JP3761681B2 - フォトマスク欠損欠陥修正方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造におけるリソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に用いられるフォトマスクの回路パターン部の欠損欠陥の修正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在のフォトマスクにおける回路パターン部の欠損欠陥の修正は、以下のように行われている。
【０００３】
（１）まず、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ ｓｙｓｔｅｍｓ）修正法について説明する。
【０００４】
図７に示すように、ＦＩＢ修正装置は、プロセスガス銃１、イオン源２、電子銃３を有しており、膜形成方法は、イオン源２からＧａ（ガリウム）イオンビーム４を放出させながら、プロセスガス銃１からピレンガス５を放出させる。ピレンガス５は、Ｇａイオンビーム４に接触することにより、重合（化学反応）し、イオンビームの照射領域６にＣ（カーボン）の薄膜７を形成する。なお、８はレンズである。
【０００５】
なお、電子銃３から放出される電子は、イオン源２から放出されるＧａ（ガリウム）イオンビーム４が、絶縁物のガラス基板に照射されることから、ビームのドリフト（位置ずれ）があり、電子により電気的に中和を行い、イオンビームのドリフトを抑制するために照射している。
【０００６】
（２）次に、レーザ修正法による修正装置について説明する。
【０００７】
図８に示すように、このレーザＣＶＤ修正装置は、レーザ１１、プロセスガス銃１２を有しており、膜形成方法は、レーザ１１の照射領域１４にプロセスガス１３（Ａｒ＋ＣＨ4 ）を放出し、光ＣＶＤにより、Ｃｒ（クロム）薄膜１５を形成する。
【０００８】
上記したように、これらの修正技術は、回路パターン部の欠損欠陥部にＧａイオンビーム、またはレーザを照射することで欠損欠陥部の修正が可能となる。
【０００９】
また、レーザ修正法において、プロセスガス１３を放出せずに、レーザ１１を照射することで回路パターン部の除去を行うことができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記（１）のＦＩＢ修正技術は、フォトマスクにイオンビームを照射することにより、回路パターン部を形成するＣｒからの２次イオンと透過部であるガラス基板からのＳｉの２次イオンが発生する。そして、このＣｒ、Ｓｉ２次イオンの種類と個数を各イオン検出用のチャネルトロンにより検出し、検出されたデータを増幅し、コンピュータに取り込むことで、フォトマスクのイメージ像を作成するようにしている。
【００１１】
しかしながら、このＦＩＢ修正技術においては、以下の問題点がある。
【００１２】
（Ａ）回路パターン部に欠損欠陥が存在する場合、欠損欠陥部が完全なガラス基板の材質（Ｓｉの２次イオンの検出が可能）であれば、イメージ像において、欠損欠陥部が確認可能であるが、欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン欠陥）においては、チャネルトロンの検出分解能力、及び画像処理の分解能力の限界により、イメージ像における欠損欠陥部の確認が難しい。
【００１３】
（Ｂ）フォトマスク上に存在する欠陥サイズに関する品質要求が６４Ｍｂ ＤＲＡＭにおいては、０．３〜０．３５μｍ、２５６Ｍｂ ＤＲＡＭにおいては、０．２５〜０．２μｍレベルの微小欠陥サイズが要求されている。
【００１４】
しかしながら、画像処理の分解能力の限界により、微小サイズの欠陥部の確認が難しい。
【００１５】
なお、このＦＩＢ修正装置のイメージ像における欠陥部のサイズは、≧０．５μｍレベルまでは確認可能である。
【００１６】
次に、上記（２）のレーザ修正装置は、（１）のＦＩＢ修正装置で用いる画像イメージとは違い、光学顕微鏡を用い、観察照明方式として反射光、透過光を使用する。
【００１７】
この観察方式では、回路パターン部の欠損欠陥を直接観察することが可能であり、ＦＩＢ修正装置における課題である欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン欠陥）においても、反射光及び透過光を用いることで確認することができる。
【００１８】
しかしながら、このレーザ修正装置においては、以下の問題点がある。
【００１９】
（Ａ）光源にＮｄ：ＹＡＧレーザ（λ：５３２ｎｍ）を用いていること、及び光ＣＶＤによるＣｒ蒸着方法を用いるために、Ｃｒの最小蒸着領域は、数ミクロン以上である。つまり、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着することができない。
【００２０】
（Ｂ）光ＣＶＤによるＣｒ蒸着方法により形成されたＣｒ薄膜は、透過部のガラス基板との密着性が悪いため、回路パターン部の欠損欠陥部に形成したＣｒ薄膜が、フォトマスクの洗浄プロセス時に剥がれてしまう。
【００２１】
本発明は、上記問題点を除去し、回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部をレーザ修正法により作製し、前記エッジ欠損欠陥部と前記新規独立欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成するようにしたものである。
【００２３】
〔２〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターン欠損欠陥修正方法において、孤立欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部をレーザ修正法により作製し、前記孤立欠損欠陥部と前記新規孤立欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成するようにしたものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】
従来のフォトマスクにおける回路パターン部の欠損欠陥部における修正方法としては、ＦＩＢ修正装置、及びレーザ修正装置のいずれかを使用していたが、本発明の修正方法は、ＦＩＢ修正装置の利点である（１）欠損欠陥部の修正精度がレーザ修正装置と比較して優れている点と、（２）Ｃ（カーボン）膜の性質が、レーザ修正装置によるＣｒ薄膜と比較して耐洗浄性に優れている点を用いることと、また、レーザ修正装置の利点である、光学顕微鏡による観察方法を採用し、回路パターン部の欠損欠陥部の観察（検出）がＦＩＢ修正装置と比較して優れている点を利用した欠損欠陥部の修正方法を採っている。
【００２６】
まず、本発明の第１実施例について説明する。
【００２７】
図１は本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００２８】
図１（ａ）は回路パターン部１０１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１０２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１０２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、エッジ欠損欠陥部とは、回路パターン部のエッジを含んだパターン部にＣｒが存在しない領域のことである。
【００２９】
そこで、図１（ｂ）に示すように、レーザ修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、エッジ欠損欠陥部１０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、エッジ欠損欠陥部１０２とは別に新規独立欠損欠陥部１０３を作製する。この新規独立欠損欠陥部１０３のサイズは、Ｘは０．８μｍ、Ｙは１．３μｍとした。
【００３０】
なお、この新規独立欠損欠陥部のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の形状に影響が無い形状（回路パターン部１０１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【００３１】
次いで、図１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部１０１に存在するエッジ欠損欠陥部１０２と新規独立欠損欠陥部１０３上に、カーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域（ＦＩＢ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ａｒｅａ）１０４を決定する。
【００３２】
ここで、このＦＩＢ堆積領域１０４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及びカーボン膜堆積領域を設定した部分である。なお、この実施例においては、ＦＩＢ堆積領域１０４の設定は、回路パターン部１０１に存在するエッジ欠損欠陥部１０２と新規独立欠損欠陥部１０３を一回で修正可能な設定としたが、各欠損欠陥部について修正領域の設定を行っても構わない。
【００３３】
次に、図１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１０５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００３４】
図１（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１０１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００３５】
上記したように、この実施例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製する。
【００３６】
（Ｂ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と新規独立欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００３７】
このように、第１実施例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００３８】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置で行えることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００３９】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００４０】
次に、本発明の第１参考例について説明する。
【００４１】
図２は本発明の第１参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００４２】
図２（ａ）に示すように、回路パターン部１１１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１１２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１１２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。
【００４３】
次に、図２（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、エッジ欠損欠陥部１１２の面積値に対して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損欠陥部１１２に重複させた位置に照射し、エッジ欠損欠陥部１１２サイズより広領域の新規エッジ欠損欠陥部１１３を作製する。この新規エッジ欠損欠陥部１１３のサイズは、Ｘは２．０μｍ、Ｙは３．０μｍとした。
【００４４】
なお、この新規エッジ欠損欠陥部１１３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部１１１の形状に影響が無い形状（回路パターン部１１１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【００４５】
図２（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部１１１に存在する新規エッジ欠損欠陥部１１３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１１４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１１４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状及び領域を設定した部分である。
【００４６】
次いで、図２（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１１５にカーボン膜を１３００Å形成した。
【００４７】
なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００４８】
図２（ｅ）は修正終了後の回路パターン部１１１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１１１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００４９】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エッジ欠損欠陥部を作製する。
【００５０】
（Ｂ）新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００５１】
このように、第１参考例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エッジ欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００５２】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００５３】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００５４】
次に、本発明の第２参考例について説明する。
【００５５】
図３は本発明の第２参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００５６】
図３（ａ）に示すように、回路パターン部１２１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１２２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１２２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。
【００５７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、回路パターン部１２１のエッジ欠損欠陥部１２２に対してＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損欠陥部１２２と接触する位置に照射し、エッジ欠損欠陥部１２２の元サイズに対して、欠損欠陥部１２２を拡大させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域１２３のサイズは、Ｘを１．０μｍ、Ｙを０．５μｍとした。
【００５８】
なお、この拡大させた欠損欠陥部１２２のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部１２１の形状に影響が無い形状（回路パターン部１２１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【００５９】
図３（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１２１に存在するエッジ欠損欠陥部１２２上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１２４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１２４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００６０】
次いで、図３（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１２５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００６１】
図３（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１２１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１２１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００６２】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の領域（サイズ、面積）を拡大させる。
【００６３】
（Ｂ）拡大させた新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００６４】
このように、第２参考例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の元サイズに対して、エッジ欠損欠陥部領域を拡大させることにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００６５】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００６６】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００６７】
次に、本発明の第３参考例について説明する。
【００６８】
図４は本発明の第３参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００６９】
図４（ａ）に示すように、回路パターン部１３１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１３２が存在している。このエッジ欠損欠陥部のサイズは左部欠損欠陥部１３２ＡはＸは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１３２ＢはＸは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００７０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１３１に存在するエッジ欠損欠陥部１３２Ａ，１３２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１３３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１３３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００７１】
次いで、図４（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いてサイズがＸは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１３４）。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００７２】
図４（ｄ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域１３５に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域は、Ｘは２．０μｍ、Ｙは４．０μｍとした。なお、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照射領域は、正常な回路パターン部を考慮すれば、サイズ、形状については問わない。
【００７３】
図４（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１３１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１３１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。なお、１３４Ａは欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域を示している。
【００７４】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【００７５】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。
【００７６】
このように、第３参考例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で修正する必要がない。
【００７７】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてレーザ修正装置（レーザによる修正）を用いることができる。
【００７８】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００７９】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００８０】
次に、本発明の第４参考例について説明する。
【００８１】
図５は本発明の第４参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００８２】
図５（ａ）に示すように、回路パターン部１４１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１４２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１４２のサイズは、左部欠損欠陥部１４２ＡはＸは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１４２ＢはＸは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００８３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１４１に存在するエッジ欠損欠陥部１４２Ａ，１４２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１４３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１４３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００８４】
次いで、図５（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、サイズが、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１４４）。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００８５】
図５（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対してのみＧａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）１４５にする。このスパッタエッチング領域は、Ｘは２．０μｍ、Ｙは２．５μｍとした。
【００８６】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｇａイオンビームを照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な光透過部（ガラス面部）領域に影響がなく、かつ正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残らないサイズ、形状にするように設定した。
