的な限界解像度を大きく向上させることができる。ま
た、露光用マスク自体で焦点深度を高めることができる
ので、投影露光装置の光学系の解像性能を向上させるこ
とによるコストの増大を避けることができる。
【図１】本発明の一実施例における縮小投影露光用マス
クの拡大断面図である。
クの拡大断面図である。
【図２】従来の縮小投影露光用マスクの拡大断面図であ
る。
る。
【図３】従来の露光用マスクが用いられる縮小投影露光
装置の概略斜視図である。
装置の概略斜視図である。
１ 露光用マスク ２ ガラス基板 ２ａ 主面 ２ｂ 副面 ３ 主遮光パターン ４ 副遮光パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 投影露光法により転写されるパターンの
原版として用いられる露光用マスクであって、 ガラス基板の両面に遮光パターンを設けたことを特徴と
する露光用マスク。 - 【請求項２】 投影露光法により転写されるパターンの
原版として用いられる露光用マスクであって、 転写すべき主遮光パターンをガラス基板の主面上に設け
ると共に、副遮光パターンを前記ガラス基板の副面上に
設け、 前記副遮光パターンは、前記主面を投影露光装置の光学
系の焦点面に位置させたとき、前記主遮光パターンによ
り生じる回折光のうちマスク面に対してほぼ垂直な方向
へ生じる回折光を実質的に遮光する位置に配置したこと
を特徴とする露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33111792A JPH06161092A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33111792A JPH06161092A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06161092A true JPH06161092A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=18240057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33111792A Withdrawn JPH06161092A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06161092A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5571641A (en) * | 1993-06-25 | 1996-11-05 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Diffraction mask for the fabrication of semiconductor devices |
| US6379868B1 (en) * | 1999-04-01 | 2002-04-30 | Agere Systems Guardian Corp. | Lithographic process for device fabrication using dark-field illumination |
| JP2015041649A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、露光用マスク及び露光装置 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP33111792A patent/JPH06161092A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5571641A (en) * | 1993-06-25 | 1996-11-05 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Diffraction mask for the fabrication of semiconductor devices |
| US5698350A (en) * | 1993-06-25 | 1997-12-16 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Light exposure method for the fabrication of semiconductor devices |
| US6379868B1 (en) * | 1999-04-01 | 2002-04-30 | Agere Systems Guardian Corp. | Lithographic process for device fabrication using dark-field illumination |
| JP2015041649A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、露光用マスク及び露光装置 |
| US9329490B2 (en) | 2013-08-20 | 2016-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern formation method, mask for exposure, and exposure apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5459000A (en) | Image projection method and device manufacturing method using the image projection method | |
| KR100190762B1 (ko) | 사입사용 노광마스크 | |
| US5620817A (en) | Fabrication of self-aligned attenuated rim phase shift mask | |
| JP3096841B2 (ja) | ホトリソグラフィ方法及びそれに使用するホトリソグラフィシステム | |
| JP3384068B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| KR0183720B1 (ko) | 보조 마스크를 이용한 투영 노광장치 | |
| JPH0722308A (ja) | 半導体素子の露光方法およびダミーマスク | |
| JPH0950117A (ja) | フォトマスクおよびこれを用いた露光方法 | |
| JPH06161092A (ja) | 露光用マスク | |
| US6610460B2 (en) | Exposure method | |
| JP3770959B2 (ja) | 投影型ステッパ露光装置およびそれを用いた露光方法 | |
| JP2858543B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH0815848A (ja) | フォトレチクル | |
| JP2894922B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JPH0519447A (ja) | 投影露光装置用マスク | |
| KR0146399B1 (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
| KR0183706B1 (ko) | 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크 | |
| JPH0833651B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP2972521B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
| JPH01101628A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2001100391A (ja) | 半導体露光用レティクル、半導体露光用レティクルの製造方法および半導体装置 | |
| KR0144940B1 (ko) | 투영 노광 방법 및 이에 사용되는 마스크 | |
| KR940008361B1 (ko) | 렌즈형 마스크 제조방법 | |
| JPH06283402A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |