KR20090038142A - 포토마스크의 결함 수정 방법 - Google Patents

포토마스크의 결함 수정 방법 Download PDF

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Abstract

광차단막 핀홀 결함들이 발생된 포토마스크 전면에 광흡수막 예컨대, 탄소막을 코팅한 후, 탄소막을 선택적으로 식각하여 상기 핀홀 결함 부분에 광흡수막 패턴들을 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 다수 개의 핀홀 결함이 발생되거나, 선폭이 큰 핀홀 결함이 발생되는 경우 단순한 공정 과정을 통해 보다 안정적으로 핀홀 결함을 수정할 수 있다.
광차단막, 핀홀 결함, 수정방법, 탄소막

Description

포토마스크의 결함 수정 방법{Method for reparing defect in photomask}
본 발명은 반도체소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토마스크의 결함 수정 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하는 공정 중에는 웨이퍼 상에 형성하고자 하는 패턴을 구현하기 위한 방법으로 회로 패턴이 형성된 포토마스크가 이용된다. 포토마스크 상에 구현된 패턴은 포토리소그라피 공정을 통해 웨이퍼 상으로 전사되므로, 포토마스크의 제조 공정은 매우 중요하게 인식되고 있다.
그런데, 포토마스크를 제조하는 과정에서 여러 가지 원인 예컨대, 장비 불량 또는 식각 공정 이상 등에 의해 광차단막이 형성되어야 하는 부분에 광차단막이 형성되지 않는 핀홀(pin hole) 결함이 발생될 수 있다. 이러한 핀홀 결함은 웨이퍼 노광 과정에서 광을 차단하지 못하고, 광을 투과시켜 패터닝 불량 등을 일으킨다.
이에 따라, 광차단막 핀홀 결함이 발생되면, 핀홀 결함이 발생된 부분에 포커스 이온 빔(FIB;Foucsed Ion Beam)을 이용해 국부적으로 핀홀 결함을 수정하는 방법을 사용하고 있다. 그러나, 핀홀 결함이 수가 많은 경우, 국부적으로 핀홀 결함을 수정하기 때문에 작업시간이 길고 그에 따른 수정 장비의 진공 상태에 미치는 영향으로 추가 디펙(defect) 또는 데미지(demage)가 발생될 수 있다. 또한, 핀홀 결함의 크기가 수백 마이크로미터(㎛) 수준인 경우에는 국부적으로 핀홀 결함을 수정하는데 한계가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법은, 광차단막 핀홀 결함들이 발생된 포토마스크 전면에 광흡수막을 형성하는 단계; 및 상기 광흡수막을 선택적으로 식각하여 상기 핀홀 결함 부분에 광흡수막 패턴들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 포토마스크는 광차단막 패턴이 형성된 투명기판으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 포토마스크는 위상반전막 패턴 및 광차단막 패턴이 형성된 투명기판으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 광흡수막은 탄소막으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 탄소막은 탄소의 함유량을 조절하여 광흡수율을 조절하는 것이 바람직하다.
상기 탄소막은 탄소가 함유된 반응소스를 이용하여 상기 투명기판 상에 탄소막을 코팅하거나 증착하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 광흡수막 패턴을 형성하는 단계는, 상기 광흡수막 상에 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 레지스트막을 패터닝하여 상기 핀홀 결함 부분를 선택적으로 차단하는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트막 패턴을 식각마스크로 사용한 노출된 탄소막을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 레지스트막 패턴을 제거하는 단계로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 레지스트막은 네가티브 레지스트막으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 탄소막을 식각하는 단계는 산소 플라즈마를 이용한 건식 식각을 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법은, 광차단막 핀홀 결함들이 발생된 포토마스크 뒷면에 광흡수막을 형성하는 단계; 및 상기 광흡수막을 선택적으로 식각하여 상기 핀홀 결함들이 형성된 영역과 대응되는 포토마스크 뒷면 영역에 광흡수막 패턴들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 광흡수막은 탄소막으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 포토마스크 뒷면 영역에 광흡수막 패턴들을 형성하는 단계는, 상기 포토마스크 뒷면에 광흡수막 및 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 핀홀 결함과 대응되는 영역의 레지스트에 자외선을 조사하여 노광하는 단계; 상기 자외선이 조사된 부분의 레지스트막 남도록 상기 레지스트를 현상하여 레지스트막 패턴들을 형성하는 단계; 상기 레지스트막 패턴들을 식각마스크로 노출된 광흡수막을 식각하여 광흡수단막 패턴들을 형성하는 단계; 및 상기 레지스트막 패턴들을 제거하는 단계로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 레지스트를 노광하는 단계는, 상기 레지스트에 갈륨(Ga) 이온을 주입하여 수행하는 것이 바람직하다.
