JP2012073553A - フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、及びフォトマスク、並びにパターン転写方法 - Google Patents

Abstract

【課題】修正装置による修正が困難な微細パターンに生じた欠陥を精度良く修正することが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた余剰欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法である。上記透光部にある余剰欠陥と、この余剰欠陥をもつ透光部に隣接する遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する膜除去工程と、該膜除去工程において除去された遮光部における遮光膜の一部を含む領域に、遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程とを含み、該膜形成工程において行われる膜形成は、欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きい幅をもつ遮光部に対して行われる。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示装置等の製造に用いられるフォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク、並びにパターン転写方法に関する。

テレビやモニター等の画像表示装置の分野において、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display：以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと呼ぶ）は、ＣＲＴ（陰極線管）を使用した表示装置に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、市場での商品比率が急速に増加している。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド、グリーン、及びブルーの画素パターンが配列されたカラーフィルターが液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。上記製品に用いられるＴＦＴやカラーフィルターの製造には、フォトマスクを使用したフォトリソグラフィー工程が利用される。

特開２００２−１０７９１３号公報

ここで使用されるフォトマスクは、近年の画像表示装置の高精細化に伴うパターンの高密度化に伴い、１〜５μｍ程度の線幅をもつものも少なくない。例えば、ラインパターンまたはスペースパターンの幅が３．０μｍ以下の微細なライン・アンド・スペースパターンを有するＩＴＯ導電膜のパターニング用のフォトマスクや、薄膜トランジスタの微細なチャンネルのパターニング用のフォトマスクが必要とされている。また、製造工程で使われるフォトマスク枚数を減らすために使用される、多階調フォトマスクの一つである、露光機の露光解像限界以下の微細パターンを用いたフォトマスク等のニーズにより、極微細なパターンを形成することが求められている。

ところで、大型ＬＣＤ用マスクの分野では、遮光部と、透光部と、透過率制御部を備えたフォトマスク（以下多階調フォトマスクと呼ぶ）が知られている。これは、フォトマスクを用いてパターン転写を行う際に、透過率制御部を透過する光の透過量を制御して、被転写体上に形成されるフォトレジストの膜厚を制御する目的で使用されるものである。 例えば、ここで用いられる多階調フォトマスクには、微細線幅の遮光部と透光部とにより、露光時に使用するＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細パターンとした透過率制御部が形成されたものがあり、透過率制御部を透過する露光量を所定量減らすことによって、被転写体上に、レジスト残膜値（ゼロを含む）の異なる複数の転写パターンを転写することを目的としたものである。この様な多階調フォトマスクを用いると、フォトマスク1枚で、従来のフォトマスク２枚分以上の工程が実施されることにより、ＴＦＴ-ＬＣＤなどの電子デバイスを製造する際に、必要なマスク枚数を削減することが出来る。

上記のような、ＬＣＤ用露光機の解像限界以下のパターンで構成されたフォトマスクを製造する場合、単一の薄膜をパターニングして、遮光部と透過率制御部を作り分けたり、異なる透過率を有する透過率制御部を形成したり出来るため、少ないプロセス数で多階調を有するフォトマスクを実現できることから有用である。

このように、ＴＦＴやカラーフィルターの製造に使用されるフォトマスクはパターンの微細化が進み、その微細なパターンに生じた欠陥を修正し、正常なパターンと同じ形状に復元することは困難であった。例えばＬＣＤ露光機の解像限界以下のパターンの修正方法として、欠陥部分を正常パターンと同じ形状に復元せずに、正常パターンと同等の光透過率制御性が得られるような修正パターンを形成する方法等が特許文献１に開示されている。但し、修正にあたって、正常パターンと同じ透過率を得る新たなパターンを設計することは容易ではない。

一方、ＬＣＤ用基板そのもののサイズの拡大や多面取りによる生産数の増大を狙うため、これら多階調フォトマスクに求められるサイズも年々大きくなり、一辺が１２００ｍｍを超えるようなものも登場してきている。このような大サイズのフォトマスクのパターンに生じた欠陥を修正するための方法として、レーザー照射による余剰欠陥の除去と、レーザーＣＶＤ法による修正膜の形成による欠落欠陥の修正がある。

このような大型のフォトマスクの欠陥修正方法としては上記のレーザーを用いた修正装置（以下、レーザー修正装置ともいう）を使用することが好適である。この修正方法は、修正箇所とその周辺部のみに原料ガスを供給し修正膜を形成可能な、ガスカーテン方式などの方法を採用することが出来る。例えば、パルスレーザーを余剰欠陥に照射し、レーザーの熱または光エネルギーなどによって、余剰欠陥を溶融・蒸発して、余剰欠陥を除去する事が出来る。また、レーザーの熱や光反応によって、ガスや液体を化学反応させ、欠落欠陥上に薄膜を形成することで、欠落欠陥を修正することができる。

レーザーを使用するときには、レーザーのエネルギー密度を増大させて所望の領域に照射するために、光学系を用いてレーザーを集光することができる。しかしながら、使用されるレーザーの波長は１０μｍからサブミクロン程度のものがあり、集光して使用できる領域の最小寸法を、必要な加工精度を有したまま、レーザーの波長以下とすることは難しい。たとえば、フォトマスクの修正装置に使われるレーザーの波長は、１μｍ以下であることが多いが、照射分布の安定性、光学系の設計の限界、光学系調整による誤差等の要因によって、実際に使用できる品質を満たした加工最小寸法は、１μｍより小さくすることが難しい。また、この最小加工寸法付近のサイズで修正を行った場合、上記の要因により、加工光が安定し難いため、安定した修正を行うことが難しいということがあった。

例えば、修正装置の最小加工寸法と修正しようとするパターンが同等のサイズであっても、欠落欠陥に修正膜を形成して修正する場合に修正膜がはみ出したり、余剰欠陥を除去して修正する場合に、修正の不要な周辺のパターンまで除去してしまったりという不具合が生じやすい。さらには、修正膜がはみ出した部分や、除去してしまったパターンの微細な部分を修正することは、同様な不具合を繰り返す結果となり、結果的に必要な精度で修正を完了出来なかった。また、当然ながら最小加工寸法よりも小さな欠陥は、修正ができないという問題が有った。