【００８７】
図５（ｅ）は修正終了後の回路パターン部１４１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１４１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。なお、１４４Ａは欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域を示している。
【００８８】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【００８９】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対してのみ、Ｇａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）にする。
【００９０】
このように、第４参考例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能になる。
【００９１】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができる。
【００９２】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００９３】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００９４】
次に、本発明の第５参考例について説明する。
【００９５】
図６は本発明の第５参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００９６】
図６（ａ）に示すように、回路パターン部１５１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１５２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１５２のサイズは左部欠損欠陥部１５２Ａのサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１５２Ｂのサイズは、Ｘは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００９７】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１５１に存在するエッジ欠損欠陥部１５２Ａ，１５２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１５３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１５３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００９８】
次いで、図６（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、サイズが、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１５４）。このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００９９】
図６（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して回路パターン部１５１のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域１５５にＧａイオンビームを照射する。
【０１００】
図６（ｅ）に示すように、回路パターン部１５１のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域１５５に堆積されたカーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）にする。このスパッタエッチング領域１５５は、各サイズ共にＸは０．４μｍ、Ｙは２．５μｍとした。
【０１０１】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｇａイオンビームを照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な光透過部（ガラス面部）領域に影響がないサイズ、形状にするように設定した。
【０１０２】
図６（ｆ）に示すように、正常な光透過部（ガラス面部）のカーボン膜が残留している領域１５６、かつ回路パターン部１５１のエッジ近傍部にダメージを与えない領域に、レーザ修正装置を用いてＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域１５６のカーボン膜を除去する。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域のサイズは、Ｘは１．６μｍ、Ｙは６．０μｍとした。
【０１０３】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射するスパッタエッチング領域１５５は、カーボン膜を形成していない正常な回路パターン部１５１の領域に影響がないサイズ、形状にするように設定した。
【０１０４】
図６（ｇ）は修正終了後の回路パターン部１５１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１５１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１０５】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【０１０６】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対して回路パターン部のエッジ近傍部のみに、Ｇａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングする。
【０１０７】
（Ｃ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜が残留している領域に対し、かつ回路パターン部のエッジ部にダメージを与えない領域にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域を除去する。
【０１０８】
このように、第５参考例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能になる。
【０１０９】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置とレーザ修正装置を用いることができる。
【０１１０】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１１１】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１１２】
次に、回路パターン部の内部に独立して存在する欠損欠陥（孤立欠損欠陥）部の修正方法について説明する。
【０１１３】
図９は本発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１１４】
図９（ａ）に示すように、回路パターン部２０１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２０２を有する。この孤立欠損欠陥部２０２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２０２とは、回路パターン部２０１のエッジ部を含まないパターン部にＣｒが存在しない領域のことである。
【０１１５】
次いで、図９（ｂ）に示すように、レーザ修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、孤立欠損欠陥部２０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、孤立欠損欠陥部２０２とは別に新規孤立欠損欠陥部２０３を作製する。この新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズは、Ｘは１．５μｍ、Ｙは１．０μｍとした。
【０１１６】
なお、新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部２０１の形状に影響が無い形状（回路パターン部２０１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【０１１７】
次いで、図９（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部２０１に存在する孤立欠損欠陥部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域２０４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２０４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。なお、この実施例においては、この修正領域の設定は、回路パターン部２０１に存在する孤立欠損欠陥部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３を一回で修正可能な設定としたが、各欠損欠陥部について修正領域の設定を行っても構わない。 図９（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２０５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１１８】
図９（ｅ）は、孤立欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部２０１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２０１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１１９】
上記したように、この実施例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規欠損欠陥部を作製する。
【０１２０】
（Ｂ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１２１】
このように、第２実施例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１２２】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものとなる。
【０１２３】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１２４】
次に、本発明の第６参考例について説明する。
【０１２５】
図１０は本発明の第６参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１２６】
図１０（ａ）に示すように、回路パターン部２１１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２１２を有する。この孤立欠損欠陥部２１２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２１２とは、回路パターン部２１１のエッジ部を含まないパターン部において、Ｃｒが存在しない領域のことである。
【０１２７】
次に、図１０（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２１２の面積値に対して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザを、孤立欠損欠陥部２１２に重複させた位置に照射し、孤立欠損欠陥部２１２サイズより広領域の新規孤立欠損欠陥部２１３を作製する。この新規欠損欠陥部２１３は、Ｘは１．５μｍ、Ｙは１．０μｍとした。