상기 광흡수막을 식각하는 단계는 상기 광흡수막에 유기용매를 사용하여 광흡수막을 선택적으로 식각하는 것이 바람직하다.
(실시예 1)
도 1을 참조하면, 투명기판(110) 상에 광차단막 패턴(111)을 갖는 포토마스크(100)를 제작한다. 이때, 포토마스크(100)는 투명기판 상에 광차단막 패턴을 갖는 바이너리마스크(binary mask) 또는 투명기판 상에 위상반전막 패턴 및 광차단막 패턴을 갖는 위상반전마스크(phase shift mask)를 제작할 수 있다.
구체적으로, 바이너리마스크를 제작하기 위해서는 먼저, 석영기판과 같은 투명기판 상에 광차단막 및 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 통상의 전자빔을 이용한 노광 공정을 수행하여 회로 패턴을 전사한다. 이어서, 현상액을 이용한 현상공정을 수행하여 전사된 회로 형태로 레지스트 패턴을 형성한 후, 레지스트 패턴을 식각마스크로 사용한 식각공정을 수행하여 광차단막 패턴을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴을 제거하는 과정으로 이루어진다. 이때, 광차단막은 투과되는광을 차단할 수 있는 물질 예컨대, 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다.
한편, 위상반전마스크를 제작하기 위해서는 먼저, 석영기판과 같은 투명기판 상에 위상반전막, 광차단막 및 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 통상의 전자빔을 이용한 노광 공정을 수행하여 회로 패턴을 전사한다. 이어서, 현상액을 이용한 현상공정을 수행하여 전사된 회로 형태로 레지스트 패턴을 형성한 후, 레지스트 패턴을 식각마스크로 사용한 식각공정을 수행하여 광차단막 패턴 및 위상반전막 패턴을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴을 제거하는 과정으로 이루어진다. 이때, 위상반전막은 투과되는 광의 위상을 반전시킬 수 있는 물질 예컨대, 몰리브데실리콘산화질화(MoSiON)막으로 형성하고, 광차단막은 투과되는 광을 차단할 수 있는 물질 예컨대, 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다.
그런데, 포토마스크(100)를 제조하는 과정에서 식각 공정 이상 또는 장비 불량 등에 의해 광차단막 패턴(111)이 형성되어야 할 부분에서 광차단막 패턴(111)이 형성되지 않는 핀홀(pinhole) 결함이 발생될 수 있다. 특히, 위상반전마스크에는 광차단막 패턴이 위상반전마스크의 프레임 영역에 형성되므로, 핀홀 결함은 위상반전마스크의 프레임 영역에서 발생될 수 있다.
여기서, 도면에서 점선으로 나타낸 부분(111a)들은 광차단막 패턴(111)이 형성되지 않아 핀홀 결함이 발생된 부분을 나타낸다. 이러한 핀홀 결함(111)은 후속 포토마스크(100)를 이용한 웨이퍼 노광 과정에서 광을 차단하지 못하고, 투과시켜 웨이퍼 패터닝 불량 등을 일으키게 된다.
도 2를 참조하면, 광차단막 핀홀 결함(111a)이 발생된 포토마스크(100) 전면에 광흡수막(120) 및 레지스트막(140)을 형성한다. 광흡수막(120)은 투과되는 광을 차단할 수 있는 정도의 흡수율을 가진 물질 예컨대, 탄소막으로 형성할 수 있다. 탄소막은 탄소를 함유한 화합물을 반응 소스로 이용하여 코팅(coating)하거나 증착(deposition)하여 형성할 수 있다. 이때, 탄소막은 탄소 함유량을 조절하여 식각선택비뿐만 아니라 광학적 특성을 조절할 수 있다. 예컨대, 탄소막에 수소 함유량이 적어질수록 탄소막의 광흡수율을 높아지게 된다. 레지스트막(140)은 네가티브 (negative) 레지스트막으로 형성하는 것이 바람직하다. 경우에 따라, 레지스트막(140)은 포지티브(positive) 레지스트막으로 형성할 수도 있다.