図８は、従来のレーザーを使用したパターンの修正例に関するもので、（Ａ）は透光部に生じた余剰欠陥を、（Ｂ）は遮光部に生じた欠落欠陥を修正する例を示している。（Ａ）では、透光部１Ｔ〜６Ｔと、遮光部１Ｓ〜６Ｓが交互に並んだライン・アンド・スペースパターンのうち、複数の透光部にまたがって発生した余剰欠陥１６（（ａ）参照）を修正した結果、修正の不必要な周辺の遮光部のパターンまで除去されてしまっている（（ｂ）参照）。また、（Ｂ）では、（Ａ）と同様のライン・アンド・スペースパターンのうち、複数の遮光部にまたがって発生した欠落欠陥１７（（ａ）参照）に対して修正膜を形成して修正した結果、修正の不必要な周辺の透光部のパターンにまで修正膜５０がはみ出てしまっている（（ｂ）参照）。

これらは、１回の修正作業で形成または除去可能な最小加工寸法と同じ幅の欠陥を修正する様子を示したものであるが、修正誤差により、精度の高い修正が困難で有る事を示している。もちろん１回の修正作業で形成または除去可能な最小加工寸法より小さな遮光部または透光部に対しては、正しい寸法の修正ができない。
このような修正を、光透過率制御部に用いる解像限界以下の微細パターンに適用すると、その部分の露光光透過率が所定範囲より高く（低く）なり、この結果、マスクユーザが被転写体上に形成すべきレジストパターン形状が劣化する。結果として、ＴＦＴのチャネル部等、ＬＣＤの重要な機能を担う部分の動作不良を生じさせることとなる。
他の目的の微細パターンにおいても精度劣化の点で同様に不都合を生じさせる。

上記のように、例えば１μｍ以下の微細なパターンを修正することは困難であった。
よって、本発明は、修正装置による修正が困難な微細パターンに生じた欠陥を精度良く修正することが可能なフォトマスクの欠陥修正方法を提供することを目的とする。また、その欠陥修正方法を適用したフォトマスクの製造方法、その欠陥修正方法を用いて作製されたフォトマスク、さらにそのフォトマスクを用いたパターン転写方法についても提供することを目的とする。

問題を解決するための手段

本発明者は上記課題を解決するため鋭意検討した結果、本発明を完成させた。本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた余剰欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、前記透光部にある前記余剰欠陥と、前記余剰欠陥をもつ前記透光部に隣接する遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する膜除去工程と、前記膜除去工程において除去された前記遮光部における遮光膜の一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程と、を含み、前記膜形成工程において行われる膜形成は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きい幅をもつ遮光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成２）
透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた余剰欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、前記透光部にある前記余剰欠陥と、前記余剰欠陥をもつ前記透光部に隣接する遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する第１膜除去工程と、前記第１膜除去工程において遮光膜の一部が除去された前記遮光部と、該遮光部に隣接する第２透光部に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程と、前記第２透光部に形成された前記修正膜を除去する第２膜除去工程と、を含み、前記第２膜除去工程において行われる膜除去は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きい幅をもつ透光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成３）
前記膜形成工程において、形成する修正膜のエッジを前記隣接する遮光部のエッジと一致させることを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
（構成４）
前記余剰欠陥は、前記修正膜を含むことを特徴とする、構成１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成５）
透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠落欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、前記遮光部にある前記欠落欠陥と、前記欠落欠陥をもつ前記遮光部に隣接する透光部の一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程と、前記膜形成工程において形成された前記透光部における修正膜を除去する膜除去工程と、を含み、前記膜除去工程において行われる膜除去は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きい幅をもつ透光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成６）
透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠落欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、前記遮光部にある前記欠落欠陥と、前記欠落欠陥をもつ前記遮光部に隣接する透光部の一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する第１膜形成工程と、前記第１膜形成工程において前記透光部に形成された前記修正膜と、該透光部に隣接する第２遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する膜除去工程と、一部が除去された前記第２遮光部に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する第２膜形成工程と、を含み、前記第２膜形成工程において行われる膜形成は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きい幅をもつ遮光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成７）
前記膜除去工程において、除去する修正膜のエッジを前記透光部のエッジと一致させることを特徴とする構成５又は６に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
（構成８）
前記欠落欠陥は、前記欠陥修正方法により遮光膜が除去された領域を含むことを特徴とする構成６又は７に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成９）
透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠陥を、レーザー欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、前記フォトマスクは、透光部と、遮光部とが交互に並んだパターン領域を有し、該パターン領域は、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さな幅の透光部と、前記欠陥修正装置による1回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな幅の遮光部と、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部と、からなり、前記パターン領域の欠陥修正方法であって、前記大きな幅の透光部から、前記パターン領域を構成する前記小さな幅の遮光部と前記小さな幅の透光部を交互に順に数えて、欠陥を有しかつ最も大きな数となる遮光部又は透光部を特定する工程（Ａ）と、前記工程（Ａ）により遮光部が特定されたとき、前記特定された遮光部の欠落欠陥に修正膜を形成して修正し、かつ前記遮光部の前記大きな幅の透光部側に隣接する透光部（ａ）に同時に修正膜を暫定形成する工程（Ｂ−１）または、前記工程（Ａ）により透光部が特定されたとき、前記特定された透光部の余剰欠陥を除去して修正し、かつ前記透光部の前記大きな幅の透光部側に隣接する遮光部の一部を同時に暫定除去する工程（Ｂ−２）と、前記暫定形成または暫定除去された部分を、前記パターン領域に生じた余剰欠陥または欠落欠陥とし、前前記（Ａ）工程と、前記（Ｂ−１）工程または前記（Ｂ−２）工程のいずれかと、を繰り返し行い、前記（Ｂ−１）工程において前記透光部（ａ）が、前記大きな幅の透光部と一致したときに前記大きな幅の透光部に形成された余剰欠陥を除去する工程（Ｃ）と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成１０）
透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠陥を、レーザー欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、前記フォトマスクは、透光部と、遮光部とが交互に並んだパターン領域を有し、該パターン領域は、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さな幅の透光部と、前記欠陥修正装置による1回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな幅の遮光部と、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きな幅の遮光部と、からなり、前記パターン領域の欠陥修正方法であって、前記大きな幅の遮光部から、前記パターン領域を構成する前記小さな幅の透光部と前記小さな幅の遮光部を交互に順に数えて、欠陥を有しかつ最も大きな数となる遮光部又は透光部を特定する工程（Ａ）と、前記工程（Ａ）により遮光部が特定されたとき、前記特定された遮光部の欠落欠陥に修正膜を形成して修正し、かつ前記遮光部の前記大きな幅の遮光部側に隣接する透光部（ａ）に同時に修正膜を暫定形成する工程（Ｂ−１）または、前記工程（Ａ）により透光部が特定されたとき、前記特定された透光部の余剰欠陥を除去して修正し、かつ前記透光部の前記大きな幅の遮光部側に隣接する遮光部（ａ）の一部を同時に暫定除去する工程（Ｂ−２）と、前記暫定形成または暫定除去された部分を、前記パターン領域に生じた余剰欠陥または欠落欠陥とし、前前記（Ａ）工程と、前記（Ｂ−１）工程または前記（Ｂ−２）工程のいずれかと、を繰り返し行い、前記（Ｂ−２）工程において前記遮光部（ａ）が、前記大きな幅の遮光部と一致したときに前記大きな幅の遮光部に形成された欠落欠陥を修正する工程（Ｃ）と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成１１）
前記欠陥修正装置による前記膜形成はレーザーＣＶＤによって行われ、前記膜除去はレーザー照射によって行われ、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅および一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅を１μｍとすることを特徴とする構成１乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成１２）
透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることによる遮光部と透光部を有するフォトマスクの製造方法であって、前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、フォトリソグラフィー法により、前記遮光膜をパターニングすることによって、遮光部と透光部を有する転写パターンを形成するパターニング工程と、形成された前記転写パターンに生じた欠陥を修正する修正工程と、を有し、前記修正工程においては、請求項１乃至１１のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法を適用することを特徴とするフォトマスクの製造方法。

