JPH0527413A - 露光装置用ホトマスク - Google Patents
露光装置用ホトマスクInfo
- Publication number
- JPH0527413A JPH0527413A JP17790391A JP17790391A JPH0527413A JP H0527413 A JPH0527413 A JP H0527413A JP 17790391 A JP17790391 A JP 17790391A JP 17790391 A JP17790391 A JP 17790391A JP H0527413 A JPH0527413 A JP H0527413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- transmittance
- semiconductor wafer
- photomask
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造用露光装置のホトマスクでの光の
透過部の透過率を変えて写真製版時におけるマージンを
向上させる。 【構成】 ガラス基板１の光透過部であって半導体ウエ
ハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分に、光
透過率の小さな透過率減衰膜１１を形成した。透過率減
衰膜１１を透過した光は光強度が低下する。このため、
ホトマスクにおける光が透過する部分での光透過率を変
えることができるようになり、半導体ウエハでのレジス
ト膜が薄い部位には低い光強度をもって光を照射でき
る。したがって、半導体ウエハでのレジスト膜厚に応じ
た最適露光量をもって露光できる。
透過部の透過率を変えて写真製版時におけるマージンを
向上させる。 【構成】 ガラス基板１の光透過部であって半導体ウエ
ハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分に、光
透過率の小さな透過率減衰膜１１を形成した。透過率減
衰膜１１を透過した光は光強度が低下する。このため、
ホトマスクにおける光が透過する部分での光透過率を変
えることができるようになり、半導体ウエハでのレジス
ト膜が薄い部位には低い光強度をもって光を照射でき
る。したがって、半導体ウエハでのレジスト膜厚に応じ
た最適露光量をもって露光できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハプロセス
中のリソグラフィー工程で用いる露光装置用ホトマスク
に関するものである。
中のリソグラフィー工程で用いる露光装置用ホトマスク
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハにパターンを転写す
る方法としては、ホトマスクを透過した光を半導体ウエ
ハ上のホトレジストに照射して行なう方法がある。その
際に使用する露光装置は、光を遮るためのマスクパター
ンが形成されたホトマスクを半導体ウエハ上に位置決め
固定し、このホトマスクの上方から光を照射することに
よって、予めホトレジストが塗布された半導体ウエハ上
に像を形成させるように構成されていた。この種の露光
装置に使用するホトマスクを図２によって説明する。
る方法としては、ホトマスクを透過した光を半導体ウエ
ハ上のホトレジストに照射して行なう方法がある。その
際に使用する露光装置は、光を遮るためのマスクパター
ンが形成されたホトマスクを半導体ウエハ上に位置決め
固定し、このホトマスクの上方から光を照射することに
よって、予めホトレジストが塗布された半導体ウエハ上
に像を形成させるように構成されていた。この種の露光
装置に使用するホトマスクを図２によって説明する。
【０００３】図２は従来の露光装置用ホトマスクの断面
図である。同図において、１はガラス基板で、このガラ
ス基板１は、透明なガラスによって平板状に形成されて
いる。
図である。同図において、１はガラス基板で、このガラ
ス基板１は、透明なガラスによって平板状に形成されて
いる。
【０００４】２は遮光性金属薄膜で、この遮光性金属薄
膜２は前記ガラス基板１の上面に形成されており、マス
クパターンを構成するように設計パターンが描かれてい
る。
膜２は前記ガラス基板１の上面に形成されており、マス
クパターンを構成するように設計パターンが描かれてい
る。
【０００５】このように構成されたホトマスクでは、遮
光性金属薄膜２が形成された部分は光が透過せず、遮光
性金属薄膜２どうしの間となる部分（遮光部Ｂ）を光が
透過することになる。なお、図２においてＡは光透過部
を示し、Ｂは遮光部を示す。
光性金属薄膜２が形成された部分は光が透過せず、遮光
性金属薄膜２どうしの間となる部分（遮光部Ｂ）を光が
透過することになる。なお、図２においてＡは光透過部
を示し、Ｂは遮光部を示す。
【０００６】すなわち、光透過部Ａを透過した光が半導
体ウエハ（図示せず）に照射されることになり、遮光性
金属薄膜２の形状（マスクパターン）と同じ形状の像が
半導体ウエハに結像されることになる。
体ウエハ（図示せず）に照射されることになり、遮光性
金属薄膜２の形状（マスクパターン）と同じ形状の像が
半導体ウエハに結像されることになる。
【０００７】なお、光透過部Ａでの光強度は一定で、こ
のホトマスクの下方に位置する半導体ウエハへは露光部
全体にわたって一定の光強度をもって光が照射されてい
た。
のホトマスクの下方に位置する半導体ウエハへは露光部
全体にわたって一定の光強度をもって光が照射されてい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のホト
マスクは以上のように構成されているので、半導体ウエ
ハプロセス中の高段差工程などでは、半導体ウエハ上の
レジスト膜厚にばらつきがある場合には、その箇所のレ
ジスト膜厚により最適露光量が異なるため、全ての露光
箇所の最適露光量の中で写真製版マージン（焦点深度マ
ージンなど）が最大となる露光量をもって露光を行なう
