KR950021036A - 위상반전 마스크 제조방법 - Google Patents

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KR950021036A
KR950021036A KR1019930028862A KR930028862A KR950021036A KR 950021036 A KR950021036 A KR 950021036A KR 1019930028862 A KR1019930028862 A KR 1019930028862A KR 930028862 A KR930028862 A KR 930028862A KR 950021036 A KR950021036 A KR 950021036A
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송영진
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 위상반전마스크 제조방법에 관한 것으로, 종래의 하프톤 위상반전마스크에 있어서 2번 내지 4번 노광되는 지역이 1번 노광되는 지역보다 빛을 많이 받게되어 현상시 감광막이 원하는 양보다 적게 남게됨을 따라 발생하는 식각시의 문제를 해결하기 위해 크롬레스 위상반전 마스크 원리를 이용하여 2번이상 중복노광되는 지역에 미세패턴을 형성한다. 본 발명에 의하면, 노광공정시 여러번 노광되는 지역에서 전혀 노광효과가 나타나지 않게 되므로 현상후 감광막의 손실이 없게되어 식각시 문제가 발생하는일 등이 없어지게 된다.

Description

위상반전 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 위상반전마스크를 도시한 도면
제5도 및 제6도는 본 발명의 위상반전마스크의 미세패턴이 예를 도시한 도면

Claims (2)

  1. 크롬레스 위상반전마스크 원리를 이용하여 2번이상 중복 노광되는 지역에 미세패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 미세패턴은 0.2㎛이하의 라인/스페이스패턴 또는 바둑판패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028862A 1993-12-21 1993-12-21 위상반전마스크제조방법 KR100277933B1 (ko)

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