KR101679721B1 - 포토마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

투명 기판 상에 순차적으로 적층된 차광막 패턴과 반사 방지막 패턴을 형성한다. 차광막 패턴의 측벽을 산화(oxidation) 및 질화(nitridation)시킴으로써 보호막 패턴을 형성한다. 보호막 패턴을 형성함으로써 포토 마스크 제조 공정에서 사용되는 산성 용액에 의해 포토 마스크 패턴의 선폭이 감소되는 것을 방지할 수 있다.

Description

포토마스크 및 그 제조 방법{A PHOTOMASK AND METHODS OF MANUFACTURING THE PHOTOMASK}
본 발명은 포토 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 보호막을 갖는 포토 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위한 노광 공정 등에 사용되는 포토마스크는 재생 공정을 거쳐 반복적인 재사용이 가능하다. 상기 재생 공정은 상기 포토마스크 보호에 사용되는 펠리클(pellicle)을 제거하고 다시 펠리클을 부착하는 리펠리클(repellicle) 공정을 포함한다.
그러나 상기 펠리클을 제거하기 위해 사용되는 산성 용액등에 의해 상기 포토마스크의 패턴이 손상되거나 선폭 변화를 야기할 수 있다. 특히, 최근 반도체 소자 패턴의 집적도가 급속히 증가함에 따라 상기 포토마스크 패턴의 미세한 변화는 반도체 소자의 품질 및 신뢰성을 크게 약화시킬 수 있다.
본 발명의 일 목적은 화학적으로 안정한 포토마스크를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기의 포토마스크 제조 방법을 제공하는데 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 포토마스크 제조 방법에서, 투명 기판 상에 순차적으로 적층된 차광막 패턴과 반사 방지막 패턴을 형성한다. 상기 차광막 패턴의 측벽을 산화(oxidation) 및 질화(nitridation)시킴으로써 보호막 패턴을 형성한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 차광막 패턴의 측벽은 산소(O2) 및 질소(N2) 가스를 반응가스로 사용하는 플라즈마 처리 공정에 산화 및 질화될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 산소 가스 대비 상기 질소 가스의 혼합비는 5 내지 8일 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 플라즈마 처리 공정 수행시 챔버의 온도는 200℃ 내지 400℃ 범위로 유지될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 차광막 패턴은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 루비듐(Ru), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 보론 산화물(TaBO) 혹은 탄탈륨 보론 질화물(TaBN)을 사용하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 차광막 패턴은 크롬(Cr)을 사용하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 보호막 패턴은 크롬 산화물 및 크롬 질화물의 혼합물 혹은 크롬산질화물(CrNOx)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 반사 방지막 패턴은 크롬 산화물(CrOx), 크롬 질화물(CrNx), 티타늄질화물(TiN) 혹은 티타늄산화물(TiOx)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 보호막 패턴은 0.1 내지 50nm의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 보호막 패턴은 0.1 내지 5nm의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 보호막 패턴은 산성 용액에 실질적으로 식각되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 차광막 패턴의 측벽에 대한 산화 및 질화는 산소(O2) 및 질소(N2) 가스 분위기에서 급속 열처리(rapid thermal process) 공정을 통해 수행될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 산소 가스 대비 상기 질소 가스의 혼합비는 5 내지 8일 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 급속 열처리 공정은 200℃ 내지 400℃ 의 온도에서 수행될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 차광막 패턴의 측벽에 대한 산화 및 질화는 산소 및 질소 가스 분위기 하에서 광 조사 처리를 통해 수행될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 광 조사 처리는 파장이 200nm 이하인 자외선 광을 사용하여 수행될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 산소 가스 대비 상기 질소 가스의 혼합비는 5 내지 8일 수 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 포토마스크는, 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 차광막 패턴, 상기 차광막 패턴의 양 측부에 형성된 보호막 패턴 및 상기 차광막 패턴 및 보호막 패턴 상에 형성된 반사 방지막 패턴을 포함한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 차광막 패턴은 크롬을 포함할 수 있고, 상기 반사 방지막 패턴은 크롬 산화물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 보호막 패턴은 크롬 산화물 및 크롬질화물의 혼합물 혹은 크롬산질화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 포토마스크의 차광막 패턴의 측벽 상에 금속 산화물 및 질화물 혹은 금속 산질화물을 포함하는 보호막 패턴을 형성함으로써 상기 포토마스크 패턴의 재생 공정에서 사용되는 산성 용액들로부터 상기 차광막 패턴을 보호할 수 있다.
따라서, 포토마스크 패턴 선폭의 변동없이 상기 포토마스크를 반복 사용함으로써 반도체 소자의 제조 공정의 신뢰성 및 경제성을 향상시킬 수 있다.