（構成１３）
透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることによる遮光部と透光部を有するフォトマスクにおいて、前記フォトマスクは、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部と、前記大きな幅の透光部に隣接し、前記欠陥修正装置による1回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな幅の遮光部と、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さな幅の透光部とがこの順に交互に並んだライン・アンド・スペースパターン領域と、を有し、前記大きな幅の透光部に隣接する前記小さな幅の遮光部である第一の遮光部にレーザー欠陥修正装置による修正膜が形成され、前記修正膜のエッジは、前記第一の遮光部と前記大きな幅の透光部の境界の一部を成し、かつ前記レーザー欠陥修正装置によって前記修正膜を除去して形成されたエッジであることを特徴とするフォトマスク。

（構成１４）
前記パターン領域において、第一の遮光部に最も近い位置に存在する第二の遮光部に修正膜が形成され、第一の遮光部の修正膜と第二の遮光部の修正膜との距離が、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さいことを特徴とする構成１３に記載のフォトマスク。
（構成１５）
前記修正膜が形成された遮光部のそれぞれの修正膜において、前記大きな透光部側のエッジは前記修正膜が除去されたエッジを含み、前記大きな透光部とは反対側のエッジは前記修正膜が除去されたエッジを含まないことを特徴とする請求項１３又は１４に記載のフォトマスク。

（構成１６）
構成１２に記載の製造方法によるフォトマスク、又は構成１３乃至１５のいずれか記載のフォトマスク、と露光装置を用いて、被転写体上にパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。

本発明によれば、フォトマスクにおける微細パターンに生じた欠陥を精度良く修正することができる。特にレーザーによる最小加工寸法よりも小さな例えば１μｍ以下の微細なパターンに生じた欠陥を、レーザー照射による余剰部分の除去と、レーザーＣＶＤによる修正膜の形成によって、精度良く修正することが可能である。
また、本発明によれば、本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法を適用したフォトマスクの製造方法、その欠陥修正方法を用いて作製されたフォトマスク、さらにそのフォトマスクを用いたパターン転写方法についても提供することができる。

（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はいずれも本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第１の実施の形態を示す平面図である。 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はいずれも本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第１の実施の形態を示す平面図である。 本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第２の実施の形態を示す平面図である。 本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第２の実施の形態を示す平面図である。 本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第３の実施の形態を示す平面図である。 本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第３の実施の形態を示す平面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）はいずれも本発明を実施できるパターン形状を例示する平面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は従来のレーザーを用いたパターン修正例を示す平面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して詳述する。
［第１の実施の形態］
本実施の形態では、透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠陥を、本発明に従って、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法について説明する。
なお、本発明において、遮光部は、設計上遮光膜が形成されるべき領域とすることが出来、例えば、欠陥の発生により該部分の遮光膜が欠落した場合でも、その部分を遮光部と称することがある。また、透光部は、設計上透明基板が露出した領域とすることができ、欠陥の発生により遮光膜が残存した場合でも、透光部と称することがある。

また、本発明では、フォトマスクの製造段階で意図せず遮光部に生じた欠落欠陥の他に、欠陥修正方法を施す過程で、遮光部の遮光膜を意図的に除去したものも含めることがある。同様に、フォトマスクの製造段階で意図せず透光部に生じた余剰欠陥のほかに、欠陥修正方法を施す過程で、透光部に遮光性の修正膜を意図的に形成したものも余剰欠陥に含めることがある。
また、本発明では、遮光部に生じた欠落欠陥に修正膜を形成する工程、透光部に生じた余剰欠陥を除去する工程を総称して修正工程と呼ぶこととする。

