JPH075677A - ホトマスクの修正方法 - Google Patents
ホトマスクの修正方法Info
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- JPH075677A JPH075677A JP1499894A JP1499894A JPH075677A JP H075677 A JPH075677 A JP H075677A JP 1499894 A JP1499894 A JP 1499894A JP 1499894 A JP1499894 A JP 1499894A JP H075677 A JPH075677 A JP H075677A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 残留欠陥の除去に伴う新たな欠陥を生じるこ
とがなく、信頼性の高いホトマスクの修正方法を提供す
る。 【構成】 位相シフトマスクのシフタ残留欠陥部２５に
Ｇａ−ＦＩＢ２６を照射してＧａイオンを注入する工程
と、そのＧａイオン注入領域２７にレーザ光２８を照射
してシフタ残留欠陥部２５を蒸発除去する工程とを施
す。
とがなく、信頼性の高いホトマスクの修正方法を提供す
る。 【構成】 位相シフトマスクのシフタ残留欠陥部２５に
Ｇａ−ＦＩＢ２６を照射してＧａイオンを注入する工程
と、そのＧａイオン注入領域２７にレーザ光２８を照射
してシフタ残留欠陥部２５を蒸発除去する工程とを施
す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトマスクの修正方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、次のようなものがあった。 （１）「位相シフトマスク修正におけるＦＩＢミリング
レートの最適化」細野邦博 外４名 ３０ｐ−ＮＡ−１
２ １９９２年春の応用物理学会講演会予稿集 （２）特開平４−１２８７５８号公報 上記の文献に開示されるように、従来、位相シフトマス
クのシフタ残留欠陥修正方法としては、ＦＩＢ（Ｆｏｃ
ｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）を用いる方法、レーザ光
を用いる方法等が報告されている。
例えば、次のようなものがあった。 （１）「位相シフトマスク修正におけるＦＩＢミリング
レートの最適化」細野邦博 外４名 ３０ｐ−ＮＡ−１
２ １９９２年春の応用物理学会講演会予稿集 （２）特開平４−１２８７５８号公報 上記の文献に開示されるように、従来、位相シフトマス
クのシフタ残留欠陥修正方法としては、ＦＩＢ（Ｆｏｃ
ｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）を用いる方法、レーザ光
を用いる方法等が報告されている。
【０００３】図３は、上記文献（１）に示される従来の
ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢｅａｍ）を用いた位
相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。まず、図３（ａ）に示すように、シフタ欠陥修正に
用いる位相シフトマスクは、透明基板（ＳｉＯ2 ）１上
にシフタ（ＳｉＯ2 ）２を形成し、そのシフタ２上にＣ
ｒ膜３を形成するようにしている。ここで、シフタ残り
が生じ、シフタ欠陥部４が存在しているものとする。
ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢｅａｍ）を用いた位
相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。まず、図３（ａ）に示すように、シフタ欠陥修正に
用いる位相シフトマスクは、透明基板（ＳｉＯ2 ）１上
にシフタ（ＳｉＯ2 ）２を形成し、そのシフタ２上にＣ
ｒ膜３を形成するようにしている。ここで、シフタ残り
が生じ、シフタ欠陥部４が存在しているものとする。
【０００４】そこで、そのシフタ欠陥部４を除去するた
めに、図３（ｂ）に示すように、シフタ欠陥部４にノボ
ラック系レジスト５を塗布する。次に、図３（ｃ）に示
すように、Ｇａ−ＦＩＢ６を照射してノボラック系レジ
スト５ごとシフタ欠陥部４を除去する。すると、図３
（ｄ）に示すように、シフタ欠陥部４は除去されるが、
透明基板１にＧａイオンが注入され、Ｇａイオン注入領
域７が形成される。
めに、図３（ｂ）に示すように、シフタ欠陥部４にノボ
ラック系レジスト５を塗布する。次に、図３（ｃ）に示
すように、Ｇａ−ＦＩＢ６を照射してノボラック系レジ
スト５ごとシフタ欠陥部４を除去する。すると、図３
（ｄ）に示すように、シフタ欠陥部４は除去されるが、
透明基板１にＧａイオンが注入され、Ｇａイオン注入領
域７が形成される。
【０００５】図４は上記文献（２）に示される従来の位
相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。まず、図４（ａ）に示すように、透明基板１１にＣ
ｒ膜１２と位相シフト層１３が形成される。つまり、シ
フタ上置き型の位相シフトマスクが形成されており、そ
こに、透明突起状欠陥部１４，１５が存在する。
相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。まず、図４（ａ）に示すように、透明基板１１にＣ
ｒ膜１２と位相シフト層１３が形成される。つまり、シ
フタ上置き型の位相シフトマスクが形成されており、そ
こに、透明突起状欠陥部１４，１５が存在する。
【０００６】次いで、図４（ｂ）に示すように、その透
明突起状欠陥部１４，１５を有する位相シフトマスク上
に、着色感光材を塗布し、加熱乾燥し、着色感光材層１
６を形成する。次に、透明突起状欠陥部１４，１５は、
欠陥検査装置により前もってその位置と大きさを検出し
ておき、図４（ｃ）に示すように、スポット露光機によ
り、透明突起状欠陥部１４，１５の位置と大きさに露光
用光束１７の大きさを合わせ、透明突起状欠陥部１４，
１５の感光材層のみを部分的に露光する。
明突起状欠陥部１４，１５を有する位相シフトマスク上
に、着色感光材を塗布し、加熱乾燥し、着色感光材層１
６を形成する。次に、透明突起状欠陥部１４，１５は、
欠陥検査装置により前もってその位置と大きさを検出し
ておき、図４（ｃ）に示すように、スポット露光機によ
り、透明突起状欠陥部１４，１５の位置と大きさに露光
用光束１７の大きさを合わせ、透明突起状欠陥部１４，
１５の感光材層のみを部分的に露光する。
【０００７】次に、図４（ｄ）に示すように、現像液で
現像することによって、透明突起状欠陥部１４，１５の
着色層１８，１９のみを残して、他の感光材層を除去し
て、基板を乾燥して溶剤分を除去する。次いで、図４
（ｅ）に示すように、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ欠陥修正装置
により、透明突起状欠陥部１４，１５上の着色層１８，
１９にレーザ光２０を照射して、着色層１８，１９を加
熱し、着色層１８，１９と共に透明突起状欠陥部１４，
１５を蒸発除去することにより、図４（ｆ）に示すよう