도 1 은 예시적인 실시예들에 따른 포토마스크를 나타내는 단면도이다.
도 2는 포토마스크 재생공정 이후 차광막 패턴의 선폭 변화를 나타내기 위한 개략도이다.
도 3 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 포토마스크 제조방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 각 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
본 발명에서, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역, 전극, 패턴 또는 구조물들이 대상체, 기판, 각 층(막), 영역, 전극 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 영역, 전극, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 전극, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 대상체나 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.
즉, 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 포토마스크를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 포토 마스크는 투명 기판(100) 상에 차광막 패턴(115), 보호막 패턴(135) 및 반사 방지막 패턴(125)을 포함한다.
투명 기판(100)은 노광광을 투과시키는 물질로서, 석영 혹은 유리를 포함할 수 있다.
차광막 패턴(115)은 실질적으로 노광광을 투과하지 않는 물질을 사용한다. 예를 들면, 차광막 패턴(115)은 크롬(Cr)과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다.
보호막 패턴(135)은 차광막 패턴(115)의 측벽 상에 형성되며, 포토 마스크의 재생 공정에서 차광막 패턴(115)의 선폭 감소를 방지하는 역할을 한다.
상기 포토마스크의 재생 공정은 포토마스크를 보호하는 펠리클을 제거한 후 다시 펠리클을 부착하는 리펠리클 공정을 포함한다. 상기 펠리클을 제거하기 위해서는 상기 펠리클을 부착하는 접착제 성분을 제거해야 하며 이를 위해 황산과 같은 산성 용액을 포함하는 스트립 용액을 사용한다.
도 2는 포토마스크 재생공정 이후 차광막 패턴의 선폭 변화를 나타내기 위한 개략도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 스트립 용액에 크롬 등의 금속물질을 포함하는 차광막 패턴(115)이 노출된 경우 차광막 패턴(115)의 측벽이 식각되어 선폭이 감소될 수 있으며, 전체 포토마스크 패턴의 균일도를 약화시킬 수 있다.
특히 반도체 소자의 집적도가 증가하는 경우 상기 포토마스크 패턴의 미세한 선폭 변화에도 상기 반도체 소자의 품질의 신뢰도가 급격히 저하될 수 있다.
따라서, 보호막 패턴(135)은 차광막 패턴을 보호하기 위해 상기 스트립 용액에 식각되지 않고 안정적인 물질을 포함하여야 한다. 예시적인 실시예들에 있어서, 보호막 패턴(135)은 크롬산화물(CrOx) 및 크롬질화물(CrNx)의 혼합물 혹은 크롬산질화물(CrNO)을 포함할 수 있다.
반사 방지막 패턴(125)는 차광막 패턴(115)과 보호막 패턴(135)의 상면에 형성된다. 반사 방지막 패턴(125)은 노광시 웨이퍼로부터 반사되는 반사광을 흡수하기 위해 형성된다. 반사방지막 패턴(125)은 금속 질화물 혹은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광막 패턴(115)이 크롬을 포함하는 경우 반사방지막 패턴(125)은 크롬산화물 혹은 크롬 질화물을 포함할 수 있다.
도 3 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 포토마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 투명기판(100) 상에 차광막(110) 및 반사방지막(120)을 순차적으로 적층한다.
투명기판(100)은 전술한 바와 같이 석영 혹은 유리 기판을 사용할 수 있다.
차광막(110)은 투명기판(100) 상에 투과되는 광을 차단할 수 있는 물질을 사용하여 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition : PVD) 공정, 스퍼터링(sputtring) 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 차광막(110)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 루비듐(Ru), 탄탈륨(Ta) 등의 금속물질을 사용하여 형성할 수 있다. 한편, 차광막은 탄탈륨 보론 산화물(TaBO)계 혹은 탄탈륨 보론 질화물(TaBN)계의 물질을 사용하여 형성할 수도 있다.
반사방지막(120)은 차광막(110) 상에 차광막(110) 보다 투과율이 높은 물질을 사용하여 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : CVD), 원자층증착(Atomic Layer Deposition : ALD) 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차광막(110)이 크롬을 포함하는 경우 반사방지막(120)은 크롬 산화물 혹은 크롬 질화물을 사용하여 형성할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 반사방지막은 티타늄질화물(TiN) 혹은 티타늄산화물(TiOx)을 사용하여 형성할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 반사방지막(120) 및 차광막(110)을 패터닝하여 투명기판(100) 상에 순차적으로 적층된 차광막 패턴(115) 및 반사방지막 패턴(125)을 형성한다.
구체적으로, 반사방지막(125) 상에 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성하고 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 반사방지막(120) 및 차광막(110)을 부분적으로 제거한다. 반사방지막(120) 및 차광막(110)은 건식 식각 혹은 습식 식각 공정을 수행하여 제거할 수 있다.
