JP2734396B2 - 露光マスク - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光マスクに関し、特
にリソグラフィ用の露光マスクのうち位相シフトマスク
で、微細なパターンの転写に有効な位相シフトマスクに
関する。
にリソグラフィ用の露光マスクのうち位相シフトマスク
で、微細なパターンの転写に有効な位相シフトマスクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光技術においては、設計ルール
の微細化にともない位相シフト技術による対応が検討さ
れてきている。例えば、特開平４−１６２０３９に示さ
れている露光マスクは、通常使用されているマスクでの
不透明膜を半透明膜にし、若干光を透過させて更に位相
を反転させるように加工し、パターンエッジでの透過光
のプロファイルを急峻にして、従来法よりも焦点深度や
解像度を向上させた露光マスクである。なおこの半透明
膜を用いた露光マスクは、ハーフトーン型位相シフトマ
スク、ハーフトーンマスク、あるいはアテェヌエイト
（減衰）マスクとも呼ばれる。以下、ここでは本発明マ
スクと区別して従来ハーフトーンマスクと呼ぶ。また、
不透明膜によって形成されているマスクを通常マスクと
呼ぶ。
の微細化にともない位相シフト技術による対応が検討さ
れてきている。例えば、特開平４−１６２０３９に示さ
れている露光マスクは、通常使用されているマスクでの
不透明膜を半透明膜にし、若干光を透過させて更に位相
を反転させるように加工し、パターンエッジでの透過光
のプロファイルを急峻にして、従来法よりも焦点深度や
解像度を向上させた露光マスクである。なおこの半透明
膜を用いた露光マスクは、ハーフトーン型位相シフトマ
スク、ハーフトーンマスク、あるいはアテェヌエイト
（減衰）マスクとも呼ばれる。以下、ここでは本発明マ
スクと区別して従来ハーフトーンマスクと呼ぶ。また、
不透明膜によって形成されているマスクを通常マスクと
呼ぶ。
【０００３】従来ハーフトーンマスクを用いると、マス
ク全面が一定の透過率を有していたので露光装置で用い
られる際に各露光範囲の重なり部分に許容量以上の露光
量が照射されてしまうという問題があった。この課題に
ついて図４、図５を用いて説明する。一般的に露光マス
クは縮小投影露光装置（以下ステッパと呼ぶ）で用いら
れている。このステッパの装置構成を図４に示す。また
図５は、図４で示した装置にあるレチクルブラインドの
上面図で、各々矢印方向に可動である。
ク全面が一定の透過率を有していたので露光装置で用い
られる際に各露光範囲の重なり部分に許容量以上の露光
量が照射されてしまうという問題があった。この課題に
ついて図４、図５を用いて説明する。一般的に露光マス
クは縮小投影露光装置（以下ステッパと呼ぶ）で用いら
れている。このステッパの装置構成を図４に示す。また
図５は、図４で示した装置にあるレチクルブラインドの
上面図で、各々矢印方向に可動である。
【０００４】光源からの光（８）を一旦結像させ、この
結像部分近傍には２枚のＬ字型の金属板（以下レチクル
ブラインド（９）と呼ぶ）があり、光束を任意の矩形に
切り出すことができる。これを図５で説明する。Ｌ字型
の金属板はそれぞれ光束に垂直な平面上にあり、光束を
任意の矩形に設定することができる。２枚の金属板（１
６ａ，１６ｂ）は矢印で示したように各々Ｘ，Ｙ方向に
移動可能で、前記露光マスク上任意の範囲を設定するこ
とができる。この矩形の光束はコンデンサーレンズ（１
０）を通り、露光マスク（１１）上に再び結像する。よ
って、前記露光マスク（１１）の任意の部分を露光した
いとき以上のような方法で設定することができる。
結像部分近傍には２枚のＬ字型の金属板（以下レチクル
ブラインド（９）と呼ぶ）があり、光束を任意の矩形に
切り出すことができる。これを図５で説明する。Ｌ字型
の金属板はそれぞれ光束に垂直な平面上にあり、光束を
任意の矩形に設定することができる。２枚の金属板（１
６ａ，１６ｂ）は矢印で示したように各々Ｘ，Ｙ方向に
移動可能で、前記露光マスク上任意の範囲を設定するこ
とができる。この矩形の光束はコンデンサーレンズ（１