な、欠陥が修正された位相シフトマスクを得ることがで
きる。
現像することによって、透明突起状欠陥部１４，１５の
着色層１８，１９のみを残して、他の感光材層を除去し
て、基板を乾燥して溶剤分を除去する。次いで、図４
（ｅ）に示すように、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ欠陥修正装置
により、透明突起状欠陥部１４，１５上の着色層１８，
１９にレーザ光２０を照射して、着色層１８，１９を加
熱し、着色層１８，１９と共に透明突起状欠陥部１４，
１５を蒸発除去することにより、図４（ｆ）に示すよう
な、欠陥が修正された位相シフトマスクを得ることがで
きる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上述べた上
記文献（１）に示されたシフタ残留欠陥修正方法は、 （１）欠陥除去を行った領域には、Ｇａ−ＦＩＢによっ
てＧａイオンが注入され、Ｇａイオン注入領域が形成さ
れるため、ガラス基板の透過率が低下するという問題が
発生する。そのため、ＦＩＢによる修正の後、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザ光を用いて、ガラス基板に注入されたＧａイ
オンを蒸発させる必要がある。
記文献（１）に示されたシフタ残留欠陥修正方法は、 （１）欠陥除去を行った領域には、Ｇａ−ＦＩＢによっ
てＧａイオンが注入され、Ｇａイオン注入領域が形成さ
れるため、ガラス基板の透過率が低下するという問題が
発生する。そのため、ＦＩＢによる修正の後、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧレーザ光を用いて、ガラス基板に注入されたＧａイ
オンを蒸発させる必要がある。
【０００９】（２）また、レジストの塗布、乾燥、Ｇａ
−ＦＩＢ照射、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光によるＧａイオン
の蒸発、基板の洗浄等のプロセスが必要になり、修正工
程が複雑化してしまう。 （３）更に、シフタ欠陥部へのレジスト膜の蒸着、及び
レジストを塗布することは難しく、修正精度が悪くな
る。つまり、高精度を維持できないといった問題があ
る。
−ＦＩＢ照射、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光によるＧａイオン
の蒸発、基板の洗浄等のプロセスが必要になり、修正工
程が複雑化してしまう。 （３）更に、シフタ欠陥部へのレジスト膜の蒸着、及び
レジストを塗布することは難しく、修正精度が悪くな
る。つまり、高精度を維持できないといった問題があ
る。
【００１０】上記文献（２）に示されたシフタ残留欠陥
修正方法は、 （１）透明突起状欠陥部を有する位相シフトマスク上に
着色感光材を塗布し、加熱乾燥し、着色感光材層を形成
する。また、スポット露光機により、透明突起状欠陥部
の位置と大きさに露光用光束の大きさを合わせ、透明突
起状欠陥部の感光材層のみを部分的に露光する。更に、
現像液で現像することによって、透明突起状欠陥部の着
色層のみを残して、他の感光材層を除去して、基板を乾
燥して溶剤分を除去する。次いで、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
欠陥修正装置により、透明突起状欠陥部上の着色層にレ
ーザ光を照射して、着色層を加熱し、この着色層と共に
透明突起状欠陥部を蒸発除去するといった複雑な修正工
程が必要になる。
修正方法は、 （１）透明突起状欠陥部を有する位相シフトマスク上に
着色感光材を塗布し、加熱乾燥し、着色感光材層を形成
する。また、スポット露光機により、透明突起状欠陥部
の位置と大きさに露光用光束の大きさを合わせ、透明突
起状欠陥部の感光材層のみを部分的に露光する。更に、
現像液で現像することによって、透明突起状欠陥部の着
色層のみを残して、他の感光材層を除去して、基板を乾
燥して溶剤分を除去する。次いで、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
欠陥修正装置により、透明突起状欠陥部上の着色層にレ
ーザ光を照射して、着色層を加熱し、この着色層と共に
透明突起状欠陥部を蒸発除去するといった複雑な修正工
程が必要になる。
【００１１】（２）位相シフトマスクに着色層を新たに
塗布する必要があるため、新たにマスクの欠陥（異物）
が残留する可能性があるという問題点がある。更に、上
記した従来の方法では、レーザ照射部のシフタ又はＣｒ
は全てが蒸発によって除去されるのでなく、一部が、そ
の近くに飛び散り、付着してしまい、新たな欠陥を発生
させるという問題があった。
塗布する必要があるため、新たにマスクの欠陥（異物）
が残留する可能性があるという問題点がある。更に、上
記した従来の方法では、レーザ照射部のシフタ又はＣｒ
は全てが蒸発によって除去されるのでなく、一部が、そ
の近くに飛び散り、付着してしまい、新たな欠陥を発生
させるという問題があった。
【００１２】本発明は、上記問題点を除去するために、
残留欠陥の除去に伴う新たな欠陥を生じることがなく、
信頼性の高いホトマスクの修正方法を提供することを目
的とする。
残留欠陥の除去に伴う新たな欠陥を生じることがなく、
信頼性の高いホトマスクの修正方法を提供することを目
的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ホトマスクの修正方法において、 （Ａ）位相シフトマスクのシフタ残留欠陥部にＧａ−Ｆ
ＩＢを照射してＧａイオンを注入する工程と、該Ｇａイ
オン注入領域にレーザ光を照射して前記シフタ残留欠陥
部を蒸発除去する工程とを施すようにしたものである。
成するために、ホトマスクの修正方法において、 （Ａ）位相シフトマスクのシフタ残留欠陥部にＧａ−Ｆ
ＩＢを照射してＧａイオンを注入する工程と、該Ｇａイ
オン注入領域にレーザ光を照射して前記シフタ残留欠陥
部を蒸発除去する工程とを施すようにしたものである。
【００１４】（Ｂ）透明基板上に導電膜を形成し、該導
電膜上にシフタを形成し、該シフタ上に遮光膜を形成す
るシフタ下置き型ブランクスを形成する工程と、該シフ
タ下置き型ブランクスにおけるエッジを有するシフタ残
留欠陥部にレーザ光を照射して前記シフタ残留欠陥部を
蒸発除去する工程とを施すようにしたものである。 （Ｃ）ホトマスクの残留欠陥部に保護膜を形成する工程
と、前記残留欠陥部にレーザ光を照射して該残留欠陥部
を除去する工程と、残った保護膜の剥離及び洗浄を行う
工程とを施すようにしたものである。
電膜上にシフタを形成し、該シフタ上に遮光膜を形成す
るシフタ下置き型ブランクスを形成する工程と、該シフ
タ下置き型ブランクスにおけるエッジを有するシフタ残
留欠陥部にレーザ光を照射して前記シフタ残留欠陥部を
蒸発除去する工程とを施すようにしたものである。 （Ｃ）ホトマスクの残留欠陥部に保護膜を形成する工程
と、前記残留欠陥部にレーザ光を照射して該残留欠陥部
を除去する工程と、残った保護膜の剥離及び洗浄を行う
工程とを施すようにしたものである。
【００１５】