도 5를 참조하면, 차광막 패턴(115)의 측벽 상에 보호막 패턴(135)을 형성한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 보호막 패턴(135)은 차광막 패턴(115)의 측부에 대해 산화(oxidation) 및 질화(nitridation) 반응을 진행시킴으로써 형성될 수 있다.
구체적으로, 보호막 패턴(135)은 산소(O2) 및 질소(N2) 가스를 반응가스로 하는 플라즈마 처리 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 상기 플라즈마 공정시 차광막 패턴(115)과 상기 반응가스의 라디칼(radical) 반응이 진행되어 차광막 패턴(115)의 측부에 산질화물을 포함한 보호막 패턴(135)이 형성된다. 일 실시예에 있어서, 차광막 패턴(115)이 크롬을 포함하는 경우 보호막 패턴(135)은 크롬산질화물(CrNO) 혹은 크롬산화물(CrOx) 및 크롬질화물(CrNx)의 혼합물을 포함하도록 형성될 수 있다.
보호막 패턴(135)은 전술한 포토마스크 재생 공정에서 차광막 패턴(115)의 손상을 방지가능할 정도의 범위에서 얇게 형성하는 것이 바람직하다, 보호막 패턴(135)은 0.1 내지 50nm의 두께를 갖도록 형성할 수 있으며, 바람직하게는 5nm이하의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 공정이 수행되는 챔버(chamber)의 온도는 200℃ 내지 400℃ 범위로 유지한다.
또한, 상기 산소 가스 대비 질소가스의 혼합비율은 충분한 질화반응이 이루어질 수 있도록 5 내지 8을 유지한다.
다른 실시예들에 있어서, 보호막 패턴(135)은 차광막 패턴(115)의 측부에 대해 급속 열처리(Rapid Thermal Processing : RTP) 공정을 수행하여 형성할 수도 있다.
상기 RTP 공정을 수행하기 위한 챔버의 온도는 200℃ 내지 400℃ 범위로 유지한다. 이 때 상기 챔버 내에 산소 및 질소 가스를 주입하고 가열함으로써 차광막 패턴(115)의 측부상에 산화 및 질화 또는 산질화 반응이 진행될 수 있다. 상기 플라즈마 공정에서와 같이 상기 산소 가스 대비 질소가스의 혼합비율은 5 내지 8을 유지한다.
또 다른 실시예들에 있어서, 보호막 패턴(135)은 차광막 패턴(115)의 측부에 대해 광 조사 처리를 수행하여 형성될 수도 있다. 상기 광 조사 처리는 산소 및 질소 분위기 하에서 수행될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 조사 처리는 파장이 200nm 이하인 UV 램프를 사용하여 수행될 수 있다. 이 때, 상기 UV 램프의 강도는 30mW/cm2 이상으로 유지한다. 차광막 패턴(115)이 크롬을 포함하는 경우 차광막 패턴(115) 측부의 크롬 원자는 UV 광의 에너지에 의해 활성화되고 이는 상기 산소 및 질소 가스와 반응하여 크롬산질화물 혹은 크롬산화물(CrOx) 및 크롬질화물(CrNx)의 혼합물이 형성될 수 있다.
보호막 패턴의 성분 분석
크롬을 포함하는 차광막 패턴을 형성하고 상기 차광막 패턴의 표면에 보호막 패턴을 형성한 후 상기 보호막 패턴의 성분을 TOF-SIMS(Time-of-flight secondary ion mass spectrometer)에 의해 분석하였다. 먼저 투명 기판 상에 크롬을 포함하는 차광막 패턴을 형성하여 비교예 1의 포토마스크를 준비하였다. 비교예 1의 포토마스크에 대해 TOF-SIMS 분석을 수행하여 크롬산화물 및 크롬질화물 성분의 피크 세기를 측정하였다.
다음으로, 투명 기판 상에 크롬을 포함하는 차광막 패턴을 형성하고 플라즈마 처리를 통해 상기 차광막 패턴 표면을 산소 가스 및 질소 가스와 반응시켜 보호막 패턴을 형성한 실시예 1의 포토마스크를 제조하였다. 구체적으로 상기 플라즈마 처리가 진행되는 챔버의 온도를 300℃로 유지하고 상기 산소 가스와 질소 가스의 유량은 각각 500sccm 및 3,000sccm으로 조절하였다.
실시예 1의 포토마스크에 대해서도 TOF-SIMS 분석을 수행하여 크롬산화물 및 크롬질화물의 성분의 피크 세기를 관찰하였다.
실시예 1에서 크롬질화물의 피크는 비교예 1에서 보다 1.5배 강한 세기를 갖는 것으로 나타났다. 한편, 크롬산화물의 피크는 비교예 1에서 보다 2배 강한 세기를 갖는 것으로 나타났다.
