JPS6245026A - 半導体集積回路の写真製版方法 - Google Patents
半導体集積回路の写真製版方法Info
- Publication number
- JPS6245026A JPS6245026A JP60186254A JP18625485A JPS6245026A JP S6245026 A JPS6245026 A JP S6245026A JP 60186254 A JP60186254 A JP 60186254A JP 18625485 A JP18625485 A JP 18625485A JP S6245026 A JPS6245026 A JP S6245026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- photoresist
- exposed
- pattern
- mainly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路の写真製版方法に関するもの
である。
である。
一般に、半導体集積回路の写真製版方法としては、所望
のパターンが施された一枚のマスクを。
のパターンが施された一枚のマスクを。
縮小投影露光装置を用いて、半導体基板上に形成された
フォトレジストに対してマスク合せ及び露光を行なった
後、露光されたフォトレジストを有した半導体基板を現
像することにより、レジストパターンを得ているもので
あった。
フォトレジストに対してマスク合せ及び露光を行なった
後、露光されたフォトレジストを有した半導体基板を現
像することにより、レジストパターンを得ているもので
あった。
しかるに、このように所望のパターンが施された一枚の
マスクを用いて半導体集積回路の写真製版を行なうもの
にあっては１例えば第６図に示すようにマスク（１）に
縦方向パターン（１ａ）と横方向パターン（１ｂ）とが
交差している部分（１Ｃ）がめると。
マスクを用いて半導体集積回路の写真製版を行なうもの
にあっては１例えば第６図に示すようにマスク（１）に
縦方向パターン（１ａ）と横方向パターン（１ｂ）とが
交差している部分（１Ｃ）がめると。
現像後のレジストパターンは第１図に示すように縦方向
ライン（３ａ）と横方向ライン（３ｂ）とが交差してい
る部分（６Ｃ）において、ポジ型のフォトレジスト（４
）の角部（４ａ）が丸くなってしまうという問題を有す
るものであった。なお、第６図において斜線部（２）に
て示す部分はクロムが施されて光を遮えぎるようにした
部分であ）、縦及び横方向パターン（１ａ）（１ｂ）並
びに交差部（１Ｃ）はクロムが施されておらず、光を透
過させる部分である。このようにフォトレジスト（４）
の角部（４ａ）が丸くなる原因は、マスフ（１＋におけ
る縦方向パターン（１ａ）と横方向パターン（１ｂ）と
による光の干渉に基づくものである。
ライン（３ａ）と横方向ライン（３ｂ）とが交差してい
る部分（６Ｃ）において、ポジ型のフォトレジスト（４
）の角部（４ａ）が丸くなってしまうという問題を有す
るものであった。なお、第６図において斜線部（２）に
て示す部分はクロムが施されて光を遮えぎるようにした
部分であ）、縦及び横方向パターン（１ａ）（１ｂ）並
びに交差部（１Ｃ）はクロムが施されておらず、光を透
過させる部分である。このようにフォトレジスト（４）
の角部（４ａ）が丸くなる原因は、マスフ（１＋におけ
る縦方向パターン（１ａ）と横方向パターン（１ｂ）と
による光の干渉に基づくものである。
このことは、第８図からも明らかである。第８図におい
て、実線人は第７図における縦方向パターン（１ａ）部
のλ線に沿ったマスク（１）透過後の光の強度を示し１
点線Ｂは第７図における交差部（１Ｃ）のＢ線に沿った
マスク（１）透過後の光の強度を示しており、縦方向パ
ターン（１ａ）部においてはクロム（２）との境界部で
光の強度が略完全に透過と遮断とが区切られるのに対し
、交差部（１Ｃ）においてはクロム（２）との境界部で
光の強度がなだらかに変位しているものである。
て、実線人は第７図における縦方向パターン（１ａ）部
のλ線に沿ったマスク（１）透過後の光の強度を示し１
点線Ｂは第７図における交差部（１Ｃ）のＢ線に沿った
マスク（１）透過後の光の強度を示しており、縦方向パ
ターン（１ａ）部においてはクロム（２）との境界部で
光の強度が略完全に透過と遮断とが区切られるのに対し
、交差部（１Ｃ）においてはクロム（２）との境界部で
光の強度がなだらかに変位しているものである。
この発明は上記した点に鑑みてなされたものであシ、レ
ジストパターンにおいて縦方向ラインと横方向ラインと
が交差する部分におけるレジストの角部が鋭くできる半
導体集積回路の写真製版方法を得ることを目的とするも
のである。
