JPH03233982A - ジョセフソン接合素子のパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は極低温において動作するジョセフソン接合素子
のパターン形成方法に係り、特に高集積＠路に適した接
合パターンの形成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来のジョセフソン接合素子の形成方法としては、特開
昭５８−１７６９８３号公報に記載されているように、
Ｎｂ／ＡＱＯＸ／Ｎｂ膜から成る下部電極、１〜ンネル
障壁層、上部電極を連続的に形成し、しかる後に所望の
レジストパターンをマスクにしてドライエツチング法に
よって接合および配線パターンを形成する方法が用いら
れて来た。

この方法によればパターンの形成工程が途中に介在する
ことがないので高品質の接合が得られ、このために、リ
ーク電流の少ないジョセフソン接合が形成できるという
特徴があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来のパターン形成方法においては接合
面積が設計値に対してばらつき、寸法の再現性に問題が
あった。特に接合部のレジストパターン寸法が３μｍ角
以下程度になるとパターン露光時に光の回折によってレ
ジストパターンのコ３− −ナ部が変形しやすく微小な矩形パターンを形成するこ
とが困難であった。また、接合部のドライエツチング後
における＃！縁膜の埋戻しには構造」二の問題があり、
マイクロショートや配線電極等の断線を起こし易いとい
う問題点があった。

第３図は従来の接合面積を規定するレジストパターンの
形成工程を示したものである。まず、第３図（ａ）に示
すように、基板３１上にポジ型レジスト３２をスピン塗
布して形成する。プリベーク後、第３図（ｂ）に示すよ
うに所望する接合マスクパターンを密着露光により転写
する。図中でレジスト３２は未露光部であり、レジスト
３３は露光部を示す。ついで、アルカリ現像液を用いて
現像を行い、第３図（ｃ）に示すようにレジストパター
ン３４を形成する。

第４図は」二記第３図に示した工程で形成したレジスト
パターンを用いた、従来のジョセフソン接合素子の形成
工程を示したものである。まず、第４図（、）に示すよ
うに、基板４１上に、Ｎｂ膜より成る下部電極４２、ト
ンネル障壁層となる− ＡＱ、ＯＸ層４３、Ｎｂ膜からなる上部電極４４のＮｂ
／ＡｌＯｘ／Ｎｂの三層膜をスパッタ法により被着した
後、前記第３図でその形成工程を示したレジストパター
ンを、接合面積規定用のレジストパターン４５として、
該Ｎｂ膜から成る上部電極４４上に形成する。ついで、
第４図（ｂンに示すように、ｃ　Ｆ　４　（フロン１４
）ガスによりＡＱＯｘ層４３が露出するまでエツチング
し、レジストパターン４５が形成されている部分以外の
上部電極４４を除去する。ついで、第４図（ｃ）に示す
ように５上部電極４４から成る接合パターン上のレジス
トをリフトオフマスクにして、上部電極４４と同し高さ
となるように絶縁膜４６を全面に被着して埋戻す。つい
で、第４図（ｄ）に示すようにアセトンによりリフトオ
フを行って上部電極４４から戊る接合パターンの側壁を
保護する。ついで、第４図（ｅ）に示すように上部電極
４４の表面を十分にＡｒスパッタクリーニングを行った
後に接続配線４７を形成して完了する。

ところが、上記の方法において問題となるのは、第４図
（ｄ）に示すようにリフトオフによって形成される溝や
パリである。特に溝が形成された場合、次のような問題
が生ずる。すなわち、第４図（ｅ）で示すように上部電
極４４との接続配線を行う際、Ａｒスパッタクリーニン
グで該上部電極４４表面の酸化膜を完全に除去する必要
がある。

しかし、溝が形成されるとＡｒスパッタクリーニングの
際に、Ａｒ粒子がトンネル障壁層であるＡ　Ｑ　Ｏｘ４
３を破壊し、下部電極層までエツチングが進んでしまう
。このために配線電極膜を被着した際に、下部電極間に
おいて局部的にマイクロショートが生じ接合特性の劣化
の原因となる（第４図（ｅ）点線丸印内Ａ）。一方、パ
リが形成された場合には該接続配線や上層の配線パター
ンが断線を生じて致命的な欠陥となる可能性がある（第
４図（ｅ）点線丸印内Ｂ）。

