KR940016570A - 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 위상반전마스크를 사용한 패턴 형성 방법에 있어서, 위상반전마스크를 이용하여 감광막을 1차 노광시키고, 위상반전물질에 의해 브릿지가 남는 것을 방지하기 위해 브릿지 영역만 노광되도록 하는 패턴수정마스크를 이용하여 2차 노광시킨후 감광막을 현상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 위상반전마스크를 도시한 평면도, 제 2 도는 위상반전마스크를 사용시 감광막 패턴에 브릿지가 형성된 것을 도시한 평면도, 제 3 도는 본 발명에 의한 패턴 수정마스크를 도시한 평면도, 제 4 도는 위상반전마스크와 패턴 수정마스크를 사용하여 감광막패턴을 형성한 평면도.
Claims (1)
- 위상반전마스크를 사용한 패턴 형성 방법에 있어서, 위상반전마스크를 이용하여 감광막을 1차 노광시키고, 위상반전물질에 의해 브릿지가 남는 것을 방지하기 위해 브릿지 영역만 노광되도록 하는 패턴수정마스크를 이용하여 2차 노광시킨후 감광막을 현상시키는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920027073A KR960016315B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920027073A KR960016315B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR940016570A true KR940016570A (ko) | 1994-07-23 |
KR960016315B1 KR960016315B1 (ko) | 1996-12-09 |
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ID=19348223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019920027073A KR960016315B1 (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR960016315B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
KR100809331B1 (ko) | 2006-08-29 | 2008-03-05 | 삼성전자주식회사 | 마스크 및 그 제조 방법 |
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1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027073A patent/KR960016315B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR960016315B1 (ko) | 1996-12-09 |
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