必要があった。
マスクは以上のように構成されているので、半導体ウエ
ハプロセス中の高段差工程などでは、半導体ウエハ上の
レジスト膜厚にばらつきがある場合には、その箇所のレ
ジスト膜厚により最適露光量が異なるため、全ての露光
箇所の最適露光量の中で写真製版マージン（焦点深度マ
ージンなど）が最大となる露光量をもって露光を行なう
必要があった。
【０００９】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウエハプロセス中の高段差工程
などのレジスト膜厚のばらつきが大きい場合であって
も、ホトマスクの光透過部での透過率をコントロールす
ることにより、各露光箇所のレジスト膜厚に応じた最適
露光量を得ることができるホトマスクを得ることを目的
とする。
ためになされたもので、ウエハプロセス中の高段差工程
などのレジスト膜厚のばらつきが大きい場合であって
も、ホトマスクの光透過部での透過率をコントロールす
ることにより、各露光箇所のレジスト膜厚に応じた最適
露光量を得ることができるホトマスクを得ることを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置用
ホトマスクは、ガラス基板の光透過部であって半導体ウ
エハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分に、
光透過率の小さな透過率減衰膜を形成したものである。
ホトマスクは、ガラス基板の光透過部であって半導体ウ
エハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分に、
光透過率の小さな透過率減衰膜を形成したものである。
【００１１】
【作用】透過率減衰膜を透過した光は光強度が低下す
る。このため、半導体ウエハでのレジスト膜が薄い部位
には低い光強度をもって光が照射される。
る。このため、半導体ウエハでのレジスト膜が薄い部位
には低い光強度をもって光が照射される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１によって詳細
に説明する。図１は本発明に係る露光装置用ホトマスク
の断面図で、同図において前記図２で説明したものと同
一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な
説明は省略する。図１において、１１は透過率減衰膜
で、この透過率減衰膜１１はガラス基板１の上面に形成
されている。そして、この透過率減衰膜１１の形成位置
は、半導体ウエハにおけるレジスト膜厚の薄くなる部分
と対応する部位とされている。そして、この透過率減衰
膜１１の上面にもマスクパターンを構成する遮光性金属
薄膜２が形成されている。
に説明する。図１は本発明に係る露光装置用ホトマスク
の断面図で、同図において前記図２で説明したものと同
一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な
説明は省略する。図１において、１１は透過率減衰膜
で、この透過率減衰膜１１はガラス基板１の上面に形成
されている。そして、この透過率減衰膜１１の形成位置
は、半導体ウエハにおけるレジスト膜厚の薄くなる部分
と対応する部位とされている。そして、この透過率減衰
膜１１の上面にもマスクパターンを構成する遮光性金属
薄膜２が形成されている。
【００１３】この透過率減衰膜１１は、本実施例では光
透過率の小さい金属薄膜によって形成されている。
透過率の小さい金属薄膜によって形成されている。
【００１４】このように構成されたホトマスクを製造す
るには、先ず、ガラス基板１上の所定位置（半導体ウエ
ハでのレジスト膜厚が薄くなる部分と対応する部位）に
透過率減衰膜１１を形成する。
るには、先ず、ガラス基板１上の所定位置（半導体ウエ
ハでのレジスト膜厚が薄くなる部分と対応する部位）に
透過率減衰膜１１を形成する。
【００１５】しかる後、このガラス基板１の上面におけ
る透過率減衰膜１１が形成されていない部分と、透過率
減衰膜１１の上面とにマスクパターンを構成する遮光性
金属薄膜２を形成して製造が終了する。
る透過率減衰膜１１が形成されていない部分と、透過率
減衰膜１１の上面とにマスクパターンを構成する遮光性
金属薄膜２を形成して製造が終了する。
【００１６】そして、このホトマスクを使用して半導体
ウエハを露光させると、透過した光の光強度は、光透過
部Ａを透過した光より減衰部Ｃを透過した光の方が低く
なる。
ウエハを露光させると、透過した光の光強度は、光透過
部Ａを透過した光より減衰部Ｃを透過した光の方が低く
なる。
【００１７】したがって、透過率減衰膜１１（減衰部
Ｃ）を透過した光は光強度が低下する。このため、半導
体ウエハでのレジスト膜が薄い部位には低い光強度をも
って光が照射されることになる。
Ｃ）を透過した光は光強度が低下する。このため、半導
体ウエハでのレジスト膜が薄い部位には低い光強度をも
って光が照射されることになる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る露光装
置用ホトマスクは、ガラス基板の光透過部であって半導
体ウエハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分
に、光透過率の小さな透過率減衰膜を形成したため、透
過率減衰膜を透過した光は光強度が低下する。このた
め、ホトマスクにおける光が透過する部分での光透過率
を変えることができるようになり、半導体ウエハでのレ
ジスト膜が薄い部位には低い光強度をもって光を照射で
きる。したがって、半導体ウエハでの各露光箇所のレジ
スト膜厚に応じた最適露光量をもって露光できるから、
写真製版マージン（焦点深度，露光マージン）を向上さ
せることができる。
置用ホトマスクは、ガラス基板の光透過部であって半導
体ウエハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分