このように従来方法では、上記のような問題点のあるこ
とから、高精度で、かつ微小の接合面積から成るジョセ
フン素子を、高信頼性かつ再現性良く形成することが困
難であった。

本発明の目的は高精度のレジストパターンを接合面積規
定用のマスクとし、かつ上部電極Ｎｂパターンのドライ
エツチングにおけるＭ縁膜の埋戻しに対して溝やパリが
形成されないようなジョセフソン接合素子のパターン形
成方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために本発明のジョセフソン接合素
子のパターン形成方法は、 （１）下部電極、トンネル障壁層および上部電極の三層
膜を連続的に形成する工程、（２）上記−］二部電極膜
上にポジ型レジスト膜を形成する工程、（３）上記レジ
スト膜に上記レジストパターンを形成する工程、（４）
上記レジストパターン以外の上部電極部分をドライエツ
チングで除去する工程、（５）酸素プラズマ灰化処理に
よって」二記レジストパターンの断面形状を整形後退さ
せる工程、（６）上記基板全面に絶縁膜を被着する工程
、および（７）上記レジストパターン上に被着されたＭ
ｉ膜とともに上記レジストパターンを除去する７ 工程とを備え、また、 上記レジストパターンを形成する工程は、（ａ）第１の
方向に延在するストライプ状のマスクパターンを露光す
る第１の露光工程、（ｂ）該第王の方向に交差する第２
の方向に延在するストライプ状のマスクパターンを露光
する第２の露光工程、および（ｃ）上記露光後の交差部
を残す現像工程とを備えることを特徴とする。上記第１
の方向と第２の方向とは互いに直交する方向とするのが
好ましい。

すなわち、２重露光によって形成された高精度なレジス
トパターンを接合面積規定用のマスクとし、これにより
ドライエツチング後において上部電極上の外周部分の不
要レジストパターンを酸素プラズマ灰化処理によって整
形後退をさせ、上部電極上の端部と角部にわずかにテラ
ス部分を形成する。その後から絶縁膜を被着して埋戻す
。すなわち、接合面積を規定する上部電極の外周部分だ
けに絶縁膜が被着形成されるような構造にするものであ
る。

− 上記、下部電極、トンネル障壁層および上部電極の三層
膜の具体的な材料としては、Ｎｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ、　
　Ｎｂ／ＡｌＯｘ／ＮｂＮ、　　ＮｂＮ／Ｎｂ２Ｏ、／
ＮｂＮのうちの一考の構成とするのが好ましい。

〔作用〕 マスクパターンをレジスト上に露光により転写する際、
マスクパターンの周辺部のレジストは、光の回折によっ
てパターンの周辺より若干内側にまで感光し、いわゆる
光の″かぶり″を受ける。

この１′かぶり”の程度はレジストの材料や厚さ等によ
っても異なるが、光が単一方向から入射するように露光
する場合、通常は０．１μｍ程度である。しかしパター
ンの周辺上で、一つの辺と他の辺とがぶつかるようなコ
ーナ部では光の入射の仕方がこれを取り巻く周辺方向か
ら入射されるように複雑となり、大きな″かぶり″を受
ける。したがって従来方法の場合、前述したとうり、３
μｍ角以下程度のレジストパターンの特にコーナ部では
変形を受けやすく高精度が得られない。

本発明の第１の露光工程と第２の露光工程とを経てスト
ライプ状のマスクパターンの交差部を残す工程から成る
レジストパターンの形成方法では、それぞれの露光工程
で、レジストパターンの周辺に対しては、そのストライ
プ状パターンの長い辺に向かって入射する、いはば単一
方向からのみの光の入射による露光で得られるパターン
の交差によってレジストパターンが形成できるから、上
記の“かぶり″を小さく抑えられ、とくに接合直積が微
小な場合のレジストパターンでもこれを高精度にかつ再
現性よく形成することが可能になる。

