JP2002072454A - ホトマスク及びその製造方法 - Google Patents
ホトマスク及びその製造方法Info
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Abstract
おいて、ホトマスクの遮光膜の側面から発生する反射光
により光学像のコントラストが劣化するのを防止する。 【解決手段】 ホトマスクの遮光膜の側面で、露光波長
に対する反射率が25%以下になるようにする。また、
光透過性基板に遮光膜のパターンを形成し、この遮光膜
の少なくとも側面に露光波長に対する反射率が25%以
下となるような反射防止膜を形成する。
Description
のリソグラフィ工程で用いられるホトマスク及びその製
造方法に関するものである。
ターンをシリコン基板上に形成するためにリソグラフィ
工程が使用される。リソグラフィ工程では、シリコン基
板上にレジストと呼ばれる感光性樹脂を塗布し、縮小投
影型露光装置を用いてホトマスク(またはフォトマス
ク)に予め形成された所定のパターンを焼きつけ、現像
工程を経て、レジストパターンを形成する。
r、MoSiなどの金属膜ないし金属珪化物を用いて所
定パターンが形成されている。図6は一般の縮小投影型
露光装置の原理図を示す。縮小投影型露光装置では、照
明光源60から照射光61が照射され、ホトマスク62
(レチクル)を透過した透過光63が投影レンズ65を
通して透過光66として被露光基板68(半導体ウェー
ハ)上に結像される。しかしながら、ホトマスク62を
透過した透過光63は、投影レンズ65の表面で反射さ
れて反射光64を生じ、また、投影レンズ65を透過し
た透過孔66は被露光基板68で反射されて反射光67
を生じる。そして、これらの反射光が再度ホトマスク6
2を下面から照射する。
射光の状況とを示す図である。図7において、ホトマス
ク62は、ガラス基板70の下面に遮光膜72を形成し
ている。照射光61がホトマスク62を透過したあと、
反射光64などが下面から反射されてくる。そのため、
遮光膜72に金属膜を用いた場合、金属膜は一般に露光
波長にたいする反射率が50%以上と高いために、投影
レンズ65や被露光基板68からの反射光がホトマスク
62下面で再度反射する。この再度の反射光は迷光74
となり、本来の結像に寄与せず、光学像のコントラスト
を低下させる問題点があった。
図で、図8(A)は単層型遮光膜を有するホトマスク、
図8(B)は2層型遮光膜を有するホトマスクの断面図
である。上述のような遮光膜の再反射を軽減するため
に、従来の図8(A)の単層型ホトマスクに代わり、最
近では図8(B)の2層型ホトマスクが用いられてい
る。図8(B)に示す2層型ホトマスク62は、ガラス
基板70の下面に遮光膜72と反射防止膜76とを2層
に形成している。具体例としては、例えば金属CrとC
rOxの2層構造が使用される。Cr表面にCr酸化膜
を形成することにより露光光に対する反射率を20%以
下まで低下させることができる。これによりウェーハ、
レンズからの反射光が迷光としてウェーハ面に到達し、
光学像のコントラストが低下するのを防いでいる。
縮小投影露光装置では、投影側NAの増大、σの増大、
投影倍率の低下等により、照明側NAが大きくなってい
る。例えば、4倍系で、投影側NA=0.7、σ=0.8
の場合、照明側NA=0.56/4=0.14 となる。このた
め、ホトマスクに入射する光の斜め成分の影響が無視出
来なくなっている。図9は従来の2層膜構造のホトマス
クの断面を示す。図9において、ホトマスク62は、ガ
ラス基板70の下面に遮光膜72(Cr遮光膜)、反射
防止膜76を形成している。ホトマスク62の遮光膜7
2が斜め光により照明されると、遮光膜72の側面から
反射光が迷光74として発生する。この反射光により光
学像のコントラストの劣化が発生するという問題があっ
た。また、図10に示すように、投影レンズや被露光基
板からの反射光64が遮光膜72の側面で反射されて迷
光74を生じるという問題点もあった。
光膜の側面から発生する反射光により光学像のコントラ
ストの劣化が発生するという問題を解決するためのもの
