JPS5931852B2 - フォトレジスト露光用マスク - Google Patents
フォトレジスト露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS5931852B2 JPS5931852B2 JP51060036A JP6003676A JPS5931852B2 JP S5931852 B2 JPS5931852 B2 JP S5931852B2 JP 51060036 A JP51060036 A JP 51060036A JP 6003676 A JP6003676 A JP 6003676A JP S5931852 B2 JPS5931852 B2 JP S5931852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- alignment
- reference mark
- photoresist
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アライメント用の特殊な基準マークを有する
フォトレジスト露光用マスクに関する。
フォトレジスト露光用マスクに関する。
ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体の製造においては、ホトエッ
チングの技術を応用して微細なパターンを半導体ウェー
ハ表面に形成しているが、最近の傾向であるパターンの
微細化やウェーハサイズの大形化などにともない、パタ
ーン焼付け技術も一段と高度なものが要求されるように
なつてきている。これに対して、パターン焼付けに使用
されるアライナーも種々のものがあるが、装置としての
操作性がよく、とくにマスクとウェーハの位置合せ（ア
ライメント）が容易であることが要求されている。マス
クとウェーハのアライメントには、ウェーハ上に設けた
特殊なマークに対し、マスク上の特殊マークを合わせる
ように自動制御する方法を用い、マスクとウェーハのア
ライメント操作を正確にかつ容易にしたオートアライメ
ント装置が考えられる。
チングの技術を応用して微細なパターンを半導体ウェー
ハ表面に形成しているが、最近の傾向であるパターンの
微細化やウェーハサイズの大形化などにともない、パタ
ーン焼付け技術も一段と高度なものが要求されるように
なつてきている。これに対して、パターン焼付けに使用
されるアライナーも種々のものがあるが、装置としての
操作性がよく、とくにマスクとウェーハの位置合せ（ア
ライメント）が容易であることが要求されている。マス
クとウェーハのアライメントには、ウェーハ上に設けた
特殊なマークに対し、マスク上の特殊マークを合わせる
ように自動制御する方法を用い、マスクとウェーハのア
ライメント操作を正確にかつ容易にしたオートアライメ
ント装置が考えられる。
しかしながら、この種の特殊マークは、第１図〜第２図
に示すように、ウェーハ１のアライメント用基準マーク
２に対してマスク３のアライメント用基準マーク４を図
示するような形状のものを用いているために、ウェーハ
のセッティングのときに予備露光をして基準マークの部
分のフォトレジストを硬化する際（この部分のフォトレ
ジストを硬化しておくことにより、ウェーハのアライメ
ント用基準マークは全工程にわたり１組だけ設けておけ
ばよい）、マスクのアライメント用基準マーク下のフォ
トレジストを完全に露光するには、長時間を必要として
いた。
に示すように、ウェーハ１のアライメント用基準マーク
２に対してマスク３のアライメント用基準マーク４を図
示するような形状のものを用いているために、ウェーハ
のセッティングのときに予備露光をして基準マークの部
分のフォトレジストを硬化する際（この部分のフォトレ
ジストを硬化しておくことにより、ウェーハのアライメ
ント用基準マークは全工程にわたり１組だけ設けておけ
ばよい）、マスクのアライメント用基準マーク下のフォ
トレジストを完全に露光するには、長時間を必要として
いた。
これは、そのような形状のマスクのアライメント用基準
マークでは、露光用の紫外線がマスクのアライメント用
基準マーク下のフォトレジスト面に回折して照射する量
が少ないことより、このフォトレジスト面を完全に露光
するための照射量を得ることは露光時間を長くとる必要
があることに起因している。それゆえ本発明の目的は、
予備露光時間を可及的に小さくできるようなアライメン
ト用基準マークを有するフオトレジスト露光用マスクを
提供することにある。
マークでは、露光用の紫外線がマスクのアライメント用
基準マーク下のフォトレジスト面に回折して照射する量
が少ないことより、このフォトレジスト面を完全に露光
するための照射量を得ることは露光時間を長くとる必要
があることに起因している。それゆえ本発明の目的は、
予備露光時間を可及的に小さくできるようなアライメン
ト用基準マークを有するフオトレジスト露光用マスクを
提供することにある。
このような目的を達成するために本発明においては、数
多くの四辺形の小パターンを集合配列して構成されたパ
ターン及びそれを用いてマスクアライメントするもので
ある。
多くの四辺形の小パターンを集合配列して構成されたパ
ターン及びそれを用いてマスクアライメントするもので
ある。
以下、本発明にかかる実施例を用いて説明する。
第３図は、本発明の一実施例であるマスクのアライメン
ト用基準マークを示す拡大図である。同図において、５
は、本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク
であり、１辺が５μｍの正方形６を２μｍの離間距離を