また上記の接合を形成させる工程において、レジストパ
ターン以外の上部電極部分をエツチング除去した後に、
残存したレジストパターンの断面形状を整形後退させる
工程は、上記のように、上部電極上の端部と角部に僅か
なテラス部分を形成させるものである。そしてこのこと
が、絶縁膜を被着して埋戻した際に、上部電極の外周部
分に絶縁膜を被着形成させることになり、またこのため
にこの外周の絶縁膜がＡｒスパッタクリーニングの際に
も保護膜の役を果たして上部電極の端部を完全に保護し
、接続配線でマイクロショートを弓き起こすような可能
性をなくす作用をするものである。

〔実施例〕

第１図は本発明における接合面積を規定するレジストパ
ターンの形成工程を示したものである。

第１図（ａ）に示すように、基板１１上にポジ型のＡＺ
１４’７０レジスト（米国ヘキスト社商品名）１２を膜
厚１．２μｍスピン塗布した後、プリベークを９０℃で
２０分間の処理を行う。ついで、第１図（ｂ）に示すよ
うに幅２μｍ、長さ６μｍから成るストライプ状のマス
クパターンを密着露光法により第１の露光工程として光
強度１６ｍＷ／（１）２の紫外光により４秒間のパター
ン転写を行った。図中でレジスト１２は未露光領域を、
また、レジスト１３は第１の露光工程によって照射を受
けた露光領域を示す。ついで、第１図（ｃ）に示すよう
に、前述と同じ形状のマスクパターンを用いて、上記第
１の露光工程によってパターン転写１ された第１のストライプ状のマスクパターンに対して直
角に交差するようにマスク合わせを行った後、前述と同
じ露光条件で第２の露光工程であるパターン転写を行っ
た。図中でレジスト１２はマスクパターンの交差部で未
露光領域を、レジスト１４は第２の露光工程によって照
射を受けた露光領域を、レジスト１５は第１の露光工程
と第２の露光工程によって照射を受けた２重露光領域を
示す。ついで、第１図（ｄ）においてＡＺテベロツパー
（米国ヘキスト社商品名）：水＝王：１の組成化で液温
２４℃中で６０秒間のアルカリ現像液による現像を行い
水洗１２０秒後、スピン乾燥をして、接合面積が２μｍ
角から戊るレジストパターンエ６を形成した。

第２図は本発明におけるジョセフソン接合素子の形成工
程を示したものである。まず、第２図（ａ）に示すよう
に基板２１上に、Ｎｂ膜より戒る下部電極２２、トンネ
ル障壁層となるＡＱＯｘ１ｉＪ２３、Ｎｂ膜より成る上
部電極２４のＮｂ／ＡＱ○ｘ／Ｎｂの三層膜をスパッタ
法により被着する。

１２ ついで、接合面積規定用のレジストパターン２５を第１
図で示した形成工程による２重露光法により該Ｎｂ膜よ
り成る上部電極２４上に形成する。

ついで、第２図（ｂ）に示すように、ＣＦ４ガスを用い
てＡＬ２０３層２３が露出するまで接合部以外の上部電
極２４をエツチング除去する。ついで、第２図（ｃ）に
示すように、上部電極上のレジストパターン２５の側壁
を０２ガスを用いたプラズマエツチングによりプラズマ
灰化処理によって整形後退して、上部電極２４の一部（
端部および角部）にテラス（点線丸印内）を形成する。

ついで、第２図（ｄ）に示すように、該レジストパター
ン２５をリフトオフマスクとして絶縁膜２６を埋戻す。

この際、上部電極２４よりも少し厚めに全面に被着する
。この時、図からも明らかなように上部電極２４上のレ
ジストパターン２５を除去して形成したテラス部分にも
絶縁膜２６が被着されているのが分かる。ついで、第２
図（ｅ）に示すようにアセトンによりリフトオフを行っ
て埋戻し用の絶縁膜２６がエツチング部分と上部電極２
４上の一部に保護膜として形成される。ついで、第２図
（ｆ）に示すように上部電極２４の表面を十分にＡｒス
パッタクリーニングを行った後に接続配線２７を形成し
て完了する。第２図（ｆ）で明らかなように接合面積を
規定する上部電極の一部（点線丸印内に示す。）は埋戻
し用の絶縁膜によって完全に保護されているために、接
続前のＡｒスパッタクリーニングを十分に行ってもマイ
クロショートを引き起こす心配がなく接続配線が可能と
なった。