であり、ホトマスクの遮光膜の側面に、露光光の波長に
対して適合した反射防止膜を設けるものである。これに
より遮光膜側面からの反射光を低減し、光学像の劣化を
防止することができる。
程で用いられる ホトマスクであって、光透過性基板に
遮光膜のパターンを形成しこの遮光膜の側面の露光波長
に対する反射率を25%以下にしたものである。
フィ工程で用いられる ホトマスクであって、光透過性
基板に遮光膜のパターンを形成しこの遮光膜の少なくと
も側面に露光波長に対する反射率が25%以下となるよ
うな反射防止膜を形成したものである。
防止膜が金属酸化膜、金属窒化膜、金属珪化膜、または
これらの複合膜からなるものである。
は、リソグラフィ工程で用いられるホトマスクの製造方
法であって、光透過性基板に遮光膜のパターンを形成す
る工程と、前記遮光膜を含む前記光透過性基板の表面に
反射防止膜を形成し異方性エッチングにより前記反射防
止膜を選択的にエッチング除去し前記遮光膜の側面に反
射防止膜を残す工程とを含むものである。
は、リソグラフィ工程で用いられるホトマスクの製造方
法であって、光透過性基板に遮光膜のパターンを形成す
る工程と、前記遮光膜を酸化、窒化または珪化すること
によりその表面に反射防止膜を形成するものである。
は、窒素プラズマまたは酸素プラズマを含むプラズマに
より前記遮光膜の表面を窒化または酸化するものであ
る。
は、酸化性液体により前記遮光膜の表面を酸化するもの
である。
は、前記のいずれかに記載のホトマスクを用いて被露光
基板にマスクパターンを転写する工程を含むものであ
る。
実施の形態について説明する。 実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1におけるホ
トマスクの断面構造を示す図である。この実施の形態の
ホトマスク100は、ガラス基板70(光透過性基板)
の下面に遮光膜82、84を形成し、さらに遮光膜8
2、84の側面に、この実施の形態による反射防止膜8
0を形成している。遮光膜82は例えばCr、Mo、W
等の金属膜からなり、遮光膜84は例えばCrO、Mo
Si等の金属酸化物、珪化物の単層膜もしくは積層膜か
らなる。
は、露光波長例えば高圧水銀灯のg線、i線、レーザ光
源のKrF、ArF、F2等に対して、反射率が25%
以下の膜、例えばCrO、CrOF,MoSi、MoS
iON、WSi、WSiON等の金属酸化物、珪化物、
酸窒化物、あるいは酸窒化フッ化物などを用いる。
に、ホトマスク100の遮光膜82,84の側面に露光
波長の反射を防止する反射防止膜80を設けることによ
り、上方からの照射光61による遮光膜82,84側面
からの反射を低減することができ、また、下方からの反
射光64による遮光膜82,84側面からの反射光や迷
光74の反射を低減することができ、その結果として、
光学像の劣化を防止することができる。なお、遮光膜8
4は遮光膜82の下面の反射防止膜ととらえてもよい。
また、遮光膜84がなく遮光膜82のみの場合であって
もよい。
きる。この実施の形態における、リソグラフィ工程で用
いられる ホトマスク100は、光透過性基板70に遮
光膜82,84のパターンを形成しこの遮光膜の側面の
露光波長に対する反射率を25%以下にする。また、こ
の実施の形態におけるホトマスク100は、光透過性基
板70に遮光膜82,84のパターンを形成し、この遮
光膜の少なくとも側面に、露光波長に対する反射率が2
5%以下となるような反射防止膜80を形成する。ま
た、好ましくは、反射防止膜80は、金属酸化膜、金属
窒化膜、金属珪化膜、またはこれらの複合膜からなる。
2におけるホトマスクの製造方法のフローを示す。製造
工程について説明すると、先ず図3(A)に示すよう
に、合成石英などの透明な基板70に金属クロムによる
遮光膜82、酸化クロムによる遮光膜84の2層構造の
遮光膜を形成する。この基板70上に電子ビーム用レジ
ストをスピンコートする。この基板70に所定の半導体
回路パターンを電子ビーム描画装置を用いて描画し、現
像により所定のレジストパターンを形成する。次に、こ
のレジストパターンをマスクにエッチングを行なった