【作用】本発明によれば、上記したように、位相シフト
マスクのシフタ残留欠陥部にＧａ−ＦＩＢを照射してＧ
ａイオンを注入し、該Ｇａイオン注入領域を光吸収物質
が存在する領域となし、そこに、レーザ光（Ｎｄ：ＹＡ
Ｇレーザ光）を照射することにより、光エネルギーを熱
エネルギーに変換し、シフタ残留欠陥部を蒸発、除去す
る。
マスクのシフタ残留欠陥部にＧａ−ＦＩＢを照射してＧ
ａイオンを注入し、該Ｇａイオン注入領域を光吸収物質
が存在する領域となし、そこに、レーザ光（Ｎｄ：ＹＡ
Ｇレーザ光）を照射することにより、光エネルギーを熱
エネルギーに変換し、シフタ残留欠陥部を蒸発、除去す
る。
【００１６】また、透明基板上にシフタ下置き型ブラン
クスを形成し、そのシフタ下置き型ブランクスにおける
エッジを有するシフタ残留欠陥部にレーザ光を照射して
光エネルギーを熱エネルギーに変換し、シフタ残留欠陥
部を蒸発除去する。更に、ホトマスクの残留欠陥部に保
護膜を形成し、該残留欠陥部にレーザ光を照射して該残
留欠陥部を除去し、残った保護膜の剥離及び洗浄を行
い、前記残留欠陥部の除去時に飛散した破片を、保護膜
とともに除去する。
クスを形成し、そのシフタ下置き型ブランクスにおける
エッジを有するシフタ残留欠陥部にレーザ光を照射して
光エネルギーを熱エネルギーに変換し、シフタ残留欠陥
部を蒸発除去する。更に、ホトマスクの残留欠陥部に保
護膜を形成し、該残留欠陥部にレーザ光を照射して該残
留欠陥部を除去し、残った保護膜の剥離及び洗浄を行
い、前記残留欠陥部の除去時に飛散した破片を、保護膜
とともに除去する。
【００１７】したがって、残留欠陥部の除去に伴う新た
な欠陥を生じることがなく、信頼性の高いホトマスクを
得ることができる。
な欠陥を生じることがなく、信頼性の高いホトマスクを
得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。なお、各図は、これらの発明が理
解できる程度に、各構成成分の寸法、形状及び配置関係
を概略的に示してあるにすぎない。また、以下の説明で
は、特定の材料及び条件を用いて説明するが、これらの
材料及び条件は、単なる好適例にすぎず、従って、何ら
これに限定されるものではない。
がら詳細に説明する。なお、各図は、これらの発明が理
解できる程度に、各構成成分の寸法、形状及び配置関係
を概略的に示してあるにすぎない。また、以下の説明で
は、特定の材料及び条件を用いて説明するが、これらの
材料及び条件は、単なる好適例にすぎず、従って、何ら
これに限定されるものではない。
【００１９】図１は本発明の第１の実施例を示す位相シ
フトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。この実施例においては、シフタ欠陥修正に用いる位
相シフトマスクは、透明基板（石英）／導電膜／シフタ
（ＳＯＧ）／Ｃｒ膜構造のブランクス、つまり、シフタ
下置き型のブランクスを用いる。
フトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。この実施例においては、シフタ欠陥修正に用いる位
相シフトマスクは、透明基板（石英）／導電膜／シフタ
（ＳＯＧ）／Ｃｒ膜構造のブランクス、つまり、シフタ
下置き型のブランクスを用いる。
【００２０】図１（ａ）に示すように、透明基板２１上
にエッチングストッパ及び電荷の蓄積を防止するための
導電膜２２を形成し、この導電膜２２上にシフタ２３が
形成され、そのシフタ２３上にＣｒ膜２４が形成された
透明基板２１／導電膜２２／シフタ２３／Ｃｒ膜２４構
造のブランクスを用い、レベンソンタイプのライン＆ス
ペースを形成した。ここで、シフタ２３の間にシフタ残
留欠陥部２５が存在する。
にエッチングストッパ及び電荷の蓄積を防止するための
導電膜２２を形成し、この導電膜２２上にシフタ２３が
形成され、そのシフタ２３上にＣｒ膜２４が形成された
透明基板２１／導電膜２２／シフタ２３／Ｃｒ膜２４構
造のブランクスを用い、レベンソンタイプのライン＆ス
ペースを形成した。ここで、シフタ２３の間にシフタ残
留欠陥部２５が存在する。
【００２１】そこで、シフタ残留欠陥部２５は、欠陥検
査装置により前もって、その位置と大きさを検出してお
き、図１（ｂ）に示すように、シフタ残留欠陥部２５
に、ＦＩＢ装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業
製）のＧａイオンビーム２６で、３．０×３．０μｍ□
の領域に、３．１×１０17（ｉｏｎｓ／ｃｍ2 ）Ｇａイ
オンを注入し、Ｇａイオン注入領域２７を形成した。な
お、Ｇａイオンビームの条件は、Ｖacc ＝２０ｋＶ、Ｉ
ｐ＝１２１ｐＡで実施した。
査装置により前もって、その位置と大きさを検出してお
き、図１（ｂ）に示すように、シフタ残留欠陥部２５
に、ＦＩＢ装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業
製）のＧａイオンビーム２６で、３．０×３．０μｍ□
の領域に、３．１×１０17（ｉｏｎｓ／ｃｍ2 ）Ｇａイ
オンを注入し、Ｇａイオン注入領域２７を形成した。な
お、Ｇａイオンビームの条件は、Ｖacc ＝２０ｋＶ、Ｉ
ｐ＝１２１ｐＡで実施した。
【００２２】次いで、図１（ｃ）に示すように、Ｇａイ
オン注入領域２７と同面積（３．０×３．０μｍ□）
に、ＤＲＳ−II（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）のＮｄ：
ＹＡＧレーザ光２８（５２８ｎｍ）を用いてレーザ光を
照射した。なお、レーザ光２８のパワーは３，５，７，
１０，１５（ｍＷ）で実施した。すると、図１（ｄ）に
示すように、シフタ残留欠陥部２５が除去され、シフタ
残留欠陥修正部２９は設計通りに修正された。
オン注入領域２７と同面積（３．０×３．０μｍ□）
に、ＤＲＳ−II（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）のＮｄ：
ＹＡＧレーザ光２８（５２８ｎｍ）を用いてレーザ光を
照射した。なお、レーザ光２８のパワーは３，５，７，
１０，１５（ｍＷ）で実施した。すると、図１（ｄ）に
示すように、シフタ残留欠陥部２５が除去され、シフタ
残留欠陥修正部２９は設計通りに修正された。
【００２３】図２にレーザ光２８のパワーが３ｍＷでシ
フタ残留欠陥部が除去され、シフタ残留欠陥修正部２９
が形成された状態を示す。図２において、ハッチング
は、断面部を表すのではなく、特定の領域を強調したも
のである。このように、Ｇａイオンをシフタ残留欠陥部
２５に注入することにより、低パワーのレーザ光でシフ
タ残留欠陥部２５が蒸発、除去されることが分かる。
フタ残留欠陥部が除去され、シフタ残留欠陥修正部２９
が形成された状態を示す。図２において、ハッチング
は、断面部を表すのではなく、特定の領域を強調したも
のである。このように、Ｇａイオンをシフタ残留欠陥部
２５に注入することにより、低パワーのレーザ光でシフ
タ残留欠陥部２５が蒸発、除去されることが分かる。
【００２４】なお、この実施例では、上記したように、
シフタ下置き型のブランクスとしたが、これに限定され