０）を通り、露光マスク（１１）上に再び結像する。よ
って、前記露光マスク（１１）の任意の部分を露光した
いとき以上のような方法で設定することができる。
【０００５】前記レチクルブラインド（９）は１００μ
ｍオーダーの加工精度であり、また機械的に駆動される
のでその位置精度も数１００μｍ程度の誤差を有してい
るため前記レチクルブラインド（９）の設定は露光領域
よりも片側２００μｍから８００μｍほど外側に設置す
るように装置上に設定されてある。ここで露光領域とは
半導体素子パターンが形成さてれいる領域を示す。通常
マスクにおいては露光領域の外周に不透明膜による遮光
領域が１．５ｍｍ幅で形成されており、上記レチクルブ
ラインド（９）のエッジ部分（以下ブラインドエッジと
呼ぶ）を隠すのに十分である。
ｍオーダーの加工精度であり、また機械的に駆動される
のでその位置精度も数１００μｍ程度の誤差を有してい
るため前記レチクルブラインド（９）の設定は露光領域
よりも片側２００μｍから８００μｍほど外側に設置す
るように装置上に設定されてある。ここで露光領域とは
半導体素子パターンが形成さてれいる領域を示す。通常
マスクにおいては露光領域の外周に不透明膜による遮光
領域が１．５ｍｍ幅で形成されており、上記レチクルブ
ラインド（９）のエッジ部分（以下ブラインドエッジと
呼ぶ）を隠すのに十分である。
【０００６】上記と同様に、従来ハーフトーンマスクで
レチクルブラインドを設定すると以下の問題が発生す
る。これについて図６、図７を用いて説明する。図６
は、レチクルブラインドがハーフトーンマスク上に設定
されていることを示す上面図で、通常と同様にレチクル
ブラインドを露光領域外に設定していることを示す。露
光領域（２）から数百μｍ外側にレチクルブラインドエ
ッジ（６）がくるように設定されている。図７（ａ）は
ステッパによりウエハ上に露光した一例を示す上面図、
（ｂ）は通常マスクと同様にハーフトーンマスクを露光
したときの多重露光部分を示す上面図、（ｃ）は線Ｗに
おいてのウエハ各点での最終透過率を示すものである。
レチクルブラインドを設定すると以下の問題が発生す
る。これについて図６、図７を用いて説明する。図６
は、レチクルブラインドがハーフトーンマスク上に設定
されていることを示す上面図で、通常と同様にレチクル
ブラインドを露光領域外に設定していることを示す。露
光領域（２）から数百μｍ外側にレチクルブラインドエ
ッジ（６）がくるように設定されている。図７（ａ）は
ステッパによりウエハ上に露光した一例を示す上面図、
（ｂ）は通常マスクと同様にハーフトーンマスクを露光
したときの多重露光部分を示す上面図、（ｃ）は線Ｗに
おいてのウエハ各点での最終透過率を示すものである。
【０００７】図７（ａ）に示すようにウエハ上に前記露
光領域が配列している。このうち４つの隣接した露光領
域に注目する。図７（ｂ）は隣接した四つの露光領域を
示す。点線枠に囲まれているところは前記レチクルブラ
インドにより露光光が照射される部分であり、実線で囲
まれている部分は露光領域である。露光領域Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄにおいてブラインドエッジ（６）から内側は半透
明膜である。通常マスクにおいて露光領域（２）の外部
は遮光膜で形成しているため、前記ブラインドエッジ
（６）が隣接する露光領域上にかかっていても問題は起
こらない。
光領域が配列している。このうち４つの隣接した露光領
域に注目する。図７（ｂ）は隣接した四つの露光領域を
示す。点線枠に囲まれているところは前記レチクルブラ
インドにより露光光が照射される部分であり、実線で囲
まれている部分は露光領域である。露光領域Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄにおいてブラインドエッジ（６）から内側は半透
明膜である。通常マスクにおいて露光領域（２）の外部
は遮光膜で形成しているため、前記ブラインドエッジ
（６）が隣接する露光領域上にかかっていても問題は起
こらない。
【０００８】しかし、従来ハーフトーンマスクにおいて
