JPH1012543A - 位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法 - Google Patents

位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法

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JPH1012543A
JPH1012543A JP18130096A JP18130096A JPH1012543A JP H1012543 A JPH1012543 A JP H1012543A JP 18130096 A JP18130096 A JP 18130096A JP 18130096 A JP18130096 A JP 18130096A JP H1012543 A JPH1012543 A JP H1012543A
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shift mask
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pattern
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Shuji Nakao
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリデバイスのように密集したパターンに
おいて、フォーカスが多少ずれても微細ホールパターン
の形成を可能とする位相シフトマスクを用いたホールパ
ターンの形成方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストの所定領域に第１の露光
を行なった後、第２の露光を行ない、その後現像が行な
われる。この第１および第２の露光を行なう際には、各
々位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマス
クは、互いに１８０°異なる位相を透過する２つの透過
部の間に遮光膜３を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
を用いたパターンの形成方法に関するものであり、より
特定的には単一のフォトレジストに位相シフトマスクを
用いて二重露光を行なうパターンの形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路における高集積化
および微細化には目ざましいものがある。それに伴い、
半導体基板（以下、単にウェハと称す）上に形成される
回路パターンの微細化も急速に進んできている。
【０００３】中でも、フォトリソグラフィ技術がパター
ン形成における基本技術として広く認識されるところで
ある。よって、今日までに種々の開発、改良がなされて
きている。しかし、パターンの微細化は留まるところを
知らず、パターンの解像度向上への要求もさらに強いも
のとなってきている。
【０００４】このフォトリソグラフィ技術とは、ウェハ
上に塗布されたフォトレジストにマスク（原画）上のパ
ターンを転写し、その転写されたフォトレジストを用い
て下層の被エッチング膜をパターニングする技術であ
る。このフォトレジストの転写時において、フォトレジ
ストに現像処理が施されるが、この現像処理によって光
の当たった部分のフォトレジストが除去されるタイプを
ポジ型、光の当たらない部分のフォトレジストが除去さ
れるタイプをネガ型のフォトレジストという。
【０００５】一般に、縮小露光方法を用いたフォトリソ
グラフィ技術における解像限界Ｒ（ｎｍ）は、 Ｒ＝ｋ1 ・λ／（ＮＡ） と表わされる。ここで、λは使用する光の波長（ｎ
ｍ）、ＮＡはレンズの開口数、ｋ1 はレジストプロセス
に依存する定数である。
【０００６】上式からわかるように、解像限界Ｒの向上
を図るためには、すなわち微細パターンを得るために
は、ｋ1 とλとの値を小さくし、ＮＡの値を大きくする
方法が考えられる。つまり、レジストプロセスに依存す
る定数を小さくするとともに、短波長化や高ＮＡ化を進
めればよいのである。
【０００７】しかし、光源やレンズの改良は技術的に難
しく、また短波長化および高ＮＡ化を進めることによっ
て、光の焦点深度δ（δ＝ｋ2 ・λ／（ＮＡ）2 ）が浅
くなり、却って解像度の低下を招くといった問題が生じ
てくる。
【０００８】そこで、光源やレンズではなく、フォトマ
スクを改良することにより、パターンの微細化を図る研
究がなされている。最近では、パターンの解像度を向上
させる超解像技術のフォトマスクとして位相シフトマス
クが注目されている。以下、この位相シフトマスクの構
造およびその原理について通常のフォトマスクと比較し
て説明する。なお位相シフトマスクについては、レベン
ソン方式とハーフトーン方式とについて説明する。
【０００９】図２４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、通常の
フォトマスクを使用したときのマスクの断面、マスク上
の電場およびウェハ上の光強度を示す図である。図２４
（ａ）を参照して、通常のフォトマスクは、ガラス基板
１０１上に金属マスクパターン１０３が形成された構成
を有している。このような通常のフォトマスクでは、マ
スク上の電場は、図２４（ｂ）に示すように金属マスク
パターン１０３で空間的にパルス変調された電場とな
る。
【００１０】しかし、図２４（ｃ）を参照して、パター
ンが微細化すると、フォトマスクを透過した露光光は光
の回折効果のためにウェハ上の非露光領域（金属マスク
パターン１０３により露光光の透過が遮られた領域）に
も回り込む。このため、ウェハ上の非露光領域にも光が
照射されてしまい、光のコントラスト（ウェハ上の露光
領域と非露光領域との光強度の差）が低下する。結果と
して、解像度が低下し、微細なパターンの転写を行なう
ことが困難となる。
【００１１】図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、レベン
ソン方式の位相シフトマスクを使用したときのマスク断
面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度を示す図で
ある。まず図２５（ａ）を参照して、位相シフトマスク
では、通常のフォトマスクに位相シフタと呼ばれる光学
