JP2001022048A - 遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク - Google Patents

遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク

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JP2001022048A
JP2001022048A JP19312899A JP19312899A JP2001022048A JP 2001022048 A JP2001022048 A JP 2001022048A JP 19312899 A JP19312899 A JP 19312899A JP 19312899 A JP19312899 A JP 19312899A JP 2001022048 A JP2001022048 A JP 2001022048A
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Nobuhiko Fukuhara
信彦 福原
Tadashi Matsuo
正 松尾
Takashi Haraguchi
崇 原口
Koichiro Kanayama
浩一郎 金山
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Toppan Printing Co Ltd
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及
びハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程数を減ら
し、高精度な位相差と透過率制御が可能な遮光領域つき
ハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的
とする。 【解決手段】透明基板１上に遮光領域膜厚と同じ膜厚を
有する酸化ジルコニウム膜からなるハーフトーン兼遮光
層２を反応性スパッタ等で形成し、ドライエッチング等
にてパターニング処理して遮光領域２ａ及び半透明層２
ｃを形成する。さらに、半透明層２ｃをパターニング処
理して、透明基板１上に遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ
及び開口部３を有する本発明の遮光領域つきハーフトー
ン型位相シフトマスク１０を得る。必要に応じて、開口
部３の透明基板１をドライエッチング等により所定の深
さエッチングして位相差調整用堀り込み部４を設け本発
明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク２０
を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の製造に
用いられる遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマス
クに関するものである。さらに詳しくは、従来のフォト
マスクと同様に投影露光装置で用いることができ、従来
のフォトマスクを用いた場合に比べパターンの解像力を
向上させることができる遮光領域つきハーフトーン型位
相シフトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトマスクでは、微細なパター
ンの投影露光に際し近接したパターンにおいては、マス
クの光透過部を通過した光が回折し、干渉し合うことに
よって、パターン境界部での光強度を強め合い、ウェハ
ー上のレジストが感光して、転写されたパターンが分離
解像しないという問題が生じていた。この現象は線幅が
露光波長に近い微細なパターンほどその傾向が強く、従
来のフォトマスクと従来の露光光学系においては光源の
波長以下の微細なパターンを解像することは困難であっ
た。そこで、マスクの隣接するパターンを透過する投影
光の位相に互いに１８０度の位相差をもたせることによ
り微細パターンの解像力を向上させるという、位相シフ
ト技術が開発された。すなわち、隣接する光透過部の片
側に位相シフト部を設けることにより、透過光が回折し
干渉し合う際、位相が反転しているために境界部の光強
度を弱め合い、その結果転写パターンは分離解像するよ
うになる。この関係は焦点の前後でも成り立っているた
め、焦点が多少ずれていても解像度は従来の露光法より
も向上し、焦点裕度が改善される。
【０００３】上記のような位相シフト技術を用いるフォ
トマスクには、遮光パターンに隣接する開口部の片側に
位相シフト部を設けて位相反転させるLevenson型位相シ
フトマスク（またはAlternative type位相シフトマス
ク）、遮光層にわずかな透光性を与え半透明層とすると
同時に、この半透明層によって透過光の位相を反転させ
るハーフトーン型位相シフトマスク（またはAttenuated
type位相シフトマスク）、さらに、ハーフトーン型位
相シフトマスクのサイドローブ（サブピーク）の影響を
抑える為に半透明パターンの中央部に遮光層を設け、パ
ターンの周辺部のみ開口部との位相を反転させる遮光領
域つきハーフトーン型位相シフトマスク等が提案されて
いる。
【０００４】ハーフトーン型位相シフトマスクは、上記
のように位相シフト効果及び透過率制御効果を持たせた
半透明層をパターニングして作製される単層型ハーフト
ーンマスクと半透明膜による透過率制御層と位相シフト
層を別々に積層してマスクブランクとした後、マスクパ
ターンを形成する２層型ハーフトーンマスクの２種類が
今までに提案されている。
【０００５】単層ハーフトーン型位相シフトマスクの例
は、例えば文献１（第３８回春季応用物理学会予稿集第
２分冊、２９ｐ−ｚｃ−３、ｐ５３５（１９９１））に
述べられている。半透明層の空気層に対する位相差Φ
（度）は一般に次の（１）式で表される。 Φ＝360×（ｎ−１）ｄ／λ………（１） （ｄ：半透明層の膜厚、ｎ：半透明層の屈折率、λ：露
光波長） 解像度向上効果を最大にするためには、Φを事実上180
度にする必要がある。 従って、ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝………（２） の関係が成り立つような半透明層を形成すればよい。
【０００６】また、半透明層の空気層に対する透過率Ｔ
（％）は次の（３）式で表わされる。 Ｔ＝ｔ×ｔ*×ｎｓ×１００………（３） ｔ＝２／（ｍ１＋ｍ２×ｎｓ＋ｍ３＋ｍ４×ｎｓ） ｍ１＝ｍ４＝ｃｏｓδ ｍ２＝ｓｉｎδ／（ｎ−ｋ×Ｉ）Ｉ ｍ３＝ｓｉｎδ×（ｎ−ｋ×Ｉ）Ｉ δ＝２π（ｎ−ｋ×Ｉ）ｄ／λ （ｄ：半透明層の膜厚、ｎ：半透明層の屈折率、λ：露
光波長） （ｎｓ：基板の屈折率、ｔ*：ｔの複素共役、Ｉ：虚数
単位） 一般に、半透明層の透過率は通常８％程度の透過率がも
っとも解像性向上効果があるとされるが、露光条件やウ
ェハー上のレジストプロセスによっても微妙に異なって
くる。