通常と同様にレチクルブラインドを設定すると、以下の
問題が発生する。例えば図７（ｂ）の露光領域Ａにおい
て説明すると、露光領域Ａにおけるブラインドエッジ
（２２）は隣の露光領域Ｂ上にあり、このときすでに露
光領域Ｂの一部が露光されることになる。次に露光領域
Ｂを露光するとき、露光領域Ｂにおけるブラインドエッ
ジ（２１）は露光領域Ａ上にあり、すでに露光領域Ａの
露光されている部分が再び露光されることになる。よっ
て４回と２回、多重露光される部分（図７（ｂ）の（１
９），（２０））が生じ、不要に感光性樹脂（以下レジ
ストと呼ぶ）の膜減りが起こってしまう。
通常と同様にレチクルブラインドを設定すると、以下の
問題が発生する。例えば図７（ｂ）の露光領域Ａにおい
て説明すると、露光領域Ａにおけるブラインドエッジ
（２２）は隣の露光領域Ｂ上にあり、このときすでに露
光領域Ｂの一部が露光されることになる。次に露光領域
Ｂを露光するとき、露光領域Ｂにおけるブラインドエッ
ジ（２１）は露光領域Ａ上にあり、すでに露光領域Ａの
露光されている部分が再び露光されることになる。よっ
て４回と２回、多重露光される部分（図７（ｂ）の（１
９），（２０））が生じ、不要に感光性樹脂（以下レジ
ストと呼ぶ）の膜減りが起こってしまう。
【０００９】そこで、従来ハーフトーンマスクにおいて
も露光領域（２）の外周に遮光領域を設けることが提案
されている（第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿
集Ｎｏ．２ ２８ ａ−ＳＨＦ−２１ ｐ．５８５）。
遮光する方法としては、不透明膜等を該当部分に形成す
る方法や、半透明膜上に光の回折現象を利用した、解像
限界以下のパターンをマトリックス状に配列させて透過
率を低下させる方法が考えられているが、後者の方がマ
スクプロセス上工程数が通常マスクと比べても増えない
ため、実用化されている。
も露光領域（２）の外周に遮光領域を設けることが提案
されている（第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿
集Ｎｏ．２ ２８ ａ−ＳＨＦ−２１ ｐ．５８５）。
遮光する方法としては、不透明膜等を該当部分に形成す
る方法や、半透明膜上に光の回折現象を利用した、解像
限界以下のパターンをマトリックス状に配列させて透過
率を低下させる方法が考えられているが、後者の方がマ
スクプロセス上工程数が通常マスクと比べても増えない
ため、実用化されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来ハーフトーンマスクには遮光領域を回折パターンで
形成している。しかし完全に遮光するわけではなく、数
％の光が漏れており、以下の問題点があった。前述の図
７（ｂ）を用いて説明する。遮光帯がなければ図７
（ｂ）に示すように（１９）のところは、４回の多重露
光になるから、マスクの半透明膜の透過率が１０％のと
き、１０％×４回＝４０％の光が透過する（以下、この
ように多重露光したところの透過率の合計を最終透過率
と呼ぶ）。ハーフトーンマスクを用いてｉ線で０．４μ
ｍのコンタクトホール（ホール径／スペース＝１：２）
を形成するのに必要な露光量はレジストＡにおいてＳｉ
ウエハ上４００ｍＪ／ｃｍ２であり、この多重露光部分
での露光量は４００ｍＪ／ｃｍ２×４０％＝１６０ｍＪ
／ｃｍ２である。
従来ハーフトーンマスクには遮光領域を回折パターンで
形成している。しかし完全に遮光するわけではなく、数
％の光が漏れており、以下の問題点があった。前述の図
７（ｂ）を用いて説明する。遮光帯がなければ図７
（ｂ）に示すように（１９）のところは、４回の多重露
光になるから、マスクの半透明膜の透過率が１０％のと
き、１０％×４回＝４０％の光が透過する（以下、この
ように多重露光したところの透過率の合計を最終透過率
と呼ぶ）。ハーフトーンマスクを用いてｉ線で０．４μ
ｍのコンタクトホール（ホール径／スペース＝１：２）
を形成するのに必要な露光量はレジストＡにおいてＳｉ
ウエハ上４００ｍＪ／ｃｍ２であり、この多重露光部分
での露光量は４００ｍＪ／ｃｍ２×４０％＝１６０ｍＪ
／ｃｍ２である。