後、レジストを除去し、図3(B)に示すように、遮光
膜82,84に所定のパターンを形成する。
露光装置の露光波長例えば248nmや193nmに対
して反射率の低い、例えば反射率20%以下の膜を反射
防止膜80として形成する。膜は例えば遮光膜82,8
4と異なる材料としてMoSiO等の金属酸化膜や金属
酸窒化膜が使用される。成膜方法は真空蒸着、スパッタ
法、CVD法などが用いられる。
止膜80全面にRIEなどの異方性ドライエッチングを
用いて全面エッチバックを行なう。これにより、遮光膜
82,84の所定のパターンの側面に反射防止膜80を
形成することができる。なお、遮光膜84は遮光膜82
の下面の反射防止膜ととらえてもよい。また、遮光膜8
4がなく遮光膜82のみの場合であってもよい。
きる。この実施の形態における、リソグラフィ工程で用
いられるホトマスク100の製造方法では、光透過性基
板70に遮光膜82,84のパターンを形成する。そし
て、遮光膜82,84を含む光透過性基板70の表面に
反射防止膜80を形成し、異方性エッチングにより反射
防止膜80を選択的にエッチング除去し、遮光膜82,
84の側面に反射防止膜80を残す。
3におけるホトマスクの製造方法のフローを示す。この
実施の形態では、合成石英などの透明な基板70に金属
クロムの遮光膜82を形成する。この場合の遮光膜82
は、金属膜による高反射膜でも金属酸化物等による多層
構造の低反射膜でも適用可能である。
スピンコートする。この基板70に所定の半導体回路パ
ターンを電子ビーム描画装置を用いて描画し、現像によ
り所定のレジストパターンを形成する。次に、このレジ
ストパターンをマスクにエッチングを行なった後、レジ
ストを除去し、図4(B)に示すように、遮光膜82に
所定のパターンを形成する。次に、O2プラズマを用い
て遮光膜82としてのCr膜表面の酸化処理を行なう。
真空チャンバー内の電極ステージ上にホトマスク基板7
0を導入し、所定の圧力まで減圧した後、酸素ガスを導
入し、ホトマスク上方の対電極に電界をかけ酸素プラズ
マを発生させる。
属Cr表面を酸化させ露光波長に対して低反射率となる
所定の膜厚例えば10〜50nm程度の酸化Cr層を反
射防止膜86として形成する。この酸化層はCr膜側面
にも形成されるため側面の反射率も低減される。ここで
遮光膜82として単層Cr膜を用いたが、表面に酸化C
r層が形成されている2層構造の遮光膜でもよい。ま
た、ここでは酸素プラズマを用いて酸化膜層を形成した
が、フッ化膜、窒化膜を形成しても同様の効果を得るこ
とが出来る。また、プラズマ処理ではなく過酸化水素水
等の溶液を用いて液体処理によっても酸化膜層を形成す
ることが出来る。
きる。この実施の形態における、リソグラフィ工程で用
いられるホトマスク100の製造方法では、光透過性基
板70に遮光膜82のパターンを形成する。そして、遮
光膜82を酸化、窒化または珪化することによりその表
面に反射防止膜86を形成する。また、好ましくは、遮
光膜82の表面を窒素プラズマまたは酸素プラズマを含
むプラズマにより窒化または酸化する。また、好ましく
は、遮光膜82の表面を酸化性液体により酸化する。
以上の各実施の形態で例示された本発明のホトマスクあ
るいはその製造方法を利用した、半導体装置の製造方法
にかかるものである。ホトマスクのマスクパターンを縮
小露光装置によりウェーハに転写し、半導体装置を製造
するプロセスについては既に知られた方法を用いるので
詳細は省略する。
てパターン形成を行なった場合のコントラストのフォー
カス依存性をシミュレーションした結果を示す。すなわ
ち、デーフォーカス時のコントラスト低下のシミュレー
ションである。図5において、この発明のホトマスクを
用いた場合を曲線Aで、従来のホトマスクを用いた場合
を曲線Bで示す。図5から明らかなように、本発明によ
るホトマスクを適用することによりパターン形成時の光
学像のコントラストを改善することができる。
グラフィ工程で用いられるホトマスクの遮光膜の側面
に、露光波長に適合した反射防止膜を設けるようにした
ので、遮光膜側面からの反射光を低減し、光学像の劣化
を防止することができる。
構造を示す断面図。
