KR950021047A - 포토레지스트의 미세패턴 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 포토레지스트의 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 하부층 기판의 단차가 심화된 상태에서 포토레지스트를 이용한 패턴 형성시, 포토레지스트를 도포한 후 단차가 깊은 영역을 1차 마스크로 표면 노광하여 투광성을 증대시킨 다음, 2차 마스크로 전면을 노광하고, 이후 식각공정을 통해 미세 패턴을 형성하므로써, 단차에 관계없이 스컴(Scum)및 브릿지(Bridge) 현상을 방지할 수 있도록 한 포토레지스트의 미세 패턴을 형성하는 방법에 관해 기술된다.

Description

포토레지스트의 미세패턴 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의한 일층 포토레지스트의 미세패턴 형상단계를 설명하기 위해 도시한 단면도

제3도는 노광에너지에 따른 포토레지스트의 광투과도를 나타낸 그래프,

제4A도 및 제4B도는 종래의 일층 포토레지스트 공정기술로 노광시 광 콘트라스트를 나타낸 그래프

제5A도 및 제5B도는 본 발명에 의한 일층 포토레지스트 공정기술로 노광시 광 콘트라스트를 나타낸 그래프

Claims (2)

1. 포토레지스트의 미세패턴 형성방법에 있어서, 단차가 심화된 소정의 기판(11)상에 포토레지스트(12)를 도포한 후, 단차가 깊은 영역의 포토레지스트, (12) 표면을 소정길이만큼 1차 마스크(13)로 노광하는 단계와, 상기 단계로부터 1차 마스크(13)를 제거한 후, 단차가 깊은 영역과 얇은 영역의 포토레지스트(12)를 2차 마스크(14)로 노광하는 단계와, 상기 단계로부터 2차 마스크(14)를 제거한 후, 현상공정으로 포토레지스트(12)를 패턴화하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 미세패턴 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 1차 마스크(13)로 노광시킨 포토레지스트(12)의 표면부분을 현상공정으로 제거한 후, 2차 마스크(14)를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 미세패턴 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.