【００１１】このレジストＡの露光量と残膜率との関係
を図８に示す。この露光量でのレジストの残膜率は０％
であり、エッチング耐性上問題が起こってくる。また、
２回多重露光の部分（２０）の最終透過率は１０％×２
回＝２０％の光が透過する。この多重露光部分での露光
量は、４００ｍＪ／ｃｍ２×２０％＝８０ｍＪ／ｃｍ２
である。このとき残膜率は７０％であり、この範囲では
エッチング耐性は問題ないと思われるが、露光量が大き
くなってくると問題が発生してくる可能性がある。レジ
ストの必要残膜率は工程により異なるが、レジストとの
選択比があまりとれないところでは、現状でもレジスト
残膜率の許容量があまりないところもある。よって、レ
ジスト膜減りはできるだけ回避する必要がある。
を図８に示す。この露光量でのレジストの残膜率は０％
であり、エッチング耐性上問題が起こってくる。また、
２回多重露光の部分（２０）の最終透過率は１０％×２
回＝２０％の光が透過する。この多重露光部分での露光
量は、４００ｍＪ／ｃｍ２×２０％＝８０ｍＪ／ｃｍ２
である。このとき残膜率は７０％であり、この範囲では
エッチング耐性は問題ないと思われるが、露光量が大き
くなってくると問題が発生してくる可能性がある。レジ
ストの必要残膜率は工程により異なるが、レジストとの
選択比があまりとれないところでは、現状でもレジスト
残膜率の許容量があまりないところもある。よって、レ
ジスト膜減りはできるだけ回避する必要がある。
【００１２】次に、遮光帯を用いたとき、遮光帯の透過
率は３％であるから、前述の部分で４回多重露光の部分
の最終透過率は、１０％×１回＋３％×３回＝１９％で
ある。このとき、多重露光部分での露光量は４００ｍＪ
／ｃｍ２×１９％＝７６ｍＪ／ｃｍ２で、残膜率は７４
％である。一方２回露光のところでは４００ｍＪ／ｃｍ
２×１３％＝５２ｍＪ／ｃｍ２で残膜率９０％である。
また前述の露光条件は下地基板によっても変わる。低反
射基板であれば露光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になり、４
回多重露光部分での露光量は５００ｍＪ／ｃｍ２×１９
％＝９５ｍＪ／ｃｍ２でこのときの残膜率は６０％と低
下する。更に、微細なホールを形成するためには露光量
が多く必要であり、現状の遮光帯の透過率では大きくな
ってしまい、遮光効果の面で小さくなってくる可能性が
考えられる。そこで本発明は露光領域の内部にも遮光帯
を設けて更に多重露光部分での遮光効果を上げることを
目的としている。
率は３％であるから、前述の部分で４回多重露光の部分
の最終透過率は、１０％×１回＋３％×３回＝１９％で
ある。このとき、多重露光部分での露光量は４００ｍＪ
／ｃｍ２×１９％＝７６ｍＪ／ｃｍ２で、残膜率は７４
％である。一方２回露光のところでは４００ｍＪ／ｃｍ
２×１３％＝５２ｍＪ／ｃｍ２で残膜率９０％である。
また前述の露光条件は下地基板によっても変わる。低反
射基板であれば露光量が５００ｍＪ／ｃｍ２になり、４
回多重露光部分での露光量は５００ｍＪ／ｃｍ２×１９
％＝９５ｍＪ／ｃｍ２でこのときの残膜率は６０％と低
下する。更に、微細なホールを形成するためには露光量
が多く必要であり、現状の遮光帯の透過率では大きくな
ってしまい、遮光効果の面で小さくなってくる可能性が
考えられる。そこで本発明は露光領域の内部にも遮光帯
を設けて更に多重露光部分での遮光効果を上げることを
目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明領域と半
透明領域で構成されるパターンを有し、前記透明領域と
前記半透明領域を透過する光の位相が１８０゜異なる露
光マスクにおいて、転写されるパターンが形成された露
光領域の外周を囲む遮光帯を設け、且つ前記遮光帯はそ
の４角で露光領域側に幅広に形成していることを特徴と
する露光マスクである。
透明領域で構成されるパターンを有し、前記透明領域と
前記半透明領域を透過する光の位相が１８０゜異なる露
光マスクにおいて、転写されるパターンが形成された露
光領域の外周を囲む遮光帯を設け、且つ前記遮光帯はそ
の４角で露光領域側に幅広に形成していることを特徴と