【０１２８】
なお、新規孤立欠損欠陥部２１３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の形状に影響が無い、新規欠損欠陥形状（回路パターン部２１１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【０１２９】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部２１１に存在する新規孤立欠損欠陥部２１３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域領域２１４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２１４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【０１３０】
次に、図１０（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２１５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１３１】
図１０（ｅ）に示すように、修正終了後の回路パターン部２１１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部２１１′の遮光イメージを観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２１１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１３２】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置に新規欠損欠陥部を作製する。
【０１３３】
（Ｂ）新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１３４】
このように、第６参考例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置に新規欠損欠陥部を作成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１３５】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１３６】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１３７】
次に、本発明の第７参考例について説明する。
【０１３８】
図１１は本発明の第７参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１３９】
図１１（ａ）に示すように、回路パターン部２２１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２２２を有する。この孤立欠損欠陥部２２２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部とは、回路パターン部のエッジ部を含まないパターン部において、Ｃｒが存在しない領域のことである。
【０１４０】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２２２に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを孤立欠損欠陥部２２２と接触する位置に照射し、孤立欠損欠陥部２２２の元サイズに対して、欠損欠陥部を拡大させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域２２３のサイズは、Ｘは０．５μｍ、Ｙは０．５μｍとした。
【０１４１】
なお、拡大させた孤立欠損欠陥部２２２のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部２２１の形状に影響が無い形状（回路パターン部２２１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【０１４２】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部２２１に存在する拡大させた孤立欠損欠陥部２２２上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域２２４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２２４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【０１４３】
次に、図１１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２２５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１４４】
図１１（ｅ）は、修正終了後の回路パターン部２２１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２２１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１４５】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の領域（サイズ、面積）を拡大させる。
【０１４６】
（Ｂ）拡大させた新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１４７】
このように、第７参考例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の元サイズに対して、欠損欠陥部領域を拡大させることにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１４８】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１４９】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１５０】
なお、本発明は、更に以下のような利用形態を有する。
【０１５１】
第１実施例では、フォトマスクにおける回路パターン修正方法を例に説明したが、回路パターン修正技術は、フォトマスクの修正技術を液晶パネルの配線パターン修正、形成技術に適用可能である。
【０１５２】
なお、新規欠損欠陥部の作製方法に、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたが、機械的剥離方法（回路パターン部の膜に損傷を与える）方法、及び化学処理（エッチング）等を代用することでも適用可能である。
【０１５３】
遮光膜にカーボン膜を用いたが、光ＣＶＤ方式によるＣｒ膜、及び塗料（インク等）を使用することで、遮光することが可能な物質であれば、それらの適用も可能である。
【０１５４】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【０１５５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【０１５６】
〔１〕請求項１記載の発明によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製することにより、
（ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１５７】
（ｂ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることが可能になり、エッジ欠損欠陥部の修正膜をカーボン膜にすることでき、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１５８】
（ｃ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１５９】
〔２〕請求項２記載の発明によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部を作製することにより、
（ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１６０】
（ｂ）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。
【０１６１】
（ｃ）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図２】 本発明の第１参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図３】 本発明の第２参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図４】 本発明の第３参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図５】 本発明の第４参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図６】 本発明の第５参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図７】 従来のＦＩＢ修正装置の構成図である。
【図８】 従来のレーザ修正装置の構成図である。
【図９】 本発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図１０】 本発明の第６参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図１１】 本発明の第７参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【符号の説明】
１０１，１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，２０１，２１１，２２１ 回路パターン部
１０１′，１１１′，１２１′，１３１′，１４１′，１５１′，２０１′，２１１′，２２１′ 修正終了後の回路パターン部
１０２，１１２，１２２，１３２，１４２，１５２ 欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部
１０３ 新規独立欠損欠陥部
１０４，１１４，１２４，１３３，１４３，１５３，２０４，２１４，２２４ ＦＩＢ堆積領域
１０５，１１５，１２５，１３４，１４４，１５４，２０５，２１５，２２５ カーボン膜堆積領域
１１３ 新規エッジ欠損欠陥部
１２３，２２３ Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照射領域
１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａ 左部欠損欠陥部
１３２Ｂ，１４２Ｂ，１５２Ｂ 右部欠損欠陥部
１３４Ａ，１４４Ａ 欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域
１３５ 光透過部にカーボン膜を形成した領域
１４５ 光透過部（ガラス面部）
１５５ 回路パターン部のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域（スパッタエッチング領域）
１５６ 光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域
２０２，２１２，２２２ 孤立欠損欠陥部
２０３，２１３ 新規孤立欠損欠陥部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造におけるリソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に用いられるフォトマスクの回路パターン部の欠損欠陥の修正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在のフォトマスクにおける回路パターン部の欠損欠陥の修正は、以下のように行われている。
