KR980003805A - 위상 시프트 마스크를 사용한 패턴의 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

메모리 디바이스와 같은 밀집한 패턴에 있어서, 포커스가 다소 빗나가도 미세 홀 패턴의 형성을 가능하게 하는 위상 시프트 마스크를 사용한 홀 패턴의 형성 방법을 제공한다.
포토레지스트의 소정 영역에 제1노광을 행한 후, 제2의 노광을 행하고, 그후 현상(development)이 행해진다. 이 제1 및 제2의 노광을 행할 때에는, 각각 위상 시프트 마스크가 사용된다. 이 위상 시프트 마스크는, 서로 180° 상이한 위상을 투과하는 2개의 투과부의 사이에 차광막(3)을 가지고 있다.

Description

위상 시프트 마스크를 사용한 패턴의 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제1도의 A-A′선에 따른 개략 단면도.

Claims (3)

  1. 웨이퍼에 도포된 포토레지스트의 소정 영역에 제1위상 시프트 마스크를 사용한 제1노광을 행한 후, 제2위상 시프트 마스크를 사용한 제2노광을 행하는 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 제1위상 시프트 마스크는, 제1방향으로 향하여 서로 병렬로 연장되며, 서로 상이한 위상으로 노광광을 투과하는 제1 및 제2광투과부를 갖는 기판과, 병렬로 연장되는 상기 제1 및 제2광투과부 사이에 위치하는 차광막을 가지며, 상기 제2위상 시프트 마스크는, 제2방향으로 향하여 서로 병렬로 연장되며, 서로 상이한 위상으로 노광광을 투과하는 제3 및 제4광 투과부를 갖는 기판과, 병렬로 연장되는 상기 제3 및 제4광투과부 사이에 위치하는 차광막을 가지며, 상기 제1노광시의 상기 제1위상 시프트 마스크의 상기 제1방향과 상기 제2노광시의 상기 제2위상 시프트 마스크의 상기 제2방향이 교차하도록 상기 제1 및 제2노광이 행해지는, 위상 시프트 마스크를 사용한 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2노광에 사용되는 노광광의 코히어런시 σ는 0.1이상 0.3이하인, 위상 시프트 마스크를 사용한 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2노광을 행한 후, 상기 포토 레지스트의 상기 소정 영역내에서, 상기 제1방향과 상기 제2방향이 교차하는 영역의 주변 영역에 노광광을 조사하는 제3노광을 행하는 공정을 더 포함하는 위상 시프트 마스크를 사용한 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970001563A 1996-06-20 1997-01-21 위상 시프트 마스크를 사용한 패턴의 형성 방법 KR100201043B1 (ko)

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