【０００７】遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマ
スクは、上記ハーフトーン型位相シフトマスクをリソグ
ラフィー工程で用いる際に、半透明パターンがわずかに
透過性が与えられているためにプロセスによってサイド
ローブ（サブピーク）が生じ、所望のパターン以外の部
位が感光してしまう現象を防ぐために提案されたもので
ある。一般には、半透明パターンの中央部を遮光層で覆
うことでサイドローブ（サブピーク）の発生を抑えるも
のである。
【０００８】遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマ
スクは、半透明層と位相シフト層を別々に積層した２層
膜もしくは位相シフト効果も持たせた半透明層の単層膜
（以下、両者を総じてハーフトーン位相シフト層と称
す）に遮光層を積層することで遮光層つきハーフトーン
型位相シフトマスク用ブランクとし、次に、上記遮光層
つきハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの遮光
層をパターニングし、遮光層パターンを形成し、その遮
光層パターンをマスクにして位相シフト層のパターニン
グを行い位相シフトパターン１０２を形成し、再度遮光
層パターンをパターニングして遮光層パターン１０３を
形成して遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク
１００を作製するのが一般的である（図１３参照）。
【０００９】上記遮光層は、スパッタリング法等で成膜
されたＣｒ薄膜が一般的である。また、ハーフトーン位
相シフト層は、金属や金属化合物を通常のＡｒなどの不
活性ガスに酸素（Ｏ2）や窒素（Ｎ2）などの反応性ガス
を添加した反応性スパッタリング法を用いて形成される
のが一般的である。
【００１０】遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマ
スクは、石英などに代表される透明基板上に異なる材質
もしくは組成を有するハーフトーン位相シフト層と遮光
層とを順次積層し、遮光層及びハーフトーン位相シフト
層をパターニング処理して作製する。上記工程はブラン
ク及びマスク作製工程で工程数が増えるため、遮光領域
つきハーフトーン型位相シフトマスクの製造歩留まりを
低下させる原因となっている。
【００１１】また、反応性スパッタリングの成膜工程で
はよく知られているように、ヒステリシス現象が発生
し、一般に再現性よく膜質を制御することが難しいこと
も遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクの製造
歩留まりを低下させる原因となっている。
【００１２】今後ともＬＳＩの設計寸法の微細化は進展
していくと考えられ、それとともに遮光領域つきハーフ
トーン型位相シフトマスクには、より高精度な位相差と
透過率の制御が要求されていくと考えられる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑み考案されたもので、ハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製
造工程数を減らし、高精度な位相差と透過率制御が可能
な遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクを提供
することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、透明基板
上に露光波長に対して透明な開口部と、位相を反転させ
る特性を有する半透明領域と、露光光の透過を遮る遮光
領域とを有するハーフトーン型位相シフトマスクにおい
て、前記半透明領域及び前記遮光領域は同一組成の薄膜
で形成されており、前記半透明領域は前記薄膜の膜厚を
調整することにより形成されていることを特徴とする遮
光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクとしたもの
である。
【００１５】また、請求項２においては、前記半透明領
域及び前記遮光領域を形成している前記薄膜は酸化ジル
コニウムシリサイド膜であることを特徴とする請求項１
記載の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクと
したものである。
【００１６】また、請求項３においては、請求項１又は
２に記載の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマス
クの前記開口部の前記透明基板に位相差調整用堀り込み
部を設けたことを特徴とする遮光領域つきハーフトーン
型位相シフトマスクとしたものである。
【００１７】また、請求項４においては、あらかじめ前
記透明基板の所定位置に所定形状の掘り込みを設け、前
記掘り込み及びその周辺に前記薄膜を形成して前記半透
明領域及び前記遮光領域を形成したことを特徴とする請
求項１又は２に記載の遮光領域つきハーフトーン型位相
シフトマスクとしたものである。
【００１８】また、請求項５においては、請求項４記載
の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクの前記
開口部の前記透明基板に位相差調整用堀り込み部を設け
たことを特徴とする遮光領域つきハーフトーン型位相シ
フトマスクとしたものである。
【００１９】また、請求項６においては、請求項１又は
２に記載の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマス
クの前記半透明領域及び前記遮光領域上に位相シフト層
を設けたことを特徴とする遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスクとしたものである。
【００２０】また、請求項７においては、請求項６記載
の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクの前記
開口部の前記透明基板に位相差調整用堀り込み部を設け
たことを特徴とする遮光領域つきハーフトーン型位相シ
フトマスクとしたものである。
【００２１】また、請求項８においては、前記透明基板
上の所定位置に位相シフト層を形成し、前記位相シフト
層上に前記半透明領域及び前記遮光領域を設けたことを
特徴とする請求項１又は２に記載の遮光領域つきハーフ
トーン型位相シフトマスクとしたものである。
【００２２】さらにまた、請求項９においては、請求項
８記載の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク
の前記開口部の前記透明基板に位相差調整用堀り込み部
を設けたことを特徴とする遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスクとしたものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１〜図８に本発明の遮光領域つきハーフトー
ン型位相シフトマスクの実施例の構造を示す模式断面図
を示す。本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスクの半透明領域及び遮光領域は同一組成の薄膜
（以下、ハーフトーン兼遮光層と称す）で形成されてお
り、半透明領域はハーフトーン兼遮光層の膜厚を調整し
て形成する。さらに、ハーフトーン兼遮光層はジルコニ
ウムシリサイド膜で形成されている。
【００２４】図１は、透明基板１上に位相を反転させる
特性を有する半透明領域２ｂと、露光光の透過を遮る遮
光領域２ａと、露光波長に対して透明な開口部３とを有
する遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク１０
としたものである。
【００２５】図２は、上記遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク１０の開口部３の透明基板１に位相差
調整用堀り込み部４を設けて遮光領域つきハーフトーン
型位相シフトマスク２０としたものである。
【００２６】図３は、透明基板１の所定位置に彫り込み
５を形成し、さらに彫り込み５に遮光領域２ａを、透明
基板上に半透明領域２ｂを形成し、露光波長に対して透
明な開口部３を有する遮光領域つきハーフトーン型位相
シフトマスク３０としたものである。
【００２７】図４は、上記遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク３０の開口部３の透明基板に位相差調
整用堀り込み部４を設けて遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク４０としたものである。
【００２８】図５は、上記遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク１０の遮光領域２ａ及び半透明領域２
ｂ上に透明な位相シフト層６ａを設け、露光波長に対し
て透明な開口部３を有する遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク５０としたものである。
【００２９】図６は、上記遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク５０の開口部３の透明基板に位相差調
整用堀り込み部４を設けて遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク６０としたものである。
【００３０】図７は、透明基板１の所定位置に透明な位
相シフト層７ａを設け、さらに位相シフト層７ａ上に遮
光領域２ａ及び半透明領域２ｂを形成し、露光波長に対
して透明な開口部３を有する遮光領域つきハーフトーン
型位相シフトマスク７０としたものである。
【００３１】図８は、上記遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク７０の開口部３の透明基板に位相差調
整用堀り込み部４を設けて遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク８０としたものである。
【００３２】図１〜図８の遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスクの遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及び
透明性の位相シフト層は、通過する露光光の透過率が露
光条件やウェハー上のレジストプロセスに応じて最大の
解像性向上をもたらすように、各層の膜厚を調整するこ
とによって得られる。
【００３３】ここで、遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及
び透明性の位相シフト層を通過する露光光の透過率は、
これらの層と透明基板の光学定数（屈折率、消衰係数）
及び露光雰囲気（通常は空気）の屈折率に依存した各層
内での多重干渉の結果として決まり、各層の膜厚に対し
て周期的に変化する。尚、薄膜の干渉理論については例
えば文献２（金原栄著、薄膜、（裳華房）p.197）など
に詳しく述べられており、あらかじめ上記の構成材料の
光学定数を求めておけば、各層の膜厚の調整量に応じた
最終的な透過率は理論計算で予測することが可能であ
る。
【００３４】以下遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスクの製造法について述べる。遮光領域つきハーフ
トーン型位相シフトマスク１０及び２０の場合、まず、
透明基板１上に、式（２）及び式（３）を用いて目標と
なる位相差及び透過率より遮光領域及び半透明領域に必
要な光学定数（ｎ：屈折率、ｋ：消衰係数）、半透明領
域膜厚そして遮光領域膜厚を予め計算し、遮光領域膜厚
と同じ膜厚を有する酸化ジルコニウム膜からなるハーフ
トーン兼遮光層２を反応性スパッタ等で形成する（図９
（ａ）参照）。
【００３５】次に、電子線リソグラフィー等を用いてハ
ーフトーン兼遮光層２の所定位置にレジストパターンを
形成し、レジストパターンをマスクにしてドライエッチ
ング等によりハーフトーン兼遮光層２を所定の深さエッ
チングして遮光領域２ａ及び半透明層２ｃを形成する
（図９（ｂ）参照）。
【００３６】次に、遮光領域２ａ及び半透明層２ｃ上に
レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスク
にしてドライエッチング等により半透明層２ｃをエッチ
ングして、透明基板１上に遮光領域２ａ、半透明領域２
ｂ及び開口部３を有する本発明の遮光領域つきハーフト
ーン型位相シフトマスク１０が得られる（図９（ｃ）参
照）。
【００３７】さらに、遮光領域つきハーフトーン型位相
シフトマスク１０の開口部３の透明基板１をドライエッ
チング等により所定の深さエッチングして位相差調整用
堀り込み部４を設けた本発明の遮光領域つきハーフトー
ン型位相シフトマスク２０を得ることができる（図９
（ｄ）参照）。この場合、開口部３の透明基板１を掘り
込むことによって位相差を稼ぐことができるので、遮光
領域つきハーフトーン型位相シフトマスク１０よりも消
衰係数ｋの大きなハーフトーン兼遮光層を用いて膜厚を
薄くすることが可能である。また、消衰係数ｋの大きな
ハーフトーン兼遮光層を用いることにより透明基板の掘
り込み量を小さくすることも可能である。
【００３８】遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマ
スク３０及び４０の場合、まず、式（２）及び式（３）
を用いて目標となる位相差及び透過率より遮光領域及び
半透明領域に必要な光学定数（ｎ：屈折率、ｋ：消衰係
数）、半透明領域膜厚及び遮光領域膜厚を予め計算し、
遮光領域膜厚から半透明領域膜厚を差し引いた膜厚分の
深さだけ透明基板１をドライエッチング等で堀込むこと
により堀込み５を形成する（図１０（ａ）参照）。
【００３９】次に、透明基板１及び堀込み５上に酸化ジ
ルコニウム膜からなるハーフトーン兼遮光層を成膜し、
透明基板１の堀込み５に遮光領域２ａを、その他の透明
基板１上に半透明層２ｃを形成する（図１０（ｂ）参
照）。この時の半透明層２ｃの透過率及び位相差は、後
工程によってハーフトーン兼遮光層の膜厚を調整するこ
とで最適化できるので、目標の値と差があってもよい。
【００４０】次に、電子線リソグラフィー等を用いて透
明基板１の遮光領域２ａ及び半透明層２ｃ上にレジスト
パターンを形成し、レジストパターンをマスクにしドラ
イエッチング等により半透明層２ｃをエッチングしてパ
ターニングすることにより、透明基板１に遮光領域６
ａ、半透明領域６ｂ及び開口部３を有する本発明の遮光
領域つきハーフトーン型位相シフトマスク３０が得られ
る。
【００４１】さらに、遮光領域つきハーフトーン型位相
シフトマスク３０の開口部３の透明基板１をドライエッ
チング等により所定の深さエッチングして位相差調整用
堀り込み部４を設けることにより本発明の遮光領域つき
ハーフトーン型位相シフトマスク４０を得ることができ
る。この場合、開口部３の透明基板１を掘り込むことに
よって位相差を稼ぐことができるので、遮光領域つきハ
ーフトーン型位相シフトマスク３０よりも消衰係数ｋの
大きなハーフトーン兼遮光層を用いて膜厚を薄くするこ
とが可能である。また、消衰係数ｋの大きなハーフトー
ン兼遮光層を用いることにより透明基板の掘り込み量を
小さくすることも可能である。
【００４２】遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマ
スク５０及び６０の場合、まず、遮光領域つきハーフト
ーン型位相シフトマスク１０’（図１０（ａ）参照）の
透明基板１、遮光領域２ａ及び半透明領域２ｂ上に反応
性スパッタリング等により透明性の位相シフト層６を形
成する（図１０（ｂ）参照）。
【００４３】次に、電子線リソグラフィー等を用いて透
明性の位相シフト層６の所定位置にレジストパターンを
形成し、レジストパターンをマスクにしてドライエッチ
ング等により透明性の位相シフト層６をエッチングし
て、遮光領域２ａ及び半透明遮光領域２ｂ上に位相シフ
ト層６ａを形成し、透明基板１に遮光領域２ａ、半透明
遮光領域２ｂ、位相シフト層６ａ及び開口部３を有する
本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク
５０を得ることができる（図１１（ｃ）参照）。
【００４４】さらに、遮光領域つきハーフトーン型位相
シフトマスク５０の開口部３の透明基板１をドライエッ
チング等により所定の深さエッチングして位相差調整用
堀り込み部４を設けることにより本発明の遮光領域つき
ハーフトーン型位相シフトマスク６０を得ることができ
る。この場合、開口部３の透明基板１を掘り込むことに
よって位相差を稼ぐことができるので、遮光領域つきハ
ーフトーン型位相シフトマスク５０よりも消衰係数ｋの
大きなハーフトーン兼遮光層を用いて膜厚を薄くするこ
とが可能である。また、消衰係数ｋの大きなハーフトー
ン兼遮光層を用いることにより透明基板の掘り込み量を
小さくすることも可能である。
【００４５】遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマ
スク７０及び８０の場合、まず、式（２）及び式（３）
を用いて目標となる位相差及び透過率よりハーフトーン
兼遮光層に必要な光学定数（ｎ：屈折率、ｋ：消衰係
数）、半透明領域膜厚、遮光領域膜厚そして透明性の位
相シフト層膜厚を予め計算し、透明基板１上に透明性の
位相シフト層７及び遮光領域膜厚と同じ膜厚を有するハ
ーフトーン兼遮光層２を反応性スパッタ等で順次形成す
る（図１２（ａ）参照）。
【００４６】次に、電子線リソグラフィー等を用いてハ
ーフトーン兼遮光層２の所定位置にレジストパターンを
形成し、レジストパターンをマスクにしてドライエッチ
ング等によりハーフトーン兼遮光層２を所定の深さエッ
チングして遮光領域２ａ及び半透明層２ｃを形成する
（図１２（ｂ）参照）。
【００４７】次に、遮光領域２ａ及び半透明層２ｃ上に
所定形状のレジストパターンを形成し、レジストパター
ンをマスクにしてドライエッチング等により半透明層２
ｃをエッチングして透明性の位相シフト層７上に遮光領
域２ａ及び半透明領域２ｂを形成する（図１２（ｃ）参
照）。
【００４８】最後に、遮光領域２ａ及び半透明領域２ｂ
をマスクにしてドライエッチング等により透明性の位相
シフト層７をエッチングして位相シフト層７ａを形成
し、透明基板１に位相シフト層７ａ、遮光領域２ａ、半
透明領域２ｂ及び開口部３からなる本発明の遮光領域つ
きハーフトーン型位相シフトマスク７０を得ることがで
きる。
【００４９】さらに、遮光領域つきハーフトーン型位相
シフトマスク７０の開口部３の透明基板１をドライエッ
チング等により所定の深さエッチングして位相差調整用
堀り込み部４を設けることにより本発明の遮光領域つき
ハーフトーン型位相シフトマスク８０を得ることができ
る。この場合、開口部３の透明基板１を掘り込むことに
よって位相差を稼ぐことができるので、遮光領域つきハ
ーフトーン型位相シフトマスク７０よりも消衰係数ｋの
大きなハーフトーン兼遮光層を用いて膜厚を薄くするこ
とが可能である。また、消衰係数ｋの大きなハーフトー
ン兼遮光層を用いることにより透明基板の掘り込み量を
小さくすることも可能である。
【００５０】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク
は波長λ＝１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用い
て、透過率の目標値は６±０．３%或いは８±０．３%、
位相差の目標値は１８０±２度とした。
【００５１】＜実施例１＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１上にスパッタガスとしてＡｒ
ガスにＯ2ガスを添加した反応性スパッタリングによ
り、Ｏ2ガスの添加量、成膜時のガス圧力、印加電力等
を調整してｎ＝２．０５、ｋ＝０．３８となる成膜条件
を導出し、ＺｒＳｉＯ膜からなる膜厚１７５０Åのハー
フトーン兼遮光層２を形成した
【００５２】次に、電子線リソグラフィーを用いてハー
フトーン兼遮光層２の所定位置にレジストパターンを形
成し、レジストパターンをマスクにして、ＢＣｌ3ガス
にＯ2ガスを添加したエッチングガスを用いたドライエ
ッチングによりハーフトーン兼遮光層２を７３１Åエッ
チングして膜厚１７５０Åの遮光領域２ａ及び膜厚９１
９Åの半透明層２ｃを形成した。
【００５３】次に、遮光領域２ａ及び半透明層２ｃの所
定位置に度電子線リソグラフィーを用いてレジストパタ
ーンを形成し、レジストパターンをマスクにして、ＢＣ
ｌ3ガスにＯ2ガスを添加したエッチングガスを用いたド
ライエッチングにより半透明層２ｃをエッチングして、
透明基板１上に膜厚１７５０Åの遮光領域２ａ、膜厚９
１９Åの半透明領域２ｂ及び透明な開口部３が形成され
た本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマス
ク１０が得られた。
【００５４】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク１０の半透明領域２ｂの位相差、透過率及び遮
光領域２ａの透過率をエリプソメーターで測定したとこ
ろ、それぞれ半透明領域２ｂの位相差：１８０度、透過
率：７．９％及び遮光領域２ａの透過率：１．０％を示
し目標を達成した。
【００５５】＜実施例２＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１上に実施例１と同様な工程で
遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及び透明な開口部３が形
成された遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク
１０’を作製し、半透明領域２ｂの位相差、透過率及び
遮光領域２ａの透過率をエリプソメーターで測定したと
ころ、それぞれ半透明領域２ｂの位相差：１７７度、透
過率：７．９％及び遮光領域２ａの透過率：１．０％を
示し、半透明領域の位相差が目標の１８０度に達しなか
った。原因はハーフトーン兼遮光層２の成膜バラツキに
よるものと考えられる。
【００５６】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク１０’の遮光領域２ａ及び半透明領域２ｂをマ
スクにし開口部３の透明基板をＣＦ4をエッチングガス
とする低パワーのドライエッチングにて所定の深さエッ
チングして位相差調整用堀り込み部位相差調整用堀り込
み部４を形成し、透明基板１上に遮光領域２ａ、半透明
領域２ｂ及び位相差調整用堀り込み部４からなる本発明
の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク２０が
得られた。ここで、ＺｒＳｉＯ膜からなる遮光領域２ａ
及び半透明領域２ｂはフッ素系のエッチングガスによる
エッチングレートは極めて小さいため、遮光領域２ａ及
び半透明領域２ｂをマスクにして透明基板１をエッチン
グして位相差調整用堀り込み部４を形成しても遮光領域
２ａ及び半透明領域２ｂの光学特性が変化するようなこ
とはない。
【００５７】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク２０の半透明領域２ａの位相差を測定したとこ
ろ１８０度であり目標を達成した。この様に、開口部３
の透明基板１に所定の深さの位相差調整用堀込み部を形
成することにより、容易に半透明領域の位相差を調整で
きる。
【００５８】＜実施例３＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１の所定位置にレジストパター
ンを形成し、このレジストパターンをマスクにして希薄
な緩衝フッ酸液を用いて透明基板１をエッチングして深
さ７３１Åの掘り込み５を形成した。
【００５９】次に、実施例１と同様な方法で掘り込み５
を形成した透明基板１上に掘り込み５底部から３０００
Åの厚さのＺｒＳｉＯ膜からなるハーフトーン兼遮光層
２を成膜した。一般に、掘り込みを形成した透明基板上
に成膜した場合、成膜後の掘り込み周辺の薄膜断面形状
は図１０（ｂ）に示すようになり、最終的なパターン面
を平坦にし、且つハーフトーン兼遮光層膜厚の調整が容
易になるように、計算によって得られた遮光領域膜厚
（１７５０Å）より厚く（３０００Å）成膜している。
最終的に形成される遮光領域及び半透明領域の平坦度及
び膜厚は後工程にて調整できるので、目標の値と差があ
っても構わない。
【００６０】次に、電子線リソグラフィーにてハーフト
ーン兼遮光層２上の所定位置にレジストパターンを形成
し、最初このレジストパターンをマスクにして、ＢＣｌ
3ガスにＯ2ガスを添加したエッチングガスを用いたドラ
イエッチングによりハーフトーン兼遮光層２をパターニ
ングした。この時点でレジストパターンはわずかに残っ
ているが、さらにエッチングを進めて半透明領域２ｂの
膜厚が９１９Åになった時点でエッチングを終了し、透
明基板１上に膜厚１７５０Åの遮光領域２ａ、膜厚９１
９Åの半透明領域２ｂ及び透明な開口部３を有する遮光
領域つきハーフトーン型位相シフトマスク３０が得られ
た。ここで、ドライエッチングの条件をＯ2ガスの添加
量、エッチング時のガス圧力、印加電力を変更すること
でハーフトーン兼遮光層２とレジストパターンとの選択
比が１に近くなるような条件を導出し、レジストパター
ン膜厚が２０００Åになるようにした。
【００６１】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク３０の半透明領域２ｂの位相差及び透過率と遮
光領域２ａの透過率を測定したところ、半透明領域２ｂ
の位相差：１８０度、透過率：７．９％、遮光領域２ａ
の透過率：１．０％であり目標を達成した。
【００６２】＜実施例４＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１上に実施例３と同様な工程で
掘り込み５を形成し、遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及
び透明な開口部３を形成した遮光領域つきハーフトーン
型位相シフトマスク３０’を作製し、半透明領域２ｂの
位相差及び透過率と遮光領域２ａの透過率をエリプソメ
ーターで測定したところ、半透明領域２ｂの位相差：１
７７度、透過率：７．９％、遮光領域２ａの透過率：
１．０％であり、半透明領域２ｂの位相差以外は目標を
達成した。なお、半透明領域２ｂの位相差が目標に達し
なかった原因はハーフトーン兼遮光層２をエッチングし
て半透明領域２ｂ及び遮光領域２ａを形成する際のエッ
チングバラツキによるものと考えられる。
【００６３】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク３０’の遮光領域２ａ及び半透明領域２ｂをマ
スクにして開口部３の透明基板をＣＦ4をエッチングガ
スとする低パワーのドライエッチングにて所定の深さエ
ッチングして位相差調整用堀り込み部４を形成し、透明
基板１上に遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及び位相差調
整用堀り込み部４からなる本発明の遮光領域つきハーフ
トーン型位相シフトマスク４０が得られた。
【００６４】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク４０の半透明領域２ｂの位相差を測定したとこ
ろ、１８０度を示し目標を達成した。この様に、遮光領
域つきハーフトーン型位相シフトマスク３０の状態で半
透明領域２ｂの位相差が１８０度よりずれていても、透
明基板の開口部に位相差調整用堀り込み部を形成するこ
とにより、容易に半透明領域の位相差を調整できる。
【００６５】＜実施例５＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１上にスパッタガスとしてＡｒ
ガスにＯ2ガスを添加した反応性スパッタリング法に
て、Ｏ2ガスの添加量、成膜時のガス圧力、印加電力等
を調整して、ｎ＝１．０５、ｋ＝１．６１７となる成膜
条件を導出し、ＺｒＳｉＯ膜からなる膜厚４０１Åのハ
ーフトーン兼遮光層２を形成した。
【００６６】次に、電子線リソグラフィーにてハーフト
ーン兼遮光層２上の所定位置にレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクにしてＢＣｌ3ガスにＯ2
ガスを添加したエッチングガスを用いたドライエッチン
グによりハーフトーン兼遮光層２を１９８Åエッチング
して膜厚４０１Åの遮光領域２ａ及び膜厚２０３Åの半
透明層２ｃ形成した。
【００６７】次に、遮光領域２ａ及び半透明層２ｃの所
定位置に度電子線リソグラフィーを用いてレジストパタ
ーンを形成し、レジストパターンをマスクにして、ＢＣ
ｌ3ガスにＯ2ガスを添加したエッチングガスを用いたド
ライエッチングにより半透明層２ｃをエッチングして、
透明基板１上に膜厚４０１Åの遮光領域２ａ、膜厚２０
３Åの半透明領域２ｂ及び透明な開口部３が形成された
遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク１０’を
作製した。
【００６８】次に、スパッタガスとしてＡｒガスにＯ2
ガスを添加した反応性スパッタリング法にて、Ｏ2ガス
の添加量、成膜時のガス圧力、印加電力等を調整して、
ｎ＝２．２２９、ｋ＝０．１２４となる成膜条件を導出
し、ＺｒＳｉＯ膜からなる膜厚７６３Åの位相シフト層
６を形成した。
【００６９】次に、位相シフト層６上の所定位置に度電
子線リソグラフィーを用いてレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクにして、ＢＣｌ3ガスに
Ｏ2ガスを添加したエッチングガスを用いたドライエッ
チングにより位相シフト層６をエッチングして、透明基
板１に膜厚４０１Åの遮光領域２ａ及び膜厚２０３Åの
半透明領域２ｂ、膜厚７６３Åの位相シフト層６ａ及び
透明な開口部３が形成されたリム型の本発明の遮光領域
つきハーフトーン型位相シフトマスク５０が得られた。
【００７０】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク５０の半透明領域２ｂの位相差、透過率及び遮
光領域２ａの透過率をエリプソメーターで測定したとこ
ろ、それぞれ半透明領域２ｂの位相差：１８０度、透過
率：６．０％及び遮光領域２ａの透過率：０．６％を示
し目標を達成した。
【００７１】＜実施例６＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１上に実施例１と同様な工程で
遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ、位相シフト層６ａ及び
透明な開口部３が形成された遮光領域つきハーフトーン
型位相シフトマスク５０’を作製し、半透明領域２ｂの
位相差、透過率及び遮光領域２ａの透過率をエリプソメ
ーターで測定したところ、それぞれ半透明領域２ｂの位
相差：１７７度、透過率：６．０％及び遮光領域２ａの
透過率：０．６％を示し、半透明領域の位相差が目標の
１８０度に達しなかった。原因はハーフトーン兼遮光層
２及び位相シフト層６の成膜バラツキによるものと考え
られる。
【００７２】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク５０’の位相シフト層６ａをマスクにし開口部
３の透明基板をＣＦ4をエッチングガスとする低パワー
のドライエッチングにて所定の深さエッチングして位相
差調整用堀り込み部４を形成し、透明基板１上に遮光領
域２ａ、半透明領域２ｂ、位相シフト層６ａ及び位相差
調整用堀り込み部４からなる本発明の遮光領域つきハー
フトーン型位相シフトマスク６０が得られた。
【００７３】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク６０の半透明領域２ｂの位相差を測定したとこ
ろ１８０度であり目標を達成した。
【００７４】＜実施例７＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１上にスパッタガスとしてＡｒ
ガスにＯ2ガスを添加した反応性スパッタリング法に
て、Ｏ2ガスの添加量、成膜時のガス圧力、印加電力等
を調整して、ｎ＝２．２２９、ｋ＝０．１２４となる成
膜条件を導出し、ＺｒＳｉＯ膜からなる膜厚７６３Åの
位相シフト層７を成膜し、さらに、Ｏ 2ガスの添加量、
成膜時のガス圧力、印加電力等を調整して、ｎ＝１．０
５、ｋ＝１．６１７となる成膜条件を導出し、位相シフ
ト層７上にＺｒＳｉＯ膜からなる膜厚４０１Åのハーフ
トーン兼遮光層２を成膜した。
【００７５】次に、電子線リソグラフィーにてハーフト
ーン兼遮光層２上の所定位置にレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクにしてＢＣｌ3ガスにＯ2
ガスを添加したエッチングガスを用いたドライエッチン
グによりハーフトーン兼遮光層２を１９８Åエッチング
して膜厚４０１Åの遮光領域２ａ及び膜厚２０３Åの半
透明層２ｃ形成した。
【００７６】次に、遮光領域２ａ及び半透明層２ｃの所
定位置に度電子線リソグラフィーを用いてレジストパタ
ーンを形成し、レジストパターンをマスクにして、ＢＣ
ｌ3ガスにＯ2ガスを添加したエッチングガスを用いたド
ライエッチングにより半透明層２ｃをエッチングして、
透明基板１及び位相シフト層７上に膜厚４０１Åの遮光
領域２ａ、膜厚２０３Åの半透明領域２ｂを形成した
【００７７】次に、電子線リソグラフィーにて半透明領
域２ｂ及び遮光領域２ａ上にレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクにしてＢＣｌ3ガスにＯ2
ガスを添加したエッチングガスを用いたドライエッチン
グにて位相シフト層７をパターニングして、透明基板１
に位相シフト層７ａ、半透明領域２ｂ、遮光領域２ａ及
び透明な開口部３が形成された本発明の遮光領域つきハ
ーフトーン型位相シフトマスク７０が得られた。
【００７８】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク７０の半透明領域２ｂの位相差、透過率及び遮
光領域２ａの透過率をエリプソメーターで測定したとこ
ろ、それぞれ半透明領域２ｂの位相差：１８０度、透過
率：６．０％及び遮光領域２ａの透過率：０．６％を示
し目標を達成した。
【００７９】＜実施例８＞まず、６インチ角、０．２５
インチ厚のフォトマスク用石英基板（ｎ＝１．５６、ｋ
＝０）からなる透明基板１上に実施例７と同様な工程で
位相シフト層７ａ、遮光領域２ａ、半透明領域２ｂ及び
透明な開口部３を形成した遮光領域つきハーフトーン型
位相シフトマスク７０’を作製し、半透明領域２ｂの位
相差、透過率及び遮光領域２ａの透過率をエリプソメー
ターで測定したところ、それぞれ半透明領域２ｂの位相
差：１７７度、透過率：６．０％及び遮光領域２ａの透
過率：０．６％を示し、半透明領域の位相差が目標の１
８０度に達しなかった。原因はハーフトーン兼遮光層２
及び薄膜７の成膜バラツキによるものと考えられる。
【００８０】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク７０’の遮光領域２ａ及び半透明領域２ｂをマ
スクにし開口部３の透明基板をＣＦ4をエッチングガス
とする低パワーのドライエッチングにて所定の深さエッ
チングして位相差調整用堀り込み部４を形成し、透明基
板１上に位相シフト層７ａ、遮光領域２ａ、半透明領域
２ｂ及び位相差調整用堀り込み部４からなる本発明の遮
光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク８０が得ら
れた。
【００８１】上記遮光領域つきハーフトーン型位相シフ
トマスク８０の半透明領域２ａの位相差を測定したとこ
ろ１８０度を示し目標を達成した。この様に、開口部３
の透明基板１に所定の深さの位相差調整用堀込み部を形
成することにより、容易に半透明領域の位相差を調整で
きる。
【００８２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の遮
光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクは遮光領域
と半透明領域が同一組成の膜で形成されているので、ハ
ーフトーン兼遮光層の成膜工程及びパターニング工程の
製造工程数を削減することができる。また、ハーフトー
ン兼遮光層の成膜工程及びパターニング工程の製造工程
数を削減できるため、工程起因による欠陥を大幅に削減
でき、遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスクの
歩留まりを向上できる。さらにまた、遮光領域つきハー
フトーン型位相シフトマスクでは半透明領域の位相差が
目標の１８０度から多少ずれても、開口部の透明基板に
位相差調整用堀り込み部を形成することにより、半透明
領域の位相差を容易に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例１の構造を示す模式断面図である。
【図２】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例２の構造を示す模式断面図である。
【図３】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例３の構造を示す模式断面図である。
【図４】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例４の構造を示す模式断面図である。
【図５】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例５の構造を示す模式断面図である。
【図６】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例６の構造を示す模式断面図である。
【図７】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例７の構造を示す模式断面図である。
【図８】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの実
施例８の構造を示す模式断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のハーフトーン型位
相シフトマスクの実施例１及び実施例２の製造方法を工
程順に示す模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のハーフトーン型
位相シフトマスクの実施例３及び実施例４の製造方法を
工程順に示す模式断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明のハーフトーン型
位相シフトマスクの実施例５及び実施例６の製造方法を
工程順に示す模式断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハーフトーン型
位相シフトマスクの実施例７及び実施例８の製造方法を
工程順に示す模式断面図である。
【図１３】従来のハーフトーン型位相シフトマスクの構
造を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１……透明基板 ２……ハーフトーン兼遮光層 ２ａ……遮光領域 ２ｂ……半透明領域 ２ｃ……半透明層 ３……開口部 ４……位相差調整用堀り込み部 ５……掘り込み ６、６ａ……位相シフト層 ７、７ａ……位相シフト層 １０、１０’、２０、３０、３０’、４０、５０、５
０’、６０、７０、７０’、８０……遮光領域つきハー
フトーン型位相シフトマスク １００……従来のハーフトーン型位相シフトマスク １０１……透明基板 １０２……ハーフトーン位相シフト層 １０３……遮光層 １０４……開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金山 浩一郎 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB03 BB35 BC05 BC28 5F046 AA25 BA03 BA08

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透明基板上に露光波長に対して透明な開口
    部と、位相を反転させる特性を有する半透明領域と、露
    光光の透過を遮る遮光領域とを有するハーフトーン型位
    相シフトマスクにおいて、前記半透明領域及び前記遮光
    領域は同一組成の薄膜で形成されており、前記半透明領
    域は前記薄膜の膜厚を調整することにより形成されてい
    ることを特徴とする遮光領域つきハーフトーン型位相シ
    フトマスク。
  2. 【請求項２】前記半透明領域及び前記遮光領域を形成し
    ている前記薄膜は酸化ジルコニウムシリサイド膜である
    ことを特徴とする請求項１記載の遮光領域つきハーフト
    ーン型位相シフトマスク。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の遮光領域つきハー
    フトーン型位相シフトマスクの前記開口部の前記透明基
    板に位相差調整用堀り込み部を設けたことを特徴とする
    遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク。
  4. 【請求項４】あらかじめ前記透明基板の所定位置に所定
    形状の掘り込みを設け、前記掘り込み及びその周辺に前
    記薄膜を形成して前記半透明領域及び前記遮光領域を形
    成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の遮光領
    域つきハーフトーン型位相シフトマスク。
  5. 【請求項５】請求項４記載の遮光領域つきハーフトーン
    型位相シフトマスクの前記開口部の前記透明基板に位相
    差調整用堀り込み部を設けたことを特徴とする遮光領域
    つきハーフトーン型位相シフトマスク。
  6. 【請求項６】請求項１又は２に記載の遮光領域つきハー
    フトーン型位相シフトマスクの前記半透明領域及び前記
    遮光領域上に位相シフト層を設けたことを特徴とする遮
    光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク。
  7. 【請求項７】請求項６記載の遮光領域つきハーフトーン
    型位相シフトマスクの前記開口部の前記透明基板に位相
    差調整用堀り込み部を設けたことを特徴とする遮光領域
    つきハーフトーン型位相シフトマスク。
  8. 【請求項８】前記透明基板上の所定位置に位相シフト層
    を形成し、前記位相シフト層上に前記半透明領域及び前
    記遮光領域を設けたことを特徴とする請求項１又は２に
    記載の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク。
  9. 【請求項９】請求項８記載の遮光領域つきハーフトーン
    型位相シフトマスクの前記開口部の前記透明基板に位相
    差調整用堀り込み部を設けたことを特徴とする遮光領域
    つきハーフトーン型位相シフトマスク。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003084422A (ja) * 2001-09-13 2003-03-19 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法及び位相シフトマスク及びその製造方法
CN100337306C (zh) * 2003-06-30 2007-09-12 Hoya株式会社 灰调掩模的制造方法和灰调掩模
JP2010134206A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Dainippon Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク
JP2013195496A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Toshiba Corp フォトマスクおよびパターン形成方法
KR101418486B1 (ko) 2011-10-07 2014-07-10 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 크롬리스 위상-변이 리소그래피를 이용하여 브릿징 피처 형성

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1010699A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JPH10186630A (ja) * 1996-12-25 1998-07-14 Sony Corp 位相シフト露光マスクおよびその製造方法
JPH1126355A (ja) * 1997-07-07 1999-01-29 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
JPH1184624A (ja) * 1997-09-03 1999-03-26 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク及びそれらの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1010699A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JPH10186630A (ja) * 1996-12-25 1998-07-14 Sony Corp 位相シフト露光マスクおよびその製造方法
JPH1126355A (ja) * 1997-07-07 1999-01-29 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
JPH1184624A (ja) * 1997-09-03 1999-03-26 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク及びそれらの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003084422A (ja) * 2001-09-13 2003-03-19 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法及び位相シフトマスク及びその製造方法
CN100337306C (zh) * 2003-06-30 2007-09-12 Hoya株式会社 灰调掩模的制造方法和灰调掩模
JP2010134206A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Dainippon Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク
KR101418486B1 (ko) 2011-10-07 2014-07-10 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 크롬리스 위상-변이 리소그래피를 이용하여 브릿징 피처 형성
JP2013195496A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Toshiba Corp フォトマスクおよびパターン形成方法
US8778572B2 (en) 2012-03-16 2014-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Photomask and pattern forming method

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