なお、本工程においてレジストパターンの断面形状を整
形後退する際に、わずかに逆台形に形成することが好ま
しい。このレジストパターンの断面形状を容易に逆台形
とするにはプラズマ灰化の直前に、あらかじめスパッタ
クリーニングでレジストパターンの表面を硬化処理した
後でないと所望する形状のリフトオフマスクを形成する
ことが難しい。すなわち、０２ガスを用いたスパッタク
リーニングとプラズマ灰化の設定条件により所望する任
意のレジストの断面形状が得られる。

以下、本発明により線＠２．５μｍの制御線から成るＮ
ｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ系インライン型のジコインライン型
について第５図を用いて更に詳細に説明する。

基板には、直径５０ｍｍφ、厚さ４５０μｍの＜１．０
０＞のＳｉ基板５１を用いる。このＳｉ基板５１」二に
は６００ｎｍの５ｊｎ２から戊る熱酸化膜５２が形成さ
れている。ついで、基板５１と熱酸化膜５２上にグラン
ドプレーン５３となる膜厚２００ｎｍのＮｂ膜をＤＣマ
グネトロンスパッタ法により被着する。被着条件はＡｒ
圧力０．６Ｐａ、堆積速度３ｎｍ／秒とする。ついで、
層間Ｉ＋ｌ！Ｉ縁膜５４としてＳｊ○を膜厚３００ｎｍ
被着する。

ついで、下部電極５５となる膜厚２００ｎｍのＮｂ膜を
グランドプレーン５３と同じ条件により被着する。つい
で、同一スパッタ装置内でＳｉ基板５１をＡＱのターゲ
ットの真下に移動してＡＱを膜厚５ｎｍ被着する。Ａｆ
ｌ膜の堆積速度は０．４ｎｍ／秒とする。ＡＱ堆積後、
スパッタ装置内に０２ガスを１００Ｐａ導入して、室温
（２４−２６１５− ℃）中で４０分間の自然酸化を行ってＡｆｌの表面酸化
膜であるＡＱＯｘ層（本実施例ではＸ＝２）５６を形成
する。再び、スパッタ装置内を真空排気した後、Ｓｉ基
板５１をＮｂのターゲットの真下に移動し、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法により上記電極５７となる膜厚１１０
０ｎのＮｂ膜を被着する。三層膜をインラインで連続形
成した後、Ｓｉ基板５１をスパッタ装置内から取り出す
。

ついで、配線および接合部分を含むレジストパターンを
次の条件で形成する。ＡＺ１３５０゜Ｊレジストを（米
国ヘキスト社商品名）を膜厚０．７μｍスピン塗布した
後、プリベークを９０℃で２０分間の処理を行う。つい
で、光強度上６ｍ　Ｗ　／　ａｍ　２の紫外光により２
．５秒間のパターン露光を密着法で行った後、ＡＺテベ
ロッパー（米国ヘキスト社商品名）：水＝１：１の組成
比で液温２４℃中で６０秒間の現像を行い水洗１２０秒
後、スピン乾燥をしてレジストパターンを形成する。

ついで、このＳｉ基板５１をエツチング加工を行うため
に、真空装置に挿入し減圧した後、上部型１６− 極５７をＣＦ４（フロン１４）ガスによる反応性イオン
エツチングにより、ＣＦ４ガス圧力２６Ｐａ、電力１０
０Ｗの条件でレジストパターン以外のＮｂ膜のエツチン
グを５分間行う。ＡＱの表面酸化膜Ａｆｌ○ｘ５６が露
出した時点でＡｒによるイオンエツチングに切り替えて
Ａｒガス圧力２ｍＰａ、加速電圧６００ｅＶ、イオン電
流密度０．５ｍＡ／ｃＩ１１２の条件で、ＡＱＯｘ層の
エツチングを５分間行う。ついで、下部電極５５を前述
した上部電極５７と同し条件でＮｂ膜のエツチングを１
０分間行う。エツチング終了後、真空装置内より取り出
してからアセトンでリフトオフを行って配線と接合部分
を含む三層膜パターンを形成する。