ジストパターンにおいて縦方向ラインと横方向ラインと
が交差する部分におけるレジストの角部が鋭くできる半
導体集積回路の写真製版方法を得ることを目的とするも
のである。
この発明に係る半導体集積回路の写真製版方法は、主と
して横方向成分のパターンを有した第１のマスクと、主
として縦方向成分のパターンを有した第２のマスクとに
て露光するようにしたものである。
して横方向成分のパターンを有した第１のマスクと、主
として縦方向成分のパターンを有した第２のマスクとに
て露光するようにしたものである。
この発明においては、第１のマスクにて主として横方向
ラインのレジストパターンを形成シ、第２のマスクにて
主として縦方向ラインのレジストパターンを形成し、横
方向ラインと縦方向ラインとの交差部に対する光量分布
を鋭くさせるものである。
ラインのレジストパターンを形成シ、第２のマスクにて
主として縦方向ラインのレジストパターンを形成し、横
方向ラインと縦方向ラインとの交差部に対する光量分布
を鋭くさせるものである。
以下に、この発明の実施例を図に基づいて説明する。第
１図（ａ）は主として横方向成分のパターン（５ａ）を
有した第１のマスク（５）を示す平面図、第１図（ｂ）
は主として縦方向成分のパターン（６ａ）を有した第２
のマスク（６）を示す平面図、第１図（Ｃ）は上記第１
及び第２のマスク（５） （６１を用いて形成されたレ
ジストパターンを示す平面図である。これらの図におい
て、 （５ｂ）（６ｂ）はそれぞれクロムが施された
光を遮えぎる部分、 （５ａ）（３ｂ）（３ｃ）はレ
ジストパターンの縦方向ライン、横方向ライン及び交差
部・（４）は上記第１及び第２のマスク（５） （６）
を用いて露光後、現像されて残存されたポジ型のフォト
レジストである。
１図（ａ）は主として横方向成分のパターン（５ａ）を
有した第１のマスク（５）を示す平面図、第１図（ｂ）
は主として縦方向成分のパターン（６ａ）を有した第２
のマスク（６）を示す平面図、第１図（Ｃ）は上記第１
及び第２のマスク（５） （６１を用いて形成されたレ
ジストパターンを示す平面図である。これらの図におい
て、 （５ｂ）（６ｂ）はそれぞれクロムが施された
光を遮えぎる部分、 （５ａ）（３ｂ）（３ｃ）はレ
ジストパターンの縦方向ライン、横方向ライン及び交差
部・（４）は上記第１及び第２のマスク（５） （６）
を用いて露光後、現像されて残存されたポジ型のフォト
レジストである。
次に、上記した第１及び第２のマスク（５） （６１を
用いて写真製版する方法について第２図に従い説明する
と、まず、第１のマスク（５）を縮小投影露光装置を用
いて半導体基板上に形成されたフォトレジストに対して
マスク合せを行ない露光する。すると、半導体基板上の
フォトレジストは横方向パターン（５ａ）に対向した部
分が露光されることになる。
用いて写真製版する方法について第２図に従い説明する
と、まず、第１のマスク（５）を縮小投影露光装置を用
いて半導体基板上に形成されたフォトレジストに対して
マスク合せを行ない露光する。すると、半導体基板上の
フォトレジストは横方向パターン（５ａ）に対向した部
分が露光されることになる。
次に、第２のマスク（６）を縮小投影露光装置を用いて
第１のマスク（５）にて露光されたフォトレジストに対
してマスク合せを行ない露光する。すると。
第１のマスク（５）にて露光されたフォトレジストに対
してマスク合せを行ない露光する。すると。
半導体基板上のフォトレジストはＲ方向パターン（６ａ
）に対向した部分が露光され、結果として、格子状に露
光されたことになる。その後９通常知られている方法に
より現像を行なうと、第１図（Ｃ）に示すように格子状
に露光された部分のフォトレジストが除去されレジスト
パターンが得られることになる。
）に対向した部分が露光され、結果として、格子状に露
光されたことになる。その後９通常知られている方法に
より現像を行なうと、第１図（Ｃ）に示すように格子状
に露光された部分のフォトレジストが除去されレジスト
パターンが得られることになる。
このような方法によれば、従来例として説明したものの
ように、マスクにおける横方向パターンと縦方向パター
ンとの交差部での光の干渉が防げ。
ように、マスクにおける横方向パターンと縦方向パター
ンとの交差部での光の干渉が防げ。
レジストパターンにおける横方向ライン（３ｂ）と縦方
向ライン（６ａ）との交差部（６Ｃ）でのフォトレジス
ト（４）の角が丸味を帯びることなく、鋭いパターンが
得られることになるものである。このように鋭いパター
ンが得られれば、半導体集積回路の高集積化に対し、非
常に有益なものである。
向ライン（６ａ）との交差部（６Ｃ）でのフォトレジス
ト（４）の角が丸味を帯びることなく、鋭いパターンが
得られることになるものである。このように鋭いパター