【０００３】
（１）まず、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ ｓｙｓｔｅｍｓ）修正法について説明する。
【０００４】
図７に示すように、ＦＩＢ修正装置は、プロセスガス銃１、イオン源２、電子銃３を有しており、膜形成方法は、イオン源２からＧａ（ガリウム）イオンビーム４を放出させながら、プロセスガス銃１からピレンガス５を放出させる。ピレンガス５は、Ｇａイオンビーム４に接触することにより、重合（化学反応）し、イオンビームの照射領域６にＣ（カーボン）の薄膜７を形成する。なお、８はレンズである。
【０００５】
なお、電子銃３から放出される電子は、イオン源２から放出されるＧａ（ガリウム）イオンビーム４が、絶縁物のガラス基板に照射されることから、ビームのドリフト（位置ずれ）があり、電子により電気的に中和を行い、イオンビームのドリフトを抑制するために照射している。
【０００６】
（２）次に、レーザ修正法による修正装置について説明する。
【０００７】
図８に示すように、このレーザＣＶＤ修正装置は、レーザ１１、プロセスガス銃１２を有しており、膜形成方法は、レーザ１１の照射領域１４にプロセスガス１３（Ａｒ＋ＣＨ4 ）を放出し、光ＣＶＤにより、Ｃｒ（クロム）薄膜１５を形成する。
【０００８】
上記したように、これらの修正技術は、回路パターン部の欠損欠陥部にＧａイオンビーム、またはレーザを照射することで欠損欠陥部の修正が可能となる。
【０００９】
また、レーザ修正法において、プロセスガス１３を放出せずに、レーザ１１を照射することで回路パターン部の除去を行うことができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記（１）のＦＩＢ修正技術は、フォトマスクにイオンビームを照射することにより、回路パターン部を形成するＣｒからの２次イオンと透過部であるガラス基板からのＳｉの２次イオンが発生する。そして、このＣｒ、Ｓｉ２次イオンの種類と個数を各イオン検出用のチャネルトロンにより検出し、検出されたデータを増幅し、コンピュータに取り込むことで、フォトマスクのイメージ像を作成するようにしている。
【００１１】
しかしながら、このＦＩＢ修正技術においては、以下の問題点がある。
【００１２】
（Ａ）回路パターン部に欠損欠陥が存在する場合、欠損欠陥部が完全なガラス基板の材質（Ｓｉの２次イオンの検出が可能）であれば、イメージ像において、欠損欠陥部が確認可能であるが、欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン欠陥）においては、チャネルトロンの検出分解能力、及び画像処理の分解能力の限界により、イメージ像における欠損欠陥部の確認が難しい。
【００１３】
（Ｂ）フォトマスク上に存在する欠陥サイズに関する品質要求が６４Ｍｂ ＤＲＡＭにおいては、０．３〜０．３５μｍ、２５６Ｍｂ ＤＲＡＭにおいては、０．２５〜０．２μｍレベルの微小欠陥サイズが要求されている。
【００１４】
しかしながら、画像処理の分解能力の限界により、微小サイズの欠陥部の確認が難しい。
【００１５】
なお、このＦＩＢ修正装置のイメージ像における欠陥部のサイズは、≧０．５μｍレベルまでは確認可能である。
【００１６】
次に、上記（２）のレーザ修正装置は、（１）のＦＩＢ修正装置で用いる画像イメージとは違い、光学顕微鏡を用い、観察照明方式として反射光、透過光を使用する。
【００１７】
この観察方式では、回路パターン部の欠損欠陥を直接観察することが可能であり、ＦＩＢ修正装置における課題である欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン欠陥）においても、反射光及び透過光を用いることで確認することができる。
【００１８】
しかしながら、このレーザ修正装置においては、以下の問題点がある。
【００１９】
（Ａ）光源にＮｄ：ＹＡＧレーザ（λ：５３２ｎｍ）を用いていること、及び光ＣＶＤによるＣｒ蒸着方法を用いるために、Ｃｒの最小蒸着領域は、数ミクロン以上である。つまり、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着することができない。
【００２０】
（Ｂ）光ＣＶＤによるＣｒ蒸着方法により形成されたＣｒ薄膜は、透過部のガラス基板との密着性が悪いため、回路パターン部の欠損欠陥部に形成したＣｒ薄膜が、フォトマスクの洗浄プロセス時に剥がれてしまう。
【００２１】
本発明は、上記問題点を除去し、回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部をレーザ修正法により作製し、前記エッジ欠損欠陥部と前記新規独立欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成するようにしたものである。
【００２３】
〔２〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターン欠損欠陥修正方法において、孤立欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部をレーザ修正法により作製し、前記孤立欠損欠陥部と前記新規孤立欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成するようにしたものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】
従来のフォトマスクにおける回路パターン部の欠損欠陥部における修正方法としては、ＦＩＢ修正装置、及びレーザ修正装置のいずれかを使用していたが、本発明の修正方法は、ＦＩＢ修正装置の利点である（１）欠損欠陥部の修正精度がレーザ修正装置と比較して優れている点と、（２）Ｃ（カーボン）膜の性質が、レーザ修正装置によるＣｒ薄膜と比較して耐洗浄性に優れている点を用いることと、また、レーザ修正装置の利点である、光学顕微鏡による観察方法を採用し、回路パターン部の欠損欠陥部の観察（検出）がＦＩＢ修正装置と比較して優れている点を利用した欠損欠陥部の修正方法を採っている。
【００２６】
まず、本発明の第１実施例について説明する。
【００２７】
図１は本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００２８】
図１（ａ）は回路パターン部１０１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１０２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１０２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、エッジ欠損欠陥部とは、回路パターン部のエッジを含んだパターン部にＣｒが存在しない領域のことである。
【００２９】
そこで、図１（ｂ）に示すように、レーザ修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、エッジ欠損欠陥部１０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、エッジ欠損欠陥部１０２とは別に新規独立欠損欠陥部１０３を作製する。この新規独立欠損欠陥部１０３のサイズは、Ｘは０．８μｍ、Ｙは１．３μｍとした。
【００３０】
なお、この新規独立欠損欠陥部のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の形状に影響が無い形状（回路パターン部１０１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【００３１】
次いで、図１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部１０１に存在するエッジ欠損欠陥部１０２と新規独立欠損欠陥部１０３上に、カーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域（ＦＩＢ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ａｒｅａ）１０４を決定する。
【００３２】
ここで、このＦＩＢ堆積領域１０４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及びカーボン膜堆積領域を設定した部分である。なお、この実施例においては、ＦＩＢ堆積領域１０４の設定は、回路パターン部１０１に存在するエッジ欠損欠陥部１０２と新規独立欠損欠陥部１０３を一回で修正可能な設定としたが、各欠損欠陥部について修正領域の設定を行っても構わない。
【００３３】
次に、図１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１０５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００３４】
図１（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１０１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００３５】
上記したように、この実施例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製する。
【００３６】
（Ｂ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と新規独立欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００３７】
このように、第１実施例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００３８】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置で行えることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００３９】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００４０】
次に、本発明の第１参考例について説明する。
【００４１】
図２は本発明の第１参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００４２】
図２（ａ）に示すように、回路パターン部１１１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１１２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１１２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。
【００４３】
次に、図２（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、エッジ欠損欠陥部１１２の面積値に対して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損欠陥部１１２に重複させた位置に照射し、エッジ欠損欠陥部１１２サイズより広領域の新規エッジ欠損欠陥部１１３を作製する。この新規エッジ欠損欠陥部１１３のサイズは、Ｘは２．０μｍ、Ｙは３．０μｍとした。
【００４４】
なお、この新規エッジ欠損欠陥部１１３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部１１１の形状に影響が無い形状（回路パターン部１１１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【００４５】
図２（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部１１１に存在する新規エッジ欠損欠陥部１１３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１１４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１１４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状及び領域を設定した部分である。