레지스트막(140)을 형성하기 이전에, 광흡수막(120) 상에 산화막(130)을 형성할 수 있다. 산화막(130)은 산소 소스가스를 이용한 산화공정을 수행하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 반응 챔버 내부로 산소가스를 공급하고, 적절한 전압을 인가하여 산화막(130)을 형성한다. 이때, 산화막(130)은 광흡수막(120)보다 상대적으로 얇은 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 탄소막은 산화막과의 식각선택비가 우수하므로, 얇은 두께의 산화막으로도 충분한 두께의 탄소막을 패터닝할 수 있다.
도 3을 참조하면, 노광 공정 및 현상공정을 수행하여 핀홀 결함(도 1의 111a)이 발생된 부분을 차단하는 레지스트막 패턴(141)들을 형성한다. 여기서, 레지스트막(141)을 네가티브 레지스트막으로 형성하는 경우, 노광 시 광에 의해 조사되지 않은 부분은 현상액에 의해 제거되고, 광에 의해 조사된 부분은 남게되어 레지스트막 패턴(141)이 된다.
구체적으로, 도면에는 상세하게 나타나지 않았지만, 노광 장비 내로 광흡수막(120)이 형성된 포토마스크(100)를 로딩시킨 후, 노광 광원과 포토마스크(100) 사이에 노광 방지막(150)을 배치시켜 핀홀 결함(111a)이 발생된 부분을 모두 노출시킨다. 이어서, 노광방지막(150)에 의해 노출된 핀홀 결함(111a)이 발생된 부분을 노광시킨 후, 현상액을 이용하여 광이 조사되지 않은 부분을 제거한다.
레지스트막 패턴(141)들은 후속 핀홀 결함이 발생된 부분(111a)을 수정하기 위한 광흡수막 패터닝 시 식각마스크 역할을 한다.
레지스트막 패턴(141)들에 의해 노출된 산화막, 광흡수막을 선택적으로 식각하여 산화막 패턴 및 광흡수막 패턴(121)을 형성한다. 그러면, 핀홀 결함이 발생된 부분은 산화막 패턴 및 광흡수막 패턴이 형성되면서 수정되고, 핀홀 결함이 발생되 지 않은 부분은 식각공정을 통해 제거된다.
한편, 산화막 패턴(131)은 광흡수막 예컨대, 탄소막을 식각하기 위한 식각공정 시 하드마스크(hard mask) 역할을 한다. 즉, 탄소막은 산소플라즈마를 이용한 건식 식각 공정을 이용하여 식각할 수 있다. 이때, 탄소막과 산화막의 식각선택비는 대략 1:10 정도로 얇은 두께의 산화막 패턴(131)으로도 충분한 두께의 탄소막을 식각할 수 있다. 또한, 핀홀 결함이 발생되지 않는 부분의 탄소막이 산소플라즈마에 의해 식각되는 동안 광차단막 패턴 표면 상부가 손실(loss)되는 것을 억제시킬 수 있다.
이처럼 다수 개의 핀홀 결함이 발생되거나, 핀홀 결함의 사이즈가 상대적으로 큰 경우, 핀홀 결함들이 발생된 포토마스크 전면에 탄소막을 코팅한 후, 포토리소그래피 공정 및 식각공정을 통해 핀홀 결함들을 수정할 수 있다. 이에 따라, 핀홀 결함을 수정하기 위한 공정 시간을 절약하고 소자의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 4를 참조하면, 산화막 패턴 및 레지스트막 패턴을 제거한다. 그러면, 핀홀 결함 부분에 광흡수막 패턴(121)이 형성되면서, 핀홀 결함을 수정할 수 있다. 광흡수막 예컨대, 탄소막은 탄소 함유량에 따라 광을 흡수하는 물질로 이용되므로 후속 웨이퍼 노광 과정에서 광차단막 패턴과 함께 광을 차단하는 차광 영역이 된다. 따라서, 핀홀 결함으로 인한 웨이퍼 패터닝 불량을 방지할 수 있다.
(실시예 2)
도 5를 참조하면, 광차단막 패턴(220) 및 위상반전막 패턴(210)을 갖는 위상반전마스크(phase shift mask)를 제작한다.