図１は、本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第１の実施の形態を示す平面図であり、修正が必要な領域の近傍に、欠陥修正装置による1回の修正操作で除去可能な最小加工寸法（つまり１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅）よりも大きな幅を持つ透光部を有するパターンの修正工程を例示するものである。
図１（Ａ）に示すように、上記フォトマスクは、例えばレーザーを用いた欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅（適宜、最小加工寸法とも呼ぶこととする。）より小さな幅の透光部2T,3Tと、欠陥修正装置による１回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅（適宜、最小加工寸法とも呼ぶこととする。）より小さな幅の遮光部1S,2S,3Sとが交互に並んだラインアンドスペースのパターン領域と、該パターン領域のパターンが並ぶ方向に上記遮光部1Sと隣接した、欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部1Tとを有するパターンを備えている。上記遮光部は遮光性を有する遮光膜で形成されており、上記透光部は透明基板が露出した状態で形成されている。

本発明において、一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅は、用いる修正装置が、修正膜の遮光性を実質的に損なわない膜厚の修正膜を形成できる最小幅であり、例えば1μｍとすることができる。一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅は、用いる修正装置が膜を除去できる最少幅であり、例えば1μｍとすることができる例えば、レーザーの照射により膜を除去し、レーザーＣＶＤにより修正膜を形成する修正装置では、一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅は、１μｍとすることができ、また、一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅は、１μｍとすることが出来る。

図１（Ａ）は、上記のパターン領域のうち、１回の修正操作で形成可能な最小加工寸法より小さな幅の遮光部（以下、「小さな幅の遮光部」とも呼ぶ。）1Sに欠落欠陥１０が生じており、この遮光部1Sに隣接して、１回の修正操作で除去可能な最小加工寸法より大きな幅の透光部（以下、「大きな幅の透光部」とも呼ぶ。）1Tを有するパターンの修正工程を示している。
まず、図１（Ａ）（ａ）に示す前記小さな幅の遮光部1Sに生じた前記欠落欠陥１０と、該欠落欠陥１０が生じた遮光部1Sに隣接する前記大きな幅の透光部1Tの一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜３を形成する（図１（Ａ）（ｂ）参照）。なおこの際、修正膜３を形成する形状を矩形状とし、この矩形状の一辺を、前記遮光部1Sの透光部2T側のエッジ位置に一致させることが好適である。ここで修正膜が形成された遮光部1Sにおいては欠落欠陥が修正されたが、透光部１Tにも修正膜が形成されていることから、新たな余剰欠陥が形成されたことになる。また、透光部１Tに暫定的に形成された修正膜と考えることもできる。

次に、前工程において大きな幅の透光部1Tに形成された修正膜３を除去する（図１（Ａ）（ｃ）参照）。この際、透光部1Tにおいて修正膜３を除去形成する形状を矩形状の膜除去部４とし、この矩形状の一辺を、遮光部1Sの透光部1T側のエッジ位置に一致させることが好適である。以上によって、図１（Ａ）（ａ）に示す小さな幅の遮光部1Sに生じた欠落欠陥１０は精度良く修正される。

また、図１（Ｂ）は、１回の修正操作で除去可能な最小加工寸法より小さな幅の透光部（以下、「小さな幅の透光部」とも呼ぶ。）2Tに余剰欠陥１１が生じており、この透光部2Tに隣接して順に、上記の小さな幅の遮光部1S、大きな幅の透光部1T、を有するパターンの修正工程を示している。
まず、図１（Ｂ）（ａ）に示す前記小さな幅の透光部2Tに生じた前記余剰欠陥１１と、該余剰欠陥１１が生じた透光部2Tに隣接する小さな幅の遮光部1Sの遮光膜の一部を同時に除去する（図１（Ｂ）（ｂ）参照）。この際、余剰欠陥１１等を除去する形状を矩形状の膜除去部２とし、この矩形状の一辺を、遮光部2Sの透光部2T側のエッジ位置に一致させることが好適である。このとき、透光部2Tにあった余剰欠陥は修正されたが、遮光部1Sの膜除去した部分は、欠落欠陥となされたことになる。すなわち、修正工程において暫定的に膜除去された部分である。
図１（Ｂ）（ｂ）は、こうして余剰欠陥１１等を除去した後の状態を示すものであるが、この状態は、小さな幅の遮光部1Sに生じた欠落欠陥の形状、大きさが異なるだけで、実質的には上述の図１（Ａ）（ａ）と同様の状態である。したがって、これ以降の修正は、図１（Ａ）（ａ）からの修正作業と同様の方法で修正が可能である。

すなわち、図１（Ｂ）（ｂ）に示す前記工程において生じた小さな幅の遮光部1Sの遮光膜が一部除去された欠落欠陥と、該遮光部1Sに隣接する前記大きな幅の透光部1Tの一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜３を形成する（図１（Ｂ）（ｃ）参照）。この際、修正膜３を形成する形状を矩形状とし、この矩形状の一辺を、前記遮光部1Sの透光部2T側のエッジ位置に一致させることが好適である。
次に、大きな幅の透光部1Tに形成された修正膜３を除去する（図１（Ｂ）（ｄ）参照）。この際、透光部1Tにおいて修正膜３を除去する形状を矩形状の膜除去部４とし、この矩形状の一辺を、遮光部1Sの透光部1T側のエッジ位置に一致させることが好適である。以上によって、図１（Ｂ）（ａ）に示す小さな幅の透光部2Tに生じた余剰欠陥１１は精度良く修正される。

