JPS60144743A - パタ−ン描画装置 - Google Patents
パタ−ン描画装置Info
- Publication number
- JPS60144743A JPS60144743A JP59001615A JP161584A JPS60144743A JP S60144743 A JPS60144743 A JP S60144743A JP 59001615 A JP59001615 A JP 59001615A JP 161584 A JP161584 A JP 161584A JP S60144743 A JPS60144743 A JP S60144743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal generator
- correction
- correction signal
- control signal
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造において、リングラフィ工
程でのパターン描画装置に関する。 従来技術 半導体集積回路
程でのパターン描画装置に関する。 従来技術 半導体集積回路
【以下、ＩＣという】の高密度化、微細
化にともない、半導体ウェーハのリソグラフィ技術は従
来の密着露光方式から縮小投影露光方式に移ってきた。 投影露光方式は、前者の方式に比べてマスクの寿命が長
ぐなｐまたウェーハに損傷、汚染金与えない利点がある
。 また縮小投影露光では、原寸法の５〜１０倍程夏の拡大
マスク（レチクル〕を用いるので、稍匪の高いものをつ
くることができる。 上記の縮小投影露光方式においても、透過光学系を使用
してウェーハ上に露光するため、レンズの収差、光源の
不均一性などによる不都合な点が生ずる。、％にレンズ
の中心部と外周部とでは光の強度が異なり、ウェーハ上
の露光パターンの寸法再現性に差異が生ずる。 第１図はポジ型のレジストヲ塗布したウェーハ上に縮小
投影露光方式によシ抜きパターンを露光した場合の寸法
誤差を示したものである。 市販の縮小投影露光装置用レンズを用いた場合、中心部
と周辺部との差は０，１〜０．２μｍ程度にもなるｎ普
通のＩＣでも最小パターン幅が４μｍ程度であるから、
前記の不均一性は問題である。 上記の不都合を除く方法としては、投影装ｆｆｃｔのレ
ンズを大口径・晶精度にすることが考えられるが、かな
りレンズ系が高価なものになる。 あるいは描画データ情報としてＩＣ設計時に補正してマ
スク原版を作成すればよいが、マスク原版それぞれのパ
ターンに対してデータを用、（デしてパターン描画装置
で原版を作成する心安がある。しかし、投影装置の各々
に対して前記の誤差の程Ｕ（が異なるから、必要とする
データ址が膨大になる。またパターン描画にあたシ、既
存のパターンを組合せて合成することが多いが、このと
きは前記のレンズ系の誤差を考慮したデータは用いるこ
とはできず、正規のデータを用いて組合わせ、その上で
補正を加えねばならない。従って、最初から個々のパタ
ーンにつき降圧を行なえば汎用性の乏しいデータが蓄積
される結果になる。 発明の目的 本発明の目的は、上記の欠点を除去し、縮小投影用のレ
チクルヲ、縮小投影の際の光学系に起因する誤差ヲアら
かじめ補正して作成する汎用性のあるパターン描画装置
を提供することにある。 発明の構成 本発明のパターン描画装置は、ビーム制御信号発生器に
より制御された刺激ビームを試料表面上に照射して所定
のパターンを描画して、レチクルを作成するパターン描
画装置において、該レチクルを投影転写する場合の光学
系の原因に起因する寸法不均一性を補正する補正信号３
ａｉを具備し、前ＩＣビーム制御信号発生器に、前記補
正信号発生器の寸法補正信号を加えて、刺激ビームの照
射を制御すること全特徴とするものである。 実施例 以下、本発明の実施例を図面にもとづいて詳しく説明す
る。、第２図は、一実施例の回路ブロック図である。こ
の実施例は刺激ビームとして電子ビームを用いたもので
、電子Ｍ５から放射された電子ビーム８は、ビーム整形
系６でビーム形状を定め、ビーム偏向系７でビーム走査
を制御し、試料９の表面に照射され、１９「定のパター
ン全描画する。試料９はステージ１０の上に搭載され、
ステージ位置測定系４と計鏝−機１の位置情報によシ、
その位置の移動全制御される。 ビーム制御信号発生器２は、計算機１からの描画情報を
うけて、ビーム制御信号６ａ、７ａｉビーム整形系６．
ビーム偏向系７にそれぞれ印加する。 上記は、従来のパターン描画装置であるが、本実施例で
は寸法補正信号発生器５を具備している。そして該寸法
補正信号発生器６はステージ位置測定系４からの情報と
、計算機１からの情報とをうけて、所定の補正信号３ａ
ｉ発生し、ビーム制御信号発生器２に出力する。 ビーム制御信号発生器２は、補正信号ｘａｋ補正前のビ
ーム制御信号に加えて、補正された制御信号６ａ、７ａ
ｆｃ出力する。補正は光学系の性質によシ異なるが、と
＼では最も一般的な場合として、光学系のレンズ中心か
ら離れた外周部の光量不足によｐ〕くターンが細くなる
欠陥を対象として補正する例を第５図に示す。チップ３
１にパターン６２が描画された４個のＩＣが１フレーム
に包含されている。補正は二段に行なう。図でＡ、Ｂと
斜線をほどこした部分である。但し、画像のない部分は