즉, 실시예 1에서 보호막 패턴은 크롬산화물 및 크롬질화물이 혼합되어 형성되는 것을 알 수 있다. 또한 산소가스의 유량을 질소가스의 유량보다 작게 조절하였음에도 크롬산화물의 피크 세기가 보다 강하게 나타났다. 따라서, 보호막 패턴 형성을 위한 충분한 질화반응이 진행되기 위해서는 질소 가스의 유량을 산소 가스의 유량보다 5배 이상 높게 유지하는 것이 바람직하다.
보호막 패턴의 산성용액에 대한 내성 평가
크롬을 포함한 차광막 패턴 측부상에 본 발명의 실시예들에 따라 보호막 패턴을 형성하고 산성 용액 처리함으로써 상기 보호막 패턴의 식각 정도를 측정하였다.
전술한 공정들에 따라 차광막 패턴의 측부에 보호막 패턴이 형성된 실시예 2의 포토마스크를 제조하였다.
투명기판 상에 크롬을 포함하는 차광막 패턴 및 상기 차광막 패턴 상에 크롬산화물을 포함하는 반사방지막 패턴을 형성하였다. 이후 플라즈마 처리를 통해 상기 차광막 패턴 측부를 산소 가스 및 질소 가스와 반응시켜 보호막 패턴을 형성하였다. 구체적으로 상기 플라즈마 처리가 진행되는 챔버의 온도를 300℃로 유지하고 상기 산소 가스와 질소 가스의 유량은 각각 500sccm 및 3,000sccm으로 조절하였다.
한편 보호막 패턴 형성 공정을 수행하지 않은 비교예 2의 포토마스크를 제조하였다.
실시예 2 및 비교예 2의 포토마스크를 90℃의 황산 용액에 300분간 침지시켜 상기 보호막 패턴 및 상기 차광막 패턴의 선폭 변화를 측정하였고(실험예 1) 90℃의 황산용액에 200분간 침지시켜 상기 보호막 패턴 및 상기 차광막 패턴의 선폭변화를 측정하였다(실험예 2).
상기 실험예들에 따른 결과를 하기의 표 1에 나타낸다.
표 1
Figure 112010081881157-pat00001
표 1을 참조하면, 측부에 보호막 패턴이 형성되지 않은 비교예 2의 경우 차광막 패턴의 측벽이 실험예 1 및 실험예 2에서 각각 10nm 및 6nm 에 해당하는 두께만큼 식각된 것을 알 수 있다. 한편 실시예 1에서는 실험예 1 및 실험예 2에서 선폭변화가 0.04nm로 측정되어 보호막 패턴의 측부가 거의 식각되지 않은 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따라 보호막 패턴을 형성한 포토마스크의 경우 다수의 재생공정이 수행되더라도 포토마스크 패턴의 선폭 변화가 거의 없이 균일하게 유지됨을 알 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따르면, 포토마스크의 차광막 패턴의 측벽 상에 금속 산화물 및 질화물 혹은 금속 산질화물을 포함하는 보호막 패턴을 형성함으로써 포토마스크 패턴의 재생 공정시 산성 용액에 의해 포토마스크 패턴의 선폭이 감소하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 포토마스크를 반복 사용하더라도 반도체 소자 공정의 신뢰성이 감소하는 것을 방지할 수 있다.
100 : 투명 기판 110 : 차광막
115 : 차광막 패턴 120 : 반사방지막
125 : 반사방지막 패턴 135 : 보호막 패턴

Claims (10)

  1. 투명 기판 상에 순차적으로 적층된 차광막 패턴과 반사 방지막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 차광막 패턴의 측벽을 산화(oxidation) 및 질화(nitridation)시킴으로써 보호막 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 차광막 패턴의 측벽을 산화 및 질화시키는 단계는 산소(O2) 및 질소(N2) 가스를 반응가스로 사용하는 플라즈마 처리 공정에 의해 수행되고,
    상기 산소 가스 대비 상기 질소 가스의 혼합비는 5 내지 8인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 공정 수행시 챔버의 온도는 200℃ 내지 400℃ 범위로 유지되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 차광막 패턴은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 루비듐(Ru), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 보론 산화물(TaBO) 및 탄탈륨 보론 질화물(TaBN)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 차광막 패턴은 크롬(Cr)을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보호막 패턴은 크롬 산화물 및 크롬 질화물의 혼합물 혹은 크롬산질화물(CrNOx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반사 방지막 패턴은 크롬 산화물(CrOx), 크롬 질화물(CrNx), 티타늄질화물(TiN) 및 티타늄산화물(TiOx)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 보호막 패턴은 0.1 내지 50nm의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호막 패턴은 0.1 내지 5nm의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 방법.
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