ンが得られれば、半導体集積回路の高集積化に対し、非
常に有益なものである。
第３図ないし第５図は他の実施例を示すものであり、第
１図（−１に示す第１のマスク（５）に相当する部分（
８）と、第１図（ｂ）に示す第２のマスク（６）に相当
する部分（９）とを共に一枚のマスク（７）に形成し、
この一枚のマスク（７）を順次スライドさせて露光する
ようにして、上記実施例と同様な効果を得たものである
。
１図（−１に示す第１のマスク（５）に相当する部分（
８）と、第１図（ｂ）に示す第２のマスク（６）に相当
する部分（９）とを共に一枚のマスク（７）に形成し、
この一枚のマスク（７）を順次スライドさせて露光する
ようにして、上記実施例と同様な効果を得たものである
。
つまシ、第３図に示した主として横方向のマスクパター
ンが形成された第１のマスク部（８）と、主として縦方
向のマスクパターンが形成された第２のマスク部（９）
とを有するマスク（７）を、第４図ないし第５図に示す
ように、縮小投影露光装置を用いてウェハに対して位置
合せをして露光する。次に縮小投影露光装置によシ、マ
スク（７）を距離Ｅだけステップ送シし、再度露光する
。このようにマスク（７）のステップ送）と露光とを順
次繰り返し、ウェハ全体を露光し終った後２通常の方法
によシ現像するものである。
ンが形成された第１のマスク部（８）と、主として縦方
向のマスクパターンが形成された第２のマスク部（９）
とを有するマスク（７）を、第４図ないし第５図に示す
ように、縮小投影露光装置を用いてウェハに対して位置
合せをして露光する。次に縮小投影露光装置によシ、マ
スク（７）を距離Ｅだけステップ送シし、再度露光する
。このようにマスク（７）のステップ送）と露光とを順
次繰り返し、ウェハ全体を露光し終った後２通常の方法
によシ現像するものである。
なお、上記実施例では格子状のレジストパターンを得る
方法について述べたが、これに限られるものではないこ
とは言うまでもないことである。
方法について述べたが、これに限られるものではないこ
とは言うまでもないことである。
この発明は以上に述べたように、主として横方向成分の
パターンを有する第１のマスクと、主として縦方向成分
のパターンを有する第２のマスクとを用いて露光するよ
うにしたので、レジストパターンにおける横方向ライン
と縦方向ラインとの交差部でのレジストの角が鋭いもの
が得られるという効果を有するものである。
パターンを有する第１のマスクと、主として縦方向成分
のパターンを有する第２のマスクとを用いて露光するよ
うにしたので、レジストパターンにおける横方向ライン
と縦方向ラインとの交差部でのレジストの角が鋭いもの
が得られるという効果を有するものである。
第１図及び第２図はこの発明の一実施例を示し。
第１図（−）は第１のマスクの平面図、第１図（ｂ）は
第２のマスクの平面図、第１図（ｃ）はレジストパター
ンの平面図、第２図は写真製版の工程を示す図。 第３図ないし第５図はこの発明の他の実施例を示し、第
３図はマスクの平面図、第４図は縮小投影露光装置によ
シマスフをステップ送りして露光する方法を示すための
概略図、第５図は写真製版の工程を示す図、第６図ない
し第８図は従来例を示し、第６図はマスクの一部を示す
平面図、第１図はレジストパターンの一部を示す平面図
、第８図は第１図に示すＡ線及びＢ線に沿った光透過後
の光の強度分布を示す図である。 図において、（５）は第１のマスク、（６）は第２のマ
スク、（７）はマスク、（８）は第１のマスク部、（９
）は第２のマスク部である。 なお、各図中同一符号は同−又は相轟部分を示す。
第２のマスクの平面図、第１図（ｃ）はレジストパター
ンの平面図、第２図は写真製版の工程を示す図。 第３図ないし第５図はこの発明の他の実施例を示し、第
３図はマスクの平面図、第４図は縮小投影露光装置によ
シマスフをステップ送りして露光する方法を示すための
概略図、第５図は写真製版の工程を示す図、第６図ない
し第８図は従来例を示し、第６図はマスクの一部を示す
平面図、第１図はレジストパターンの一部を示す平面図
、第８図は第１図に示すＡ線及びＢ線に沿った光透過後
の光の強度分布を示す図である。 図において、（５）は第１のマスク、（６）は第２のマ
スク、（７）はマスク、（８）は第１のマスク部、（９
）は第２のマスク部である。 なお、各図中同一符号は同−又は相轟部分を示す。
Claims (2)
- （１）主として横方向成分のパターンを有した第１のマ
スクにて露光する工程と、主として縦方向成分のパター
ンを有した第２のマスクにて露光する工程とを備えた半
導体集積回路の写真製版方法。 - （２）第１及び第２のマスクは両者共１つのマスクに形