部材１０５が設けられている。
【００１２】すなわち、ガラス基板１０１上にクロムマ
スクパターン１０３が形成され、露光領域と遮光領域と
が設けられ、この露光領域の１つおきに位相シフタ１０
５が設けられている。この位相シフタ１０５は、透過光
の位相を１８０°変換する役割をなすものである。
【００１３】図２５（ｂ）を参照して、上述のように位
相シフタ１０５を露光領域の１つおきに設けたため、位
相シフトマスクを透過した光によるマスク上の電場は、
その位相が交互に１８０°反転して構成される。このよ
うに隣接する露光領域間で光の位相が互いに逆位相とな
るため、光の干渉効果により逆位相の光の重なり合う部
分において光が互いに打消し合うことになる。
【００１４】この結果、図２５（ｃ）に示すように、露
光領域間の境界において光の強度が小さくなり、ウェハ
上の露光領域と非露光領域とにおける光の強度差を十分
に確保することができる。これにより解像度の向上を図
ることが可能となり、微細なパターンの転写を行なうこ
とができる。
【００１５】図２６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、ハーフ
トーン方式の位相シフトマスクを使用したときのマスク
断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度を示す図
である。まず図２６（ａ）を参照して、このハーフトー
ン方式の位相シフトマスクにおいても、上述のレベンソ
ン方式と同様、位相シフタと呼ばれる光学部材１０６が
設けられている。
【００１６】ただし、光学部材１０６は、ガラス基板１
０１上の半透明膜１０３上にのみ形成されており、位相
シフタ１０６と半透明膜１０３との２層構造が設けられ
ている。この位相シフタ１０６は、上述と同様、透過光
の位相を１８０°変換する役割をなすものであり、半透
明膜１０３は、露光光を完全に遮ることなく露光光の強
度を減衰させる役割をなすものである。
【００１７】図２６（ｂ）を参照して、上述のように位
相シフタ１０６と半透明膜１０３との２層構造を設けた
ため、マスク上の電場は、その位相が交互に１８０°変
換して構成され、かつ一方の位相の強度が他方の位相の
強度より小さくなる。つまり、位相シフタ１０６を透過
したことにより位相が１８０°変換され、かつ半透明膜
１０３を透過したことにより、現像後にフォトレジスト
を所定膜厚残存させるように光の強度が減衰する。隣接
する露光領域間で光の位相は互いに逆位相となるため、
逆位相の光が重なり合う部分において光が互いに打消し
合うことになる。
【００１８】この結果、図２６（ｃ）に示すように、露
光パターンのエッジで位相が反転し、露光パターンのエ
ッジでの光強度を小さくすることができる。その結果、
半透明膜１０３を透過した領域と透過しない領域との露
光光の光強度の差が大きくなり、パターン像の解像度を
上げることが可能となる。
【００１９】このように超解像技術としての位相シフト
マスクには、レベンソン方式、ハーフトーン方式などの
多種の方式がある。この超解像技術のうち、ホール系パ
ターンの形成に対して有効なものに、上述のハーフトー
ン方式の位相シフトマスクによる露光、補助パターン型
位相シフトマスクによる露光などがある。しかし、これ
らの露光による効果は十分ではなく、たとえば２４８ｎ
ｍの波長のＫｒＦ光による露光では、２００ｎｍの開口
径のホール形成が実用限界ではないかと考えられてい
る。
【００２０】一方、デバイスから要求されるホールの開
口径は既に１５０〜１００ｎｍレベルとなっており、こ
の微細ホールの形成は成膜、エッチングなどを採用した
径縮小技術によって実行されている。しかし、この方法
では、成膜、エッチングなど多数の工程が必要となり、
デバイス製造コストを著しく上昇させる原因となってい
る。
【００２１】これを解決する先行技術として、特開平５
−１９７１２６号公報において開示されている方法があ
る。以下、この方法を従来の位相シフトマスクを用いた
パターン形成方法として説明する。
【００２２】図２７は、従来のパターン形成方法に用い
られる位相シフトマスクの構成を概略的に示す平面図で
あり、図２８は、図２７のＧ−Ｇ′線に沿う概略断面図
である。
【００２３】図２７と図２８とを参照して、位相シフト
マスク２１０は、石英基板２０１上に位相シフタ２０３
ａ、２０３ｂのみが形成されて構成されている。石英基
板２１０の表面が第１および第２の領域２０１ａ、２０
１ｂに等分されている。この第１の領域２０１ａには長
手方向（図中Ｙ方向）に延びる複数個の位相シフタ２０
３ａが並走して設けられており、第２の領域２０１ｂに
は短手方向（図中Ｘ方向）に延びる複数個の位相シフタ
２０３ｂが並走して設けられている。
【００２４】露光は、上述した位相シフトマスク２１０
を用いてレジストを二重露光することにより行なわれ
る。具体的には、まず図２９に示すようにフォトレジス
ト２１１に１回目の露光が行なわれる。この後、１回目
の露光における第２の領域２０１ｂと２回目の露光にお
ける第１の領域２０１ａとが重なるように位相シフトマ
スク２１０をずらして２回目の露光が行なわれる。この
ように露光することで、１回目の露光における第２の領
域の位相シフタ２０３ａと２回目の露光における第１の
領域２０１ａの位相シフタ２０３ａとが交差するように
フォトレジスト２１１に露光光が照射される。
【００２５】この位相シフトマスク２１０を用いた露光
では、図３０に示すように、位相シフタ２０３ａ、２０
３ｂのシフタエッジ部２０３ｃ、２０３ｄに対応すると
ころに微細暗線（光強度の最も小さい領域）が形成され
る。このため、この微細暗線が交差するように二重露光
を行なうと、微細暗線の交差部２０７に微細暗点が形成
される。
【００２６】このようにして、ネガ型のフォトレジスト
２１１を感光させれば、この微細暗点２０７に微細な径
を有するホールパターンが形成される。またポジ型のフ
ォトレジスト２１１を感光させれば、この微細暗点２０
７に微細な径を有するドットパターンが形成される。
【００２７】この公報に記載の技術では、露光をｉ線
（波長：３６５ｎｍ）を用いて実施することにより、２
００ｎｍの開口径を有するホールの形成を可能としてい
る。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
パターン形成方法では、遮光膜を全く有しない位相シフ
トマスクが使用されている。このため、微細な径を有す
るホールパターンなどの形成は可能であるが、これは微
細暗線の間に十分な間隔がある場合、いわゆる孤立線の
場合においてのみ実現可能である。具体的には、図２７
と図２８とに示す位相シフトマスク２１０において、各
透過領域の間隔Ｌ1 もしくはＬ2 は、いわゆる可干渉距
離（ｉ線で〜１．０μｍ、ＫｒＦ光で〜０．７μｍ）以
上必要となる。よって、フォトレジストに形成されるホ
ールパターン間の間隔も必然的に大きくなり、たとえば
ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）などのメモ
リデバイスなどに見られる密集したホール（ホール間の
間隔が小さい）を形成することができないという問題点
があった。
【００２９】本願発明者は、以上のことを確認するた
め、遮光膜を全く有しない位相シフトマスクについて以
下に示すシミュレーションを行なった。
【００３０】まず位相シフトマスクとして、図３１と図
３２とに示すように透明基板３０１上に一直線状に延び
る位相シフタ３０３を形成した一次元マスク（すなわち
ライン系）を用いた。なお、図３２は、図３１のＨ−
Ｈ′線に沿う概略断面図である。
【００３１】この位相シフトマスクのシフタエッジが
０．５μｍ間隔（つまり間隔Ｌ3 とＬ4 とが０．５μ
ｍ）の密集パターンと、２．０μｍ間隔（つまり間隔Ｌ
3 とＬ4とが２．０μｍ）の孤立パターンとの各々でフ
ォーカスオフセットΔＦを０μｍおよび１．０μｍとし
て露光を行ない、ウェハ上の光強度を測定した。この露
光の条件として、開口数ＮＡを０．４５、コヒーレンシ
σを０．５０とした。
【００３２】この結果、フォーカスオフセットΔＦを０
μｍとしてジャストフォーカスとした場合には、図３３
と図３４とに示すように０．５μｍ間隔と２．０μｍ間
隔との双方で光のコントラストが十分に大きくなり、十
分に暗い線ができた。つまりシフタ形成領域での光強度
は、シフタエッジ部（図中０．４μｍ付近）の光強度よ
り十分に大きくなった。
【００３３】またフォーカスオフセットΔＦを１．０μ
ｍとしてフォーカスをずらした場合でも２．０μｍ間隔
では、図３５に示すように光のコントラストが十分に大
きくなり、十分に暗い線ができた。
【００３４】ところが、フォーカスオフセットΔＦを
１．０μｍとした場合、０．５μｍ間隔では図３６に示
すように像が大きくぼけて光のコントラストが小さくな
った。
【００３５】ここで、レジストのパターン形状は図中の
スライスレベルＳ（点線）で決まると考える。すると、
図３５に示すように１．０μｍのデフォーカスとした孤
立パターンでは、スライスレベルＳよりも光強度の低い
領域が存在するため、パターンは存在することになる。
ところが０．５μｍ間隔の密集パターンでは、１．０μ
ｍのデフォーカスとすると、スライスレベルＳよりも光
強度の低い領域が存在せずパターンがなくなってしま
う。
【００３６】なおここでいうスライスレベルＳとは、現
像によりレジストが除去されるか否か（もしくは残存さ
れるか否か）の基準となる光強度を示している。つま
り、スライスレベルＳ以上の光強度が照射された領域
は、レジストがポジ型の場合には現像により除去され、
レジストがネガ型の場合には現像により残存される。
【００３７】以上のシミュレーションの結果より、遮光
膜を全く有しない位相シフトマスクでは、０．５μｍ間
隔のような密集パターンにおいて焦点深度ＤＯＦを十分
に確保できず、フォーカスが少しでもずれると微細パタ
ーンが形成できなくなることがわかる。
【００３８】それゆえ、本発明の目的は、メモリデバイ
スのように密集したパターンにおいて、フォーカスが多
少ずれても微細パターンの形成を可能とする位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法を提供することであ
る。
【００３９】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クを用いたパターンの形成方法は、ウェハに塗布された
フォトレジストの所定領域に第１の位相シフトマスクを
用いた第１の露光を行なった後、第２の位相シフトマス
クを用いた第２の露光を行なうパターンの形成方法であ
る。第１の位相シフトマスクは、第１の方向に向かって
互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光光を透過
する第１および第２の光透過部を有する基板と、並走す
る第１および第２の光透過部の間に位置する遮光膜とを
有している。第２の位相シフトマスクは、第２の方向に
向かって互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光
光を透過する第３および第４の光透過部を有する基板
と、並走する第３および第４の光透過部の間に位置する
遮光膜とを有している。第１の露光時の第１の位相シフ
トマスクの第１の方向と第２の露光時の第２の位相シフ
トマスクの第２の方向とが交差するように第１および第
２の露光が行なわれる。
【００４０】本発明の位相シフトマスクを用いたパター
ンの加工方法では、第１および第２の位相シフトマスク
のパターンが交差するように二重露光を行なうため、微
小な開口径を有するホールパターン（もしくはドットパ
ターン）を形成することができる。
【００４１】また逆位相の露光光を透過する第１および
第２の光透過部の間に遮光膜が用いられている。このた
め、密集したパターンにおいてフォーカスが多少ずれて
も、微細ホール（もしくは微細ドット）を形成すること
ができる。
【００４２】好ましい１の局面によれば、第１および第
２の露光に用いられる露光光のコヒーレンシσは、０．
１以上０．３以下である。
【００４３】コヒーレンシσが０．３より大きいと逆位
相の光の干渉の程度が小さくなりすぎ、逆位相の光の干
渉により解像度の向上を図る位相シフトマスクの効果を
有効に得ることができない。また、コヒーレンシσが
０．１より小さいと、光の干渉の程度が大きくなりす
ぎ、パターンの規則性の乱れる領域においてパターン形
状の不良が生じやすくなってしまう。
【００４４】好ましいさらに他の局面によれば、第２の
露光を行なった後、フォトレジストの所定領域内であっ
て、第１の方向と第２の方向とが交差する領域の周縁領
域に露光光を照射する第３の露光がさらに行なわれる。
【００４５】位相シフトマスクによる露光は、逆位相の
光の干渉により解像度の向上を図る技法である。このた
