JPH1165089A - フォトマスク欠損欠陥修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を
修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることがで
き、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着する
とともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマス
ク欠損欠陥修正方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスクにおける回路パターン部に
存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エ
ッジ欠損欠陥部１０２の近傍に新規独立欠損欠陥部１０
３をレーザ修正法により作製し、前記エッジ欠損欠陥部
１０２と前記新規独立欠損欠陥部１０３上にＦＩＢ修正
法によりカーボン遮光膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におけ
るリソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に用い
られるフォトマスクの回路パターン部の欠損欠陥の修正
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在のフォトマスクにおける回路パター
ン部の欠損欠陥の修正は、以下のように行われている。 （１）まず、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａ
ｍ ｓｙｓｔｅｍｓ）修正法について説明する。

【０００３】図７に示すように、ＦＩＢ修正装置は、プ
ロセスガス銃１、イオン源２、電子銃３を有しており、
膜形成方法は、イオン源２からＧａ（ガリウム）イオン
ビーム４を放出させながら、プロセスガス銃１からピレ
ンガス５を放出させる。ピレンガス５は、Ｇａイオンビ
ーム４に接触することにより、重合（化学反応）し、イ
オンビームの照射領域６にＣ（カーボン）の薄膜７を形
成する。なお、８はレンズである。

【０００４】なお、電子銃３から放出される電子は、イ
オン源２から放出されるＧａ（ガリウム）イオンビーム
４が、絶縁物のガラス基板に照射されることから、ビー
ムのドリフト（位置ずれ）があり、電子により電気的に
中和を行い、イオンビームのドリフトを抑制するために
照射している。 （２）次に、レーザ修正法による修正装置について説明
する。

【０００５】図８に示すように、このレーザＣＶＤ修正
装置は、レーザ１１、プロセスガス銃１２を有してお
り、膜形成方法は、レーザ１１の照射領域１４にプロセ
スガス１３（Ａｒ＋ＣＨ₄ ）を放出し、光ＣＶＤによ
り、Ｃｒ（クロム）薄膜１５を形成する。上記したよう
に、これらの修正技術は、回路パターン部の欠損欠陥部
にＧａイオンビーム、またはレーザを照射することで欠
損欠陥部の修正が可能となる。

【０００６】また、レーザ修正法において、プロセスガ
ス１３を放出せずに、レーザ１１を照射することで回路
パターン部の除去を行うことができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記（１）ＦＩＢ修正
技術は、フォトマスクにイオンビームを照射することに
より、回路パターン部を形成するＣｒからの２次イオン
と透過部であるガラス基板からのＳｉの２次イオンが発
生する。そして、このＣｒ、Ｓｉ２次イオンの種類と個
数を各イオン検出用のチャネルトロンにより検出し、検
出されたデータを増幅し、コンピュータに取り込むこと
で、フォトマスクのイメージ像を作成するようにしてい
る。

【０００８】しかしながら、このＦＩＢ修正技術におい
ては、以下の問題点がある。 （Ａ）回路パターン部に欠損欠陥が存在する場合、欠損
欠陥部が完全なガラス基板の材質（Ｓｉの２次イオンの
検出が可能）であれば、イメージ像において、欠損欠陥
部が確認可能であるが、欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在す
る場合（ハーフトーン欠陥）においては、チャネルトロ
ンの検出分解能力、及び画像処理の分解能力の限界によ
り、イメージ像における欠損欠陥部の確認が難しい。

【０００９】（Ｂ）フォトマスク上に存在する欠陥サイ
ズに関する品質要求が６４Ｍｂ ＤＲＡＭにおいては、
０．３〜０．３５μｍ、２５６Ｍｂ ＤＲＡＭにおいて
は、０．２５〜０．２μｍレベルの微小欠陥サイズが要
求されている。しかしながら、画像処理の分解能力の限
界により、微小サイズの欠陥部の確認が難しい。

【００１０】なお、このＦＩＢ修正装置のイメージ像に
おける欠陥部のサイズは、≧０．５μｍレベルまでは確
認可能である。次に、上記（２）のレーザ修正装置は、
（１）ＦＩＢ修正装置で用いる画像イメージとは違い、
光学顕微鏡を用い、観察照明方式として反射光、透過光
を使用する。

【００１１】この観察方式では、回路パターン部の欠損
欠陥を直接観察することが可能であり、ＦＩＢ修正装置
における課題である欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場
合（ハーフトーン欠陥）においても、反射光及び透過光
を用いることで確認することができる。しかしながら、
このレーザ修正装置においては、以下の問題点がある。