成され、このマスクを順次スライドさせて露光するよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体集積回路の写真製版方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186254A JPS6245026A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体集積回路の写真製版方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186254A JPS6245026A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体集積回路の写真製版方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245026A true JPS6245026A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16185051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60186254A Pending JPS6245026A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 半導体集積回路の写真製版方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245026A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03233982A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-17 | Hitachi Ltd | ジョセフソン接合素子のパターン形成方法 |
| US5958656A (en) * | 1996-06-20 | 1999-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pattern forming method using phase shift mask |
| US6558881B2 (en) | 1998-11-09 | 2003-05-06 | Nec Corporation | Method of exposing a lattice pattern onto a photo-resist film |
| US6627357B2 (en) | 2000-04-17 | 2003-09-30 | Nec Electronics Corporation | Reticle |
| US6664032B2 (en) * | 1999-02-16 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing two-dimensional phase type optical element |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60186254A patent/JPS6245026A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03233982A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-17 | Hitachi Ltd | ジョセフソン接合素子のパターン形成方法 |
| US5958656A (en) * | 1996-06-20 | 1999-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pattern forming method using phase shift mask |
| US6558881B2 (en) | 1998-11-09 | 2003-05-06 | Nec Corporation | Method of exposing a lattice pattern onto a photo-resist film |
| US6664032B2 (en) * | 1999-02-16 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing two-dimensional phase type optical element |
| US6627357B2 (en) | 2000-04-17 | 2003-09-30 | Nec Electronics Corporation | Reticle |
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