に、光透過率の小さな透過率減衰膜を形成したため、透
過率減衰膜を透過した光は光強度が低下する。このた
め、ホトマスクにおける光が透過する部分での光透過率
を変えることができるようになり、半導体ウエハでのレ
ジスト膜が薄い部位には低い光強度をもって光を照射で
きる。したがって、半導体ウエハでの各露光箇所のレジ
スト膜厚に応じた最適露光量をもって露光できるから、
写真製版マージン（焦点深度，露光マージン）を向上さ
せることができる。
【図１】本発明に係る露光装置用ホトマスクの断面図で
ある。
ある。
【図２】従来の露光装置用ホトマスクの断面図である。
１ ガラス基板 ２ 遮光性金属薄膜 １１ 透過率減衰膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高畠 修 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ガラス基板上にマスクパターンが形成さ
れた露光装置用ホトマスクにおいて、前記ガラス基板の
光透過部であって半導体ウエハでのレジスト膜が薄くな
る部位と対応する部分に、光透過率の小さな透過率減衰
膜を形成したことを特徴とする露光装置用ホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17790391A JPH0527413A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 露光装置用ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17790391A JPH0527413A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 露光装置用ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527413A true JPH0527413A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16039080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17790391A Pending JPH0527413A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 露光装置用ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0527413A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6458493B2 (en) | 1999-06-04 | 2002-10-01 | International Business Machines Corporation | Method to control nested to isolated line printing |
| US7322900B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-01-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Oil feeding device |
| US7510498B2 (en) | 2002-01-17 | 2009-03-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Planetary gearset |
| JP2011022179A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びそれを用いて製造したカラーフィルタ |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP17790391A patent/JPH0527413A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6458493B2 (en) | 1999-06-04 | 2002-10-01 | International Business Machines Corporation | Method to control nested to isolated line printing |
| US6667136B2 (en) | 1999-06-04 | 2003-12-23 | International Business Machines Corporation | Method to control nested to isolated line printing |
| US7510498B2 (en) | 2002-01-17 | 2009-03-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Planetary gearset |
| US7841961B2 (en) | 2002-01-17 | 2010-11-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Planetary gearset |
| US7322900B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-01-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Oil feeding device |
| JP2011022179A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びそれを用いて製造したカラーフィルタ |
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