もつて配列したパターンとしたものである。このアライ
メント用基準マーク５の寸法Ｋついては、正方形の一辺
が５μｍに対し、その離間距離を２μｍとするように、
従来のマスクのアライメント用基準マーク４と同様の検
出信号レベルが得られるものであればよい。本発明にか
かるマスクのアライメント用基準マーク５は、正方形６
の微小マーク（ガラス基板表面に形成した正方形のエマ
ルジヨン薄膜あるいはクロム薄膜等の露光用照射線を透
過しないような薄膜）をたがいに離間して配列したパタ
ーンのものである。そのため、ウエーハとマスクとをア
ライメントする場合において、マスクのアライメント用
基準マーク５下のフオトレジスト（すなわち、ウエーハ
のアライメント用基準マーク近傍上のフオトレジスト）
を予備露光する際、マスクを通過した露光用照射線がマ
スクのアライメント用基準マーク５における正方形６の
四辺よりすべて回折してフオトレジスト表面を露光する
。したがつて、マスクのアライメント用基準マーク５下
のフオトレジストＫは、予備露光用照射線が十分に照射
するようになるために、短時間において、上記領域のフ
オトレジストを十分露光することができ、従来の予備露
光時間に比して半分以下の時間で、ウエーハのアライメ
ント用基準マーク近傍上のフオトレジストを完全に露光
して硬化することができる。第４図に示すものは、本発
明の他の実施例であるマスクのアライメント用基準マー
ク７である。
ト用基準マークを示す拡大図である。同図において、５
は、本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク
であり、１辺が５μｍの正方形６を２μｍの離間距離を
もつて配列したパターンとしたものである。このアライ
メント用基準マーク５の寸法Ｋついては、正方形の一辺
が５μｍに対し、その離間距離を２μｍとするように、
従来のマスクのアライメント用基準マーク４と同様の検
出信号レベルが得られるものであればよい。本発明にか
かるマスクのアライメント用基準マーク５は、正方形６
の微小マーク（ガラス基板表面に形成した正方形のエマ
ルジヨン薄膜あるいはクロム薄膜等の露光用照射線を透
過しないような薄膜）をたがいに離間して配列したパタ
ーンのものである。そのため、ウエーハとマスクとをア
ライメントする場合において、マスクのアライメント用
基準マーク５下のフオトレジスト（すなわち、ウエーハ
のアライメント用基準マーク近傍上のフオトレジスト）
を予備露光する際、マスクを通過した露光用照射線がマ
スクのアライメント用基準マーク５における正方形６の
四辺よりすべて回折してフオトレジスト表面を露光する
。したがつて、マスクのアライメント用基準マーク５下
のフオトレジストＫは、予備露光用照射線が十分に照射
するようになるために、短時間において、上記領域のフ
オトレジストを十分露光することができ、従来の予備露
光時間に比して半分以下の時間で、ウエーハのアライメ
ント用基準マーク近傍上のフオトレジストを完全に露光
して硬化することができる。第４図に示すものは、本発
明の他の実施例であるマスクのアライメント用基準マー
ク７である。
これは、一辺が５μｍの正方形８を対角線にそつて配列
したパターンのものである。本実施例のマスクアライメ
ント用基準マーク７は、図面よりあきらかのように、従
来のものに比してアライメント用基準マーク７の周辺長
が長くなり、予備露光用照射線が回折してフオトレジス
トに照射する量が大になるために、前述したマスクのア
ライメント用基準マーク５と同様な短い露光時間で予備
露光できフオトレジストを完全に硬化することができる
。本発明は、上述したように、マスクのアライメント用
基準マークの形状を予備露光用照射線が可及的に回折さ
れやすいパターンとしているために、予備露光時間を従
来の半分以下に短縮することができる。
したパターンのものである。本実施例のマスクアライメ
ント用基準マーク７は、図面よりあきらかのように、従
来のものに比してアライメント用基準マーク７の周辺長
が長くなり、予備露光用照射線が回折してフオトレジス
トに照射する量が大になるために、前述したマスクのア
ライメント用基準マーク５と同様な短い露光時間で予備
露光できフオトレジストを完全に硬化することができる
。本発明は、上述したように、マスクのアライメント用
基準マークの形状を予備露光用照射線が可及的に回折さ
れやすいパターンとしているために、予備露光時間を従
来の半分以下に短縮することができる。
そのため、ウエーハにマスクをアライメントする時間が
可及的に小さくなると共にオートアライメントが正確に
かつ短時間に備なえることより、省力化ができ、アライ
メント作業時間の短縮並びにウエーハのアライメント用
基準マークを損傷することなく数多くのアライメント操
作Ｋ同一のウエーハのアライメント基準マークを使用で
きる。本発明にかかるマスクのアライメント用基準マー
クは、上述した実施例に限定されることなく、四辺形を
種々の位相をもつて配列したパターンとすることにより
種々の態様のマスクのアライメント用基準マークに適用
できる。
可及的に小さくなると共にオートアライメントが正確に
かつ短時間に備なえることより、省力化ができ、アライ
メント作業時間の短縮並びにウエーハのアライメント用
基準マークを損傷することなく数多くのアライメント操
作Ｋ同一のウエーハのアライメント基準マークを使用で
きる。本発明にかかるマスクのアライメント用基準マー
クは、上述した実施例に限定されることなく、四辺形を
種々の位相をもつて配列したパターンとすることにより