【００１２】（Ａ）光源にＮｄ：ＹＡＧレーザ（λ：５
３２ｎｍ）を用いていること、及び光ＣＶＤによるＣｒ
蒸着方法を用いるために、Ｃｒの最小蒸着領域は、数ミ
クロン以上、つまり、精度良く回路パターン部の欠損欠
陥領域に蒸着することができない。 （Ｂ）光ＣＶＤによるＣｒ蒸着方法により形成されたＣ
ｒ薄膜は、透過部のガラス基板との密着性が悪いため、
回路パターン部の欠損欠陥部に形成したＣｒ薄膜が、フ
ォトマスクの洗浄プロセス時に剥がれてしまう。

【００１３】本発明は、上記問題点を除去し、回路パタ
ーン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとし
てＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パ
ターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマ
スクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法
を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在する
パターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損
欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部をレーザ修正法によ
り作製し、前記エッジ欠損欠陥部と前記新規独立欠損欠
陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成する
ようにしたものである。

【００１５】〔２〕フォトマスクにおける回路パターン
部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法におい
て、エッジ欠損欠陥部の面積値に対して、広領域の面積
値を有する新規欠損欠陥部をレーザ修正法により前記エ
ッジ欠損欠陥部に重複させた位置に作製し、この新たな
エッジ欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光
膜を形成するようにしたものである。

【００１６】〔３〕フォトマスクにおける回路パターン
部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法におい
て、エッジ欠損欠陥部に対して新規エッジ欠損欠陥部を
レーザ修正法により前記エッジ欠損欠陥部に接触させた
位置に作製し、前記エッジ欠損欠陥部と新規エッジ欠損
欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成す
るようにしたものである。

【００１７】〔４〕フォトマスクにおける回路パターン
部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法におい
て、エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正
常な光透過部（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカー
ボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜
をレーザ修正法により除去するようにしたものである。 〔５〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在する
パターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損
欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部
（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を
形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をＦＩＢ修正
法により除去するようにしたものである。

【００１８】〔６〕フォトマスクにおける回路パターン
部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法におい
て、エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正
常な光透過部（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカー
ボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜
をレーザ修正法とＦＩＢ修正法により除去するようにし
たものである。

【００１９】〔７〕フォトマスクにおける回路パターン
部に存在するパターン欠損欠陥修正方法において、孤立
欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部をレーザ修正法
により作製し、前記孤立欠損欠陥部と前記新規孤立欠損
欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成す
るようにしたものである。 〔８〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在する
パターン欠損欠陥修正方法において、孤立欠損欠陥部の
面積値に対して、広領域の面積値を有する新規孤立欠損
欠陥部をレーザ修正法により前記孤立欠損欠陥部に重複
させた位置に作製し、この新たな孤立欠損欠陥部上にＦ
ＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成するようにした
ものである。

【００２０】

〔９〕フォトマスクにおける回路パターン
部に存在するパターン欠損欠陥修正方法において、孤立
欠損欠陥部に対して新規孤立欠損欠陥部をレーザ修正法
により前記孤立欠損欠陥部に接触させた位置に作製し、
前記孤立欠損欠陥部と前記新規孤立欠損欠陥部上にＦＩ
Ｂ修正法によりカーボン遮光膜を形成するようにしたも
のである。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。従来のフォトマ
スクにおける回路パターン部の欠損欠陥部における修正
方法としては、ＦＩＢ修正装置、及びレーザ修正装置の
いずれかを使用していたが、本発明の修正方法は、ＦＩ
Ｂ修正装置の利点である（１）欠損欠陥部の修正精度が
レーザ修正装置と比較して優れている点と、（２）Ｃ
（カーボン）膜の性質が、レーザ修正装置によるＣｒ薄
膜と比較して耐洗浄性に優れている点を用いることと、
また、レーザ修正装置の利点である、光学顕微鏡による
観察方法を採用し、回路パターン部の欠損欠陥部の観察
（検出）がＦＩＢ修正装置と比較して優れている点を利
用した欠損欠陥部の修正方法を採っている。

【００２２】まず、本発明の第１実施例について説明す
る。図１は本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥
修正工程を示す図である。図１（ａ）は回路パターン部
１０１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１０２
が存在している。このエッジ欠損欠陥部１０２のサイズ
は、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修
正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部であ
る。ここで、エッジ欠損欠陥部とは、回路パターン部の
エッジを含んだパターン部にＣｒが存在しない領域のこ
とである。

【００２３】そこで、図１（ｂ）に示すように、レーザ
修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及び
ＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、エッジ欠損欠陥
部１０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、エッジ
欠損欠陥部１０２とは別に新規独立欠損欠陥部１０３を
作製する。この新規独立欠損欠陥部１０３のサイズは、
Ｘは０．８μｍ、Ｙは１．３μｍとした。

