KR940016570A - 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법 - Google Patents

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KR940016570A
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함영목
김영식
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor

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Abstract

본 발명은 위상반전마스크를 사용한 패턴 형성 방법에 있어서, 위상반전마스크를 이용하여 감광막을 1차 노광시키고, 위상반전물질에 의해 브릿지가 남는 것을 방지하기 위해 브릿지 영역만 노광되도록 하는 패턴수정마스크를 이용하여 2차 노광시킨후 감광막을 현상시키는 기술이다.

Description

위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 위상반전마스크를 도시한 평면도, 제 2 도는 위상반전마스크를 사용시 감광막 패턴에 브릿지가 형성된 것을 도시한 평면도, 제 3 도는 본 발명에 의한 패턴 수정마스크를 도시한 평면도, 제 4 도는 위상반전마스크와 패턴 수정마스크를 사용하여 감광막패턴을 형성한 평면도.

Claims (1)

  1. 위상반전마스크를 사용한 패턴 형성 방법에 있어서, 위상반전마스크를 이용하여 감광막을 1차 노광시키고, 위상반전물질에 의해 브릿지가 남는 것을 방지하기 위해 브릿지 영역만 노광되도록 하는 패턴수정마스크를 이용하여 2차 노광시킨후 감광막을 현상시키는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 사용시 발생되는 브릿지 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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