め、規則的に配置されたパターンを形成するときは、露
光光の干渉が規則的となるため、各パターンを均一な形
状に形成することができる。しかし、パターンの規則性
の乱れる領域では、露光光の干渉の規則性も乱れるた
め、パターンを均一な形状に形成し難い。
【００４６】このため、第３の露光工程でパターンの規
則性の乱れる交差領域の周縁領域が露光される。これに
より、この周縁領域のパターンをなくし、均一な形状の
パターンのみを残存させることができる。
【００４７】好ましいさらに他の局面によれば、第３の
露光における開口数ＮＡは０．５０以上であり、第３の
露光に用いられる露光光のコヒーレンシσは０．６０以
上である。
【００４８】第３の露光では、均一な形状のパターンが
形成し難い周縁領域のみに露光光を照射することが必要
である。このため、フォトレジストに転写される像のエ
ッジをシャープにする必要があり、露光光の干渉性を小
さくするとともに、高い空間周波数の露光光を通さなけ
ればならない。このため、開口数ＮＡは０．５０以上で
あり、露光光のコヒーレンシσは０．６０以上であるこ
とが好ましい。
【００４９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
【００５０】実施の形態１ 本発明の実施の形態１における位相シフトマスクを用い
たパターン形成方法では、上述した従来例と同様、二重
露光が用いられる。しかし、この二重露光に用いられる
位相シフトマスクの構成が従来例の構成と異なる。
【００５１】図１と図２とは、本発明の実施の形態１に
おけるパターン形成方法において第１の露光に用いられ
る第１の位相シフトマスクと第２の露光に用いられる第
２の位相シフトマスクとの構成を概略的に示す平面図で
ある。また図３は、図１のＡ−Ａ′線に沿う概略断面図
である。
【００５２】主に図１と図３とを参照して、二重露光に
おける第１の露光に用いられる第１の位相シフトマスク
１０Ａは、レベンソン型の位相シフトマスクであり、た
とえば石英からなる透明基板１とたとえばクロムよりな
る遮光膜３とを有している。
【００５３】この第１および第２の光透過部Ｔｎ、Ｔａ
は、互いに１８０°異なった位相で露光光を透過し、か
つ遮光膜３を挟んで交互に配置されている。また第１お
よび第２の光透過部Ｔｎ、Ｔａと遮光膜３との各平面パ
ターンは、図中Ｙ方向に向かう一直線に近いライン状の
ものである。第１および第２の光透過部Ｔｎ、Ｔａの線
幅Ｗｎ、Ｗａは略同一であり、遮光膜３の線幅Ｗｓは有
限のものである。
【００５４】主に図２を参照して、二重露光における第
２の露光に用いられる第２の位相シフトマスク１０Ｂ
は、上述した第１の位相シフトマスク１０Ａと略同一の
構成を有している。このため、第２の位相シフトマスク
１０ＢにおけるＢ−Ｂ′線に沿う断面は図３に示す断面
構造に対応する。
【００５５】ただし、第２の位相シフトマスク１０Ｂで
は、第１および第２の光透過部Ｔｎ、Ｔａと遮光膜３と
が図中Ｘ方向に向かって一直線に近いライン状に形成さ
れている。
【００５６】次に、本実施の形態の位相シフトマスクを
用いたパターン形成方法について説明する。
【００５７】図４は、本発明の実施の形態１における位
相シフトマスクを用いたパターン形成方法を説明するた
めの図である。図４（ａ）は、二重露光における第１お
よび第２の位相シフトマスクの重なり具合を示す概略平
面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ線および
Ｅ−Ｅ線に沿うウェハ上の光強度を示す図であり、図４
（ｃ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ線に沿うウェハ上の光強度
を示す図である。
【００５８】図４（ａ）を参照して、ネガ型レジストを
塗布した半導体集積回路形成過程にある半導体基板の所
定領域に、縮小投影露光法により、第１の位相シフトマ
スク（図１）の像が露光される。続いて、上記の露光が
行なわれた領域と同一の領域に、第２の位相シフトマス
ク１０Ｂ（図２）の像が露光される。この際、一直線状
に延びる第２の位相シフトマスクのパターンが、第１の
位相シフトマスクのパターンと略直交するように露光さ
れる。
【００５９】また、この二重露光における各露光は、た
とえば開口数ＮＡが０．５５で、コヒーレンシσが０．
２０の条件で行なわれる。
【００６０】図４（ｂ）を参照して、第１および第２の
位相シフトマスク１０Ａ、１０Ｂの各光透過部Ｔｎ、Ｔ
ａが重なる領域においては、第１および第２の位相シフ
トマスク１０Ａ、１０Ｂの光透過部Ｔｎ、Ｔａと遮光膜
３とが重なる領域におけるよりも、ウェハ上の光強度は
高くなる。
【００６１】また図４（ｃ）を参照して、第１および第
２の位相シフトマスク１０Ａ、１０Ｂの各遮光膜３が重
なる領域においては、第１および第２の位相シフトマス
ク１０Ａ、１０Ｂの光透過部Ｔｎ、Ｔａと遮光膜３とが
重なる領域におけるよりも、ウェハ上の光強度は低くな
る。この遮光膜３同士が重なる領域におけるウェハ上の
光強度は０もしくはそれに近い値となる。
【００６２】以上より、二重露光が行なわれたウェハ表
面における光強度の平面的分布は図５に示すようにな
る。
【００６３】図５を参照して、図中黒い部分は光強度の
小さい領域を示しており、白い部分は光強度の大きい領
域を示している。そして図５中Ｃ−Ｃ線とＤ−Ｄ線とＥ
−Ｅ線との各々は、図４（ａ）中のＣ−Ｃ線とＤ−Ｄ線
とＥ−Ｅ線とに対応している。
【００６４】このような露光処理が施された後、通常の
現像処理を行なうことにより、ネガ型レジストの場合、
暗部（図５中の黒色の領域）のフォトレジストが溶解除
去され、ホールパターンが形成される。またポジ型レジ
ストの場合、暗部以外のフォトレジストが溶解除去さ
れ、ドットパターンが形成される。
【００６５】次に、本願発明者が、本実施の形態の二重
露光で得られる光学像を調べるために行なったシミュレ
ーションについて説明する。
【００６６】このシミュレーションは、図１に示す線幅
Ｗｎ、Ｗｓ、Ｗａが０．２５μｍとなる位相シフトマス
クを用いた。また、露光における露光条件を開口数Ｎ
Ａ：０．５５、コヒーレンシσ：０．２０として、フォ
ーカスオフセットΔＦが０μｍ（ジャストフォーカス）
と１．０μｍとの双方の場合について調べた。このシミ
ュレーションにより得られた光学像を図６と図７とに示
す。なお図６がフォーカスオフセットΔＦを０μｍとし
た場合、図７がフォーカスオフセットΔＦを１．０μｍ