【００２４】なお、この新規独立欠損欠陥部のサイズ及
び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能
なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の形
状に影響が無い新規独立欠損欠陥形状（回路パターン部
のエッジを含まない等）を考慮すれば、新規独立欠損欠
陥部のサイズ、形状についての制約は問わない。次い
で、図１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ
−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パタ
ーン部１０１に存在するエッジ欠損欠陥部１０２と新規
独立欠損欠陥部１０３上に、カーボン膜を形成するＦＩ
Ｂ堆積領域（ＦＩＢ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ａｒｅ
ａ）１０４を決定する。

【００２５】ここで、このＦＩＢ堆積領域１０４とは、
ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形
成する形状、及びカーボン膜堆積領域を設定したことで
ある。なお、この実施例においては、ＦＩＢ堆積領域１
０４の設定は、回路パターン部１０１に存在するエッジ
欠損欠陥部１０２と新規独立欠損欠陥部１０３を一回の
修正で可能な設定を行ったが、各欠損欠陥部について修
正領域の設定を行っても構わない。

【００２６】次に、図１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修
正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１０５にカーボン
膜を１３００Å形成した。なお、この修正においては、
カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン
膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に
おいて露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題
はない。

【００２７】図１（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終
了後の回路パターン部１０１′を光学顕微鏡（ニコン
製）の透過光を用いて、回路パターン部１０１′の遮光
イメージを観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の
光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより
波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回
路パターン部に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメ
ージであることが確認された。

【００２８】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規
独立欠損欠陥部を作製する。 （Ｂ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と新規独立欠
損欠陥部上に遮光膜を形成する。

【００２９】このように、第１実施例によれば、回路パ
ターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥
部を作製することにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。 （２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正
するツールとしてＦＩＢ修正装置で行えることにより、
エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、
欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。

【００３０】（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損
欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できると
いう利点を有する。 次に、本発明の第２実施例について説明する。図２は本
発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示
す図である。図２（ａ）に示すように、回路パターン部
１１１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１１２
が存在している。このエッジ欠損欠陥部１１２のサイズ
は、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍであり、ＦＩＢ修
正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部であ
る。

【００３１】次に、図２（ｂ）に示すように、レーザ修
正装置を用いて、エッジ欠損欠陥部１１２の面積値に対
して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損欠陥部１
１２に重複させた位置に照射し、エッジ欠損欠陥部１１
２サイズより広領域の新規エッジ欠損欠陥部１１３を作
製する。この新規エッジ欠損欠陥部１１３のサイズは、
Ｘは２．０μｍ、Ｙは３．０μｍとした。

【００３２】なお、この新規エッジ欠損欠陥部１１３の
サイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における
検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パター
ン部１１１の形状に影響が無い、新規欠損欠陥形状（回
路パターン部１１１のエッジを含まない等）を考慮すれ
ば、新規欠損欠陥部のサイズ、形状についても制約は問
わない。

【００３３】図２（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置
（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、
回路パターン部１１１に存在する新規エッジ欠損欠陥部
１１３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１１４
を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１１４とは、
ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形
成する形状及び領域を設定したことである。

【００３４】次いで、図２（ｄ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１１５にカーボ
ン膜を１３００Å形成した。なお、この修正において
は、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカー
ボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー
等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれ
ば問題はない。

【００３５】図２（ｅ）は修正終了後の回路パターン部
１１１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、
回路パターン部１１１′の遮光イメージを観察した結果
である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使
用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍
にしている。観察結果では、回路パターン部１１１′に
欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであること
が確認された。

【００３６】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位
置に新規エッジ欠損欠陥部を作製する。 （Ｂ）新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。 このように、第２実施例によれば、回路パターン部のエ
ッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エッジ欠損欠陥部
を作製することにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能
になる。

【００３７】（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損
欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いる
ことにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜に
なることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正
方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有
する。

【００３８】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図３は本発明の第３実施例のフォトマスク欠損欠陥
修正工程を示す図である。図３（ａ）に示すように、回
路パターン部１２１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損
欠陥）部１２２が存在している。このエッジ欠損欠陥部
１２２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍで
あり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可
能な欠陥部である。

【００３９】次いで、図３（ｂ）に示すように、レーザ
修正装置を用いて、回路パターン部１２１のエッジ欠損
欠陥部１２２に対してＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損
欠陥部１２２と接触する位置に照射し、エッジ欠損欠陥
部１２２の元サイズに対して、欠損欠陥部１２２を拡大
させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域１２３は、
Ｘは１．０μｍ、Ｙは０．５μｍとした。

【００４０】なお、この拡大させた欠損欠陥部１２２の
サイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における
検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パター
ン部１２１の形状に影響が無い欠損欠陥形状（回路パタ
ーン部１２１のエッジを含まない等）を考慮すれば、エ
ッジ欠損欠陥部１２２のサイズ、形状についての制約は
問わない。