当然補正が行なわれないが、補正の特徴を明確にするた
めその部分についても、点線で位置を示しておいた。 このようにレンズの中心軸Ｍに対称的にＭからの距離に
応じて所定の補正を行なう。補正は中心軸Ｍからの距離
に応じて、第１図に示すウェーハ露光において寸法が細
くなるデータを用意しておいて第５図のようにあらかじ
め、その分だけパターンを大きくとって補正する。 上記の例では、中心軸に対称な場合の補正だが、レンズ
が中心軸に対して歪んだ特性を示すときはそれに応じた
補正を行なう。 発明の効果 本発明にニジ、作成されたレチクルは、あらかじめ光学
的縮小露光の際の周辺部の誤差を補償するだけの補正が
なされているから、ウェーハ上の露光パターンはその寸
法が、その全面にわたシ、一様なものを得ることができ
る。 描画パターンデータ自体は補正値を入れた設計をするこ
とがなく、補正値は描画パターンと別個に露光装置のレ
ンズ系の特性全考慮して作成すればよい。従って露光装
置のレンズ系が変った場合にも描画パターンテーク自体
を修正する必要がないから、補正方法としては優れて汎
用性がある。描画パターンデータと補正値テークとは別
々に蓄積されるから、描画パターンを複合、合成して新
しい描画パターンを作成する場合などに特に有利である
。 なお、刺激ビームとしては、電子ビームに限定せず、レ
ーザなどにも適用可能であることはいうまでもない。
化にともない、半導体ウェーハのリソグラフィ技術は従
来の密着露光方式から縮小投影露光方式に移ってきた。 投影露光方式は、前者の方式に比べてマスクの寿命が長
ぐなｐまたウェーハに損傷、汚染金与えない利点がある
。 また縮小投影露光では、原寸法の５〜１０倍程夏の拡大
マスク（レチクル〕を用いるので、稍匪の高いものをつ
くることができる。 上記の縮小投影露光方式においても、透過光学系を使用
してウェーハ上に露光するため、レンズの収差、光源の
不均一性などによる不都合な点が生ずる。、％にレンズ
の中心部と外周部とでは光の強度が異なり、ウェーハ上
の露光パターンの寸法再現性に差異が生ずる。 第１図はポジ型のレジストヲ塗布したウェーハ上に縮小
投影露光方式によシ抜きパターンを露光した場合の寸法
誤差を示したものである。 市販の縮小投影露光装置用レンズを用いた場合、中心部
と周辺部との差は０，１〜０．２μｍ程度にもなるｎ普
通のＩＣでも最小パターン幅が４μｍ程度であるから、
前記の不均一性は問題である。 上記の不都合を除く方法としては、投影装ｆｆｃｔのレ
ンズを大口径・晶精度にすることが考えられるが、かな
りレンズ系が高価なものになる。 あるいは描画データ情報としてＩＣ設計時に補正してマ
スク原版を作成すればよいが、マスク原版それぞれのパ
ターンに対してデータを用、（デしてパターン描画装置
で原版を作成する心安がある。しかし、投影装置の各々
に対して前記の誤差の程Ｕ（が異なるから、必要とする
データ址が膨大になる。またパターン描画にあたシ、既
存のパターンを組合せて合成することが多いが、このと
きは前記のレンズ系の誤差を考慮したデータは用いるこ
とはできず、正規のデータを用いて組合わせ、その上で
補正を加えねばならない。従って、最初から個々のパタ
ーンにつき降圧を行なえば汎用性の乏しいデータが蓄積
される結果になる。 発明の目的 本発明の目的は、上記の欠点を除去し、縮小投影用のレ
チクルヲ、縮小投影の際の光学系に起因する誤差ヲアら
かじめ補正して作成する汎用性のあるパターン描画装置
を提供することにある。 発明の構成 本発明のパターン描画装置は、ビーム制御信号発生器に
より制御された刺激ビームを試料表面上に照射して所定
のパターンを描画して、レチクルを作成するパターン描
画装置において、該レチクルを投影転写する場合の光学
系の原因に起因する寸法不均一性を補正する補正信号３
ａｉを具備し、前ＩＣビーム制御信号発生器に、前記補
正信号発生器の寸法補正信号を加えて、刺激ビームの照
射を制御すること全特徴とするものである。 実施例 以下、本発明の実施例を図面にもとづいて詳しく説明す
る。、第２図は、一実施例の回路ブロック図である。こ
の実施例は刺激ビームとして電子ビームを用いたもので
、電子Ｍ５から放射された電子ビーム８は、ビーム整形
系６でビーム形状を定め、ビーム偏向系７でビーム走査
を制御し、試料９の表面に照射され、１９「定のパター
ン全描画する。試料９はステージ１０の上に搭載され、
ステージ位置測定系４と計鏝−機１の位置情報によシ、
その位置の移動全制御される。 ビーム制御信号発生器２は、計算機１からの描画情報を
うけて、ビーム制御信号６ａ、７ａｉビーム整形系６．
ビーム偏向系７にそれぞれ印加する。 上記は、従来のパターン描画装置であるが、本実施例で
は寸法補正信号発生器５を具備している。そして該寸法
補正信号発生器６はステージ位置測定系４からの情報と
、計算機１からの情報とをうけて、所定の補正信号３ａ
ｉ発生し、ビーム制御信号発生器２に出力する。 ビーム制御信号発生器２は、補正信号ｘａｋ補正前のビ
ーム制御信号に加えて、補正された制御信号６ａ、７ａ
ｆｃ出力する。補正は光学系の性質によシ異なるが、と
＼では最も一般的な場合として、光学系のレンズ中心か
ら離れた外周部の光量不足によｐ〕くターンが細くなる
欠陥を対象として補正する例を第５図に示す。チップ３