とした場合の光学像を示している。
【００６７】図６と図７とを参照して、フォーカスオフ
セットΔＦを０μｍ、１．０μｍとした双方の光学像に
おいて、十分に高いコントラストが得られた。特に図７
に示す光学像は、図３６に示す従来例の光学像と比較し
ても十分にコントラストが高く、十分に暗い線を作るこ
とができた。
【００６８】上記のシミュレーションの結果より、本実
施の形態のパターン形成方法を用いれば、従来例よりも
焦点深度を大きく確保でき、密集パターンの形成におい
てフォーカスが多少ずれても微細パターンを形成できる
ことがわかった。その理由は以下のように説明される。
【００６９】通常、レベンソン型の位相シフトマスクを
用いた場合、このマスクには平行光（もしくは平行光に
近い光）が照射される。一方、図２７と図２８とに示す
遮光膜を有しない位相シフトマスクに平行光を照射する
と、レジストの寸法の安定性が保たれなくなる。このた
め、遮光膜を有しない位相シフトマスクには図８に示す
ように入射方向に広がりのある光４１が照射される。
【００７０】この光４１はマスク１０を透過した後、レ
ンズ３１によってウェハ３３上に結像される。入射方向
に広がりのある光４１には、斜め入射光（成分）での結
像（成分）が多く存在する。このため、斜め入射光の結
像では、入射角が非対称の２光束４１ａ、４１ｂの干渉
により像ができる。
【００７１】このとき、図９に示すように２光束（たと
えば＋１次回折光および−１次回折光）４１ａ、４１ｂ
の干渉により、光の明るい部分○と光の暗い部分●とか
らなる光の明暗ができる。ところが、この２光束４１
ａ、４１ｂの入射角が非対称であるため、光の明るい線
（○の連なる部分）および暗い線（●の連なる部分）は
焦点面の垂線（ｖ−ｖ線）に対して所定の角度θだけ傾
くことになる。
【００７２】このため、焦点面から矢印Ｚ1 もしくはＺ
2 方向へ離れる（デフォーカスする）に従い、コントラ
ストは変わらないが像面内での光の明暗の位置がずれて
いくように像ができる。
【００７３】実際の結像では、図８に示すように２光束
４１ａ、４１ｂを有する照明（実線）に対して対称な照
明（点線）がある。このため、上述のように像面が矢印
Ｚ1もしくはＺ2 方向へずれると、この照明（点線）に
よる像は上述した照明（実線）による像とは反対側へ移
動する。よって、図１０に示すように照明（実線）によ
る干渉縞４３ａと照明（点線）による干渉縞４３ｂとが
ずれてしまう。このため、これらの干渉縞４３ａ，４３
ｂでは、図１１に示すように２つの干渉縞４３ａ，４３
ｂが重なった状態４３、すなわち平行光を用いた像より
も、像のコントラストが小さくなる。
【００７４】上述より、遮光膜を有しない位相シフトマ
スクでは、焦点深度が小さく、密集パターンの形成にお
いてはフォーカスが少しでもずれると微細パターンが形
成できなくなるものと考えられる。
【００７５】一方、図１〜図３に示す本実施の形態のレ
ベンソン型の位相シフトマスクには、上述したように平
行光が照射される。このため、図１２に示すように入射
角が対称な２光束４１ａ、４１ｂの干渉により像ができ
る。このとき図１３に示すように、光の明るい線と光の
暗い線とは焦点面に対してほぼ垂直になる。よって、焦
点面から矢印Ｚ1 もしくはＺ2 方向へ離れても像は変化
しない。
【００７６】よって、本実施の形態のパターン形成方法
では、密集したパターンにおいてフォーカスが多少ずれ
ても微細パターンを形成することができるものと考えら
れる。
【００７７】また、本願発明者は、本実施の形態の方法
を用いて以下の〜に示すように実際にネガ型レジス
トにホールパターンを形成した。以下、その詳細につい
て説明する。
【００７８】 まず、図１において線幅Ｗｎ、Ｗｓ、
Ｗａを０．２４μｍとした第１の位相シフトマスク１０
Ａを用いてネガ型レジストに１回目の露光を行なった。
【００７９】続いて、図２において線幅Ｗｎ、Ｗｓ、Ｗ
ａが０．２４μｍの第２の位相シフトマスク１０Ｂを用
いて、１回目の露光が行なわれた領域に２回目の露光を
行なった。この２回目の露光は、直線状に延びる第２の
位相シフトマスク１０Ｂのパターンを、第１の位相シフ
トマスク１０Ａのパターンと略直交するように配置して
行なった。
【００８０】この１回目および２回目の露光において
は、開口数ＮＡを０．５５、コヒーレンシファクタσを
０．１５とし、露光エネルギを４５ｍＪ／ｃｍ2 とし
た。またネガ型レジストとして、住友化学（株）のＰＥ
Ｘ−２１２の化学増幅型ネガレジストを０．７３５μｍ
の厚みで用いた。
【００８１】この二重露光を、−１．２μｍ、−０．８
μｍ、０μｍ、＋０．８μｍ、＋１．２μｍの各フォー
カスオフセットΔＦで行なった。
【００８２】この後、通常の現像処理を行なうことによ
り、暗部のレジストを溶解除去して、ホールパターンを
形成した。
【００８３】この結果、図１４〜図１８のＳＥＭ写真に
示す結果が得られた。図１４は−１．２μｍ、図１５は
−０．８μｍ、図１６は０μｍ（ジャストフォーカ
ス）、図１７は＋０．８μｍ、図１８は＋１．２μｍの
各フォーカスオフセットΔＦで作製したホールパターン
の開口形状を示している。
【００８４】図１５〜図１７に示すようにフォーカスオ
フセットが−０．８μｍから＋０．８μｍまでの場合に
は、ホールパターンが正常に形成されていることがわか
る。これにより、本実施の形態のパターン形成方法では
フォーカスマージンは１．６μｍ以上と十分に大きいこ
とがわかった。
【００８５】なお図１４と図１８とに示すようにフォー
カスオフセットが−１．２μｍと＋１．２μｍとの場合
には、ホールパターンが開口不全となった。これによ
り、フォーカスマージンは２．４μｍ未満であることも
わかった。
【００８６】 また図１と図２とに示す線幅Ｗｎ、Ｗ
ａが０．２６μｍ、線幅Ｗｓが０．１２μｍの第１およ
び第２の位相シフトマスク１０Ａ、１０Ｂを用いて、二
重露光を行なってホールパターンを形成した。二重露光
の露光エネルギは各々４８ｍＪ／ｃｍ2 とし、かつジャ
ストフォーカスで各露光を行なった。なお、それ以外の
条件については上述のの条件と同じとした。これによ
り形成されたホールパターンの開口形状を示すＳＥＭ写
真を図１９に示す。図１９を参照して、このホールパタ
ーンは完全に開口しており、そのホールパターンの開口
径は写真中の測定値からもわかるように約０．０９μｍ
であった。
【００８７】これにより、本実施の形態のパターン形成