【００４１】図３（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置
を用いて、回路パターン部１２１に存在するエッジ欠損
欠陥部１２２上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域
１２４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１２４
とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン
膜を形成する形状、及び領域を設定したことである。次
いで、図３（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用い
て、カーボン膜堆積領域１２５にカーボン膜を１３００
Å形成した。なお、この修正においては、カーボン膜を
１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグ
ラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光す
る光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。

【００４２】図３（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終
了後の回路パターン部１２１′を光学顕微鏡（ニコン
製）の透過光を用いて、回路パターン部１２１′の遮光
イメージを観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の
光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより
波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回
路パターン部１２１′に欠損欠陥部が無いものと同等な
遮光イメージであることが確認された。

【００４３】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の領域（サイ
ズ、面積）を拡大させる。 （Ｂ）拡大させた新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形
成する。 このように、第３実施例によれば、回路パターン部のエ
ッジ欠損欠陥部の元サイズに対して、エッジ欠損欠陥部
領域を拡大させることにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能
になる。

【００４４】（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損
欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いる
ことにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜に
なることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正
方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有
する。

【００４５】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。図４は本発明の第４実施例のフォトマスク欠損欠陥
修正工程を示す図である。図４（ａ）に示すように、回
路パターン部１３１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損
欠陥）部１３２が存在している。このエッジ欠損欠陥部
のサイズは左部欠損欠陥部１３２ＡはＸは０．３μｍ、
Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１３２ＢはＸは０．２
５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイ
メージ像においては、検出不可能な欠陥部である。

【００４６】次いで、図４（ｂ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、回路パターン部１３１に存在するエ
ッジ欠損欠陥部１３２Ａ，１３２Ｂ上と正常な光透過部
（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域
１３３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１３３
とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボ
ン膜を形成する形状、及び領域を設定したことである。

【００４７】次いで、図４（ｃ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１３４のカーボ
ン膜のサイズは、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜
厚は１３００Åを形成した。なお、このＦＩＢ修正にお
いては、カーボン膜を１３００Å形成したが形成するカ
ーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー
等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であ
れば問題はない。

【００４８】図４（ｄ）に示すように、レーザ修正装置
を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜
を形成した領域１３５に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。こ
のＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域は、Ｘは２．０μｍ、
Ｙは４．０μｍとした。なお、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照
射領域は、正常な回路パターン部を考慮すれば、サイ
ズ、形状についての制約は問わない。また、１３４Ａは
欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域を示して
いる。

【００４９】図４（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終
了後の回路パターン部１３１′を光学顕微鏡（ニコン
製）の透過光を用いて、回路パターン部１３１′の遮光
イメージを観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の
光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより
波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回
路パターン部１３１′に欠損欠陥部が無いものと同等な
遮光イメージであることが確認された。

【００５０】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と
正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成す
る。 （Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を
形成した領域に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射
し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。

【００５１】このように、第４実施例によれば、回路パ
ターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に
新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能なエッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で修正
する必要がない。 （２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正
するツールとしてレーザ修正装置（レーザによる修正）
を用いることができる。

【００５２】（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボ
ン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正
方法として現有修正装置を適用できるという利点を有す
る。 次に、本発明の第５実施例について説明する。

【００５３】図５は本発明の第５実施例のフォトマスク
欠損欠陥修正工程を示す図である。図５（ａ）に示すよ
うに、回路パターン部１４１のエッジ部に欠損欠陥（エ
ッジ欠損欠陥）部１４２が存在している。このエッジ欠
損欠陥部１４２のサイズは、左部欠損欠陥部１４２Ａは
Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１４
２ＢはＸは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、Ｆ
ＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠
陥部である。

【００５４】次いで、図５（ｂ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、回路パターン部１４１に存在するエ
ッジ欠損欠陥部１４２Ａ，１４２Ｂ上と正常な光透過部
（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域
１４３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１４３
とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボ
ン膜を形成する形状、及び領域を設定したことである。

【００５５】次いで、図５（ｃ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１４４にカーボ
ン膜のサイズは、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜
厚は１３００Åとして形成した。なお、このＦＩＢ修正
においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成
するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステ
ッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄
膜であれば問題はない。

【００５６】図５（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置
を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜
を形成した領域に対してのみＧａイオンビームを照射
し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過
部（ガラス面部）１４５にする。このスパッタエッチン
グ領域は、Ｘは２．０μｍ、Ｙは２．５μｍとした。な
お、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成
した領域に対して、Ｇａイオンビームを照射する領域
は、カーボン膜を形成していない正常な光透過部（ガラ
ス面部）領域に影響がなく、かつ正常な光透過部（ガラ
ス面部）にカーボン膜が残らないサイズ、形状にするよ
うに設定した。