また、図１（Ｃ）は、小さな幅の遮光部2Sに欠落欠陥１０が生じており、この遮光部2Sに隣接して順に、上記の小さな幅の透光部2T、小さな幅の遮光部1S、大きな幅の透光部1T、を有するパターンの修正工程を示している。
まず、図１（Ｃ）（ａ）に示す前記小さな幅の遮光部2Sに生じた前記欠落欠陥１０と、該欠落欠陥１０が生じた遮光部2Sに隣接する小さな幅の透光部2Tの一部を含む領域に、遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜１を形成する（図１（Ｃ）（ｂ）参照）。この際、修正膜１を形成する形状を矩形状とし、この矩形状の一辺を、前記遮光部2Sの透光部3T側のエッジ位置に一致させることが好適である。なお、１回の修正操作で形成可能な最小加工寸法の関係で、上記透光部2Tに隣接する小さな幅の遮光部1S上にも修正膜１が形成されている。図１（Ｃ）（ｂ）は、こうして修正膜１を形成した後の状態を示すものであるが、この状態は、小さな幅の透光部2Tに生じた余剰欠陥の形状、大きさが異なるだけで、実質的には上述の図１（Ｂ）（ａ）と同様の状態である。したがって、これ以降の修正は、図１（Ｂ）（ａ）からの修正作業と同様の方法で修正が可能である。

すなわち、図１（Ｃ）（ｂ）に示す前記工程において生じた小さな幅の透光部2Tの修正膜１による余剰欠陥と、該透光部2Tに隣接する小さな幅の遮光部1Sの遮光膜及び修正膜１の一部を同時に除去する（図１（Ｃ）（ｃ）参照）。この際、余剰欠陥等を除去する形状を矩形状の膜除去部２とし、この矩形状の一辺を、遮光部2Sの透光部2T側のエッジ位置に一致させることが好適である。
次に、図１（Ｃ）（ｃ）に示す前記工程において生じた小さな幅の遮光部1Sの遮光膜が一部除去された欠落欠陥と、該遮光部1Sに隣接する前記大きな幅の透光部1Tの一部を含む領域に、遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜３を形成する（図１（Ｃ）（ｄ）参照）。次いで、大きな幅の透光部1Tに形成された修正膜３を除去する（図１（Ｃ）（ｅ）参照）。以上によって、図１（Ｃ）（ａ）に示す小さな幅の遮光部2Sに生じた欠落欠陥１０は精度良く修正される。

上記のように、本発明において、修正膜は、レーザーＣＶＤによって形成された薄膜を使用することが出来る。レーザーＣＶＤのレーザー光源として、ＹＡＧレーザー、半導体レーザー等の、修正膜の原料ガスを分解または化学反応させ、フォトマスク上に膜を形成することが可能なものを用い、光学系を通して、フォトマスク上の所望領域に所望強度のレーザー光を集光させ、供給された原料ガスを分解または化学反応等させてフォトマスク上に膜を形成することが出来る。レーザーによる原料ガスの分解や反応を定量的かつ安定して行うためには、レーザーは短時間の照射が行われるパルスレーザーよりも連続照射（ＣＷ）または、それに準じる（パルスレーザーであっても単位時間当たりの照射数が多く実質上連続照射光として使用可能な）態様のものが好ましい。原料ガスは、クロム、モリブデン、シリコンなどの化合物等を使用することが出来、中でもそれらの有機化合物が原料ガスとして好適に使用できる。例えばそれらの有機化合物としては、クロムヘキサカルボニル、モリブデンヘキサカルボニル、1,1,3,3,-テトラメチルジシロキサン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン等を使用することができる。原料ガスの分解もしくは化学反応によって形成された修正膜は、これら原料ガスの構成物質を由来とする元素で構成される。例えば、修正膜は、クロム、モリブデン、シリコン、炭素、酸素、水素などの元素で構成することが出来る。

また、レーザーの集光領域の形状を矩形とした場合、エッジに直線部を含むパターンの修正に好適であり、さらには、アパーチャ等を用いて、照射領域のサイズを変更するようにすれば、複数のサイズのパターン修正に対応することが可能となり好適である。
修正膜は、レーザー照射領域内のレーザー強度分布を均一にし、膜の形成に必要な強度のレーザーを与えることで、形成された領域内で品質の揃った、品質の高い修正膜を形成することが出来る。

本発明によれば、適切なレーザー強度、所定の原料ガス条件（濃度、温度、混合比等）を選択し、成膜表面が略平坦であり、その膜厚は、用途や求める透過率などによって異なるが、０．０５μｍから３．０μｍ程度の修正膜が形成出来る。修正膜の内部応力による剥がれやクラックの発生、フォトマスクの膜としての耐薬品性や耐久性などを考慮した場合、修正膜の膜厚は０．１μｍから１．０μｍの範囲が特に好ましい。また、同等の遮光性として、例えば透過率を基準に判断することが出来る。その際、修正膜の透過率は、修正しようとする遮光部の透過率を基準（１００％として）として、その差が±２０％以内にあることが好ましい。さらにはその差が±５％以内にあることが好ましい。

一方、レーザーによる遮光部または透光部の遮光膜や修正膜の除去に使用されるレーザー光源としては、ＹＡＧレーザーや半導体レーザーを使用することが出来る。また、遮光部または透光部の遮光膜や修正膜を除去するためには、短時間に高強度のレーザーを発振することの出来るパルス発振タイプのレーザー等を使用することが好ましい。その場合、遮光膜や修正膜を、熱や光によって溶融・蒸発などして除去可能な、波長、強度を有するレーザーを選択することが出来る。また、遮光膜や修正膜の除去に使用されるレーザーにおいても、レーザーＣＶＤの場合と同様に、レーザー集光領域を矩形とすることで、エッジに直線部を含むパターンの修正に好適であり、アパーチャ等を用いて、照射領域のサイズを変更するようにすれば、複数のサイズのパターン修正に対応することが可能となり好適である。

図２は、本発明によるフォトマスクの欠陥修正方法の第１の実施の形態を示す平面図であるが、図１の遮光部と透光部の逆転したパターンの場合を例示するものである。具体的には、本発明による修正に必要な領域に、欠陥修正装置による1回の修正操作で形成可能な最小加工寸法（つまり１回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅）よりも大きな幅を持つ遮光部を有するパターンの修正工程を例示するものである。
図２（Ａ）に示すように、上記フォトマスクは、小さな幅の透光部1T,2T,3Tと、小さな幅の遮光部2S,3Sとが交互に並んだラインアンドスペースのパターン領域と、該パターン領域のパターンが並ぶ方向に上記透光部1Tと隣接した大きな幅の遮光部1Sとを有するパターンを備えている。