方法では、少なくとも０．０９μｍの微細な開口径を有
するホールパターンを形成できることがわかった。また
条件の設定によっては、これよりも微細な開口径を有す
るホールパターンの形成も可能であると考えられる。
【００８８】 また図１と図２とに示す線幅Ｗｎ、Ｗ
ｓ、Ｗａを０．２０μｍとした第１および第２の位相シ
フトマスク１０Ａ、１０Ｂを用いて、二重露光を行なっ
て密集したホールパターンを形成した。二重露光の露光
エネルギは各々３３ｍＪ／ｃｍ2 として、ジャストフォ
ーカスで露光を行なった。なお、それ以外の条件につい
ては上述のの条件と同じとした。このようにして形成
されたホールパターンの密集状態を示すＳＥＭ写真を図
２０に示す。図２０より、各ホールパターンが０．４μ
ｍピッチで形成されていることがわかる。また、このホ
ールパターンの開口径は０．１５μｍであった。
【００８９】これにより、本実施の形態のパターン形成
方法では、少なくとも０．４μｍの微細なピッチで密集
したホールパターンを形成できることがわかった。また
条件の設定によっては、これより微小なピッチで密集し
たホールパターンを形成することも可能であると考えら
れる。
【００９０】また本実施の形態のパターン形成方法によ
りホールパターンを形成した場合のホールパターンの開
口径の変化に対する焦点深度ＤＯＦの変化についても調
べた。その結果を図２１と図２２とに示す。
【００９１】図２１と図２２とは、フォーカスを変化さ
せたときのホールパターンの開口径の変化を露光量をパ
ラメータとして示したグラフである。また図２１は、図
１と図２とにおいて線幅Ｗｎ、Ｗｓ、Ｗａを０．２４μ
ｍとした第１および第２の位相シフトマスク１０Ａ、１
０Ｂを用いて二重露光を行なった場合を示している。ま
た図２２は、図１と図２とにおいて線幅Ｗｎ、Ｗａを
０．２６μｍとし、線幅Ｗｓを０．１６μｍとした第１
および第２の位相シフトマスク１０Ａ、１０Ｂを用いて
二重露光を行なった場合を示したものである。
【００９２】通常、焦点深度ＤＯＦは、ホールパターン
の開口径の±１０％の範囲内でのフォーカスオフセット
ΔＦの測定値で評価される。つまり、ホールパターンの
開口径がたとえば０．２０μｍのときには、０．１８μ
ｍ〜０．２２μｍの範囲内でのフォーカスオフセットΔ
Ｆで評価される。これに従えば、図２１に示す場合にお
いては、焦点深度ＤＯＦは、ホールの開口径が〜０．２
０μｍ（２００ｎｍ）のときには〜２．０μｍであり、
ホールの開口径が〜０．１６μｍ（１６０ｎｍ）では〜
１．６μｍとなることがわかる。
【００９３】また図２２に示す場合においては、焦点深
度ＤＯＦは、ホールの開口径が〜０．１２μｍ（１２０
ｎｍ）のときには〜１．０μｍであり、ホールの開口径
が〜０．１０μｍのときには〜０．８μｍとなることが
わかる。
【００９４】この実験の結果からも、本実施の形態にお
けるパターン形成方法では、ホールパターンの各開口径
に対する焦点深度ＤＯＦを十分に大きくできることがわ
かる。
【００９５】上述したように本実施の形態の二重露光に
用いられる第１および第２の位相シフトマスク１０Ａ、
１０Ｂの双方は遮光膜３を有している。このため、従来
例と比較して大きな焦点深度を確保することができ、ゆ
えに密集したパターンにおいてフォーカスが多少ずれて
も微細パターンを形成することができる。
【００９６】なお、上記の説明においては、フォトレジ
ストとしてネガ型レジストを用いたが、ポジ型レジスト
を用いた場合には、暗部以外のレジストが溶解除去さ
れ、微細なドットパターンが形成される。
【００９７】上述した二重露光においては、露光光のコ
ヒーレンシσは０．１以上０．３以下であることが好ま
しい。以下、その理由について説明する。
【００９８】コヒーレンシσとは、光の干渉の程度を表
すものであり、コヒーレンシσが小さいほど光の干渉の
程度が大きく、コヒーレンシσが大きいほど光の干渉の
程度が小さくなることを意味する。つまり、位相シフト
マスクは、逆位相の光の干渉により解像度の向上を図る
技法であるため、光の干渉の程度は大きいほど好まし
い。ゆえに、位相シフトマスクを用いる場合、コヒーレ
ンシσは０．３以下であることが好ましい。一方、光の
干渉の程度が大きくなりすぎると、パターンの規則性の
乱れる領域においてパターン形状の不良が生じやすくな
ってしまう。このため、コヒーレンシσは０．１以上で
あることが好ましい。
【００９９】実施の形態２ 実施の形態１の方法を用いることで、図１２に示すよう
にたとえばＤＲＡＭのメモリセルアレイ領域ＭＣ上のレ
ジストに、密集したホールパターン１３を規則的に配置
することができる。しかし、メモリセルアレイ領域ＭＣ
外では、メモリセルアレイ領域ＭＣ内のように規則正し
くホールパターンが配置して形成されるわけではない。
このため、メモリセルアレイ領域ＭＣの外周（二点鎖
線）を境にしてパターンの規則性が崩れることになる。
【０１００】位相シフトマスクによる露光は、上述した
ように逆位相の光の干渉により解像度の向上を図る技法
である。このため、規則的に配置されたパターンを形成
するときは、露光光の干渉が規則的となるため、各パタ
ーンを均一な形状に形成することができる。しかし、パ
ターンの規則性の乱れる領域では、露光光の干渉の規則
性も乱れるため、パターンを均一な形状に形成し難い。
このため、パターンの規則性の乱れる部分近傍の領域Ｒ
（ハッチング領域）では、ホールパターン１３の開口径
Ｄが所定の寸法より大きく、もしくは小さくなり、ばら
ついてしまう。
【０１０１】そこで、本実施の形態では、実施の形態１
で説明した二重露光の後にさらに第３の露光を行なうこ
とにより上記の課題を解決する。
【０１０２】つまり、図１２の領域Ｒのみを再度露光す
る。これにより、この領域Ｒのパターンをなくし、均一
な形状のパターンのみを残存させることができる。
【０１０３】この第３の露光では、均一な形状のパター
ンが形成し難い領域Ｒにのみ露光光を照射することが必
要である。このため、フォトレジストに転写される像の
エッジをシャープにする必要があり、露光光の干渉性を
小さくするとともに、高い空間周波数の露光光を通さな
ければならない。よって、第３の露光における開口数Ｎ
Ａは０．５０以上であり、第３の露光に用いられる露光
光のコヒーレンシσは０．６０以上であることが好まし
い。
【０１０４】なお、実施の形態１においては、二重露光
について説明したが、二重以上の多重露光であってもよ
い。
【０１０５】また、図４（ａ）では、第１の位相シフト