【００５７】図５（ｅ）は修正終了後の回路パターン部
１４１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、
回路パターン部１４１′の遮光イメージを観測した結果
である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使
用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍
にしている。観察結果では、回路パターン部１４１′に
欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであること
が確認された。なお、１４４Ａは欠損欠陥修正のための
最終カーボン膜堆積領域を示している。

【００５８】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と
正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成す
る。 （Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を
形成した領域に対してのみ、Ｇａイオンビームを照射
し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過
部（ガラス面部）にする。

【００５９】このように、第５実施例によれば、回路パ
ターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に
新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能に
なる。 （２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正
するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ
る。

【００６０】（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボ
ン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正
方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有
する。 次に、本発明の第６実施例について説明する。

【００６１】図６は本発明の第６実施例のフォトマスク
欠損欠陥修正工程を示す図である。図６（ａ）に示すよ
うに、回路パターン部１５１のエッジ部に欠損欠陥（エ
ッジ欠損欠陥）部１５２が存在している。このエッジ欠
損欠陥部１５２のサイズは左部欠損欠陥部１５２Ａのサ
イズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠
陥部１５２Ｂのサイズは、Ｘは０．２５μｍ、Ｙは０．
２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像において
は、検出不可能な欠陥部である。

【００６２】次いで、図６（ｂ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、回路パターン部１５１に存在するエ
ッジ欠損欠陥部１５２Ａ，１５２Ｂ上と正常な光透過部
（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域
１５３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１５３
とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボ
ン膜を形成する形状、及び領域を設定したことである。

【００６３】次いで、図６（ｃ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、カーボン堆積領域１５４にカーボン
膜のサイズは、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚
は１３００Åとして形成した。このＦＩＢ修正において
は、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカー
ボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー
等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であ
れば問題はない。

【００６４】図６（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置
を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜
を形成した領域に対して回路パターン部１５１のエッジ
近傍部のみのＦＩＢエッチング領域１５５にＧａイオン
ビームを照射する。図６（ｅ）に示すように、回路パタ
ーン部１５１のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領
域１５５のカーボン膜をスパッタエッチングし、正常な
光透過部（ガラス面部）にする。このスパッタエッチン
グ領域１５５は、各サイズ共にＸは０．４μｍ、Ｙは
２．５μｍとした。

【００６５】なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカ
ーボン膜を形成した領域に対して、Ｇａイオンビームを
照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な光
透過部（ガラス面部）領域に影響がないサイズ、形状に
するように設定した。図６（ｆ）に示すように、正常な
光透過部（ガラス面部）のカーボン膜が残留している領
域１５６に対し、かつ回路パターン部１５１のエッジ近
傍部にダメージを与えない領域にレーザ修正装置を用い
て、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガ
ラス面部）にカーボン膜が残留している領域１５６を除
去する。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域のサイズ
は、Ｘは１．６μｍ、Ｙは６．０μｍとした。

【００６６】なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカ
ーボン膜を形成した領域に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
を照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な
回路パターン部１５１に領域に影響がないサイズ、形状
にするように設定した。図６（ｇ）は修正終了後の回路
パターン部１５１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光
を用いて、回路パターン部１５１′の遮光イメージを観
測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀
ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６
５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部
１５１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージ
であることが確認された。

【００６７】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と
正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成す
る。 （Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を
形成した領域に対して回路パターン部のエッジ近傍部の
みに、Ｇａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッ
タエッチングする。

【００６８】（Ｃ）正常な光透過部（ガラス面部）に、
カーボン膜が残留している領域に対し、かつ回路パター
ン部のエッジ部にダメージを与えない領域にＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にカ
ーボン膜が残留している領域を除去する。 このように、第６実施例によれば、回路パターン部に存
在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠
陥部を形成することにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能に
なる。

【００６９】（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損
欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置とレーザ
修正装置を用いることができる。 （３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になるこ
とで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正
方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有
する。

【００７０】次に、回路パターン部の内部に独立して存
在する欠損欠陥（孤立欠損欠陥）部の修正方法について
説明する。図９は本発明の第７実施例のフォトマスク欠
損欠陥修正工程を示す図である。図９（ａ）に示すよう
に、回路パターン部２０１は内部に独立して存在する孤
立欠損欠陥部２０２を有する。この孤立欠損欠陥部２０
２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであ
り、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能
な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２０２と
は、回路パターン部２０１のエッジ部を含まないパター
ン部にＣｒが存在しない領域のことである。

【００７１】次いで、図９（ｂ）に示すように、レーザ
修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及び
ＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、孤立欠損欠陥部
２０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、孤立欠損
欠陥部２０２とは別に新規孤立欠損欠陥部２０３を作製
する。この新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズは、Ｘは
１．５μｍ、Ｙは１．０μｍとした。

【００７２】なお、新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズ
及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可
能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部２
０１の形状に影響が無い新規欠損欠陥形状（回路パター
ン部２０１のエッジを含まない等）を考慮すれば、新規
孤立欠損欠陥部２０３のサイズ、形状についての制約は
問わない。

【００７３】次いで、図９（ｃ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を
用いて、回路パターン部２０１に存在する孤立欠損欠陥
部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３上にカーボン膜を
形成するＦＩＢ堆積領域２０４を決定する。ここで、こ
のＦＩＢ堆積領域２０４とは、ＦＩＢ修正装置において
イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を
設定したことである。なお、この実施例においては、こ
の修正領域の設定は、回路パターン部２０１に存在する
孤立欠損欠陥部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３を一
回の修正で可能な設定を行ったが、各欠損欠陥部につい
て修正領域の設定を行っても構わない。

【００７４】図９（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置
を用いて、カーボン膜堆積領域２０５にカーボン膜を１
３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、
カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン
膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に
おいて露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題
はない。

【００７５】図９（ｅ）は、孤立欠損欠陥部の修正終了
後の回路パターン部２０１′を光学顕微鏡（ニコン製）
の透過光を用いて、回路パターン部２０１′の遮光イメ
ージを観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源
は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長
λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パ
ターン部２０１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光
イメージであることが確認された。

【００７６】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規欠
損欠陥部を作製する。 （Ｂ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と新規欠損欠陥
部上に遮光膜を形成する。 このように、第７実施例によれば、回路パターン部の孤
立欠損欠陥部の近傍に新規欠損欠陥部を作製することに
より、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。

【００７７】（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部
を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることが
できることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜に
なることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法と
して、現有修正装置を適用できるという利点を有する。

【００７８】次に、本発明の第８実施例について説明す
る。図１０は本発明の第８実施例のフォトマスク欠損欠
陥修正工程を示す図である。図１０（ａ）に示すよう
に、回路パターン部２１１は内部に独立して存在する孤
立欠損欠陥部２１２を有する。この孤立欠損欠陥部２１
２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであ
り、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能
な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２１２と
は、回路パターン部２１１のエッジ部を含まないパター
ン部にＣｒが存在しない領域のことである。

【００７９】次に、図１０（ｂ）に示すように、レーザ
修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２１２の面積値に対
して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザを、孤立欠損欠陥部２
１２に重複させた位置に照射し、孤立欠損欠陥部２１２
サイズより広領域の新規孤立欠損欠陥部２１３を作製す
る。この新規欠損欠陥部２１３は、Ｘは１．５μｍ、Ｙ
は１．０μｍとした。

【００８０】なお、新規孤立欠損欠陥部２１３のサイズ
及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可
能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の
形状に影響が無い、新規欠損欠陥形状（回路パターン部
のエッジを含まない等）を考慮すれば新規孤立欠損欠陥
部２１３のサイズ、形状についての制約は問わない。次
いで、図１０（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（Ｓ
ＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路
パターン部２１１に存在する新規孤立欠損欠陥部２１３
上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域領域２１４を
決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２１４とは、Ｆ
ＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成
する形状、及び領域を設定したことである。

【００８１】次に、図１０（ｄ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２１５にカーボ
ン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正にお
いては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成する
カーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパ
ー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であ
れば問題はない。

【００８２】図１０（ｅ）に示すように、修正終了後の
回路パターン部２１１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透
過光を用いて、回路パターン部２１１′の遮光イメージ
を観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、
水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを
３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パター
ン部２１１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメ
ージであることが確認された。

【００８３】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置
に新規欠損欠陥部を作製する。 （Ｂ）新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。 このように、第８実施例によれば、回路パターン部の孤
立欠損欠陥部と重複する位置に新規欠損欠陥部を作成す
ることにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能にな
る。

【００８４】（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部
を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることが
できることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜に
なることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法と
して、現有修正装置を適用できるという利点を有する。

【００８５】次に、本発明の第９実施例について説明す
る。図１１は本発明の第９実施例のフォトマスク欠損欠
陥修正工程を示す図である。図１１（ａ）に示すよう
に、回路パターン部２２１は内部に独立して存在する孤
立欠損欠陥部２２２を有する。この孤立欠損欠陥部２２
２のサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．２５μｍであ
り、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能
な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部とは、回
路パターン部のエッジ部を含まないパターン部にＣｒが
存在しない領域のことである。