【００４６】
次いで、図２（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１１５にカーボン膜を１３００Å形成した。
【００４７】
なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００４８】
図２（ｅ）は修正終了後の回路パターン部１１１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１１１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００４９】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エッジ欠損欠陥部を作製する。
【００５０】
（Ｂ）新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００５１】
このように、第１参考例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エッジ欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００５２】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００５３】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００５４】
次に、本発明の第２参考例について説明する。
【００５５】
図３は本発明の第２参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００５６】
図３（ａ）に示すように、回路パターン部１２１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１２２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１２２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。
【００５７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、回路パターン部１２１のエッジ欠損欠陥部１２２に対してＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損欠陥部１２２と接触する位置に照射し、エッジ欠損欠陥部１２２の元サイズに対して、欠損欠陥部１２２を拡大させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域１２３のサイズは、Ｘを１．０μｍ、Ｙを０．５μｍとした。
【００５８】
なお、この拡大させた欠損欠陥部１２２のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部１２１の形状に影響が無い形状（回路パターン部１２１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【００５９】
図３（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１２１に存在するエッジ欠損欠陥部１２２上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１２４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１２４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００６０】
次いで、図３（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１２５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００６１】
図３（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１２１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１２１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００６２】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の領域（サイズ、面積）を拡大させる。
【００６３】
（Ｂ）拡大させた新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００６４】
このように、第２参考例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の元サイズに対して、エッジ欠損欠陥部領域を拡大させることにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００６５】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００６６】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００６７】
次に、本発明の第３参考例について説明する。
【００６８】
図４は本発明の第３参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００６９】
図４（ａ）に示すように、回路パターン部１３１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１３２が存在している。このエッジ欠損欠陥部のサイズは左部欠損欠陥部１３２ＡはＸは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１３２ＢはＸは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００７０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１３１に存在するエッジ欠損欠陥部１３２Ａ，１３２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１３３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１３３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００７１】
次いで、図４（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いてサイズがＸは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１３４）。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００７２】
図４（ｄ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域１３５に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域は、Ｘは２．０μｍ、Ｙは４．０μｍとした。なお、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照射領域は、正常な回路パターン部を考慮すれば、サイズ、形状については問わない。
【００７３】
図４（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１３１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１３１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。なお、１３４Ａは欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域を示している。
【００７４】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【００７５】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。
【００７６】
このように、第３参考例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で修正する必要がない。
【００７７】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてレーザ修正装置（レーザによる修正）を用いることができる。
【００７８】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００７９】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００８０】
次に、本発明の第４参考例について説明する。
【００８１】
図５は本発明の第４参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００８２】
図５（ａ）に示すように、回路パターン部１４１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１４２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１４２のサイズは、左部欠損欠陥部１４２ＡはＸは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１４２ＢはＸは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００８３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１４１に存在するエッジ欠損欠陥部１４２Ａ，１４２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１４３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１４３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００８４】
次いで、図５（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、サイズが、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１４４）。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００８５】
図５（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対してのみＧａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）１４５にする。このスパッタエッチング領域は、Ｘは２．０μｍ、Ｙは２．５μｍとした。
【００８６】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｇａイオンビームを照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な光透過部（ガラス面部）領域に影響がなく、かつ正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残らないサイズ、形状にするように設定した。
【００８７】
図５（ｅ）は修正終了後の回路パターン部１４１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１４１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。なお、１４４Ａは欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域を示している。