マスクのパターンと第２の位相シフトマスクのパターン
とが略直交するように各位相シフトマスクを配置してい
る。しかし、これに限定されず、第１の位相シフトマス
クと第２の位相シフトマスクの各パターンが交差するの
であれば、その交差角度は何度でもよい。
【０１０６】また、図１と図２とでは、略直線に配置さ
れたパターンのみについて示したが、このような略直線
のパターンの組合せのパターンであってもよく、一部に
略直線のパターンを有するパターンでもよい。
【０１０７】なお、露光光は、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦ光、
ＡｒＦ光のいずれかであればよい。また、透明基板１
は、石英に限られず、少なくとも透過率が９０％以上の
材料よりなっていればよい。
【０１０８】また遮光膜３はクロムよりなる場合につい
て説明したが、これに限定されるものではない。具体的
には、ＣｒＯ／Ｃｒ／ＣｒＯなどのような多層膜であっ
てもよい。遮光膜３に求められる特性としては、露光光
を透過しないこと、耐薬品性に優れていること（洗浄時
を考慮）、密着性があることなどがある。それゆえ、こ
れらの特性を満たす材料であれば遮光膜３に適用するこ
とが可能である。加えて、実施の形態１および２におい
て説明した寸法・材質などは、これに限定されるもので
はなく、任意に選択できるものである。
【０１０９】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【０１１０】
【発明の効果】本発明の位相シフトマスクを用いたパタ
ーン形成方法では、第１および第２の位相シフトマスク
のパターンが交差するように二重露光を行なうため、微
小な開口径を有するホールパターン（もしくは微小な寸
法を有するドットパターン）を形成することができる。
【０１１１】また逆位相の露光光を透過する第１および
第２の光透過部の間に遮光膜が用いられている。このた
め、密集したパターンにおいてフォーカスが多少ずれて
も微細な開口径を有するホールパターン（もしくは微細
な寸法を有するドットパターン）を形成することができ
る。
【０１１２】好ましい１の局面によれば、コヒーレンシ
σが０．３より大きいと逆位相の光の干渉の程度が小さ
くなりすぎ、逆位相の光の干渉により解像度の向上を図
る位相シフトマスクの効果を有効に得ることができな
い。また、コヒーレンシσが０．１より小さいと、光の
干渉の程度が大きくなりすぎ、パターンの規則性の乱れ
る領域においてパターン形状の不良が生じやすくなって
しまう。このため、第１および第２の露光に用いられる
露光光のコヒーレンシσは０．１以上０．３以下である
ことが好ましい。
【０１１３】好ましい他の局面によれば、第３の露光工
程で、パターンの規則性の乱れる交差領域の周縁領域が
露光される。これにより、この周縁領域のパターンをな
くし、均一な形状のパターンのみを残すことができる。
【０１１４】好ましいさらに他の局面によれば、第３の
露光では、均一な形状のパターンが形成し難い周縁領域
のみに露光光を照射することが必要である。このため、
フォトレジストに転写される像のエッジをシャープにす
る必要があるため、露光光の干渉性を小さくするととも
に、高い空間周波数の露光光を通さなければならない。
このため、第３の露光における開口数ＮＡは０．５０以
上であり、第３の露光に用いられる露光光のコヒーレン
シσは０．６０以上であることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクを用いたパターン形成方法において第１の露光を行
なうための第１の位相シフトマスクの構成を概略的に示
す平面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクを用いたパターン形成方法において第２の露光を行
なうための第２の位相シフトマスクの構成を概略的に示
す平面図である。
【図３】 図１のＡ−Ａ′線に沿う概略断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクを用いたパターン形成方法を説明するための図であ
り、（ａ）は第１および第２の位相シフトマスクを重ね
たようすを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ
線およびＥ−Ｅ線に沿うウェハ上の光強度を示し、
（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿うウェハ上の光強度を示
している。
【図５】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクを用いたパターン形成方法で二重露光した際のウェ
ハ上の光強度の分布を示す図である。
【図６】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクを用いた場合のウェハ上の光強度を示す第１の図で
ある。
【図７】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクを用いた場合のウェハ上の光強度を示す第２の図で
ある。
【図８】 入射方向に広がりのある光を用いた場合の結
像のようすを示す図である。
【図９】 入射角が非対称な２光束の干渉での結像のよ
うすを示す図である。
【図１０】 ２つの干渉縞が互いにずれたようすを示す
図である。
【図１１】 ２つの干渉縞が重なり合った状態を示す図
である。
【図１２】 平行光を用いた場合の結像のようすを示す
図である。
【図１３】 入射角が対称な２光束の干渉での結像のよ
うすを示す図である。
【図１４】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法で形成された微細なホ
ールパターンを示す第１のＳＥＭ写真である。
【図１５】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法で形成された微細なホ
ールパターンを示す第２のＳＥＭ写真である。
【図１６】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法で形成された微細なホ
ールパターンを示す第３のＳＥＭ写真である。
【図１７】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法で形成された微細なホ