위상반전마스크를 제작하기 위해서는 먼저, 석영기판과 같은 투명기판(200) 상에 위상반전막, 광차단막 및 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 통상의 전자빔을 이용한 노광 공정을 수행하여 회로 패턴을 전사한다. 이어서, 현상액을 이용한 현상공정을 수행하여 전사된 회로 형태로 레지스트 패턴을 형성한 후, 레지스트 패턴을 식각마스크로 사용한 식각공정을 수행하여 광차단막 패턴(220) 및 위상반전막 패턴(220)을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴을 제거하는 과정으로 이루어진다. 이때, 위상반전막은 투과되는 광의 위상을 반전시킬 수 있는 물질 예컨대, 몰리브데실리콘산화질화(MoSiON)막으로 형성하고, 광차단막은 투과되는 광을 차단할 수 있는 물질 예컨대, 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다.
그런데, 포토마스크를 제조하는 과정에서 식각 공정 이상 또는 장비 불량 등에 의해 광차단막 패턴(220)이 형성되어야 할 부분에서 광차단막 패턴(220)이 형성되지 않는 핀홀(pinhole) 결함(220a)이 발생될 수 있다. 특히, 위상반전마스크에는 주로 차광영역을 정의하기 위한 2차 노광공정에서 발생될 수 있다.
여기서, 도면에서 점선으로 나타낸 부분(220a)들은 광차단막 패턴(220)이 형성되지 않아 핀홀 결함이 발생된 부분을 나타낸다. 이러한 핀홀 결함(220a)은 후속 포토마스크를 이용한 웨이퍼 노광 과정에서 광을 차단하지 못하고, 투과시켜 웨이퍼 패터닝 불량 등을 일으키게 된다.
도 6을 참조하면, 광차단막 핀홀 결함(220a)이 발생된 마스크기판(200) 뒷면(back side)에, 즉 위상반전막 패턴(210) 및 광차단막 패턴(220)이 형성되어 있지 않은 면의 전체 표면에 광흡수막(230) 및 레지스트막(240)을 형성한다. 광흡수 막(240)은 탄소막으로 형성할 수 있다. 탄소막은 탄소를 함유한 화합물을 반응 소스로 이용하여 코팅(coating)하거나 증착(deposition)하여 형성할 수 있다. 이때, 탄소막은 탄소 함유량을 조절하여 식각선택비뿐만 아니라 광학적 특성을 조절할 수 있다. 예컨대, 탄소막에 수소 함유량이 적어질수록 탄소막의 광흡수율을 높아지게 된다.
이때, 레지스트막은 노광된 부분이 잔류하는 네가티브(negative) 레지스트막으로 형성할 수 있다.
도 7을 참조하면, 자외선을 조사하여 레지스트막(240)을 노광한다. 이때, 핀홀 결함(220a)이 발생한 영역과 대응되는 영역을 오픈(open)하는 어퍼쳐(aperture)를 사용하여 핀홀 결함(220a)이 형성된 영역과 대응되는 영역만 자외선이 조사되도록 할 수 있다. 예컨대, 자외선에 노광되는 영역은 핀홀 결함(220a) 부분을 포함할 수 있으면 되므로, 핀홀 결함(220a)을 포함하는 넓은 부분을 작업영역으로 설정할 수 있다. 따라서, 고도의 수정(repair) 정밀도가 요구되지 않아 공정 여유도를 가지고 진행할 수 있다.
또한, 레지스트막(240)에 자외선을 조사할 때 소량의 갈륨(Ga)이온이 함께 주입되도록 한다.
도 8을 참조하면, 현상액을 이용하여 레지스트막을 현상하면 도시된 바와 같이, 자외선이 조사되지 않은 영역의 레지스트막은 제거되고, 노광된 부분의 레지스트막은 남게 되어 레지스트막 패턴(241)이 형성된다. 레지스트막 패턴(241)을 식각마스크로, 노출된 광흡수막을 식각하여 핀홀 결함과 대응되는 포토마스크 뒷면 영 역에 광흡수막 패턴(231)을 형성한다.
도 9를 참조하면, 광흡수막 패턴(231) 위에 남아 있는 레지스트막 패턴을 제거한다. 그러면, 핀홀 결함이 발생된 영역의 마스크 기판 뒷면에 광흡수막 패턴(231)만 남게 된다. 레지스트막 패턴은 자외선 조사 및 이온주입으로 경화되어 있으므로, 통상의 현상액이나, 세정액 또는 스트립 공정에 의해 제거하기가 어렵다. 이에 따라, 경화된 레지스트막 패턴은 산소 플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 신뢰성있게 제거할 수 있다.