【００８８】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【００８９】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対してのみ、Ｇａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）にする。
【００９０】
このように、第４参考例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能になる。
【００９１】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができる。
【００９２】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００９３】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００９４】
次に、本発明の第５参考例について説明する。
【００９５】
図６は本発明の第５参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００９６】
図６（ａ）に示すように、回路パターン部１５１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１５２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１５２のサイズは左部欠損欠陥部１５２Ａのサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１５２Ｂのサイズは、Ｘは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００９７】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１５１に存在するエッジ欠損欠陥部１５２Ａ，１５２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１５３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１５３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００９８】
次いで、図６（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、サイズが、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１５４）。このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００９９】
図６（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して回路パターン部１５１のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域１５５にＧａイオンビームを照射する。
【０１００】
図６（ｅ）に示すように、回路パターン部１５１のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域１５５に堆積されたカーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）にする。このスパッタエッチング領域１５５は、各サイズ共にＸは０．４μｍ、Ｙは２．５μｍとした。
【０１０１】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｇａイオンビームを照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な光透過部（ガラス面部）領域に影響がないサイズ、形状にするように設定した。
【０１０２】
図６（ｆ）に示すように、正常な光透過部（ガラス面部）のカーボン膜が残留している領域１５６、かつ回路パターン部１５１のエッジ近傍部にダメージを与えない領域に、レーザ修正装置を用いてＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域１５６のカーボン膜を除去する。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域のサイズは、Ｘは１．６μｍ、Ｙは６．０μｍとした。
【０１０３】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射するスパッタエッチング領域１５５は、カーボン膜を形成していない正常な回路パターン部１５１の領域に影響がないサイズ、形状にするように設定した。
【０１０４】
図６（ｇ）は修正終了後の回路パターン部１５１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１５１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１０５】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【０１０６】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対して回路パターン部のエッジ近傍部のみに、Ｇａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングする。
【０１０７】
（Ｃ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜が残留している領域に対し、かつ回路パターン部のエッジ部にダメージを与えない領域にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域を除去する。
【０１０８】
このように、第５参考例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能になる。
【０１０９】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置とレーザ修正装置を用いることができる。
【０１１０】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１１１】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１１２】
次に、回路パターン部の内部に独立して存在する欠損欠陥（孤立欠損欠陥）部の修正方法について説明する。
【０１１３】
図９は本発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１１４】
図９（ａ）に示すように、回路パターン部２０１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２０２を有する。この孤立欠損欠陥部２０２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２０２とは、回路パターン部２０１のエッジ部を含まないパターン部にＣｒが存在しない領域のことである。
【０１１５】
次いで、図９（ｂ）に示すように、レーザ修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、孤立欠損欠陥部２０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、孤立欠損欠陥部２０２とは別に新規孤立欠損欠陥部２０３を作製する。この新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズは、Ｘは１．５μｍ、Ｙは１．０μｍとした。
【０１１６】
なお、新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部２０１の形状に影響が無い形状（回路パターン部２０１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【０１１７】
次いで、図９（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部２０１に存在する孤立欠損欠陥部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域２０４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２０４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。なお、この実施例においては、この修正領域の設定は、回路パターン部２０１に存在する孤立欠損欠陥部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３を一回で修正可能な設定としたが、各欠損欠陥部について修正領域の設定を行っても構わない。 図９（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２０５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１１８】
図９（ｅ）は、孤立欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部２０１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２０１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１１９】
上記したように、この実施例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規欠損欠陥部を作製する。
【０１２０】
（Ｂ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１２１】
このように、第２実施例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１２２】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものとなる。
【０１２３】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１２４】
次に、本発明の第６参考例について説明する。
【０１２５】
図１０は本発明の第６参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１２６】
図１０（ａ）に示すように、回路パターン部２１１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２１２を有する。この孤立欠損欠陥部２１２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２１２とは、回路パターン部２１１のエッジ部を含まないパターン部において、Ｃｒが存在しない領域のことである。
【０１２７】
次に、図１０（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２１２の面積値に対して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザを、孤立欠損欠陥部２１２に重複させた位置に照射し、孤立欠損欠陥部２１２サイズより広領域の新規孤立欠損欠陥部２１３を作製する。この新規欠損欠陥部２１３は、Ｘは１．５μｍ、Ｙは１．０μｍとした。
【０１２８】