する露光マスクである。
【００１４】
【作用】本発明においては、露光領域の内部にも遮光帯
を設けて更に多重露光部分での遮光効果を上げることに
より、露光領域の周辺に余分な露光光が漏れるのを防止
でき、露光領域周辺で４回露光される領域でのレジスト
の不要な膜減りを回避することができるものである。
を設けて更に多重露光部分での遮光効果を上げることに
より、露光領域の周辺に余分な露光光が漏れるのを防止
でき、露光領域周辺で４回露光される領域でのレジスト
の不要な膜減りを回避することができるものである。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。 ［実施例１］本発明の第１の実施例を図１（ａ）
（ｂ）、図２（ａ）（ｂ）で説明する。図１（ａ）は本
発明の露光マスクを示す上面図、（ｂ）は該露光マスク
の断面図であり、図２（ａ）は本発明の露光マスクによ
り露光された４つの露光領域を示すウエハ上の１部の上
面図、（ｂ）は（ａ）における線Ｙでのウエハ上各点で
の最終透過率を示すものである。
（ｂ）、図２（ａ）（ｂ）で説明する。図１（ａ）は本
発明の露光マスクを示す上面図、（ｂ）は該露光マスク
の断面図であり、図２（ａ）は本発明の露光マスクによ
り露光された４つの露光領域を示すウエハ上の１部の上
面図、（ｂ）は（ａ）における線Ｙでのウエハ上各点で
の最終透過率を示すものである。
【００１６】図１（ａ）において、露光マスクは半透明
膜（１）と遮光領域（３）によって構成され露光領域
（２）内の４角も遮光領域（３）が形成してある。半透
明膜（１）としては酸化クロム系を１２００Å厚で用
い、ｉ線に対する透過率を１０％（透明基板の透過率を
１００％とする）とした。遮光領域（３）はマスク上
１．０μｍのホールパターンのアレイでありこのときの
透過率は３％である。図１（ｂ）に本発明マスクの断面
図が示されている。
膜（１）と遮光領域（３）によって構成され露光領域
（２）内の４角も遮光領域（３）が形成してある。半透
明膜（１）としては酸化クロム系を１２００Å厚で用
い、ｉ線に対する透過率を１０％（透明基板の透過率を
１００％とする）とした。遮光領域（３）はマスク上
１．０μｍのホールパターンのアレイでありこのときの
透過率は３％である。図１（ｂ）に本発明マスクの断面
図が示されている。
【００１７】図２（ａ）は４つの露光領域の重なりを示
し、４角は遮光帯により露光されない。また、図２
（ｂ）では線Ｙでの断面部分での最終透過率を示す。４
回多重露光されているところは、遮光帯が４回露光され
るので、３％×４回＝１２％であり、２回多重露光のと
ころは１回は露光領域内であるので露光され、２回目は
遮光帯によって露光されるので１０％＋３％＝１３％で
ある。このとき前記のレジストＡにおいて露光量は、そ
れぞれ４８ｍＪ／ｃｍ２、５２ｍＪ／ｃｍ２であり、残
膜率はどちらもほぼ９０％である。
し、４角は遮光帯により露光されない。また、図２
（ｂ）では線Ｙでの断面部分での最終透過率を示す。４
回多重露光されているところは、遮光帯が４回露光され
るので、３％×４回＝１２％であり、２回多重露光のと
ころは１回は露光領域内であるので露光され、２回目は
遮光帯によって露光されるので１０％＋３％＝１３％で
ある。このとき前記のレジストＡにおいて露光量は、そ
れぞれ４８ｍＪ／ｃｍ２、５２ｍＪ／ｃｍ２であり、残
膜率はどちらもほぼ９０％である。
【００１８】よってレジスト膜減りをかなり低減させる
ことができる。遮光領域（３）には解像限界以下のパタ
ーンのアレイが配置され、その大きさは露光領域（２）
の周辺に幅１．５ｍｍ、４角は３ｍｍ角で４分の１がチ
ップ内に入るものである。該露光マスクは一般にコンタ
クトホールパターンの露光工程で使用されるが遮光領域
（３）のパターンが４角に形成されても本来の露光パタ
ーン（コンタクトホール）の存在しない領域であるので
問題は起こらない。
ことができる。遮光領域（３）には解像限界以下のパタ
ーンのアレイが配置され、その大きさは露光領域（２）
の周辺に幅１．５ｍｍ、４角は３ｍｍ角で４分の１がチ
ップ内に入るものである。該露光マスクは一般にコンタ
クトホールパターンの露光工程で使用されるが遮光領域