１にパターン６２が描画された４個のＩＣが１フレーム
に包含されている。補正は二段に行なう。図でＡ、Ｂと
斜線をほどこした部分である。但し、画像のない部分は
当然補正が行なわれないが、補正の特徴を明確にするた
めその部分についても、点線で位置を示しておいた。 このようにレンズの中心軸Ｍに対称的にＭからの距離に
応じて所定の補正を行なう。補正は中心軸Ｍからの距離
に応じて、第１図に示すウェーハ露光において寸法が細
くなるデータを用意しておいて第５図のようにあらかじ
め、その分だけパターンを大きくとって補正する。 上記の例では、中心軸に対称な場合の補正だが、レンズ
が中心軸に対して歪んだ特性を示すときはそれに応じた
補正を行なう。 発明の効果 本発明にニジ、作成されたレチクルは、あらかじめ光学
的縮小露光の際の周辺部の誤差を補償するだけの補正が
なされているから、ウェーハ上の露光パターンはその寸
法が、その全面にわたシ、一様なものを得ることができ
る。 描画パターンデータ自体は補正値を入れた設計をするこ
とがなく、補正値は描画パターンと別個に露光装置のレ
ンズ系の特性全考慮して作成すればよい。従って露光装
置のレンズ系が変った場合にも描画パターンテーク自体
を修正する必要がないから、補正方法としては優れて汎
用性がある。描画パターンデータと補正値テークとは別
々に蓄積されるから、描画パターンを複合、合成して新
しい描画パターンを作成する場合などに特に有利である
。 なお、刺激ビームとしては、電子ビームに限定せず、レ
ーザなどにも適用可能であることはいうまでもない。
第１図は縮小投影露光装置の、ウェーッ・上のパターン
の寸法誤差を示す図、第２図は本発明の一実施例の回路
ブロック図、第３図は補正方法の１例を説明する図であ
る。 １・・・計算機、２・・・ビーム制御信号発生器、６・
・・寸法補正信号発生器、４・・・ステージ位置測定系
、５・・・電子銃、６・・・ビーム整形系、７・・・ビ
ーム偏向４．８・・・電子ビーム、？・・・試料、１０
・・・ステージ、３１・・・チップ、６２・・−ＩＣパ
ターン、Ａ、Ｂ・・・補正部分。 特許出願人 日本電気株式会社 第３図
の寸法誤差を示す図、第２図は本発明の一実施例の回路
ブロック図、第３図は補正方法の１例を説明する図であ
る。 １・・・計算機、２・・・ビーム制御信号発生器、６・
・・寸法補正信号発生器、４・・・ステージ位置測定系
、５・・・電子銃、６・・・ビーム整形系、７・・・ビ
ーム偏向４．８・・・電子ビーム、？・・・試料、１０
・・・ステージ、３１・・・チップ、６２・・−ＩＣパ
ターン、Ａ、Ｂ・・・補正部分。 特許出願人 日本電気株式会社 第３図
Claims (1)
- ビーム制御信号発生器によシ、制徊１された刺激ビーム
をマスク試料表向上に照射して所定のパターンを描画し
て、レチクルを作成するパターン描画装置において、該
レチクルを投影転写する場合の光学系の原因に起因する
寸法不均一性を補正する補正信号発生器全具備し、前記
ビーム制御信号発生器に、前記補正信号発器の補正信号
を加えて、刺激ビームの照射を制御することを特徴とす
るパターン描画装置直。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001615A JPS60144743A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | パタ−ン描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001615A JPS60144743A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | パタ−ン描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144743A true JPS60144743A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11506416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001615A Pending JPS60144743A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | パタ−ン描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144743A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
| US7346882B2 (en) | 2001-07-30 | 2008-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method, mask manufacturing method, and LSI manufacturing method |
| JP2011022179A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びそれを用いて製造したカラーフィルタ |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP59001615A patent/JPS60144743A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