るものではなく、シフタ上置き型のブランクスに適用す
るようにしてもよい。図５は本発明の第２実施例を示す
位相シフトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面
図である。
シフタ下置き型のブランクスとしたが、これに限定され
るものではなく、シフタ上置き型のブランクスに適用す
るようにしてもよい。図５は本発明の第２実施例を示す
位相シフトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面
図である。
【００２５】この実施例においては、前記実施例と同様
に、シフタ欠陥修正に用いた位相シフトマスクは、透明
基板／導電膜／シフタ／Ｃｒ膜構造のブランクス（シフ
タ下置き型）を用いて行った。まず、図５（ａ）に示す
ように、透明基板３１／導電膜３２／シフタ３３／Ｃｒ
膜３４構造のブランクスを用い、レベンソンタイプのラ
イン＆スペースを形成した。ここで、孤立のシフタ残留
欠陥部３５と、シフタエッジ残り部３６をシフタ残留欠
陥として修正を行う。
に、シフタ欠陥修正に用いた位相シフトマスクは、透明
基板／導電膜／シフタ／Ｃｒ膜構造のブランクス（シフ
タ下置き型）を用いて行った。まず、図５（ａ）に示す
ように、透明基板３１／導電膜３２／シフタ３３／Ｃｒ
膜３４構造のブランクスを用い、レベンソンタイプのラ
イン＆スペースを形成した。ここで、孤立のシフタ残留
欠陥部３５と、シフタエッジ残り部３６をシフタ残留欠
陥として修正を行う。
【００２６】次に、図５（ｂ）に示すように、孤立のシ
フタ残留欠陥部３５及びシフタエッジ残り部３６に、Ｄ
ＲＳ−II（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）のＮｄ：ＹＡＧ
レーザ（５２８ｎｍ）を用いてレーザ光３７を照射し
た。すると、図５（ｃ）に示すように、孤立のシフタ残
留欠陥部３５及びシフタエッジ残り部３６のシフタ残留
欠陥部を除去することができる。
フタ残留欠陥部３５及びシフタエッジ残り部３６に、Ｄ
ＲＳ−II（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）のＮｄ：ＹＡＧ
レーザ（５２８ｎｍ）を用いてレーザ光３７を照射し
た。すると、図５（ｃ）に示すように、孤立のシフタ残
留欠陥部３５及びシフタエッジ残り部３６のシフタ残留
欠陥部を除去することができる。
【００２７】このように、レーザ光３７を照射し、孤立
のシフタ残留欠陥部３５を蒸発、除去した結果を図６に
示す。図６において、ハッチングは、断面部を表すので
はなく、平面的に見た時の特定の領域を強調したもので
ある。ここで、シフタ下置きタイプにおいて、エッジを
含まないシフタ残留欠陥部としてのシフタ部にレーザ光
を照射した場合は、そのシフタ部の材質がＳｉＯ2 であ
るため、レーザ光を透過してしまい、そのシフタ部の蒸
発除去を行うことができない。
のシフタ残留欠陥部３５を蒸発、除去した結果を図６に
示す。図６において、ハッチングは、断面部を表すので
はなく、平面的に見た時の特定の領域を強調したもので
ある。ここで、シフタ下置きタイプにおいて、エッジを
含まないシフタ残留欠陥部としてのシフタ部にレーザ光
を照射した場合は、そのシフタ部の材質がＳｉＯ2 であ
るため、レーザ光を透過してしまい、そのシフタ部の蒸
発除去を行うことができない。
【００２８】図６（ａ）においては、透明基板３１上に
導電膜３２を形成し、その導電膜３２上にシフタ３３、
その上にＣｒ膜３４が形成され、孤立のシフタ残留欠陥
部（１μｍ×１μｍ□）３５はエッジを有している。こ
のような場合には、エッジを有する孤立のシフタ残留欠
陥部３５にレーザ光を照射すると、レーザ光は熱に変換
されて、孤立のシフタ残留欠陥部３５を蒸発させ、図６
（ｂ）に示すように除去することができる。
導電膜３２を形成し、その導電膜３２上にシフタ３３、
その上にＣｒ膜３４が形成され、孤立のシフタ残留欠陥
部（１μｍ×１μｍ□）３５はエッジを有している。こ
のような場合には、エッジを有する孤立のシフタ残留欠
陥部３５にレーザ光を照射すると、レーザ光は熱に変換
されて、孤立のシフタ残留欠陥部３５を蒸発させ、図６
（ｂ）に示すように除去することができる。
【００２９】ここで、レーザ光が透明基板を透過するこ
となく、熱に変換されるのは、シフタ残留欠陥部がエッ
ジを有していることと、導電膜が存在することに依存し
ているものと思われる。このように、構成することによ
り、従来のように、レジストや着色層を新たに塗布する
必要がなく、またこれに伴う新たな欠陥を生じることが
なく、しかも、極めて簡単にエッジを有するシフタ残留
欠陥部を除去することができ、その効果は著大である。
となく、熱に変換されるのは、シフタ残留欠陥部がエッ
ジを有していることと、導電膜が存在することに依存し
ているものと思われる。このように、構成することによ
り、従来のように、レジストや着色層を新たに塗布する
必要がなく、またこれに伴う新たな欠陥を生じることが
なく、しかも、極めて簡単にエッジを有するシフタ残留
欠陥部を除去することができ、その効果は著大である。
【００３０】図７は本発明の第３の実施例を示す位相シ
フトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。この実施例においては、前記実施例と同様に、シフ
タ欠陥修正に用いた位相シフトマスクは、Ｃｒ膜４４／
シフタ４３／導電膜４２／透明基板４１構造のブランク
ス（シフタ下置き型）（ＨＯＹＡ製）を用いて行った。
フトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。この実施例においては、前記実施例と同様に、シフ
タ欠陥修正に用いた位相シフトマスクは、Ｃｒ膜４４／
シフタ４３／導電膜４２／透明基板４１構造のブランク
ス（シフタ下置き型）（ＨＯＹＡ製）を用いて行った。
【００３１】まず、上記構造のマスクブランクスを用
い、ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ、エッチング等に
より、パターン付きの位相シフトマスクを作製した。こ
のとき、修正テスト用の欠陥に相当するパターンを入れ
ておき、図７（ａ）に示すように、シフタ欠陥部４５を
設けた。次に、このマスク上に、図７（ｂ）に示すよう
に、保護膜としてホトレジスト膜４６〔ＯＦＰＲ−８０
０（東京応化）〕を０．７μｍ厚に回転塗布した。
い、ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ、エッチング等に
より、パターン付きの位相シフトマスクを作製した。こ
のとき、修正テスト用の欠陥に相当するパターンを入れ
ておき、図７（ａ）に示すように、シフタ欠陥部４５を
設けた。次に、このマスク上に、図７（ｂ）に示すよう
に、保護膜としてホトレジスト膜４６〔ＯＦＰＲ−８０
０（東京応化）〕を０．７μｍ厚に回転塗布した。
【００３２】次に、これをレーザ修正装置ＤＲＳ−II
（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）にセットし、図７（ｃ）