なお、新規孤立欠損欠陥部２１３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の形状に影響が無い、新規欠損欠陥形状（回路パターン部２１１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【０１２９】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部２１１に存在する新規孤立欠損欠陥部２１３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域領域２１４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２１４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【０１３０】
次に、図１０（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２１５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１３１】
図１０（ｅ）に示すように、修正終了後の回路パターン部２１１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部２１１′の遮光イメージを観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２１１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１３２】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置に新規欠損欠陥部を作製する。
【０１３３】
（Ｂ）新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１３４】
このように、第６参考例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置に新規欠損欠陥部を作成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１３５】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１３６】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１３７】
次に、本発明の第７参考例について説明する。
【０１３８】
図１１は本発明の第７参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１３９】
図１１（ａ）に示すように、回路パターン部２２１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２２２を有する。この孤立欠損欠陥部２２２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部とは、回路パターン部のエッジ部を含まないパターン部において、Ｃｒが存在しない領域のことである。
【０１４０】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２２２に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを孤立欠損欠陥部２２２と接触する位置に照射し、孤立欠損欠陥部２２２の元サイズに対して、欠損欠陥部を拡大させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域２２３のサイズは、Ｘは０．５μｍ、Ｙは０．５μｍとした。
【０１４１】
なお、拡大させた孤立欠損欠陥部２２２のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部２２１の形状に影響が無い形状（回路パターン部２２１のエッジを含まない等）を考慮すれば、そのサイズ、形状については問わない。
【０１４２】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部２２１に存在する拡大させた孤立欠損欠陥部２２２上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域２２４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２２４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【０１４３】
次に、図１１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２２５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１４４】
図１１（ｅ）は、修正終了後の回路パターン部２２１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２２１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１４５】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の領域（サイズ、面積）を拡大させる。
【０１４６】
（Ｂ）拡大させた新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１４７】
このように、第７参考例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の元サイズに対して、欠損欠陥部領域を拡大させることにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１４８】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１４９】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１５０】
なお、本発明は、更に以下のような利用形態を有する。
【０１５１】
第１実施例では、フォトマスクにおける回路パターン修正方法を例に説明したが、回路パターン修正技術は、フォトマスクの修正技術を液晶パネルの配線パターン修正、形成技術に適用可能である。
【０１５２】
なお、新規欠損欠陥部の作製方法に、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたが、機械的剥離方法（回路パターン部の膜に損傷を与える）方法、及び化学処理（エッチング）等を代用することでも適用可能である。
【０１５３】
遮光膜にカーボン膜を用いたが、光ＣＶＤ方式によるＣｒ膜、及び塗料（インク等）を使用することで、遮光することが可能な物質であれば、それらの適用も可能である。
【０１５４】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【０１５５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【０１５６】
〔１〕請求項１記載の発明によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製することにより、
（ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１５７】
（ｂ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることが可能になり、エッジ欠損欠陥部の修正膜をカーボン膜にすることでき、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１５８】
（ｃ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１５９】
〔２〕請求項２記載の発明によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部を作製することにより、
（ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１６０】
（ｂ）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。
【０１６１】
（ｃ）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図２】 本発明の第１参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図３】 本発明の第２参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図４】 本発明の第３参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図５】 本発明の第４参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図６】 本発明の第５参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図７】 従来のＦＩＢ修正装置の構成図である。
【図８】 従来のレーザ修正装置の構成図である。
【図９】 本発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図１０】 本発明の第６参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図１１】 本発明の第７参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【符号の説明】
１０１，１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，２０１，２１１，２２１ 回路パターン部
１０１′，１１１′，１２１′，１３１′，１４１′，１５１′，２０１′，２１１′，２２１′ 修正終了後の回路パターン部
１０２，１１２，１２２，１３２，１４２，１５２ 欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部
１０３ 新規独立欠損欠陥部
１０４，１１４，１２４，１３３，１４３，１５３，２０４，２１４，２２４ ＦＩＢ堆積領域
１０５，１１５，１２５，１３４，１４４，１５４，２０５，２１５，２２５ カーボン膜堆積領域
１１３ 新規エッジ欠損欠陥部
１２３，２２３ Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照射領域
１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａ 左部欠損欠陥部
１３２Ｂ，１４２Ｂ，１５２Ｂ 右部欠損欠陥部
１３４Ａ，１４４Ａ 欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域
１３５ 光透過部にカーボン膜を形成した領域
１４５ 光透過部（ガラス面部）
１５５ 回路パターン部のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域（スパッタエッチング領域）
１５６ 光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域
２０２，２１２，２２２ 孤立欠損欠陥部
２０３，２１３ 新規孤立欠損欠陥部
Claims (2)
- フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、
エッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部をレーザ修正法により作製し、前記エッジ欠損欠陥部と前記新規独立欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。 - フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターン欠損欠陥修正方法において、
孤立欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部をレーザ修正法により作製し、前記孤立欠損欠陥部と前記新規孤立欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。
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