ついで、上部電極５７上に接合面積を規定するレジスト
パターンを第１図で示した形成工程と同じく２重露光法
により形成する。すなわち、ＡＺ１４７０レジストを膜
厚１．２μｍスピン塗布した後、プリベークを９０℃で
２０分間の処理を行う。ついで＠２μｍ、長さ６μｍか
ら戒るストライプ状のマスクパターンを密着露光法によ
り第１の露光工程として光強度１６ｍＷ／■２で４秒間
のパターン転写を行う。ついで、前述と同じ＠２μｍ、
長さ６μｍから成るストライプ状のマスクパターンを用
いて、第１のストライプ状のマスクパターンに対して直
角に交差するようにマスク合わせ行った後、前述と同じ
露光条件で第２の露光工程であるパターン転写を行う。

ついで、現像をＡＺデベロッパー：水＝１：１の組成比
で液温２４℃中で６０秒間行い、水洗１２０秒後、スピ
ン乾燥をして接合面積が２μｍ角から成るレジストパタ
ーンを形成する。

再び、真空装置内に挿入し、前述した配線および接合部
分を含むパターンと同一条件により上部電極５７のＮｂ
膜をエツチング除去する。この後真空装置内より取り出
してから０２ガスによるスパッタエツチングでレジスト
パターン表面の硬化処理を次の条件で行う。０２ガス圧
力０．８Ｐａ、高周波電力３００Ｗ、処理時間は３分、
ついで、プラズマ灰化処理を０２ガス圧力６５Ｐａ、高
周波電力３００Ｗ、処理時間５分行う。

この結果、レジストの後退寸法は接合パターン端部から
約１５０ｎｍであり、レジスト表面は１１００ｎ減少し
てテラスが上部電極５７上に形成される。一方、処理後
のレジストパターンの断面寸法は上部幅に対して下部幅
が約２００ｎｍ小さくなって形成される。

ついで、真空蒸着法によりＳｉを絶縁膜に用いてエツチ
ング部分の埋戻しを行う。すなわち、反応性イオンエツ
チング後の上部電極５７上のレジストパターンをリフト
オフマスクとして、膜厚３５０ｎｍのＭ縁膜５８を全面
に被着した後に、真空装置内から取り出してアセトンに
よりリフトオフを行ってエツチング部分の埋戻しと上部
電極５７上の保護膜を形成した。この時点でＡｆｌの酸
化膜ＡＱＯｘ層５６はトンネル障壁層として上部電極５
７によって接合面積が規定される。

ついで、上部電極５７上の接続を行うために表面をＡｒ
ガスによるスパッタエツチングでクリーニング処理を行
う。ついで、接続配線用のＮｂ膜を膜厚４００ｎｍ被着
する。Ｎｂ膜の被着条件は前９− 述のグランドプレーン５３、下部電極５５、上部電極５
７と同様にＤＣマグネ１〜ロンスパッタ法によって被着
する。スパッタ装置内より取り出した後、前述した配線
および接合部分を含むパターンと同一条件でレジストパ
ターンを形成する。ついで、再び、真空装置内に挿入し
て減圧した後、前述した接合パターンと同一条件でＣＦ
４ガスによる反応性イオンエツチングでレジストパター
ン以外のＮｂ膜をエツチング除去して上部電極５７と接
続する配線電極５９を形成する。

その後、真空装置内から取り出してからアセトンにより
パターン上のレジストを除去する。ついで、層間絶縁膜
６０をＳｉＯを用いて膜厚５００ｎｍ被着し形成する。

なお、この眉間絶縁膜６０の形成はＡＺ１３５０Ｊレジ
ストをマスクとしたリフトオフ法を用いる。

ついで、制御線電極６１となるＮｂ膜を前述と同じスパ
ッタ条件で膜厚６００ｎｍ被着する。再び、スパッタ装
置内より取り出して、前述した条件でレジストパターン
を形成した後、ＣＦ４（）２０ ロン１４）ガスによる反応性イオンエツチングを行いレ
ジストパターン以外のＮｂ膜をエツチングして制御線電
極６１を形成する。その後、真空装置内より取り出して
からアセトンによりパターン上のレジストを除去する。