に示すように、シフタ欠陥部４５に相当する部分に、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ光４７の照射を行った。すると、図７
（ｄ）に示すように、シフタ欠陥部４５上のホトレジス
ト膜４６ごとに除去された。しかし、この部分を顕微鏡
により観察すると、周辺に小さな破片４８が飛び散って
いるのが見られた。
（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）にセットし、図７（ｃ）
に示すように、シフタ欠陥部４５に相当する部分に、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ光４７の照射を行った。すると、図７
（ｄ）に示すように、シフタ欠陥部４５上のホトレジス
ト膜４６ごとに除去された。しかし、この部分を顕微鏡
により観察すると、周辺に小さな破片４８が飛び散って
いるのが見られた。
【００３３】次に、図７（ｅ）に示すように、これを濃
硫酸と過酸化水素水の混合液により洗浄した。純水でリ
ンスした後、再び先の部分を観察すると、小さな破片４
８は除去されており、欠陥がきれいに修正できていた。
ここで、上記第３実施例のように、ホトレジスト膜を用
いず、直接に欠陥部をレーザ光による照射により除去す
る比較例について図８を用いて説明する。
硫酸と過酸化水素水の混合液により洗浄した。純水でリ
ンスした後、再び先の部分を観察すると、小さな破片４
８は除去されており、欠陥がきれいに修正できていた。
ここで、上記第３実施例のように、ホトレジスト膜を用
いず、直接に欠陥部をレーザ光による照射により除去す
る比較例について図８を用いて説明する。
【００３４】まず、図８（ａ）に示すように、透明基板
４１／導電膜４２／シフタ４３／Ｃｒ膜４４構造のブラ
ンクス（シフタ下置き型）（ＨＯＹＡ製）を用意した。
次に、図８（ｂ）に示すように、シフタ欠陥部４５に直
接にレーザ光４７を照射した。しかし、この部分を顕微
鏡により観察すると、図８（ｃ）に示すように、周辺に
小さな破片４９が飛び散っているのが見られた。
４１／導電膜４２／シフタ４３／Ｃｒ膜４４構造のブラ
ンクス（シフタ下置き型）（ＨＯＹＡ製）を用意した。
次に、図８（ｂ）に示すように、シフタ欠陥部４５に直
接にレーザ光４７を照射した。しかし、この部分を顕微
鏡により観察すると、図８（ｃ）に示すように、周辺に
小さな破片４９が飛び散っているのが見られた。
【００３５】そこで、上記第３実施例と同様に、濃硫酸
と過酸化水素水の混合物により、洗浄・純水によりリン
スした。その結果、修正部を観察すると、図８（ｄ）に
示すように、周辺部に破片４９が残ったままであった。
この破片は超高圧水洗浄・スクラブ洗浄でも除去できな
かった。図９は本発明の第４実施例を示す位相シフトマ
スクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
と過酸化水素水の混合物により、洗浄・純水によりリン
スした。その結果、修正部を観察すると、図８（ｄ）に
示すように、周辺部に破片４９が残ったままであった。
この破片は超高圧水洗浄・スクラブ洗浄でも除去できな
かった。図９は本発明の第４実施例を示す位相シフトマ
スクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
【００３６】この実施例においては、ハーフトーン型位
相シフトマスク、つまり、薄いＣｒの上にシフタ（ＳＯ
Ｇ）が形成されているマスクを用いる。まず、図９
（ａ）に示すように、シフタ（ＳＯＧ）５３／Ｃｒ膜５
２／透明基板（石英）５１構造のブランクス（シフタ上
置き型）（ＨＯＹＡ製）を用意し、ＥＢ（電子ビーム）
リソグラフィ・エッチング等により、パターン及びシフ
タ欠陥部５４を形成した。
相シフトマスク、つまり、薄いＣｒの上にシフタ（ＳＯ
Ｇ）が形成されているマスクを用いる。まず、図９
（ａ）に示すように、シフタ（ＳＯＧ）５３／Ｃｒ膜５
２／透明基板（石英）５１構造のブランクス（シフタ上
置き型）（ＨＯＹＡ製）を用意し、ＥＢ（電子ビーム）
リソグラフィ・エッチング等により、パターン及びシフ
タ欠陥部５４を形成した。
【００３７】次に、このマスク上に、図９（ｂ）に示す
ように、保護膜としてホトレジスト膜５５〔ＯＦＰＲ−
８００（東京応化）〕を０．７μｍ厚に回転塗布した。
次に、これをレーザ修正装置ＤＲＳ−II（Ｑｕａｎｔｒ
ｏｎｉｘ社製）にセットし、図９（ｃ）に示すように、
パターン及びシフタ欠陥部５４に相当する部分にレーザ
光５６の照射を行った。
ように、保護膜としてホトレジスト膜５５〔ＯＦＰＲ−
８００（東京応化）〕を０．７μｍ厚に回転塗布した。
次に、これをレーザ修正装置ＤＲＳ−II（Ｑｕａｎｔｒ
ｏｎｉｘ社製）にセットし、図９（ｃ）に示すように、
パターン及びシフタ欠陥部５４に相当する部分にレーザ
光５６の照射を行った。
【００３８】すると、図９（ｄ）に示すように、シフタ
欠陥部５４上のホトレジスト膜５５ごとに除去された。
しかし、この部分を顕微鏡により観察すると、周辺に小
さな破片５７が飛び散っているのが見られた。次に、図
９（ｅ）に示すように、これを濃硫酸と過酸化水素水の
混合液により洗浄した。純水でリンスした後、再び先の
部分を観察すると、小さな破片５７は除去されており、
欠陥がきれいに修正できていた。
欠陥部５４上のホトレジスト膜５５ごとに除去された。
しかし、この部分を顕微鏡により観察すると、周辺に小
さな破片５７が飛び散っているのが見られた。次に、図
９（ｅ）に示すように、これを濃硫酸と過酸化水素水の
混合液により洗浄した。純水でリンスした後、再び先の
部分を観察すると、小さな破片５７は除去されており、
欠陥がきれいに修正できていた。
【００３９】ここで、上記第４実施例のように、ホトレ
ジスト膜を用いず、直接に欠陥部をレーザ光による照射
により除去する比較例について図１０を用いて説明す
る。まず、図１０（ａ）に示すように、シフタ（ＳＯ
Ｇ）５３／Ｃｒ膜５２／透明基板（石英）５１構造のブ
ランクス（シフタ上置き型）（ＨＯＹＡ製）を用意し、
ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ・エッチング等によ
り、パターン及びシフタ欠陥部５４を形成した。
ジスト膜を用いず、直接に欠陥部をレーザ光による照射
により除去する比較例について図１０を用いて説明す
る。まず、図１０（ａ）に示すように、シフタ（ＳＯ
Ｇ）５３／Ｃｒ膜５２／透明基板（石英）５１構造のブ
ランクス（シフタ上置き型）（ＨＯＹＡ製）を用意し、
ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ・エッチング等によ
り、パターン及びシフタ欠陥部５４を形成した。
【００４０】次に、図１０（ｂ）に示すように、パター
ン及びシフタ欠陥部５４に直接レーザ光５６を照射し
た。しかし、この部分を顕微鏡により観察すると、図１
０（ｃ）に示すように、周辺に小さな破片５８が飛び散
っているのが見られた。そこで、上記第４実施例と同様
に、濃硫酸と過酸化水素水の混合物により、洗浄・純水
によりリンスした。その結果、修正部を観察すると、図
１０（ｄ）に示すように、周辺部に小さな破片５８が残
