JP2011022179A - フォトマスク及びそれを用いて製造したカラーフィルタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に感光性レジスト膜を塗布した基板にパターン露光を行うフォトマスクにおいて、前記感光性レジストの塗布膜厚に対応して、あるいは前記感光性レジストの現像ムラに対応して、前記現像ムラを生じた部位の光透過量を低減したことを特徴とするフォトマスクである。
【選択図】なし
Description
表面に感光性レジスト膜を塗布した基板にパターン露光を行うフォトマスクにおいて、前記感光性レジストの塗布膜厚に対応して、前記膜厚の厚い部位の光透過量を低減したことを特徴とするフォトマスクとしたものである。
説明する。
反応容器にシクロヘキサン370部を収容し、この容器に窒素ガスを注入しながら80℃に加熱して、同温度でメタクリル酸20.0部、メチルメタクリレート10.0部、n−ブチルメタクリレート55.0部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート15.0部、及び2,2’−アゾビスイソブチロニトリル4.0部の混合物を1時間かけて滴下し、重合反応を行った。
滴下終了後、さらに80℃で3時間反応させた後、アゾビスイソブチル1.0部をシクロヘキサン50部に溶解させたものを添加し、さらに80℃で1時間反応を続けて、アクリル樹脂共重合体溶液を得た。
下記表1に示す組成の混合物を攪拌混合し、直径1mmのガラスビーズを用いてサンドミルで5時間分散した後、5μmのフィルターで濾過し、黒色の顔料分散体を調整した。
CB:カーボンブラック(C.I.Pigment Black 7、三菱化学社製「MA11」)
顔料分散剤:日本ルーブリゾー社製「ソルスパース20000」
有機溶剤:シクロヘキサン
Red 7、9、14、41、48:1、48:2、48:3、48:4、81:1、81:2、81:3、97、122、123、146、149、168、177、178、179、180、184、185、187、192、200、202、208、210、215、216、217、220、223、224、226、227、228、240、246、254、255、264、272、279等の赤色顔料を用いることができる。赤色着色組成物には、黄色顔料、橙色顔料を併用することができる。
Green 7、10、36、37等の緑色顔料を用いることができる。緑色着色組成物には赤色着色組成物と同様の黄色顔料を併用することができる。
Blue 15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:6、16、22、60、64、80等の青色顔料、好ましくはC.I.Pigment Blue 15:6を用いることができる。また、青色着色組成物には、C.I.Pigment Violet 1、19、23、27、29、30、32、37、40、42、50等の紫色顔料、好ましくはC.I.Pigment Violet 23を併用することができる。
先に調整した黒色の顔料分散体を含む、下記表2に示す処方の混合物を均一になるように攪拌混合した、1μmのフィルタで濾過して、各BM、R,G,Bの着色フォトレジストを得た。尚、表2は黒色の着色フォトレジストの調整例を記載したもので、R,G,Bについての組成の詳細は省略した。
顔料分散体:先に調整した物
アクリル樹脂:先に調整した物
モノマー:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(東亞合成社製「アロニックスM−402」)
有機溶剤:シクロヘキサン
光重合開始剤:α−アミノアルキルフェノン系光重合開始剤2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノン(チバスペシャルティケミカルズ社製「イルガキュアー379」。
とができる。また、スチレン−無水マレイン酸共重合物やα−オレフィン−無水マレイン酸共重合物等の酸無水物を含む線状高分子をヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等の水酸基を有する(メタ)アクリル化合物によりハーフエステル化したものも用いられる。
また外周部パターンの線幅(外周線幅)は基板中央に形成したマークより1μm以上太く形成されており、図示はしないが、基板の対角線に沿ってレジスト膜厚を計測したところ、コーナーは基板中央部に較べて0.10μmから0.15μm程度厚いものであった。
2、中央四角形
3、口の字部分
Claims (6)
- 表面に感光性レジスト膜を塗布した基板にパターン露光を行うフォトマスクにおいて、前記感光性レジストの塗布膜厚に対応して、前記膜厚の厚い部位の光透過量を低減したことを特徴とするフォトマスク。
- 表面に感光性レジスト膜を塗布した基板にパターン露光を行うフォトマスクにおいて、前記感光性レジストの現像不足により生じる現像ムラに対応して、前記現像ムラを生じた部位の光透過量を低減したことを特徴とするフォトマスク。
- 表面に感光性レジスト膜を塗布した基板にパターン露光を行うフォトマスクにおいて、前記露光光が基板面内で不均一の場合、前記露光光が過剰な部位の光透過量を低減したことを特徴とするフォトマスク。
- 前記光透過量を低減させたフォトマスクの部位は、低減させない部位よりも微細なパターンが形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記光透過量を低減させたフォトマスクの部位は、低減させない部位よりも光学濃度が濃いことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記光透過量を低減させるべきフォトマスクは、通常のフォトマスクに別のフォトマスクの遮光性部位を積層した積層フォトマスクであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のフォトマスク。
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