JPS5986221A - 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 - Google Patents
特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法Info
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- JPS5986221A JPS5986221A JP58183016A JP18301683A JPS5986221A JP S5986221 A JPS5986221 A JP S5986221A JP 58183016 A JP58183016 A JP 58183016A JP 18301683 A JP18301683 A JP 18301683A JP S5986221 A JPS5986221 A JP S5986221A
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- Japan
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- mask
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- mask alignment
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アライメント用の特殊な基準マークを用いた
マスクのアライメント方法に関する。
マスクのアライメント方法に関する。
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置の製造においては、ホト
エツチングの技術を応用して微細なパターンを半導体ウ
ェーハ表面に形成しているが、最近の傾向であるパター
ンの微細化やウェーハサイズの大形化などにともない、
パターン焼付は技術も一段と高度なものが要求されるよ
うになってきている。これに対して、パターン焼付けに
使用されるアライナ−も種々のものがあるが、装置と１
５での操作性がよく、とくにマスクとウエーノ九の位置
合せ（アライメント）が容易であることが要求されてい
る。
エツチングの技術を応用して微細なパターンを半導体ウ
ェーハ表面に形成しているが、最近の傾向であるパター
ンの微細化やウェーハサイズの大形化などにともない、
パターン焼付は技術も一段と高度なものが要求されるよ
うになってきている。これに対して、パターン焼付けに
使用されるアライナ−も種々のものがあるが、装置と１
５での操作性がよく、とくにマスクとウエーノ九の位置
合せ（アライメント）が容易であることが要求されてい
る。
マスクとウェーハのアライメントには、ウェーハ上に設
けた特殊なマークに対し、マスク上の特殊マークを合わ
せるように自動制御する方法を用い、マスクとウェーハ
のアライメント操作を正確にかつ容易にしたオートアラ
イメント装置が考えられる。
けた特殊なマークに対し、マスク上の特殊マークを合わ
せるように自動制御する方法を用い、マスクとウェーハ
のアライメント操作を正確にかつ容易にしたオートアラ
イメント装置が考えられる。
しかしながら、この種の特殊マークは、第１図〜第２図
に示すように、ウェーハ１のアライメント用基準マーク
２に対してマスク３のアライメント用基準マーク４を図
示するような形状のものを用いているために、ウェーハ
のセツティングのとぎに予備露光をして基準マークの部
分のフォトレジストを硬化する際（この部分のフォトレ
ジストを硬化しておくことにより、ウェーハのアライメ
ント用基準マークは全工程にわたり１組だけ設けておけ
ばよい）、マスクのアライメント用基準マーク下の７オ
トレジストを完全に露光するには、長時間を必要として
いた。これは、そのような形状のマスクのアライメント
用基準マークでは、露光用の紫外線がマスクのアライメ
ント用基準マーク下のフォトレジスト面に回折して照射
する量が少ないことより、このフォトレジスト面を完全
に露光するための照射量を得ることは露光時間を長くと
る必要があることに起因している。
に示すように、ウェーハ１のアライメント用基準マーク
２に対してマスク３のアライメント用基準マーク４を図
示するような形状のものを用いているために、ウェーハ
のセツティングのとぎに予備露光をして基準マークの部
分のフォトレジストを硬化する際（この部分のフォトレ
ジストを硬化しておくことにより、ウェーハのアライメ
ント用基準マークは全工程にわたり１組だけ設けておけ
ばよい）、マスクのアライメント用基準マーク下の７オ
トレジストを完全に露光するには、長時間を必要として
いた。これは、そのような形状のマスクのアライメント
用基準マークでは、露光用の紫外線がマスクのアライメ
ント用基準マーク下のフォトレジスト面に回折して照射
する量が少ないことより、このフォトレジスト面を完全
に露光するための照射量を得ることは露光時間を長くと
る必要があることに起因している。
それゆえ本発明の目的は、予備露光時間を可及的に小さ
くできるようなマスクのアライメント用基準マークを提
供すること及びそれを用いたマスクアライメント方法を
提供することにある。
くできるようなマスクのアライメント用基準マークを提
供すること及びそれを用いたマスクアライメント方法を
提供することにある。
このような目的を達成するために本発明においては、数
多くの四辺形の小パターンを集合配列して構成されたパ
ターン及びそれを用いてマスクアライメントするもので
ある。
多くの四辺形の小パターンを集合配列して構成されたパ
ターン及びそれを用いてマスクアライメントするもので
ある。
以下、本発明にかかる実施例を用いて説明する。
第３図は１本発明の一実施例であるマスクのアライメン
ト用基準マークを示す拡大図である。同図において、５
は、本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク
であり、１辺が５μｍの正方形６を２μｍの離間距離を
もって配列したパターンとしたものである。このアライ
メント用基準マーク５０寸法については、正方形の一辺
が５μｍに対し、その離間距離を２μｍとするように、
従来のマスクのアライメント用基準マーク４と同様の検
出信号レベルが得られるものであればよい。
ト用基準マークを示す拡大図である。同図において、５
は、本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク
であり、１辺が５μｍの正方形６を２μｍの離間距離を
もって配列したパターンとしたものである。このアライ
メント用基準マーク５０寸法については、正方形の一辺
が５μｍに対し、その離間距離を２μｍとするように、
従来のマスクのアライメント用基準マーク４と同様の検
出信号レベルが得られるものであればよい。
本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク５は
、正方形６の微小マーク（ガラス基板表面に形成した正
方形のエマルジョン薄膜あるいはクロム薄膜等の露光用
照射線を透過しないような薄膜）をたがいに離間して配
列したパターンのものである。そのため、ウェーハとマ
スクとをアラ・イメントする場合において、マスクのア
ライメント用基準マーク５下のフォトレジスト（すなわ
ち、ウェーハのアライメント用基準マーク近傍上のフォ
トレジスト）を予備露光する際、マスクを通過した露光
用照射線がマスクのアライメント用基準マーク５におけ
る正方形６の四辺よりすべて回折してフォトレジスト表
面を露光する。したがって、マスクのアライメント用基
準マーク５下のフォトレジストには、予備露光用照射線
が十分に照射するようになるために、短時間において、
」１記領域のフォトレジストを十分露光することができ
、従来の予備露光時間に比して半分以下の時間で、ウェ
ーハのアライメント用基準マーク近傍」：のフォトレジ
ストを完全に露光して硬化することができる。
、正方形６の微小マーク（ガラス基板表面に形成した正
方形のエマルジョン薄膜あるいはクロム薄膜等の露光用
照射線を透過しないような薄膜）をたがいに離間して配
列したパターンのものである。そのため、ウェーハとマ
スクとをアラ・イメントする場合において、マスクのア
ライメント用基準マーク５下のフォトレジスト（すなわ
ち、ウェーハのアライメント用基準マーク近傍上のフォ
トレジスト）を予備露光する際、マスクを通過した露光
用照射線がマスクのアライメント用基準マーク５におけ
る正方形６の四辺よりすべて回折してフォトレジスト表
面を露光する。したがって、マスクのアライメント用基
準マーク５下のフォトレジストには、予備露光用照射線
が十分に照射するようになるために、短時間において、
」１記領域のフォトレジストを十分露光することができ
、従来の予備露光時間に比して半分以下の時間で、ウェ
ーハのアライメント用基準マーク近傍」：のフォトレジ
ストを完全に露光して硬化することができる。
第５図に示すものは、本発明の他の実施例であるマスク
のアライメント用基準マーク７である。
のアライメント用基準マーク７である。
これは、−辺が５μｍの正方形８を対角線にそって配列
したパターンのものである。本実施例のマスクアライメ
ント用基準マーク７は、図面よりあきらかのように、従
来のものに比してアライメント用基準マーク７０周辺長
が長くなり、予備露光用照射線が回折してフォトレジス
トに照射する量が大になるために、前述したマスクのア
ライメント用基準マーク５と同様な短い露光時間で予備
露光できフォトレジストを完全に硬化することができる
。
したパターンのものである。本実施例のマスクアライメ
ント用基準マーク７は、図面よりあきらかのように、従
来のものに比してアライメント用基準マーク７０周辺長
が長くなり、予備露光用照射線が回折してフォトレジス
トに照射する量が大になるために、前述したマスクのア
ライメント用基準マーク５と同様な短い露光時間で予備
露光できフォトレジストを完全に硬化することができる
。
本発明は、上述したように、マスクのアライメント用基
準マークの形状を予備露光用照射線が可及的に回折され
やすいパターンとして（するために。
準マークの形状を予備露光用照射線が可及的に回折され
やすいパターンとして（するために。
予備露光時間を従来の半分以下に短縮することができる
。その１こめ、ウエーノ＼にマスクをアライメントする
時間が可及的に小さくなると共にオートアライメントが
正確にかつ短時間に行なえることより、省力化ができ、
アライメント作業時間の短縮並びにウエーノ・のアライ
メント用基準マークを損傷することなく数多くのアライ
メント操作に同一のウエーノ・のアライメント基準マー
クを使用できる。
。その１こめ、ウエーノ＼にマスクをアライメントする
時間が可及的に小さくなると共にオートアライメントが
正確にかつ短時間に行なえることより、省力化ができ、
アライメント作業時間の短縮並びにウエーノ・のアライ
メント用基準マークを損傷することなく数多くのアライ
メント操作に同一のウエーノ・のアライメント基準マー
クを使用できる。
本発明にかかるマスクのアライメント用基準マ−クは、
上述した実施例に限定されることなく、四辺形を種々の
位相をもって配列したパターンとすることにより種々の
態様のマスクのアライメント用基準マークに適用できる
。
上述した実施例に限定されることなく、四辺形を種々の
位相をもって配列したパターンとすることにより種々の
態様のマスクのアライメント用基準マークに適用できる
。
第１図は、ウェーハのアライメント用基準マークを示す
図、第２図は、マスクのアライメント用基準マークの一
例を示す図、第３図〜第４図は、本発明のそれぞれの実
施例であるマスクのアライメント用基準マークを示す図
である。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ウェーハのアライメ
ント用基準マーク、３・・・従来のマスク、４・・・従
来のマスクのアライメント用基準マーク、５．７・・・
本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク。
図、第２図は、マスクのアライメント用基準マークの一
例を示す図、第３図〜第４図は、本発明のそれぞれの実
施例であるマスクのアライメント用基準マークを示す図
である。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・ウェーハのアライメ
ント用基準マーク、３・・・従来のマスク、４・・・従
来のマスクのアライメント用基準マーク、５．７・・・
本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク。
Claims (1)
- １、第１の位置合せ用マークを有するウェーハの上記第
１位置合せ用マークと対応されるべき第２位置合せ用マ
ークを有するマスクを用い、フォトレジスト膜が形成さ
れた状態の上記ウェーハ面にそれと離間して上記マスク
を配置し上記マスクを介して上記第１の位置合せ用マー
ク上のフォトレジスト膜を予備露光し、上記第１と第２
の位置合せ用マークを位置合せした状態で上記マスクを
介して上記フォトレジスト膜を露光するアライメント方
式であって、上記第２の位置合せ用マークが小パターン
を規則的に複数個配列し１こパターンから構成されてな
ることを特徴とするマスクのアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183016A JPS5932893B2 (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183016A JPS5932893B2 (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51060036A Division JPS5931852B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | フォトレジスト露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986221A true JPS5986221A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS5932893B2 JPS5932893B2 (ja) | 1984-08-11 |
Family
ID=16128259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183016A Expired JPS5932893B2 (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932893B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166389A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Hisaka Works Ltd | プレート式熱交換器 |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58183016A patent/JPS5932893B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5932893B2 (ja) | 1984-08-11 |
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