ったままであった。この破片は超高圧水洗浄・スクラブ
洗浄でも除去できなかった。
ン及びシフタ欠陥部５４に直接レーザ光５６を照射し
た。しかし、この部分を顕微鏡により観察すると、図１
０（ｃ）に示すように、周辺に小さな破片５８が飛び散
っているのが見られた。そこで、上記第４実施例と同様
に、濃硫酸と過酸化水素水の混合物により、洗浄・純水
によりリンスした。その結果、修正部を観察すると、図
１０（ｄ）に示すように、周辺部に小さな破片５８が残
ったままであった。この破片は超高圧水洗浄・スクラブ
洗浄でも除去できなかった。
【００４１】図１１は本発明の第５実施例を示すホトマ
スクにおける残留欠陥修正工程断面図である。この実施
例においては、通常のＣｒマスクを用いた。まず、図１
１（ａ）に示すように、Ｃｒ膜６２／透明基板（石英）
６１構造のブランクス（シフタ上置き型）（ＨＯＹＡ
製）を用意し、ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ・エッ
チング等により、パターン及びＣｒ欠陥部６３を形成し
た。
スクにおける残留欠陥修正工程断面図である。この実施
例においては、通常のＣｒマスクを用いた。まず、図１
１（ａ）に示すように、Ｃｒ膜６２／透明基板（石英）
６１構造のブランクス（シフタ上置き型）（ＨＯＹＡ
製）を用意し、ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ・エッ
チング等により、パターン及びＣｒ欠陥部６３を形成し
た。
【００４２】次に、このマスク上に、図１１（ｂ）に示
すように、保護膜としてホトレジスト膜６４〔ＯＦＰＲ
−８００（東京応化）〕を０．７μｍ厚に回転塗布し
た。次に、これをレーザ修正装置ＤＲＳ−II（Ｑｕａｎ
ｔｒｏｎｉｘ社製）にセットし、図１１（ｃ）に示すよ
うに、Ｃｒ欠陥部６３に相当する部分に、レーザ光６５
の照射を行った。
すように、保護膜としてホトレジスト膜６４〔ＯＦＰＲ
−８００（東京応化）〕を０．７μｍ厚に回転塗布し
た。次に、これをレーザ修正装置ＤＲＳ−II（Ｑｕａｎ
ｔｒｏｎｉｘ社製）にセットし、図１１（ｃ）に示すよ
うに、Ｃｒ欠陥部６３に相当する部分に、レーザ光６５
の照射を行った。
【００４３】すると、図１１（ｄ）に示すように、Ｃｒ
欠陥部６３上のホトレジスト膜６４ごとに除去された。
しかし、この部分を顕微鏡により観察すると、周辺に小
さな破片６６が飛び散っているのが見られた。次に、図
１１（ｅ）に示すように、これを濃硫酸と過酸化水素水
の混合液により洗浄した。純水でリンスした後、再び先
の部分を観察すると、小さな破片６６は除去されてお
り、欠陥がきれいに修正できていた。
欠陥部６３上のホトレジスト膜６４ごとに除去された。
しかし、この部分を顕微鏡により観察すると、周辺に小
さな破片６６が飛び散っているのが見られた。次に、図
１１（ｅ）に示すように、これを濃硫酸と過酸化水素水
の混合液により洗浄した。純水でリンスした後、再び先
の部分を観察すると、小さな破片６６は除去されてお
り、欠陥がきれいに修正できていた。
【００４４】ここで、上記第５実施例のように、ホトレ
ジスト膜を用いず、直接に欠陥部をレーザ光による照射
により除去する比較例について図１２を用いて説明す
る。まず、図１２（ａ）に示すように、Ｃｒ膜６２／透
明基板（石英）６１構造のブランクス（シフタ上置き
型）（ＨＯＹＡ製）を用意し、ＥＢ（電子ビーム）リソ
グラフィ・エッチング等により、パターン及びＣｒ欠陥
部６３を形成した。
ジスト膜を用いず、直接に欠陥部をレーザ光による照射
により除去する比較例について図１２を用いて説明す
る。まず、図１２（ａ）に示すように、Ｃｒ膜６２／透
明基板（石英）６１構造のブランクス（シフタ上置き
型）（ＨＯＹＡ製）を用意し、ＥＢ（電子ビーム）リソ
グラフィ・エッチング等により、パターン及びＣｒ欠陥
部６３を形成した。
【００４５】次に、図１２（ｂ）に示すように、Ｃｒ欠
陥部６３に直接にレーザ光６５を照射した。しかし、こ
の部分を顕微鏡により観察すると、図１２（ｃ）に示す
ように、周辺に小さな破片６６が飛び散っているのが見
られた。そこで、上記第５実施例と同様に、濃硫酸と過
酸化水素水の混合物により、洗浄・純水によりリンスし
た。その結果、修正部を観察すると、図１２（ｄ）に示
すように、周辺部に破片６６が残ったままであった。こ
の破片は超高圧水洗浄・スクラブ洗浄でも除去できなか
った。
陥部６３に直接にレーザ光６５を照射した。しかし、こ
の部分を顕微鏡により観察すると、図１２（ｃ）に示す
ように、周辺に小さな破片６６が飛び散っているのが見
られた。そこで、上記第５実施例と同様に、濃硫酸と過
酸化水素水の混合物により、洗浄・純水によりリンスし
た。その結果、修正部を観察すると、図１２（ｄ）に示
すように、周辺部に破片６６が残ったままであった。こ
の破片は超高圧水洗浄・スクラブ洗浄でも除去できなか
った。
【００４６】図１３は本発明の第６実施例を示す位相シ
フトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。この実施例においては、前記実施例と同様に、シフ
タ欠陥修正に用いた位相シフトマスクは、Ｃｒ膜７４／
シフタ７３／導電膜７２／透明基板７１構造のブランク
ス（シフタ下置き型）（ＨＯＹＡ製）を用いて行った。
フトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図であ
る。この実施例においては、前記実施例と同様に、シフ
タ欠陥修正に用いた位相シフトマスクは、Ｃｒ膜７４／
シフタ７３／導電膜７２／透明基板７１構造のブランク
ス（シフタ下置き型）（ＨＯＹＡ製）を用いて行った。
【００４７】まず、上記構造のマスクブランクスを用
い、ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ、エッチング等に
よりパターン付きの位相シフトマスクを作製した。この
時、修正テスト用の欠陥部に相当するパターンを入れて
おき、図１３（ａ）に示すように、シフタ欠陥部７５を
設けた。次いで、このマスクをＤＥＭ４５１（日電アネ
ルバ社製）にセットし、ＣＦ4ガスを用い、図１３
（ｂ）に示すように、基板上にプラズマ重合膜７６を形
成した。
い、ＥＢ（電子ビーム）リソグラフィ、エッチング等に
よりパターン付きの位相シフトマスクを作製した。この
時、修正テスト用の欠陥部に相当するパターンを入れて
おき、図１３（ａ）に示すように、シフタ欠陥部７５を
設けた。次いで、このマスクをＤＥＭ４５１（日電アネ
ルバ社製）にセットし、ＣＦ4ガスを用い、図１３
（ｂ）に示すように、基板上にプラズマ重合膜７６を形
成した。
【００４８】次に、これをレーザ修正装置ＤＲＳ−II
（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）にセットし、図１３
（ｃ）に示すように、シフタ欠陥部７５に相当する部分
に、レーザ光７７の照射を行った。すると、図１３
（ｄ）に示すように、シフタ欠陥部７５はその上のプラ
ズマ重合膜７６ごとに除去された。しかし、この部分を
顕微鏡により観察すると、周辺に小さな破片７８が飛び