| US7346882B2 (en) | 2001-07-30 | 2008-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method, mask manufacturing method, and LSI manufacturing method |
| JP2011022179A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びそれを用いて製造したカラーフィルタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6479201B2 (en) | Optical exposure apparatus of scanning exposure system and its exposing method | |
| JPH0141251B2 (ja) | ||
| US5308991A (en) | Method and apparatus for making a predistorted reticle to compensate for lens distortions | |
| JPH09167735A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| US7644389B2 (en) | Method for producing a mask for the lithographic projection of a pattern onto a substrate | |
| US5773180A (en) | Measuring method of a relative positional deviation of reticle pattern | |
| US6096462A (en) | Charged-particle-beam-projection-microlithography transfer methods with coulomb effect correction | |
| JPS60144743A (ja) | パタ−ン描画装置 | |
| US6331711B1 (en) | Correction for systematic, low spatial frequency critical dimension variations in lithography | |
| KR940010150B1 (ko) | 전자빔노광방법 및 그 장치 | |
| US5543256A (en) | Method for exposing a pattern plate having an alignment pattern and a pattern plate exposed by said method | |
| KR19980032917A (ko) | 전자선 노광 방법 및 그 장치 | |
| JPH10256122A (ja) | パターン形成装置 | |
| US20020110742A1 (en) | Method for correcting design pattern of semiconductor circuit, a photomask fabricated using the corrected design pattern data, a method for inspecting the photomask and a method for generating pattern data for inspection of photomask | |
| JP3198187B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置の調整方法 | |
| JP3173025B2 (ja) | 露光方法及び半導体素子の製造方法 | |
| JPH0612754B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2972521B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JP3370317B2 (ja) | アライメントパターンを有するパターン版の描画方法及びその方法によって描画されたパターン版 | |
| JP3710422B2 (ja) | 近接露光方式電子ビーム露光装置の副偏向器のゲイン較正方法 | |
| JPH04179952A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH04302132A (ja) | 走査形投影電子線描画装置および方法 | |
| JPS6221216A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH05160009A (ja) | 荷電ビーム描画装置および荷電ビームによるパターン形成方法 | |
| JP3242989B2 (ja) | アライメントパターンを有するパターン版の修正方法 |