以上の工程を経てＮｂ／Ａ（ｌＯｘ／Ｎｂ系インライン
型ジョセフソン接合素子の形成が完了する。

なお、本実施例においては超電導にＮｂを用いたが、本
発明はこれに限られることなく、ＮｂＮ。

ＭｏＮ、Ｐｂ合金等を用いた場合でも同様の効果が得ら
れる。

〔発明の効果〕

本発明の２重露光法により形成したレジストパターンを
従来法で形成したレジストパターンと仕上り面積で比較
すると、設計値２μｍ角の場合、従来法では±２０％の
ばらつきであったのが、本発明では±３％以下に抑える
ことが可能となった。

また、平面かつ断面形状が矩形であり１μｍ角以下の微
小寸法のレジストパターンの形成も可能である。

さらに、従来問題となっていた下部電極と上部電極接続
配線間で生ずるマイクロショートあるいは上層の配線パ
ターンの断線を防止でき、信頼性の極めて高いＮｂ／Ａ
ｌＯｘ／Ｎｂ系インライン型のジコインライン型素子が
再現性良く形成できる。

例えば、５００個直列に接続した１、５μｍ角のジョセ
フソン接合の超電導臨界電流（Ｉｃ）の分布幅は設計値
に対して±４％以内であった。このため信頼性も大幅に
向上し微小接合から構成されるジョセフソン集積回路の
動作マーシーンも拡大できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のレジストパターンの形成工程斜視図、
第２図は本発明のジ・ヨセフソン接合素子の形成工程断
面図、第３図は従来法のレジストパターン形成工程斜視
図、第４図は従来法のジョセフソン接合素子の形成工程
断面図、第５図は本発明で形成したＮｂ／ＡｎＯＸ／Ｎ
ｂ系インライン型ジョゼインライン型ジョセフソン接合
素子号の説明 １１．２１，３１，４．１・・・基板 ５１・・・Ｓｊ基板 １２．３２・・・レジスト膜 １．３．１４，１５．３３・・露光領域１６、．２５，
３４．４５・・・レジストパターン２２．４２．５５・
・・下部電極 ２３．４３．５６・Ａｆｌ○ｘＩＷｙ ２４．４４．５７・・・上部電極 ２６．４６．５８・・絶縁膜 ２７．４７．５９・・・接続配線電極 ５２・・・熱酸化膜 ５３・・・グランドプレーン ５４．６０・・・層間絶縁膜 ６１・・・制御線電極 ２３− ２４ Ｌ師諌梯 囁 ５ 閉

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ジョセフソン接合形成のための下部電極、トンネル
   障壁層および上部電極から成る三層膜を基板上に形成し
   、かつ、該接合の面積を規定するレジストパターンによ
   り所要面積の上記三層膜から成る接合を形成させるパタ
   ーン形成方法において、 該接合の形成には、（１）下部電極、トンネル障壁層お
   よび上部電極の三層膜を連続的に形成する工程、（２）
   上記上部電極膜上にポジ型レジスト膜を形成する工程、
   （３）上記レジスト膜に上記レジストパターンを形成す
   る工程、（４）上記レジストパターン以外の上部電極部
   分をドライエッチングで除去する工程、（５）酸素プラ
   ズマ灰化処理によって上記レジストパターンの断面形状
   を整形後退させる工程、（６）上記基板全面に絶縁膜を
   被着する工程、および（７）上記レジストパターン上に
   被着された絶縁膜とともに上記レジストパターンを除去
   する工程とを備え、また、 上記レジストパターンを形成する工程は、 （ａ）第１の方向に延在するストライプ状のマスクパタ
   ーンを露光する第１の露光工程、（ｂ）該第１の方向と
   交差する第２の方向に延在するストライプ状のマスクパ
   ターンを露光する第２の露光工程、および（ｃ）上記露
   光後の交差部を残す現像工程とを備えることを特徴とす
   るジョセフソン接合素子のパターン形成方法。 ２、上記、下部電極、トンネル障壁層および上部電極の
   三層膜はＮｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ、Ｎｂ／ＡｌＯｘ／Ｎｂ
   Ｎ、ＮｂＮ／Ｎｂ＿２Ｏ＿５／ＮｂＮのうちの一者の構
   成を有することを特徴とする請求項１記載のジョセフソ
   ン接合素子のパターン形成方法。