散っているのが見られた。
（Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ社製）にセットし、図１３
（ｃ）に示すように、シフタ欠陥部７５に相当する部分
に、レーザ光７７の照射を行った。すると、図１３
（ｄ）に示すように、シフタ欠陥部７５はその上のプラ
ズマ重合膜７６ごとに除去された。しかし、この部分を
顕微鏡により観察すると、周辺に小さな破片７８が飛び
散っているのが見られた。
【００４９】次に、図１３（ｅ）に示すように、等方性
の高い条件でＯ2 アッシングを行い、その後洗浄した。
レーザ修正部周辺に飛び散った小さな破片などは見られ
なかった。今回はたまたまセットされていたＣＦ4 ガス
を用いて膜を形成したので、Ｏ2アッシングの工程が入
ったが、重合に用いるガスをうまく選択することによ
り、Ｏ2 アッシングを含まない工程が可能である。
の高い条件でＯ2 アッシングを行い、その後洗浄した。
レーザ修正部周辺に飛び散った小さな破片などは見られ
なかった。今回はたまたまセットされていたＣＦ4 ガス
を用いて膜を形成したので、Ｏ2アッシングの工程が入
ったが、重合に用いるガスをうまく選択することによ
り、Ｏ2 アッシングを含まない工程が可能である。
【００５０】また、上記実施例では、遮光膜としてＣｒ
膜を用いたが、これに限定されるものではない。更に、
遮光膜パターンは、ライン＆スペースパターンを示した
が、他の形状のホールパターンであっても差し支えな
い。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、そ
れらを本発明の範囲から排除するものではない。
膜を用いたが、これに限定されるものではない。更に、
遮光膜パターンは、ライン＆スペースパターンを示した
が、他の形状のホールパターンであっても差し支えな
い。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、そ
れらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）残留欠陥部の除去に伴う新たな欠陥を生じること
がなく、信頼性の高いホトマスクを得ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）残留欠陥部の除去に伴う新たな欠陥を生じること
がなく、信頼性の高いホトマスクを得ることができる。
【００５２】（２）ＦＩＢ及びレーザ光、又はレーザ光
のみによる修正による簡単な工程でもって、シフタ欠陥
部を正確に修正することができる。 （３）レジストや着色層を用いないＦＩＢ及びレーザ光
によるシフタ欠陥部の修正方法では、レジストや着色層
を新たに塗布する必要がなく、またこれに伴う新たな欠
陥を生じることがなく、しかも、極めて簡単にエッジを
有するシフタ残留欠陥部を除去することができる。
のみによる修正による簡単な工程でもって、シフタ欠陥
部を正確に修正することができる。 （３）レジストや着色層を用いないＦＩＢ及びレーザ光
によるシフタ欠陥部の修正方法では、レジストや着色層
を新たに塗布する必要がなく、またこれに伴う新たな欠
陥を生じることがなく、しかも、極めて簡単にエッジを
有するシフタ残留欠陥部を除去することができる。
【００５３】（４）ＦＩＢ及びレーザ光によるシフタ残
留欠陥除去方法では、シフタ残留欠陥部の形状に関係な
く、修正が可能である。 （５）更に、シフタ下置き型ブランクスにおけるレーザ
光のみによるエッジを有するシフタ残留欠陥除去方法で
は、特別な工程を用いず、極めて簡単な工程により、確
実にシフタ残留欠陥を除去することができる。
留欠陥除去方法では、シフタ残留欠陥部の形状に関係な
く、修正が可能である。 （５）更に、シフタ下置き型ブランクスにおけるレーザ
光のみによるエッジを有するシフタ残留欠陥除去方法で
は、特別な工程を用いず、極めて簡単な工程により、確
実にシフタ残留欠陥を除去することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す位相シフトマスク
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例により欠陥部が除去され
たシフタ残留欠陥修正部の一例を示す斜視図である。
たシフタ残留欠陥修正部の一例を示す斜視図である。
【図３】従来の位相シフトマスクのシフタ残留欠陥修正
工程断面図である。
工程断面図である。
【図４】従来の他の位相シフトマスクのシフタ残留欠陥
修正工程断面図である。
修正工程断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例を示す位相シフトマスク
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例により除去されるシフタ
残留欠陥修正部の一例を示す平面図である。
残留欠陥修正部の一例を示す平面図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す位相シフトマスク
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
【図８】本発明の第３の実施例に対する比較例を示す位
相シフトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図
である。
相シフトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図
である。
【図９】本発明の第４の実施例を示す位相シフトマスク
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
におけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施例に対する比較例を示す
位相シフトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面
図である。
位相シフトマスクにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面
図である。
【図１１】本発明の第５実施例を示すホトマスクにおけ
る残留欠陥修正工程断面図である。
る残留欠陥修正工程断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施例に対する比較例を示す
ホトマスクにおける残留欠陥修正工程断面図である。
ホトマスクにおける残留欠陥修正工程断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施例を示す位相シフトマス
クにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。 ２１，３１，４１，５１，６１，７１ 透明基板 ２２，３２，４２，７２ 導電膜 ２３，３３，４３，５３，７３ シフタ ２４，３４，４４，５２，６２，７４ Ｃｒ膜 ２５ シフタ残留欠陥部 ２６ Ｇａイオンビーム ２７ Ｇａイオン注入領域 ２８，３７，４７，５６，６５，７７ Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ光 ２９ シフタ残留欠陥修正部 ３５ 孤立のシフタ残留欠陥部 ３６ シフタエッジ残り部 ４５，５４，７５ シフタ欠陥部 ４６，５５，６４ ホトレジスト膜 ４８，４９，５７，５８，６６，７８ 小さな破片 ６３ Ｃｒ欠陥部 ７６ プラズマ重合膜
