KR970016782A - 포토마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

포토마스크 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR970016782A
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김용훈
권우석
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 노광 공정에서 사용되는 포토마스크에 관한 것으로서, 그 구조는 상기 투명한 기판(10) 상에 형성된 소정 패턴의 차광막(12)과 ; 상기 차광막(12)의 상부 표면에 형성된 제 1비반사막(14)과 ; 상기 차광막(12)의 측벽에 형성된 제 2비반사막(16)을 포함하고 있고, 그리고 그의 제조 방법은 투명한 기판(10) 상에, 소정 패턴의 차광막(12)을 형성하는 공정과 ; 상기 차광막(12)의 상부에만 제 1비반사막(14)을 형성하는 공정과 ; 상기 제 1비반사막(14)을 포함하여 상기 기판(10) 상에 제 2비반사막(16)을 도포하는 공정과 ; 상기 제 2비반사막(16)의 이방성 식각을 수행하여 상기 차과막(12)과 상기 제 1비반사막(14)의 측벽에 제 2비반사막(16a)을 형성하는 공정을 포함한다. 상술한 포토마스크에 의하면, 상기 차광막의 측벽에도 형성된 제 2비반사막은 상기 기판을 투과하면서 회절하는 빛 중에서 상기 차광막의 측벽으로 조사되는 빛을 흡수하므로서 상기 차광막의 경게면으로부터 반사되는 빛을 차단할 수 있다. 그 결과, 상기 경계면에서 반사되는 ±1차 회절광에 의해 원하지 않는 부분까지도 노광되는 것을 방지할 수 있으므로서 웨이퍼 상에서 경계면이 명확한 감광막 패턴을 형성할 수 있다.

Description

포토마스크 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명의 포토마스크의 구조를 보여주는 단면도,
제 6도는 제 3도의 포토마스크를 사용하여 노광할 경우에 상기 포토마스크를 투과하는 빛의 회절관계를 보여주는 제조 공정도.

Claims (13)

  1. 반도체 장치의 노광공정에 사용되는 포토마스크에 있어서, 투명한 기판(10) 과 ; 상기 투명한 기판(10) 상에 형성된 소정 패턴의 차광막(12)과 ; 상기 차광막(12)의 상부 표면에 형성된 제 1비반사막(14)과 ; 상기 차광막(12)의 측벽에 형성된 제 2비반사막(16)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1비반사막(14)과 상기 제 2비반사막(16)을 동일한 광흡수물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1비반사막(14) 또는 상기 제 2비반사막(16)은 질화티타늄(TiN), 산화크롬(CrOx), 또는 산화티타늄(TiOx)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제 1비반사막(14)과 상기 제 2비반사막(16)은 상이한 광흡수물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 2비반사막(16)은 스페이서 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 반도체 장치의 노광공정에 사용되는 포토마스크의 제조 방법에 있어서, 투명한 기판(10) 상에, 상면에 제 1비반사막(14)을 갖는 차광막(12) 패턴을 형성하는 공정과 ; 상기 제 1비반사막(14)을 포함하여 상기 기판(10) 상에 제 2비반사막(16)을 증착하는 공정과 ; 상기 제 2비반사막(16)의 이방성 식각을 수행하여 상기 차광막(12)과 상기 제 1비반사막(14)의 측벽에 제 2비반사막(16a)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 제 1비반사막(14)은 질화티타늄(TiN), 산화크롬(CrOx), 또는 산화티타늄(TiOx)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 제 2비반사막(16)은 상기 제 1비반사막(14)과 동일 또는 상이한 광흡수물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 제 2비반사막(16)은 바람직하게는 질화티타늄(TiN), 산화크롬(CrOx) 또는 산화티타늄(TiOx)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  10. 반도체 장치의 노광공정에 사용되는 포토마스크의 제조 방법에 있어서, 투명한 기판(10) 상에, 상면 제 1비반사막(14)을 갖는 차광막(12) 패턴을 형성하는 공정과 ; 상기 제 1비반사막(14)을 포함하는 상기 기판(10) 상에 감광막(18)을 도포하는 공정과 ; 상기 감광막(18)을 패터닝하여서 상기 제 1비반사막(14) 상에만 패턴화된 감광막(18a)을 형성하는 공정과 ; 상기 패턴화된 감광막(18a)을 포함하여 상기 기판(10) 상에 상기 제 2비반사막(16)을 형성하는 공정과 ; 상기 패턴화된 감광막(18a)을 식각 저지층으로 사용하여 상기 제 2비반사막(16)의 이방성 식각을 실행하여 상기 차광막(12)과 상기 제 1비반사막(14)의 측벽에 제 2비반사막(16a)을 형성하는 공정과 ; 상기 남아 있는 감광막(18a)을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 감광막(18)은 포지티브형 감광막인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 감광막(18)의 패터닝은 상기 포토마스크의 후방에서 전면 노광을 실행하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 제 2비반사막(16)은 질화 티타늄(TiN), 산화크롬(CrOx) 또는 산화티타늄(TiOx)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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