（３）のパターンが４角に形成されても本来の露光パタ
ーン（コンタクトホール）の存在しない領域であるので
問題は起こらない。
【００１９】［実施例２］次に、本発明の第２の実施例
について図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図３は
本発明の別の実施例の露光マスクの断面図を示ものであ
る。図３（ａ）はこの第２の実施例の露光マスクを示す
上面図で、図１（ａ）と同じである。図３（ｂ）は第２
の実施例として遮光帯を半透明膜上に形成したタイプを
示すもので、遮光領域（３）として半透明膜（１）上に
遮光膜（７ａ）を形成している。上記遮光膜（７ａ）は
半透明膜（１）の透過率を低下させるためのものであ
り、５０〜１００Å程度の最低限の厚さで良い。
について図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図３は
本発明の別の実施例の露光マスクの断面図を示ものであ
る。図３（ａ）はこの第２の実施例の露光マスクを示す
上面図で、図１（ａ）と同じである。図３（ｂ）は第２
の実施例として遮光帯を半透明膜上に形成したタイプを
示すもので、遮光領域（３）として半透明膜（１）上に
遮光膜（７ａ）を形成している。上記遮光膜（７ａ）は
半透明膜（１）の透過率を低下させるためのものであ
り、５０〜１００Å程度の最低限の厚さで良い。
【００２０】図３（ｃ）は遮光帯を半透明膜下に形成し
たタイプである。これは図３（ｂ）とは逆に遮光膜（７
ａ）を下に形成した露光マスクである。図３（ｄ）は単
一に遮光帯を形成したタイプである。このように、単一
に遮光膜（７ｂ）を形成しても良い。この図（ｄ）のよ
うに単一に遮光を形成するときも３００〜５００Åの半
透明膜で十分である。他に遮光帯材としては、現在デバ
イスプロセスで使用されているＭｏＳｉ，Ｓｉ，ＳｉＮ
等の金属および金属窒化物も実用的に可能である。本発
明はシフタ層がガラス基板を彫り込んで形成されている
基板彫り込みタイプのシフタ下置き型ハーフトーンマス
クや逆にシフタ層が半透明層の上部に形成されているシ
フタ上置き型においても適応できる。
たタイプである。これは図３（ｂ）とは逆に遮光膜（７
ａ）を下に形成した露光マスクである。図３（ｄ）は単
一に遮光帯を形成したタイプである。このように、単一
に遮光膜（７ｂ）を形成しても良い。この図（ｄ）のよ
うに単一に遮光を形成するときも３００〜５００Åの半
透明膜で十分である。他に遮光帯材としては、現在デバ
イスプロセスで使用されているＭｏＳｉ，Ｓｉ，ＳｉＮ
等の金属および金属窒化物も実用的に可能である。本発
明はシフタ層がガラス基板を彫り込んで形成されている
基板彫り込みタイプのシフタ下置き型ハーフトーンマス
クや逆にシフタ層が半透明層の上部に形成されているシ
フタ上置き型においても適応できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ハ
ーフトーンマスクの露光領域周辺およびその４角の内側
に遮光帯を形成することにより投影露光装置で露光した
ときに露光領域周辺で４回露光される領域でのレジスト
の不要な膜減りを回避することができるという効果を奏
するものである。
ーフトーンマスクの露光領域周辺およびその４角の内側
に遮光帯を形成することにより投影露光装置で露光した
ときに露光領域周辺で４回露光される領域でのレジスト
の不要な膜減りを回避することができるという効果を奏
するものである。
【図１】本発明の第１の実施例の露光マスクを示す図。
【図２】本発明の第１の実施例の露光マスクの露光領域
を示す図。
を示す図。
【図３】本発明の第２の実施例の露光マスクを示す図。
【図４】ステッパの構成を示す。
【図５】図４で示した装置にあるレチクルブラインドの
上面図。
上面図。
【図６】レチクルブラインドがハーフトーンマスク上に
設定されていることを示す上面図。
設定されていることを示す上面図。
【図７】ステッパによりウエハ上に露光した一例を示す
上面図
上面図
【図８】レジストＡにおける露光量と残膜率の関係を示
す。
す。