【００８６】次いで、図１１（ｂ）に示すように、レー
ザ修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２２２に対して、
Ｎｄ：ＹＡＧレーザを孤立欠損欠陥部２２２と接触する
位置に照射し、孤立欠損欠陥部２２２の元サイズに対し
て、欠損欠陥部を拡大させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザ
の照射領域２２３のサイズは、Ｘは０．５μｍ、Ｙは
０．５μｍとした。

【００８７】なお、拡大させた孤立欠損欠陥部２２２の
サイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における
検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パター
ン部２２１の形状に影響が無い孤立欠損欠陥形状（回路
パターン部２２１のエッジを含まない等）を考慮すれ
ば、孤立欠損欠陥部２２２のサイズ、形状についての制
約は問わない。

【００８８】次いで、図１１（ｃ）に示すように、ＦＩ
Ｂ修正装置を用いて、回路パターン部２２１に存在する
拡大させた孤立欠損欠陥部２２２上にカーボン膜を形成
するＦＩＢ堆積領域２２４を決定する。ここで、このＦ
ＩＢ堆積領域２２４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメ
ージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定
したことである。

【００８９】次に、図１１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ
修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２２５にカーボ
ン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正にお
いては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成する
カーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパ
ー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であ
れば問題はない。

【００９０】図１１（ｅ）は、修正終了後の回路パター
ン部２２１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用い
て、回路パターン部２２１′の遮光イメージを観察した
結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプ
を使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ
近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２２
１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであ
ることが確認された。

【００９１】上記したように、この実施例では、 （Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の領域（サイ
ズ、面積）を拡大させる。 （Ｂ）拡大させた新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成す
る。 このように、第９実施例によれば、回路パターン部の孤
立欠損欠陥部の元サイズに対して、欠損欠陥部領域を拡
大させることにより、 （１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能にな
る。

【００９２】（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部
を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることが
できることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜に
なることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法と
して、現有修正装置を適用できるという利点を有する。

【００９３】なお、本発明は、更に以下のような利用形
態を有する。第１、第２、第３実施例では、フォトマス
クにおける回路パターン修正方法を例に説明したが、回
路パターン修正技術は、フォトマスクの修正技術を液晶
パネルの配線パターン修正、形成技術に適用可能であ
る。

【００９４】なお、新規欠損欠陥部の作製方法に、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザを用いたが、機械的剥離方法（回路パ
ターン部の膜に損傷を与える）方法、及び化学処理（エ
ッチング）等を代用することでも適用可能である。遮光
膜にカーボン膜を用いたが、光ＣＶＤ方式によるＣｒ
膜、及び塗料（インク等）を使用することで、遮光する
ことが可能な物質であれば、それらの適用も可能であ
る。

【００９５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００９６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 〔１〕請求項１記載の発明によれば、回路パターン部の
エッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製す
ることにより、 （ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。

【００９７】（ｂ）回路パターン部の微小なエッジ欠損
欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いる
ことが可能になり、エッジ欠損欠陥部の修正膜をカーボ
ン膜にすることでき、欠陥修正部が耐洗浄性に優れてい
る。 （ｃ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正
方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有
する。

【００９８】〔２〕請求項２記載の発明によれば、回路
パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エ
ッジ欠損欠陥部を作製することにより、上記〔１〕と同
様の効果を奏することができる。 〔３〕請求項３記載の発明によれば、回路パターン部の
エッジ欠損欠陥部の元サイズに対して、エッジ欠損欠陥
部領域を拡大させることにより、上記〔１〕と同様の効
果を奏することができる。

【００９９】〔４〕請求項４記載の発明によれば、回路
パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部
に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、 （ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能なエッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で修正
する必要がない。 （ｂ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正
するツールとしてレーザ修正装置（レーザによる修正
法）を用いることができる。

【０１００】（ｃ）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボ
ン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （ｄ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正
方法として現有修正装置を適用できるという利点を有す
る。 〔５〕請求項５記載の発明によれば、回路パターン部に
存在するエッジ欠損欠陥部上及び周辺部に新たな残留欠
陥部を新規に形成することにより、上記〔４〕と同様の
効果を奏することができる。

【０１０１】〔６〕請求項６記載の発明によれば、回路
パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上及び周辺部に
新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、上記
〔４〕と同様の効果を奏することができる。 〔７〕請求項７記載の発明によれば、回路パターン部の
孤立欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部を作製する
ことにより、 （ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確
認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。

【０１０２】（ｂ）回路パターン部の微小な欠損欠陥部
を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることが
できることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜に
なることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れている。 （ｃ）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法と
して、現有修正装置を適用できるという利点を有する。

【０１０３】〔８〕請求項８記載の発明によれば、回路
パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置に新規孤立
欠損欠陥部を作成することにより、上記〔７〕と同様の
効果を奏することができる。