광흡수막 예컨대, 탄소막은 탄소 함유량에 따라 광을 흡수하는 물질로 이용되므로 후속 웨이퍼 노광 과정에서 핀홀 결함이 발생된 부분에서 광의 투과를 차단하여 프렝임 영역과 같이 차광 영역을 안정적으로 정의할 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가진 변형이 가능함은 당연하다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.

Claims (14)

  1. 광차단막 핀홀 결함들이 발생된 포토마스크 전면에 광흡수막을 형성하는 단계; 및
    상기 광흡수막을 선택적으로 식각하여 상기 핀홀 결함 부분에 광흡수막 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포토마스크는 광차단막 패턴이 형성된 투명기판으로 이루어지는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포토마스크는 위상반전막 패턴 및 광차단막 패턴이 형성된 투명기판으로 이루어지는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광흡수막은 탄소막으로 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 탄소막은 탄소의 함유량을 조절하여 광흡수율을 조절하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 탄소막은 탄소가 함유된 반응소스를 이용하여 상기 투명기판 상에 탄소막을 코팅하거나 증착하여 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광흡수막 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 광흡수막 상에 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막을 패터닝하여 상기 핀홀 결함 부분를 선택적으로 차단하는 레지스트막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막 패턴을 식각마스크로 사용한 노출된 탄소막을 선택적으로 식각하는 단계; 및
    상기 레지스트막 패턴을 제거하는 단계로 이루어지는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 탄소막을 식각하는 단계는 산소 플라즈마를 이용한 건식 식각을 이용하는 포토마스크의 패턴 결함 수정 방법.
  9. 광차단막 핀홀 결함들이 발생된 포토마스크 뒷면에 광흡수막을 형성하는 단계;
    상기 광흡수막을 선택적으로 식각하여 상기 핀홀 결함들이 형성된 영역과 대응되는 포토마스크 뒷면 영역에 광흡수막 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광흡수막은 탄소막으로 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 포토마스크 뒷면 영역에 광흡수막 패턴들을 형성하는 단계는,
    상기 포토마스크 뒷면에 광흡수막 및 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 핀홀 결함과 대응되는 영역의 레지스트에 자외선을 조사하여 노광하는 단계;
    상기 자외선이 조사된 부분의 레지스트막 남도록 상기 레지스트를 현상하여 레지스트막 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막 패턴들을 식각마스크로 노출된 광흡수막을 식각하여 광흡수단막 패턴들을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트막 패턴들을 제거하는 단계로 이루어지는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 레지스트를 노광하는 단계는, 상기 레지스트에 갈륨(Ga) 이온을 주입하여 수행하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 광흡수막을 식각하는 단계는 상기 광흡수막에 유기용매를 사용하여 광흡수막을 선택적으로 식각하는 포토마스크의 결함 수정 방법,.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 핀홀 결함은 포토마스크의 프레임 영역에서 존재하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
KR1020070103486A 2007-10-15 2007-10-15 포토마스크의 결함 수정 방법 KR100924342B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9613813B2 (en) * 2014-11-06 2017-04-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method for improving critical dimension variability by implanting argon or silicon ions into a patterned mask
US11114350B2 (en) * 2019-04-12 2021-09-07 Applied Materials, Inc. Method for removing photoresist from photomask substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5981110A (en) * 1998-02-17 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for repairing photomasks
JP3974319B2 (ja) * 2000-03-30 2007-09-12 株式会社東芝 エッチング方法
JP4149676B2 (ja) * 2001-02-05 2008-09-10 株式会社東芝 フォトマスクの修正方法
US6924069B2 (en) * 2003-01-15 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for repairing attenuated phase shift masks
JP2004309605A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Sii Nanotechnology Inc フォトマスクの欠陥修正方法
US6806007B1 (en) * 2003-05-02 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. EUV mask which facilitates electro-static chucking
US7497959B2 (en) * 2004-05-11 2009-03-03 International Business Machines Corporation Methods and structures for protecting one area while processing another area on a chip
US7473496B2 (en) * 2004-11-04 2009-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for repairing opaque defects in photolithography masks
US7829243B2 (en) * 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
US7829471B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask
US7323401B2 (en) * 2005-08-08 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask
KR20070068898A (ko) * 2005-12-27 2007-07-02 주식회사 하이닉스반도체 프레임 영역의 핀홀 결함을 수정할 수 있는 위상 반전마스크 및 이를 이용한 핀홀 결함 수정 방법
JP4797729B2 (ja) * 2006-03-22 2011-10-19 大日本印刷株式会社 階調をもつフォトマスクの半透明領域の欠陥修正方法

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