種々の態様のマスクのアライメント用基準マークに適用
できる。
第１図は、ウエーハのアライメント用基準マークを示す
図、第２図は、マスクのアライメント用基準マークの一
例を示す図、第３図〜第４図は、本発明のそれぞれの実
施例であるマスクのアライメント用基準マークを示す図
である。 １・・・半導体ウエーハ、２・・・ウエーハのアライメ
ント用基準マーク、３・・・従米のマスク、４・・・従
来のマスクのアライメント用基準マーク、５，７・・・
本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク。
図、第２図は、マスクのアライメント用基準マークの一
例を示す図、第３図〜第４図は、本発明のそれぞれの実
施例であるマスクのアライメント用基準マークを示す図
である。 １・・・半導体ウエーハ、２・・・ウエーハのアライメ
ント用基準マーク、３・・・従米のマスク、４・・・従
来のマスクのアライメント用基準マーク、５，７・・・
本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウェーハに設けられた基準マークと対応されるべき
位置合せマークを備えたマスクを用い、フォトレジスト
膜が形成された状態の上記ウェーハ面にそれと離間して
上記マスクを配置し、上記マスクを介して上記基準マー
ク上の上記フォトレジスト膜を予備露光するマスクアラ
イメント方式における上記マスクであつて、上記位置合
せ用マークが小さなパターンを規則的に複数個配列した
パターンから構成されてなり、上記小さなパターンのそ
れぞれの上記配列にそう方向の幅と上記小さなパターン
のそれぞれの上記配列を横切る方向の幅とが実質的に等
しくされてなることを特徴とするフォトレジスト露光用
マスク。 ２ 上記小さいパターンは正方形であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のフォトレジスト露光用マ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51060036A JPS5931852B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | フォトレジスト露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51060036A JPS5931852B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | フォトレジスト露光用マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183016A Division JPS5932893B2 (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52143772A JPS52143772A (en) | 1977-11-30 |
| JPS5931852B2 true JPS5931852B2 (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=13130432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51060036A Expired JPS5931852B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | フォトレジスト露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931852B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5962763U (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-25 | 川口 一尚 | 果実支持具 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111773A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor wafer |
| JPS5553439A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-18 | Fujitsu Ltd | Dicing treatment method |
| US4880309A (en) * | 1987-04-14 | 1989-11-14 | General Signal Corporation | Dark field target design system for alignment of semiconductor wafers |
-
1976
- 1976-05-26 JP JP51060036A patent/JPS5931852B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5962763U (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-25 | 川口 一尚 | 果実支持具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52143772A (en) | 1977-11-30 |
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