〔９〕請求項９記載の発明によれば、回路パターン部の
孤立欠損欠陥部の元サイズに対して、欠損欠陥部領域を
拡大させることにより、上記〔７〕と同様の効果を奏す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥修
正工程を示す図である。

【図２】本発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修
正工程を示す図である。

【図３】本発明の第３実施例のフォトマスク欠損欠陥修
正工程を示す図である。

【図４】本発明の第４実施例のフォトマスク欠損欠陥修
正工程を示す図である。

【図５】本発明の第５実施例のフォトマスク欠損欠陥修
正工程を示す図である。

【図６】本発明の第６実施例のフォトマスク欠損欠陥修
正工程を示す図である。

【図７】従来のＦＩＢ修正装置の構成図である。

【図８】従来のレーザ修正装置の構成図である。

【図９】本発明の第７実施例のフォトマスク欠損欠陥修
正工程を示す図である。

【図１０】本発明の第８実施例のフォトマスク欠損欠陥
修正工程を示す図である。

【図１１】本発明の第９実施例のフォトマスク欠損欠陥
修正工程を示す図である。

【符号の説明】

１０１，１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，２
０１，２１１，２２１回路パターン部 １０１′，１１１′，１２１′，１３１′，１４１′，
１５１′，２０１′，２１１′，２２１′ 修正終了
後の回路パターン部 １０２，１１２，１２２，１３２，１４２，１５２
欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部 １０３ 新規独立欠損欠陥部 ２０３，２１３ 新規欠損欠陥部 １０４，１１４，１２４，１３３，１４３，１５３，２
０４，２１４，２２４ＦＩＢ堆積領域 １０５，１１５，１２５，１３４，１４４，１５４，２
０５，２１５，２２５カーボン膜堆積領域 １１３ 新規エッジ欠損欠陥部 １２３，２２３ Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照射領域 １３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａ 左部欠損欠陥部 １３２Ｂ，１４２Ｂ，１５２Ｂ 右部欠損欠陥部 １３５ 光透過部にカーボン膜を形成した領域 １３４Ａ，１４４Ａ 欠損欠陥修正のための最終カー
ボン膜堆積領域 １４５ 光透過部（ガラス面部） １５５ 回路パターン部のエッジ近傍部のみのＦＩＢ
エッチング領域（スパッタエッチング領域） １５６ 光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留
している領域 ２０２，２１２，２２２ 孤立欠損欠陥部 ２０３，２１３ 新規孤立欠損欠陥部

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、 エッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部をレーザ
   修正法により作製し、前記エッジ欠損欠陥部と前記新規
   独立欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜
   を形成することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正
   方法。
2. 【請求項２】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、 エッジ欠損欠陥部の面積値に対して、広領域の面積値を
   有する新規欠損欠陥部をレーザ修正法により前記エッジ
   欠損欠陥部と重複する位置に作製し、該新たなエッジ欠
   損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成
   することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。
3. 【請求項３】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、 エッジ欠損欠陥部に対して新規エッジ欠損欠陥部をレー
   ザ修正法により前記エッジ欠損欠陥部に接触させた位置
   に作製し、前記エッジ欠損欠陥部と新規エッジ欠損欠陥
   部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成するこ
   とを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。
4. 【請求項４】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、 エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な
   光透過部にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成
   し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法に
   より除去することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修
   正方法。
5. 【請求項５】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、 エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な
   光透過部にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成
   し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をＦＩＢ修正法に
   より除去することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修
   正方法。
6. 【請求項６】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、 エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な
   光透過部にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成
   し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法と
   ＦＩＢ修正法により除去することを特徴とするフォトマ
   スク欠損欠陥修正方法。
7. 【請求項７】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターン欠損欠陥修正方法において、 孤立欠損欠陥部の近傍に新規孤立欠損欠陥部をレーザ修
   正法により作製し、前記孤立欠損欠陥部と前記新規孤立
   欠損欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形
   成することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方
   法。
8. 【請求項８】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターン欠損欠陥修正方法において、 孤立欠損欠陥部の面積値に対して、広領域の面積値を有
   する新規孤立欠損欠陥部をレーザ修正法により前記孤立
   欠損欠陥部と重複する位置に作製し、該新たな孤立欠損
   欠陥部上にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成す
   ることを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。
9. 【請求項９】 フォトマスクにおける回路パターン部に
   存在するパターン欠損欠陥修正方法において、 孤立欠損欠陥部に対して新規孤立欠損欠陥部をレーザ修
   正法により前記孤立欠損欠陥部に接触させた位置に作製
   し、前記孤立欠損欠陥部と前記新規孤立欠損欠陥部上に
   ＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成することを特
   徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。