ールパターンを示す第４のＳＥＭ写真である。
【図１８】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法で形成された微細なホ
ールパターンを示す第５のＳＥＭ写真である。
【図１９】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法で形成された微細なホ
ールパターンを示す第６のＳＥＭ写真である。
【図２０】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法で形成された密集した
ホールパターンを示す第７のＳＥＭ写真である。
【図２１】 フォーカスを変化させたときのホール径の
変化をプロットした結果を示す第１の図である。
【図２２】 フォーカスを変化させたときのホール径の
変化をプロットした結果を示す第２の図である。
【図２３】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクを用いたパターン形成方法を説明するための概略
平面図である。
【図２４】 従来のフォトマスクを使用したときのマス
ク断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度につい
て説明するための図である。
【図２５】 レベンソン方式の位相シフトマスクを使用
したときのマスク断面、マスク上の電場およびウェハ上
の光強度について説明するための図である。
【図２６】 ハーフトーン方式の位相シフトマスクを使
用したときのマスク断面、マスク上の電場およびウェハ
上の光強度について説明するための図である。
【図２７】 従来のパターン形成方法に用いられる位相
シフトマスクの構成を概略的に示す平面図である。
【図２８】 図２７のＧ−Ｇ′線に沿う概略断面図であ
る。
【図２９】 従来のパターン形成方法を説明するための
概略平面図である。
【図３０】 図２９においてパターンの交わる領域を拡
大して示す概略平面図である。
【図３１】 シミュレーションに用いた位相シフトマス
クの構成を概略的に示す平面図である。
【図３２】 図３１のＨ−Ｈ′線に沿う概略断面図であ
る。
【図３３】 遮光膜がない位相シフトマスクを用いた場
合の露光光の強度を示す第１の図である。
【図３４】 遮光膜がない位相シフトマスクを用いた場
合の露光光の強度を示す第２の図である。
【図３５】 遮光膜がない位相シフトマスクを用いた場
合の露光光の強度を示す第３の図である。
【図３６】 遮光膜がない位相シフトマスクを用いた場
合の露光光の強度を示す第４の図である。
【符号の説明】
１ 石英基板、３ 遮光膜、Ｔｎ 第１の光透過部、Ｔ
ａ 第２の光透過部、Ｓ 遮光部、１０Ａ、１０Ｂ 位
相シフトマスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハに塗布されたフォトレジストの所
    定領域に第１の位相シフトマスクを用いた第１の露光を
    行なった後、第２の位相シフトマスクを用いた第２の露
    光を行なうパターンの形成方法であって、 前記第１の位相シフトマスクは、第１の方向に向かって
    互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光光を透過
    する第１および第２の光透過部を有する基板と、並走す
    る前記第１および第２の光透過部の間に位置する遮光膜
    とを有し、 前記第２の位相シフトマスクは、第２の方向に向かって
    互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光光を透過
    する第３および第４の光透過部を有する基板と、並走す
    る前記第３および第４の光透過部の間に位置する遮光膜
    とを有し、 前記第１の露光時の前記第１の位相シフトマスクの前記
    第１の方向と前記第２の露光時の前記第２の位相シフト
    マスクの前記第２の方向とが交差するように前記第１お
    よび第２の露光が行なわれる、位相シフトマスクを用い
    たパターンの形成方法。
  2. 【請求項２】 前記フォトレジストはネガ型レジストで
    あって、 前記フォトレジストを現像することにより、前記第１の
    位相シフトマスクの前記遮光膜と前記第２の位相シフト
    マスクの前記遮光膜とが、前記フォトレジストの表面に
    おいて交差するよう照射される領域にホールパターンを
    形成する、請求項１に記載の位相シフトマスクを用いた
    パターンの形成方法。
  3. 【請求項３】 前記フォトレジストはポジ型レジストで
    あって、 前記フォトレジストを現像することにより、前記第１の
    位相シフトマスクの前記遮光膜と前記第２の位相シフト
    マスクの前記遮光膜とが、前記フォトレジストの表面に
    おいて交差するよう照射される領域にドットパターンを
    形成する、請求項１に記載の位相シフトマスクを用いた
    パターンの形成方法。
  4. 【請求項４】 前記第１および第２の露光に用いられる
    露光光は、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦ光、ＡｒＦ光のいずれか
    である、請求項１に記載の位相シフトマスクを用いたパ
    ターンの形成方法。
  5. 【請求項５】 前記第１および第２の露光に用いられる
    露光光のコヒーレンシσは、０．１以上０．３以下であ
    る、請求項１に記載の位相シフトマスクを用いたパター
    ンの形成方法。
  6. 【請求項６】 前記第２の露光を行なった後、前記フォ
    トレジストの前記所定領域内であって、前記第１の方向
    と前記第２の方向とが交差する領域の周縁領域に露光光
    を照射する第３の露光を行なう工程をさらに備える、請
    求項１に記載の位相シフトマスクを用いたパターンの形
    成方法。
  7. 【請求項７】 前記第３の露光における開口数ＮＡは
    ０．５０以上であり、前記第３の露光に用いられる露光
    光のコヒーレンシσは０．６０以上である、請求項６に
    記載の位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法。
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