効果を説明する断面図。
製造方法を示すフロー図。
製造方法を示すフロー図。
ン形成を行なった場合のデーフォーカス時のコントラス
ト低下のシミュレーション結果を示す図。
ための図。
ク構造を示す図。
ための図。
るための他の図。
膜、 84、86 反射防止膜、 100 ホトマス
ク。
Claims (8)
- 【請求項1】 リソグラフィ工程で用いられる ホトマ
スクであって、光透過性基板に遮光膜のパターンを形成
しこの遮光膜の側面の露光波長に対する反射率を25%
以下にしたことを特徴とするホトマスク。 - 【請求項2】 リソグラフィ工程で用いられる ホトマ
スクであって、光透過性基板に遮光膜のパターンを形成
しこの遮光膜の少なくとも側面に露光波長に対する反射
率が25%以下となるような反射防止膜を形成したこと
を特徴とするホトマスク。 - 【請求項3】 前記反射防止膜が金属酸化膜、金属窒化
膜、金属珪化膜、またはこれらの複合膜からなることを
特徴とする請求項1または2に記載のホトマスク。 - 【請求項4】 リソグラフィ工程で用いられるホトマス
クの製造方法であって、 光透過性基板に遮光膜のパターンを形成する工程と、 前記遮光膜を含む前記光透過性基板の表面に反射防止膜
を形成し異方性エッチングにより前記反射防止膜を選択
的にエッチング除去し前記遮光膜の側面に反射防止膜を
残す工程とを含むことを特徴とするホトマスクの製造方
法。 - 【請求項5】 リソグラフィ工程で用いられる ホトマ
スクの製造方法であって、 光透過性基板に遮光膜のパターンを形成する工程と、 前記遮光膜を酸化、窒化または珪化することによりその
表面に反射防止膜を形成する工程とを含むことを特徴と
するホトマスクの製造方法。 - 【請求項6】 窒素プラズマまたは酸素プラズマを含む
プラズマにより前記遮光膜の表面を窒化または酸化する
ことを特徴とする請求項5に記載のホトマスクの製造方
法。 - 【請求項7】 酸化性液体により前記遮光膜の表面を酸
化することを特徴とする請求項5に記載のホトマスクの
製造方法。 - 【請求項8】 請求項1〜4のいずれかに記載のホトマ
スクを用いて被露光基板にマスクパターンを転写する工
程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000265677A JP3359620B2 (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | ホトマスクの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP3359620B2 JP3359620B2 (ja) | 2002-12-24 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002156743A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
JP2006519420A (ja) * | 2003-03-03 | 2006-08-24 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | ウェハ上のフォトレジストを減衰位相シフトマスクを使用してパターニングする方法 |
JP5054766B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-10-24 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
KR101679721B1 (ko) | 2010-12-13 | 2016-11-28 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크 및 그 제조 방법 |
-
2000
- 2000-09-01 JP JP2000265677A patent/JP3359620B2/ja not_active Expired - Fee Related
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