クにおけるシフタ残留欠陥修正工程断面図である。 ２１，３１，４１，５１，６１，７１ 透明基板 ２２，３２，４２，７２ 導電膜 ２３，３３，４３，５３，７３ シフタ ２４，３４，４４，５２，６２，７４ Ｃｒ膜 ２５ シフタ残留欠陥部 ２６ Ｇａイオンビーム ２７ Ｇａイオン注入領域 ２８，３７，４７，５６，６５，７７ Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ光 ２９ シフタ残留欠陥修正部 ３５ 孤立のシフタ残留欠陥部 ３６ シフタエッジ残り部 ４５，５４，７５ シフタ欠陥部 ４６，５５，６４ ホトレジスト膜 ４８，４９，５７，５８，６６，７８ 小さな破片 ６３ Ｃｒ欠陥部 ７６ プラズマ重合膜
Claims (11)
- 【請求項１】（ａ）位相シフトマスクのシフタ残留欠陥
部にＧａ−ＦＩＢを照射してＧａイオンを注入する工程
と、（ｂ）該Ｇａイオン注入領域にレーザ光を照射して
前記シフタ残留欠陥部を蒸発除去する工程とを施すこと
を特徴とするホトマスクの修正方法。 - 【請求項２】（ａ）透明基板上に導電膜を形成し、該導
電膜上にシフタを形成し、該シフタ上に遮光膜を形成す
るシフタ下置き型ブランクスを形成する工程と、（ｂ）
該シフタ下置き型ブランクスにおけるエッジを有するシ
フタ残留欠陥部にレーザ光を照射して前記シフタ残留欠
陥部を蒸発除去する工程とを施すことを特徴とするホト
マスクの修正方法。 - 【請求項３】 前記シフタ残留欠陥部は孤立のシフタ残
留欠陥部である請求項２記載のホトマスクの修正方法。 - 【請求項４】 前記シフタ残留欠陥部はシフタエッジ残
り部である請求項２記載のホトマスクの修正方法。 - 【請求項５】（ａ）ホトマスクの残留欠陥部に保護膜を
形成する工程と、（ｂ）前記残留欠陥部にレーザ光を照
射して該残留欠陥部を除去する工程と、（ｃ）残った保
護膜の剥離及び洗浄を行う工程とを施すことを特徴とす
るホトマスクの修正方法。 - 【請求項６】 前記ホトマスクが位相シフトマスクであ
り、残留欠陥がシフタであることを特徴とする請求項５
記載のホトマスクの修正方法。 - 【請求項７】 前記ホトマスクがハーフトーン型位相シ
フトマスクであり、残留欠陥がシフタとＣｒの二層構造
からなることを特徴とする請求項５記載のホトマスクの
修正方法。 - 【請求項８】 前記ホトマスクが遮光パターンのみで形
成されるマスクであり、残留欠陥もその遮光材料である
ことを特徴とする請求項５記載のホトマスクの修正方
法。 - 【請求項９】 前記保護膜をホトレジストの回転塗布に
より形成することを特徴とする請求項５記載のホトマス
クの修正方法。 - 【請求項１０】 前記保護膜の剥離を硫酸と過酸化水素
水の混合液で行うことを特徴とする請求項５記載のホト
マスクの修正方法。 - 【請求項１１】 前記保護膜をプラズマ重合により形成
することを特徴とする請求項５記載のホトマスクの修正
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1499894A JPH075677A (ja) | 1993-03-17 | 1994-02-09 | ホトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-56260 | 1993-03-17 | ||
| JP5626093 | 1993-03-17 | ||
| JP1499894A JPH075677A (ja) | 1993-03-17 | 1994-02-09 | ホトマスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075677A true JPH075677A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=26351059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1499894A Withdrawn JPH075677A (ja) | 1993-03-17 | 1994-02-09 | ホトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1079273A3 (en) * | 1999-08-27 | 2001-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Mask repair |
| JP2003084422A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法及び位相シフトマスク及びその製造方法 |
| US20110115129A1 (en) * | 2008-07-09 | 2011-05-19 | Fei Company | Method and Apparatus for Laser Machining |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP1499894A patent/JPH075677A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1079273A3 (en) * | 1999-08-27 | 2001-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Mask repair |
| US6368753B1 (en) * | 1999-08-27 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Mask repair |
| JP2003084422A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法及び位相シフトマスク及びその製造方法 |
| US20110115129A1 (en) * | 2008-07-09 | 2011-05-19 | Fei Company | Method and Apparatus for Laser Machining |
| US8853592B2 (en) * | 2008-07-09 | 2014-10-07 | Fei Company | Method for laser machining a sample having a crystalline structure |
| US10493559B2 (en) | 2008-07-09 | 2019-12-03 | Fei Company | Method and apparatus for laser machining |
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