１ 半透明領域もしくは半透明膜 ２ 露光領域 ３ 回折パターンによる遮光領域 ４ 透明基板 ５ 遮光帯によって遮光される領域 ６ ブラインドエッジ ７ａ，ｂ 遮光帯を形成するための半透明膜 ８ 光源 ９ レチクルブラインド １０ コンデンサレンズ １１ 露光マスク １２ 投影レンズ １３ ウエハ １４ ミラー １５ レンズ １６ａ，ｂ 金属板 １８ オリフラ １９ 露光領域Ａ内において４回多重露光される部分 ２０ 露光領域Ａ内において２回多重露光される部分 ２１ 露光領域Ｂにおけるブラインドエッジ ２２ 露光領域Ａにおけるブラインドエッジ ２３ ブラインドにより切り出された光束の一部
Claims (1)
- 【請求項１】 透明領域と半透明領域で構成されるパタ
ーンを有し、前記透明領域と前記半透明領域を透過する
光の位相が１８０゜異なる露光マスクにおいて、転写さ
れるパターンが形成された露光領域の外周を囲む遮光帯
を設け、且つ前記遮光帯はその４角で露光領域側に幅広
に形成していることを特徴とする露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4774695A JP2734396B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4774695A JP2734396B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 露光マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220732A JPH08220732A (ja) | 1996-08-30 |
| JP2734396B2 true JP2734396B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=12783920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4774695A Expired - Fee Related JP2734396B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734396B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000352810A (ja) | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクおよびその位相シフトマスクを用いて製造された半導体装置 |
| US6566017B1 (en) * | 2000-08-14 | 2003-05-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor wafer imaging mask having uniform pattern features and method of making same |
| JP4791207B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-10-12 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 位相シフトレチクルとその製造方法とその欠陥検査方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536449U (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-18 | ソニー株式会社 | レチクルマスク |
| JPH0815854A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-13 JP JP4774695A patent/JP2734396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08220732A (ja) | 1996-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |