KR970030231A - 해프톤 위상반전마스크 - Google Patents

해프톤 위상반전마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR970030231A
KR970030231A KR1019950043608A KR19950043608A KR970030231A KR 970030231 A KR970030231 A KR 970030231A KR 1019950043608 A KR1019950043608 A KR 1019950043608A KR 19950043608 A KR19950043608 A KR 19950043608A KR 970030231 A KR970030231 A KR 970030231A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lithography process
optical lithography
halftone phase
light blocking
pattern
Prior art date
Application number
KR1019950043608A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100353818B1 (ko
Inventor
문승찬
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950043608A priority Critical patent/KR100353818B1/ko
Publication of KR970030231A publication Critical patent/KR970030231A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100353818B1 publication Critical patent/KR100353818B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 광학 리소그래피 공정에 사용되며, 소정의 광투과율을 갖는 물질로 형성되는 광차단지역; 광학 리소그래피 공정에 의해 그 형상이 웨이퍼상에 전달되는 메인 패턴을 포함하는 해프톤 위상반저마스크에 있어서; 상기 광차단지역의 사이드로브 발생지역인 메인 패턴 주변의 소정 위치에 형성되며, 광학 리소그래피 공정에 의해 그 형상이 웨이퍼상에 전달되지 않을 정도의 크기를 갖는 보조패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 해프톤 위상반전마스크에 관한 것으로, 사이드로브 강도를 억제하여 디자인 롤 상에서 예정된 형상의 충실한 감광막 패턴을 형성할 수 있다.

Description

해프톤 위상반전마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 해프톤 위상반전마스크 평면도.

Claims (3)

  1. 광학 리소그래피 공정에 사용되며, 소정의 광투과율을 갖는 물질로 형성되는 광차단지역; 광학 리소그래피 공정에 의해 그 형상이 웨이퍼상에 전달되는 메인 패턴을 포함하는 해프톤 위상반전마스크에 있어서; 상기 광차단지역의 사이드로브 발생지역인 메인 패턴 주변의 소정위치에 형성되며, 광학 리소그래피 공정에 의해 그 형상이 웨이퍼상에 전달되지 않을 정도의 크기를 갖는 보조패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 해프톤 위상반전마스크.
  2. 제1항에 있어서; 상기 보조패턴은 상기 동일한 크기 및 서로 일정간격을 갖고 다수개 형성되어 어레이를 이루는 것을 특징으로 하는 해프톤 위상반전마스크.
  3. 제2항에 있어서; 상기 보조패턴의 어레이는 d가 상기 보조패턴의 직경, p가 상기 보조패턴의 피치 크기, T가 차광물질의 특정 노광 파장 에너지에 대한 광투과율이라 할 때, (p2-d2) : d2 =
    의 조건을 만족하는 직경 및 피치 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 해프톤 위상 반전 포토 마스크.
KR1019950043608A 1995-11-24 1995-11-24 콘택홀형성을위한하프톤위상반전마스크 KR100353818B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950043608A KR100353818B1 (ko) 1995-11-24 1995-11-24 콘택홀형성을위한하프톤위상반전마스크

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950043608A KR100353818B1 (ko) 1995-11-24 1995-11-24 콘택홀형성을위한하프톤위상반전마스크

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970030231A true KR970030231A (ko) 1997-06-26
KR100353818B1 KR100353818B1 (ko) 2002-12-16

Family

ID=37489359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950043608A KR100353818B1 (ko) 1995-11-24 1995-11-24 콘택홀형성을위한하프톤위상반전마스크

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100353818B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6881523B2 (en) * 2001-03-14 2005-04-19 Asml Masktools B.V. Optical proximity correction method utilizing ruled ladder bars as sub-resolution assist features

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0346316A (ja) * 1989-07-14 1991-02-27 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパターン形成方法
KR960004644B1 (ko) * 1992-12-30 1996-04-11 현대전자산업주식회사 중첩오차 측정마크 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100353818B1 (ko) 2002-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5565286A (en) Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
US5863677A (en) Aligner and patterning method using phase shift mask
JPS6267547A (ja) ホトマスク
KR100190762B1 (ko) 사입사용 노광마스크
US5935736A (en) Mask and method to eliminate side-lobe effects in attenuated phase shifting masks
KR960000179B1 (ko) 에너지 절약형 포토마스크
US5418093A (en) Projection exposure method and an optical mask for use in projection exposure
KR950021055A (ko) 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
KR0143707B1 (ko) 마스크 가장자리에서 투과되는 광의 강도를 보상하기 위한 위상반전 마스크
JPH03141354A (ja) 露光マスク及び露光方法
JPH06250378A (ja) 露光方法及び該露光方法で使用されるフォトマスク
KR960015792B1 (ko) 반도체 소자의 패턴형성용 마스크 제조방법
KR970030231A (ko) 해프톤 위상반전마스크
US5523184A (en) Photomask for forming high resolution photoresist patterns
KR960016312B1 (ko) 패턴 근접 효과를 제어하는 포토마스크
JPH03156459A (ja) メモリ半導体構造及び位相シフトマスク
KR930024107A (ko) 미해상 회절 마스크(Dummy Diffraction Mask)
KR100272656B1 (ko) 반도체 소자의 레티클 구조
KR0151228B1 (ko) 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크
KR0146399B1 (ko) 반도체 패턴 형성 방법
JP2674400B2 (ja) パターン形成方法とホトマスク
KR100641915B1 (ko) 반도체 소자의 위상반전 마스크
KR970022524A (ko) 해프톤 위상 반전 포토 마스크
KR100277933B1 (ko) 위상반전마스크제조방법
JPS57132008A (en) Measuring method for pattern size

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100825

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee