JP2003084422A - ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法及び位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法及び位相シフトマスク及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】修正装置の画面上で、シフターの残存欠陥部５
とその周辺の透明基板２の境界が明確に認識できずに、
シフターの残存欠陥部５にのみ正確にイオンビームを照
射することができない問題点を解決するために、従来の
技術のＦＩＢ装置を使用して、シフターの残存欠陥部５
のみを確実にモニター画面上で確認し修正を施す方法を
提供する。 【解決手段】透明基板の上表面に所望の形状にパターン
ニングされた位相シフターとしてジルコニウムシリサイ
ド化合物材料膜を設けた位相シフトマスクの残存欠陥の
修正方法において、残存欠陥部にガリウムイオンイオン
を充填した後に、該残存欠陥部の位置を特定して、該残
存欠陥部に集束イオンビームを照射によって、該残存欠
陥部を除去して修正することを特徴とするハーフトーン
型位相シフトマスクの修正方法を提供する。
とその周辺の透明基板２の境界が明確に認識できずに、
シフターの残存欠陥部５にのみ正確にイオンビームを照
射することができない問題点を解決するために、従来の
技術のＦＩＢ装置を使用して、シフターの残存欠陥部５
のみを確実にモニター画面上で確認し修正を施す方法を
提供する。 【解決手段】透明基板の上表面に所望の形状にパターン
ニングされた位相シフターとしてジルコニウムシリサイ
ド化合物材料膜を設けた位相シフトマスクの残存欠陥の
修正方法において、残存欠陥部にガリウムイオンイオン
を充填した後に、該残存欠陥部の位置を特定して、該残
存欠陥部に集束イオンビームを照射によって、該残存欠
陥部を除去して修正することを特徴とするハーフトーン
型位相シフトマスクの修正方法を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
における光リソグラフィー工程で用いられる位相シフト
マスクの残存欠陥の修正方法に関する。
における光リソグラフィー工程で用いられる位相シフト
マスクの残存欠陥の修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスクとして、従来より、種
々の形式のものが提案されている。例えば、マスク上の
開口部の隣り合う一方に位相を反転させるような透明膜
を設けた構造のレベンソン型位相シフトマスクや、形成
すべきパターンの周辺部に解像限界以下の位相シフター
を形成した構造の補助パターン付き位相シフトマスク
や、基板上にクロムパターンを形成した後にオーバーエ
ッチングによって位相シフターのオーバーハングを形成
した構造の自己整合型位相シフトマスク等がある。
々の形式のものが提案されている。例えば、マスク上の
開口部の隣り合う一方に位相を反転させるような透明膜
を設けた構造のレベンソン型位相シフトマスクや、形成
すべきパターンの周辺部に解像限界以下の位相シフター
を形成した構造の補助パターン付き位相シフトマスク
や、基板上にクロムパターンを形成した後にオーバーエ
ッチングによって位相シフターのオーバーハングを形成
した構造の自己整合型位相シフトマスク等がある。
【０００３】上記の構造とは別に、シフターパターンの
みによって形成された位相シフトマスクとして、透過型
位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスク
等も知られている。透過型位相シフトマスクは透明部を
透過した光と位相シフターを透過した光と境界部におい
て、光強度がゼロとなることを利用してパターンを分離
するようにした位相シフトマスクであって、シフターエ
ッジ利用型位相シフトマスクともよばれる。
みによって形成された位相シフトマスクとして、透過型
位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスク
等も知られている。透過型位相シフトマスクは透明部を
透過した光と位相シフターを透過した光と境界部におい
て、光強度がゼロとなることを利用してパターンを分離
するようにした位相シフトマスクであって、シフターエ
ッジ利用型位相シフトマスクともよばれる。
【０００４】ハーフトーン型位相シフトマスクは投影露
光光に対して部分透過性を有する、いわゆる半透明な位
相シフターパターンを基板上に形成して、その位相シフ
ターパターンの境界部に形成される光強度がゼロの部分
でパターン解像度を向上するようにした位相シフトマス
クである。透過型位相シフトマスクや、ハーフトーン型
位相シフトマスクはその構造が単純である為、製造工程
が容易であり、しかもマスク上の欠陥も少ないという長
所を有している。
光光に対して部分透過性を有する、いわゆる半透明な位
相シフターパターンを基板上に形成して、その位相シフ
ターパターンの境界部に形成される光強度がゼロの部分
でパターン解像度を向上するようにした位相シフトマス
クである。透過型位相シフトマスクや、ハーフトーン型
位相シフトマスクはその構造が単純である為、製造工程
が容易であり、しかもマスク上の欠陥も少ないという長
所を有している。
【０００５】図２（ａ）〜（ｅ）に示すように、ハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造工程を示す側断面図で
ある。図２を用いて製造工程を簡単に説明する。
トーン型位相シフトマスクの製造工程を示す側断面図で
ある。図２を用いて製造工程を簡単に説明する。
【０００６】図２（ａ）は、透明基板２の片側の表面に
ハーフトーン材料膜３を形成する。膜形成方法は真空蒸
着やスパッター方式による方法が一般的に採用されてい
る。所定の金属膜を所定の膜厚に成膜する。次に外観検
査と、規格検査とに合格した製品を選別する。
ハーフトーン材料膜３を形成する。膜形成方法は真空蒸
着やスパッター方式による方法が一般的に採用されてい
る。所定の金属膜を所定の膜厚に成膜する。次に外観検
査と、規格検査とに合格した製品を選別する。
【０００７】図２（ｂ）は、前記基板２の片側の表面に
形成したハーフトーン材料膜３全面に電子線感応性レジ
スト膜７を塗布して形成する。レジスト塗布方法はスピ
ンコート方式を用いて製造する。サイド全数検査後に良
品のみ選別する。前記レジスト膜を形成した透明基板２
（フォトマスクブランク６）を工程に投入する。
形成したハーフトーン材料膜３全面に電子線感応性レジ
スト膜７を塗布して形成する。レジスト塗布方法はスピ
ンコート方式を用いて製造する。サイド全数検査後に良
品のみ選別する。前記レジスト膜を形成した透明基板２
（フォトマスクブランク６）を工程に投入する。
【０００８】次に図２（ｃ）は、予め準備した所要のマ
スクデータを用いて、電子線照射装置手段により、フォ
トマスクブランク６のレジスト層７に電子線照射により
描画する。
スクデータを用いて、電子線照射装置手段により、フォ
トマスクブランク６のレジスト層７に電子線照射により
描画する。
【０００９】次に、図２（ｄ）に示すように、現像と、
現像により露出したハーフトーン材料膜３をエッチング
する。
現像により露出したハーフトーン材料膜３をエッチング
する。
【００１０】図２（ｅ）は、不要のレジスト層７を剥膜
して洗浄によりハーフトーン型位相シフトマスクが完成
する。
して洗浄によりハーフトーン型位相シフトマスクが完成
する。
【００１１】次に図３に示すように、（ａ）は、ハーフ
トーン型位相シフトマスクの平面図と、（ｂ）は、その
側断面図である。
トーン型位相シフトマスクの平面図と、（ｂ）は、その
側断面図である。
【００１２】次に、図３（ｃ）はシフターの残存欠陥を
有する平面図であり、（ｄ）は側断面図を示す。ハーフ
トーン型位相シフトマスク１を製造する工程において、
本来、ハーフトーン材料膜３が存在してはならない箇所
にハーフトーン材料膜３が残存したままにマスク作成工
程が完了する場合がある。以下該ハーフトーン材料膜３
が残存したものをシフターの残存欠陥５という。
有する平面図であり、（ｄ）は側断面図を示す。ハーフ
トーン型位相シフトマスク１を製造する工程において、
本来、ハーフトーン材料膜３が存在してはならない箇所
にハーフトーン材料膜３が残存したままにマスク作成工
程が完了する場合がある。以下該ハーフトーン材料膜３
が残存したものをシフターの残存欠陥５という。
【００１３】図３（ｃ）、（ｄ）に示す、シフターの残
存欠陥５は、そのままではマスク１として使用された場
合に、マスクパターンの解像性向上には寄与せずに、む
しろ、マスク転写時には、転写されデバイスパターン等
に欠陥を生じさせるものである。従って、実用化には、
前記シフターの残存欠陥５の除去する修正が必要であ
る。従来の技術では、集束イオンビームを残存欠陥５に
照射して、残存欠陥５を蒸発して除去する方法が多く採
用されている。集束イオンビームによる修正方法は、ガ
リウム、アルゴン等のガスの集束イオンビーム装置（Ｆ
ＩＢ装置）を用いて成膜してトリミングによる修正を施
したり、又は、所定のガスをイオンビームによって励起
し、エッチングする修正の方法もある。
存欠陥５は、そのままではマスク１として使用された場
合に、マスクパターンの解像性向上には寄与せずに、む
しろ、マスク転写時には、転写されデバイスパターン等
に欠陥を生じさせるものである。従って、実用化には、
前記シフターの残存欠陥５の除去する修正が必要であ
る。従来の技術では、集束イオンビームを残存欠陥５に
照射して、残存欠陥５を蒸発して除去する方法が多く採
用されている。集束イオンビームによる修正方法は、ガ
リウム、アルゴン等のガスの集束イオンビーム装置（Ｆ
ＩＢ装置）を用いて成膜してトリミングによる修正を施
したり、又は、所定のガスをイオンビームによって励起
し、エッチングする修正の方法もある。
【００１４】しかしながら、この方法では、残存欠陥部
５の周辺の透明基板２へのイオンビームの照射による損
傷が避けられないという問題があり、残存欠陥部５にの
み正確にイオンビームを照射することが要求されてい
る。
５の周辺の透明基板２へのイオンビームの照射による損
傷が避けられないという問題があり、残存欠陥部５にの
み正確にイオンビームを照射することが要求されてい
る。
【００１５】一般に、シフターの残存欠陥部５とその周
辺の透明基板２との識別するには、二次電子の放出量を
モニターする方法がとられている。シフターの残存欠陥
部５から放出される二次電子の量と、その周辺の透明基
板２から放出される二次電子の量の差を修正装置の画面
上での明暗に置き換えて表示し識別するのである。
辺の透明基板２との識別するには、二次電子の放出量を
モニターする方法がとられている。シフターの残存欠陥
部５から放出される二次電子の量と、その周辺の透明基
板２から放出される二次電子の量の差を修正装置の画面
上での明暗に置き換えて表示し識別するのである。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の技術
では、修正装置の画面上で、シフターの残存欠陥部５と
その周辺の透明基板２との二次電子の量の差が少ないた
めに、修正装置の画面上ではシフターの残存欠陥部５と
その周辺の透明基板２の境界が明確に認識できずに、シ
フターの残存欠陥部５にのみ正確にイオンビームを照射
することができない場合が多い。
では、修正装置の画面上で、シフターの残存欠陥部５と
その周辺の透明基板２との二次電子の量の差が少ないた
めに、修正装置の画面上ではシフターの残存欠陥部５と
その周辺の透明基板２の境界が明確に認識できずに、シ
フターの残存欠陥部５にのみ正確にイオンビームを照射
することができない場合が多い。
【００１７】本発明は上記の問題点を解決するために、
ハーフトーン型位相シフトマスク１の残存欠陥部５の修
正方法を提供するもので、従来の技術のＦＩＢ装置を使
用して、シフターの残存欠陥部５のみを確実にモニター
画面上で確認し修正を施す方法を提供するものである。
ハーフトーン型位相シフトマスク１の残存欠陥部５の修
正方法を提供するもので、従来の技術のＦＩＢ装置を使
用して、シフターの残存欠陥部５のみを確実にモニター
画面上で確認し修正を施す方法を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、透明基板の上表面に所望の形状にパターンニン
グされた位相シフターとしてハーフトーン材料膜を設け
た位相シフトマスクの残存欠陥の修正方法において、残
存欠陥部にイオンを充填した後に、該残存欠陥部の位置
を特定して、該残存欠陥部に集束イオンビームを照射す
ることによって、該残存欠陥部を除去して修正すること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの修正方
法である。
発明は、透明基板の上表面に所望の形状にパターンニン
グされた位相シフターとしてハーフトーン材料膜を設け
た位相シフトマスクの残存欠陥の修正方法において、残
存欠陥部にイオンを充填した後に、該残存欠陥部の位置
を特定して、該残存欠陥部に集束イオンビームを照射す
ることによって、該残存欠陥部を除去して修正すること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの修正方
法である。
【００１９】本発明の請求項２に係る発明は、前記請求
項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠
陥の修正方法において、ハーフトーン材料膜がジルコニ
ウムシリサイド化合物よりなることを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクの修正方法である。
項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠
陥の修正方法において、ハーフトーン材料膜がジルコニ
ウムシリサイド化合物よりなることを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクの修正方法である。
【００２０】本発明の請求項３に係る発明は、請求項
１、又は請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマス
クの残存欠陥の修正方法において、残存欠陥部に充填す
るイオンがガリウムイオンであることを特徴とするハー
フトーン型位相シフトマスクの修正方法である。
１、又は請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマス
クの残存欠陥の修正方法において、残存欠陥部に充填す
るイオンがガリウムイオンであることを特徴とするハー
フトーン型位相シフトマスクの修正方法である。
【００２１】本発明の請求項４に係る発明は、請求項１
乃至請求項３記載のハーフトーン型位相シフトマスクの
修正方法を用いて、ハーフトーン材料膜の残存欠陥部を
除去して修正する工程を用いることを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクである。
乃至請求項３記載のハーフトーン型位相シフトマスクの
修正方法を用いて、ハーフトーン材料膜の残存欠陥部を
除去して修正する工程を用いることを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクである。
【００２２】本発明の請求項５に係る発明は、請求項４
記載のハーフトーン型位相シフトマスクを製造工程にお
ける、残存欠陥の修正方法において、請求項１乃至請求
項３記載のハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠陥
の修正する工程からなることを特徴とするハーフトーン
型位相シフトマスクの製造方法である。
記載のハーフトーン型位相シフトマスクを製造工程にお
ける、残存欠陥の修正方法において、請求項１乃至請求
項３記載のハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠陥
の修正する工程からなることを特徴とするハーフトーン
型位相シフトマスクの製造方法である。
【００２３】
【作用】ハーフトーン型位相シフトマスク１の残存欠陥
の修正方法においては、残存欠陥部５に予めイオンを充
填するこよにより、残存欠陥部５から放出される二次電
子の量が増加し、修正装置の画面上で、シフターの残存
欠陥部５と、透明基板２のコントラストが高くなり、そ
の結果、シフターの残存欠陥部５の位置や境界線を正確
に把握できるようになり、欠陥部の修正作業において、
シフターの残存欠陥部５にのみ正確にイオンビームを照
射することができる。
の修正方法においては、残存欠陥部５に予めイオンを充
填するこよにより、残存欠陥部５から放出される二次電
子の量が増加し、修正装置の画面上で、シフターの残存
欠陥部５と、透明基板２のコントラストが高くなり、そ
の結果、シフターの残存欠陥部５の位置や境界線を正確
に把握できるようになり、欠陥部の修正作業において、
シフターの残存欠陥部５にのみ正確にイオンビームを照
射することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明のを、実施の形態に沿って
以下に詳細に説明する。
以下に詳細に説明する。
【００２５】図１は、本発明の一実施例を示すもので、
ハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠陥部の修正方
法を示す工程図である。
ハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠陥部の修正方
法を示す工程図である。
【００２６】図１（ａ）は、ハーフトーン型位相シフト
マスクの残存欠陥部を示す側断面図であり、残存欠陥部
５の修正するために本発明の修正工程に投入する。
マスクの残存欠陥部を示す側断面図であり、残存欠陥部
５の修正するために本発明の修正工程に投入する。
【００２７】次に、図１（ｂ）は、ＦＩＢ装置を用い
て、ハーフトーン材料膜層３の表面に所定のイオンビー
ムを充填する。
て、ハーフトーン材料膜層３の表面に所定のイオンビー
ムを充填する。
【００２８】照射方法は、ＦＩＢ装置の規定の手段によ
り、まず充填するイオンガスを準備する。本発明ではガ
リウムイオンを選択した。前述のように二次電子の放出
量が増加する効果より評価した。次に集束イオンビーム
の照射条件は露出する透明基板２の表面の損傷が発生し
ない上限に設定する。その条件は、一例として、加速電
圧３０ｋＶ、ビーム径２５ｎＭ〜３５ｎＭ、Ｄｏｓｅ量
０．０２０ｎＣ／μＭ２〜０．０３０ｎＣ／μＭ２の範
囲で最適条件を選択して条件を設定した。
り、まず充填するイオンガスを準備する。本発明ではガ
リウムイオンを選択した。前述のように二次電子の放出
量が増加する効果より評価した。次に集束イオンビーム
の照射条件は露出する透明基板２の表面の損傷が発生し
ない上限に設定する。その条件は、一例として、加速電
圧３０ｋＶ、ビーム径２５ｎＭ〜３５ｎＭ、Ｄｏｓｅ量
０．０２０ｎＣ／μＭ２〜０．０３０ｎＣ／μＭ２の範
囲で最適条件を選択して条件を設定した。
【００２９】本発明は、ハーフトーン材料膜層３として
は、ジルコニウムシリサイド化合物を選択した。
は、ジルコニウムシリサイド化合物を選択した。
【００３０】図１（ｃ）は、欠陥検査機を用いて、全面
検査をする。
検査をする。
【００３１】次に図１（ｄ）は、ＦＩＢ装置の手段によ
り、修正装置の画面上で残存欠陥部５の位置と、その欠
陥部５を表示し識別する。
り、修正装置の画面上で残存欠陥部５の位置と、その欠
陥部５を表示し識別する。
【００３２】次に、ＦＩＢ装置の修正の手段（ガスアシ
ストエッチング法）を用いて、不要の残存欠陥部５を除
去する。その条件は、一例として、加速電圧３０ｋＶ、
ビーム径２５ｎＭ〜３５ｎＭ、Ｄｏｓｅ量は０．０７５
ｎＣ／μＭ２〜０．０９０ｎＣ／μＭ２の範囲で最適条
件を選択して、条件を設定した。所定のガスを前記条件
の集束イオンビームによって励起して不要な欠陥部５を
エッチング除去し修正する。
ストエッチング法）を用いて、不要の残存欠陥部５を除
去する。その条件は、一例として、加速電圧３０ｋＶ、
ビーム径２５ｎＭ〜３５ｎＭ、Ｄｏｓｅ量は０．０７５
ｎＣ／μＭ２〜０．０９０ｎＣ／μＭ２の範囲で最適条
件を選択して、条件を設定した。所定のガスを前記条件
の集束イオンビームによって励起して不要な欠陥部５を
エッチング除去し修正する。
【００３３】
【実施例】次に、本発明のハーフトーン型位相シフトマ
スク製造工程を、以下に具体的な実施例に従って説明す
る。
スク製造工程を、以下に具体的な実施例に従って説明す
る。
【００３４】＜実施例１＞図２に示すようにハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造工程を説明する。まず図２
（ａ）は、石英ガラスからなるフォトマスク用基板（透
明基板）２の片面に、所要の厚さのＺｒＳｉＯｘからな
るハーフトーン材料膜層（半透明位相シフター層）３を
形成する。
ン型位相シフトマスクの製造工程を説明する。まず図２
（ａ）は、石英ガラスからなるフォトマスク用基板（透
明基板）２の片面に、所要の厚さのＺｒＳｉＯｘからな
るハーフトーン材料膜層（半透明位相シフター層）３を
形成する。
【００３５】次に図２（ｂ）は、前記ハーフトーン材料
膜３上の全面に所要の厚さの電子線感応性レジスト膜層
７を形成する。一般に透明基板２上に材料膜層３を形成
し、電子線感応性レジスト膜層７を形成した材料をフォ
トマスクブランク６の名称で呼ばれている。
膜３上の全面に所要の厚さの電子線感応性レジスト膜層
７を形成する。一般に透明基板２上に材料膜層３を形成
し、電子線感応性レジスト膜層７を形成した材料をフォ
トマスクブランク６の名称で呼ばれている。
【００３６】続いて、図２（ｃ）は前記フォトマスクブ
ランク６の電子線感応性レジスト膜層７に電子線描画装
置８を用いて、予め準備したフォトマスク用データを使
用して電子線による照射により描画する。
ランク６の電子線感応性レジスト膜層７に電子線描画装
置８を用いて、予め準備したフォトマスク用データを使
用して電子線による照射により描画する。
【００３７】次に、図２（ｄ）に示すように、現像工程
により不要の電子線感応性レジスト膜層７を除去洗浄
し、所要の電子線感応性レジスト膜層７を形成する。
により不要の電子線感応性レジスト膜層７を除去洗浄
し、所要の電子線感応性レジスト膜層７を形成する。
【００３８】次に、図２（ｅ）に示すように、該電子線
感応性レジスト膜層７をマスクとして、露出したＺｒＳ
ｉＯｘからなるハーフトーン材料膜層３をエッチングし
て、所要のＺｒＳｉＯｘからなるハーフトーン材料膜層
を形成し、次に電子線感応性レジスト膜層７を剥膜し
て、ハーフトーン型位相シフトマスク１を作成した。
感応性レジスト膜層７をマスクとして、露出したＺｒＳ
ｉＯｘからなるハーフトーン材料膜層３をエッチングし
て、所要のＺｒＳｉＯｘからなるハーフトーン材料膜層
を形成し、次に電子線感応性レジスト膜層７を剥膜し
て、ハーフトーン型位相シフトマスク１を作成した。
【００３９】前記ハーフトーン型位相シフトマスク１に
は、前記図３（ｃ）、（ｄ）のシフターの残存欠陥５が
存在していた。
は、前記図３（ｃ）、（ｄ）のシフターの残存欠陥５が
存在していた。
【００４０】上記のハーフトーン型位相シフトマスク１
の残存欠陥部５の修正の工程を図１（ａ）〜（ｅ）を参
照にして以下説明をする。
の残存欠陥部５の修正の工程を図１（ａ）〜（ｅ）を参
照にして以下説明をする。
【００４１】図１（ａ）に示すように、残存欠陥部５を
有するハーフトーン型位相シフトマスク１の側断面図で
あり、残存欠陥部５を削除する修正工程に投入する。
有するハーフトーン型位相シフトマスク１の側断面図で
あり、残存欠陥部５を削除する修正工程に投入する。
【００４２】図１（ｂ）は、前記残存欠陥部５を有する
ハーフトーン型位相シフトマスク１上のハーフトーン材
料層面（ＺｒＳｉＯｘ膜）３の欠陥の部分に集中的にガ
リウム集束イオンビームを照射して、ＺｒＳｉＯｘ膜の
表面にガリウムイオンを充填した。ガリウム集束イオン
ビームの照射装置はＦＩＢ装置を使用し、照射条件は加
速電圧３０ｋＶ設定し、ガリウム集束イオンビーム径は
３０ｎＭに絞り、ドーズ量（電流密度）０．０２５ｎＣ
／μＭ２の条件にて、ガリウム集束イオンビームの照射
をした。前記条件は通常の集束イオンビームの照射によ
る残存欠陥部５に除去する場合より低いドーズ量（電流
密度）で、ガリウム集束イオンビームの照射をした。
ハーフトーン型位相シフトマスク１上のハーフトーン材
料層面（ＺｒＳｉＯｘ膜）３の欠陥の部分に集中的にガ
リウム集束イオンビームを照射して、ＺｒＳｉＯｘ膜の
表面にガリウムイオンを充填した。ガリウム集束イオン
ビームの照射装置はＦＩＢ装置を使用し、照射条件は加
速電圧３０ｋＶ設定し、ガリウム集束イオンビーム径は
３０ｎＭに絞り、ドーズ量（電流密度）０．０２５ｎＣ
／μＭ２の条件にて、ガリウム集束イオンビームの照射
をした。前記条件は通常の集束イオンビームの照射によ
る残存欠陥部５に除去する場合より低いドーズ量（電流
密度）で、ガリウム集束イオンビームの照射をした。
【００４３】図１（ｃ）は、欠陥検査機を用いて全面検
査をする。次に検査修正装置の画面において除去修正が
必要な残存欠陥部５を確認し、除去修正のためにＦＩＢ
装置へ移管する。
査をする。次に検査修正装置の画面において除去修正が
必要な残存欠陥部５を確認し、除去修正のためにＦＩＢ
装置へ移管する。
【００４４】次に、図１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ装
置の修正画面上で、残存欠陥部５を含む領域を指定し、
画面上で明るく表示される部分（二次電子が多く放出さ
れている部分）を残存欠陥部５として、残存欠陥部５に
のみガリウム集束イオンビームの照射して、残存欠陥部
５を除去した。（図１ｅ参照）
置の修正画面上で、残存欠陥部５を含む領域を指定し、
画面上で明るく表示される部分（二次電子が多く放出さ
れている部分）を残存欠陥部５として、残存欠陥部５に
のみガリウム集束イオンビームの照射して、残存欠陥部
５を除去した。（図１ｅ参照）
【００４５】図１（ｅ）に示すガリウム集束イオンビー
ムの照射条件は、加速電圧は３０ＫＶ、ガリウム集束イ
オンビーム径３０ＮＭ、ドーズ量０．０８ＮＣ／μＭ２
である。その結果、残存欠陥部５のみ除去することがで
き、残存欠陥部５の周囲の透明基板２には何ら損傷を与
えることはなかった。
ムの照射条件は、加速電圧は３０ＫＶ、ガリウム集束イ
オンビーム径３０ＮＭ、ドーズ量０．０８ＮＣ／μＭ２
である。その結果、残存欠陥部５のみ除去することがで
き、残存欠陥部５の周囲の透明基板２には何ら損傷を与
えることはなかった。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、透明基板を損傷させる
ことなく、ハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠陥
部を除去、修正して欠陥のないハーフトーン型位相シフ
トマスクを製造でき問題を解消できる効果がある。
ことなく、ハーフトーン型位相シフトマスクの残存欠陥
部を除去、修正して欠陥のないハーフトーン型位相シフ
トマスクを製造でき問題を解消できる効果がある。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハーフトーン型位
相シフトマスクの残存欠陥部を修正する方法を示す工程
図である。
相シフトマスクの残存欠陥部を修正する方法を示す工程
図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程を示す工程図である。
相シフトマスクの製造工程を示す工程図である。
【図３】従来のハーフトーン型位相シフトマスクの実施
例を示す模式図で、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は
側断面図で、（ｃ）は残存欠陥を有するハーフトーン型
位相シフトマスクの平面図であり、（ｄ）は残存欠陥を
有するハーフトーン型位相シフトマスクの側断面図であ
る。
例を示す模式図で、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は
側断面図で、（ｃ）は残存欠陥を有するハーフトーン型
位相シフトマスクの平面図であり、（ｄ）は残存欠陥を
有するハーフトーン型位相シフトマスクの側断面図であ
る。
１…ハーフトーン型位相シフトマスク
２…透明基板
３…ハーフトーン材料膜層（半透明位相シフター用材料
層） ４…メインパターン ５…残存欠陥部 ６…フォトマスクブランク ７…電子線感応性レジスト膜 ８…電子線描画装置 ９…ガリウム集束イオンビーム照射 １０…ガスアシストエッチング集束イオンビーム照射
層） ４…メインパターン ５…残存欠陥部 ６…フォトマスクブランク ７…電子線感応性レジスト膜 ８…電子線描画装置 ９…ガリウム集束イオンビーム照射 １０…ガスアシストエッチング集束イオンビーム照射
Claims (5)
- 【請求項１】透明基板の上表面に所望の形状にパターン
ニングされた位相シフターとしてハーフトーン材料膜を
設けた位相シフトマスクの残存欠陥の修正方法におい
て、残存欠陥部にイオンを充填した後に、該残存欠陥部
の位置を特定して、該残存欠陥部に集束イオンビームを
照射することによって、該残存欠陥部を除去して修正す
ることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの
修正方法。 - 【請求項２】前記請求項１に記載のハーフトーン型位相
シフトマスクの残存欠陥の修正方法において、ハーフト
ーン材料膜がジルコニウムシリサイド化合物よりなるこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの修正
方法。 - 【請求項３】請求項１、又は請求項２記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクの残存欠陥の修正方法において、
残存欠陥部に充填するイオンがガリウムイオンであるこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの修正
方法。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３記載のハーフトーン
型位相シフトマスクの修正方法を用いて、ハーフトーン
材料膜の残存欠陥部を除去して修正する工程を用いるこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。 - 【請求項５】請求項４記載のハーフトーン型位相シフト
マスクを製造工程における、残存欠陥の修正方法におい
て、請求項１乃至請求項３記載のハーフトーン型位相シ
フトマスクの残存欠陥の修正する工程からなることを特
徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278796A JP4806877B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278796A JP4806877B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003084422A true JP2003084422A (ja) | 2003-03-19 |
| JP4806877B2 JP4806877B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=19103101
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278796A Expired - Fee Related JP4806877B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4806877B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292682A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | Ｃａｄ／ｃａｍ装置及び電子ビーム照射装置 |
| JP2015184453A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06175354A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン修正方法及び装置 |
| JPH075677A (ja) * | 1993-03-17 | 1995-01-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | ホトマスクの修正方法 |
| JPH07135244A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-05-23 | Sony Corp | フォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正方法及び、フォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正装置 |
| JPH0963944A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | パターン膜の修正方法 |
| JP2001022048A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Toppan Printing Co Ltd | 遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001278796A patent/JP4806877B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06175354A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン修正方法及び装置 |
| JPH075677A (ja) * | 1993-03-17 | 1995-01-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | ホトマスクの修正方法 |
| JPH07135244A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-05-23 | Sony Corp | フォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正方法及び、フォトマスクのパターン欠陥検査・欠陥修正装置 |
| JPH0963944A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | パターン膜の修正方法 |
| JP2001022048A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Toppan Printing Co Ltd | 遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292682A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | Ｃａｄ／ｃａｍ装置及び電子ビーム照射装置 |
| JP2015184453A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4806877B2 (ja) | 2011-11-02 |
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