図２（Ａ）は、上記のパターン領域のうち、小さな幅の透光部1Tに余剰欠陥１１が生じており、この透光部1Tに隣接して、大きな幅の遮光部1Sを有するパターンの修正工程を示している。
まず、図２（Ａ）（ａ）に示す前記小さな幅の透光部1Tに生じた前記余剰欠陥１１と、該余剰欠陥１１が生じた透光部1Tに隣接する前記大きな幅の遮光部1Sの一部を含む領域を同時に除去する（図２（Ａ）（ｂ）参照）。この際、除去する形状を矩形状の膜除去部７とし、この矩形状の一辺を、遮光部2Sの透光部1T側のエッジ位置に一致させることが好適である。

次に、前工程において大きな幅の遮光部1Sの除去された領域を含む修正膜８を形成する（図２（Ａ）（ｃ）参照）。この際、修正膜８を形成する形状を矩形状とし、この矩形状の一辺を、遮光部1Sの透光部1T側のエッジ位置に一致させることが好適である。遮光部1Sは、１回の修正操作で形成できる最小加工寸法よりも大きな幅を有しているので、遮光部1Sをはみ出すことなく、上記修正膜８を形成することができる。以上によって、図２（Ａ）（ａ）に示す小さな幅の透光部1Tに生じた余剰欠陥１１は精度良く修正される。

また、図２（Ｂ）は、小さな幅の遮光部2Sに欠落欠陥１０が生じているパターンの修正工程を示している。
まず、図２（Ｂ）（ａ）に示す前記小さな幅の遮光部2Sに生じた前記欠落欠陥１０と、遮光部2Sに隣接する小さな幅の透光部1Tの一部を含む領域に修正膜６を形成する（図２（Ｂ）（ｂ）参照）。この図２（Ｂ）（ｂ）の状態は、小さな幅の透光部1Tに生じた余剰欠陥の形状、大きさが異なるだけで、実質的には上述の図２（Ａ）（ａ）と同様の状態である。したがって、これ以降の修正は、図２（Ａ）（ａ）からの修正作業と同様の方法で修正が可能である。

すなわち、図２（Ｂ）（ｂ）に示す前記小さな幅の透光部1Tに形成された修正膜６による余剰欠陥と、該余剰欠陥が生じた透光部1Tに隣接する前記大きな幅の遮光部1Sの一部を含む領域を同時に除去する（図２（Ｂ）（ｃ）参照）。
次に、前工程において大きな幅の遮光部1Sの除去された領域を含む修正膜８を形成する（図２（Ｂ）（ｄ）参照）。遮光部1Sは、１回の修正操作で形成できる最小加工寸法よりも大きな幅を有しているので、遮光部1Sをはみ出すことなく、上記修正膜８を形成することができる。以上によって、図２（Ｂ）（ａ）に示す小さな幅の遮光部2Sに生じた欠落欠陥１０は精度良く修正される。

また、図２（Ｃ）は、小さな幅の透光部2Tに余剰欠陥１１が生じているパターンの修正工程を示している。
まず、図２（Ｃ）（ａ）に示す小さな幅の透光部2Tに生じた前記余剰欠陥１１と、該余剰欠陥１１が生じた透光部2Tに隣接する小さな幅の遮光部2Sの一部を含む領域を同時に除去する（図２（Ｃ）（ｂ）参照）。この際、除去する形状を矩形状の膜除去部５とし、この矩形状の一辺を、前記遮光部3Sの透光部2T側のエッジ位置に一致させることが好適である。図２（Ｃ）（ｂ）は、こうして余剰欠陥１１等を除去した後の状態を示すものであるが、この状態は、小さな幅の遮光部2Sに生じた欠落欠陥の形状、大きさが異なるだけで、実質的には上述の図２（Ｂ）（ａ）と同様の状態である。したがって、これ以降の修正は、図２（Ｂ）（ａ）からの修正作業と同様の方法で修正が可能である。

すなわち、図２（Ｃ）（ｂ）に示す前記小さな幅の遮光部2Sの遮光膜の除去により生じた欠落欠陥と、遮光部2Sに隣接する小さな幅の透光部1Tの一部を含む領域に修正膜６を形成する（図２（Ｃ）（ｃ）参照）。
次に、前記小さな幅の透光部1Tに形成された修正膜６による余剰欠陥と、該余剰欠陥が生じた透光部1Tに隣接する前記大きな幅の遮光部1Sの一部を含む領域を同時に除去する（図２（Ｃ）（ｄ）参照）。

次いで、前工程において大きな幅の遮光部1Sの除去された領域を含む修正膜８を形成する（図２（Ｃ）（ｄ）参照）。遮光部1Sは、１回の修正操作で形成できる最小加工寸法よりも大きな幅を有しているので、遮光部1Sをはみ出すことなく、上記修正膜８を形成することができる。以上によって、図２（Ｃ）（ａ）に示す小さな幅の透光部2Tに生じた余剰欠陥１１は精度良く修正される。

［第２の実施の形態］
本発明は、上述の第1の実施の形態として説明したような透光部もしくは遮光部に単独に存在する欠陥の修正だけではなく、複数の透光部または遮光部にまたがって発生した大きな欠陥の修正も可能である。
図３は、図３（ａ）に示すように、小さな幅の透光部2T,3Tと、小さな幅の遮光部1S,2S,3Sとが交互に並んだラインアンドスペースのパターン領域と、該パターン領域のパターンが並ぶ方向に上記遮光部1Sと隣接した大きな幅の透光部1Tとを有するパターンにおいて、例えば３箇所の透光部1T,2T,3Tにまたがって形成された余剰欠陥１２の修正工程を示している。

まず、上記余剰欠陥１２のうち、上記大きな幅の透光部1Tから、交互に並んだ小さな幅の遮光部と透光部を交互に順に数えて、最も大きな数となる透光部3Tに形成された余剰欠陥と、この透光部3Tに隣接する遮光部2Sの一部を含む領域を矩形状の膜除去部２０によって同時に除去する（図３（ｂ）参照）。次に、上記工程において遮光膜の一部が除去された遮光部2Sの欠落部分を含む領域に、矩形状の修正膜２１を形成する（図３（ｃ）参照）。次に、上記遮光部2Sと隣接する透光部2Tに形成された修正膜２１（による余剰欠陥）を含む領域を矩形状の膜除去部２２によって除去する（図３（ｄ）参照）。

次いで、上記工程において遮光膜の一部が除去された遮光部1Sの欠落部分を含む領域に、矩形状の修正膜２３を形成する（図３（ｅ）参照）。そして最後に、上記遮光部1Sと隣接する透光部1Tに形成された修正膜２３（による余剰欠陥）を含む領域を矩形状の膜除去部２４によって除去する（図３（ｆ）参照）。上記透光部1Tは、１回の修正操作で除去できる最小加工寸法よりも大きな幅を有しているので、隣接する遮光部の領域を除去してしまうような不具合は生じない。なお、上記の矩形状の膜除去部２０，２２，２４および矩形状の修正膜２１，２３はいずれも、矩形状の一辺を、隣接する透光部あるいは遮光部のエッジ位置に一致させることが好適である。
以上によって、図３（ａ）に示す複数の小さな幅の透光部にまたがって生じた余剰欠陥１２は精度良く修正される。

図４は、図３の遮光部と透光部の逆転したパターンの場合を例示するものである。
すなわち図４は、図４（ａ）に示すように、小さな幅の透光部1T,2T,3Tと、小さな幅の遮光部2S,3Sとが交互に並んだラインアンドスペースのパターン領域と、該パターン領域のパターンが並ぶ方向に上記透光部1Tと隣接した大きな幅の遮光部1Sとを有するパターンにおいて、例えば３箇所の遮光部1S,2S,3Sにまたがって形成された欠落欠陥１３の修正工程を示している。

まず、上記欠落欠陥１３のうち、上記大きな幅の遮光部1Sから、交互に並んだ小さな幅の遮光部と透光部を交互に順に数えて、最も大きな数となる遮光部3Sに形成された欠落欠陥と、この遮光部3Sに隣接する透光部2Tの一部を含む領域に、矩形状の修正膜２５を形成する（図４（ｂ）参照）。次に、上記工程において上記遮光部3Sと隣接する透光部2Tに形成された修正膜２５（による余剰欠陥）を含む領域を矩形状の膜除去部２６によって除去する（図４（ｃ）参照）。次に、上記工程において遮光膜の一部が除去された遮光部2Sの欠落部分を含む領域に、矩形状の修正膜２７を形成する（図４（ｄ）参照）。

次いで、上記遮光部2Sと隣接する透光部1Tに形成された修正膜２７（による余剰欠陥）を含む領域を矩形状の膜除去部２８によって除去する（図４（ｅ）参照）。そして最後に、上記膜除去部２８によって遮光膜の一部が除去された遮光部1Sの欠落部分を含む領域に、矩形状の修正膜２９を形成する（図４（ｆ）参照）。上記遮光部1Sは、１回の修正操作で形成できる最小加工寸法よりも大きな幅を有しているので、隣接する透光部1Tの領域にはみ出すことなく、修正膜２９を形成することができる。なお、上記の矩形状の膜除去部２６，２８および矩形状の修正膜２５，２７，２９はいずれも、矩形状の一辺を、隣接する透光部あるいは遮光部のエッジ位置に位置合わせを行って一致させることが好適である。
以上によって、図４（ａ）に示す複数の小さな幅の遮光部にまたがって生じた欠落欠陥１３は精度良く修正される。

［第３の実施の形態］
本発明は、複数の透光部または遮光部にまたがって発生した大きな欠陥であって、大きな幅の透光部あるいは遮光部からは離れた位置に生じた欠陥の修正も可能である。
図５は、図５（ａ）に示すように、小さな幅の透光部2T〜6Tと、小さな幅の遮光部1S〜6Sとが交互に並んだラインアンドスペースのパターン領域と、該パターン領域のパターンが並ぶ方向に上記遮光部1Sと隣接した大きな幅の透光部1Tとを有するパターンにおいて、例えば２箇所の透光部4T,5Tにまたがって形成された余剰欠陥１４の修正工程を示している。

まず、上記余剰欠陥１４のうち、上記大きな幅の透光部1Tから、交互に並んだ小さな幅の遮光部と透光部を交互に順に数えて、欠陥を有し最も大きな数となる透光部5Tを特定し、この透光部５Ｔに形成された余剰欠陥と、この透光部5Tの大きな幅の透光部側に隣接する遮光部4Sの一部を含む領域を矩形状の膜除去部３０によって一度に除去する（図５（ｂ）参照）。次に、上記工程において遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部4Sを特定し、この遮光部4Sの欠落部分と、この遮光部４Ｓの大きな幅の透光部側に隣接する透光部４Ｔを含む領域に、矩形状の修正膜３１を形成する（図５（ｃ）参照）。次に、暫定的に修正膜が形成された透光部4Tを特定し、透光部４Ｔに形成された修正膜３１（による余剰欠陥）と、透光部４Ｔの大きな幅の透光部側に隣接する遮光部３Ｓを含む領域を矩形状の膜除去部３２によって除去する（図５（ｄ）参照）。

次に、上記工程において遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部3Sを特定し、遮光部３Ｓの欠落部分と、遮光部３Ｓの大きな幅の透光部側に隣接する透光部３Ｔを含む領域に、矩形状の修正膜３３を形成する（図５（e）参照）。次に修正膜の暫定的に形成された透光部3Tを特定し、透光部３Ｔに形成された修正膜３３（による余剰欠陥）と透光部３Ｔの大きな幅の透光部側に隣接する遮光部２Ｓを含む領域を矩形状の膜除去部３４によって除去する（図５（ｆ）参照）。

次に、上記工程において遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部2Sを特定し、遮光部２Ｓの欠落部分と、遮光部２Ｓの大きな幅の透光部側に隣接する透光部２Ｔを含む領域に、矩形状の修正膜３５を形成する（図５（ｇ）参照）。次に、修正膜の暫定的に形成された透光部2Tを特定し、透光部２Ｔに形成された修正膜３５（による余剰欠陥）と、透光部２Ｔの大きな幅の透光部側に隣接する遮光部１Ｓを含む領域を矩形状の膜除去部３６によって除去する（図５（ｈ）参照）。

次いで、上記工程において遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部1Sを特定し、遮光部１Ｓの欠落部分を含む領域と、大きな幅の透光部１Ｔに、矩形状の修正膜３７を形成する（図５（ｉ）参照）。そして最後に、上記遮光部1Sと隣接する透光部1Tに暫定的に形成された修正膜３７（による余剰欠陥）を含む領域を矩形状の膜除去部３８によって除去する（図５（ｊ）参照）。上記透光部1Tは、１回の修正操作で除去できる最小加工寸法よりも大きな幅を有しているので、上記修正膜３７を除去する際に、隣接する遮光部1Sの領域を除去してしまうような不具合は生じない。なお、上記の矩形状の膜除去部３０，３２，３４，３６，３８および矩形状の修正膜３１，３３，３５，３７はいずれも、矩形状の一辺を、隣接する透光部あるいは遮光部のエッジ位置に位置合せをして一致させることが好適である。
以上によって、図５（ａ）に示す複数の小さな幅の透光部にまたがって生じた余剰欠陥１４は精度良く修正される。

図６は、図５の遮光部と透光部の逆転したパターンの場合を例示するものである。
すなわち図６は、図６（ａ）に示すように、小さな幅の透光部1T〜6Tと、小さな幅の遮光部2S〜6Sとが交互に並んだラインアンドスペースのパターン領域と、該パターン領域のパターンが並ぶ方向に上記透光部1Tと隣接した大きな幅の遮光部1Sとを有するパターンにおいて、例えば２箇所の遮光部4S,5Sにまたがって形成された欠落欠陥１５の修正工程を示している。

まず、上記欠落欠陥１５のうち、上記大きな幅の遮光部1Sから、交互に並んだ小さな幅の遮光部と透光部を交互に順に数えて、欠陥を有し最も大きな数となる遮光部5Sを特定し、この遮光部５Ｓに形成された欠落欠陥と、この遮光部5Sの大きな幅の遮光部側に隣接する透光部4Tの一部を含む領域に、矩形状の修正膜４０を形成する（図６（ｂ）参照）。次に、上記工程において修正膜４０が暫定的に形成された透光部4Tを特定し、この透光部4Tに形成された修正膜４０（による余剰欠陥）と、この透光部４Ｔの大きな幅の遮光部側に隣接する遮光部４Ｓを含む領域を矩形状の膜除去部４１によって除去する（図６（ｃ）参照）。次に、上記工程において遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部4Sを特定し、この遮光部４Ｓの欠落部分と、この遮光部４Ｓの大きな幅の遮光部側に隣接する透光部３Ｔを含む領域に、矩形状の修正膜４２を形成する（図６（ｄ）参照）。

次に、上記工程において修正膜４２が暫定的に形成された透光部3Tを特定し、この透光部３Ｔに形成された修正膜４２（による余剰欠陥）と、この透光部３Ｔの大きな幅の遮光部側に隣接する遮光部３Ｓを含む領域を矩形状の膜除去部４３によって除去する（図６（ｅ）参照）。次に、上記工程において遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部3Sを特定し、遮光部３Ｓの欠落部分と、この遮光部３Ｓの大きな幅の遮光部側に隣接する透光部２Ｔを含む領域に、矩形状の修正膜４４を形成する（図６（ｆ）参照）。

次に、上記工程において修正膜４４が暫定的に形成された透光部2Tを特定し、この透光部2Tに形成された修正膜４４（による余剰欠陥）と、この透光部2Tの大きな幅の遮光部側に隣接する遮光部２Ｓを含む領域を矩形状の膜除去部４５によって除去する（図６（ｇ）参照）。次に、上記工程において遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部2Sを特定し、この遮光部２Ｓの欠落部分と遮光部２Ｓの大きな幅の遮光部側に隣接する透光部１Ｔを含む領域に、矩形状の修正膜４６を形成する（図６（ｈ）参照）。

次いで、修正膜４６が暫定的に形成された透光部1Tを特定し、この透光部１Ｔに形成された修正膜４６（による余剰欠陥）と大きな幅の遮光部１Ｓを含む領域を矩形状の膜除去部４７によって除去する（図６（ｉ）参照）。そして最後に、上記膜除去部４７によって遮光膜の一部が暫定的に除去された遮光部1Sの欠落部分を含む領域に、矩形状の修正膜４８を形成する（図６（ｊ）参照）。上記遮光部1Sは、１回の修正操作で形成できる最小加工寸法よりも大きな幅を有しているので、隣接する透光部1Tの領域にはみ出すことなく、修正膜４８を形成することができる。なお、上記の矩形状の膜除去部４１，４３，４５，４７および矩形状の修正膜４０，４２，４４，４６，４８はいずれも、矩形状の一辺を、隣接する透光部あるいは遮光部のエッジ位置に位置合わせを行って一致させることが好適である。
以上によって、図６（ａ）に示す複数の小さな幅の遮光部にまたがって生じた欠落欠陥１５は精度良く修正される。

第１、第２、第３のそれぞれの実施の形態で示したように、本発明の欠陥修正方法においては、矩形状の膜除去部の一辺を、隣接する遮光部のエッジに、または、矩形状の修正膜の一辺を、隣接する透光部のエッジに一致させることで、矩形状の一辺が有する直線の精度を利用して精度の高い修正が可能となる。特にこれは、修正工程中に透光部に形成された修正膜を除去修正する際に、または修正工程中に遮光部の一部が除去された部分に修正膜を形成する際に好適である。さらには上記以外に、透光部に生じた余剰欠陥が自身と隣接し、かつ膜除去を行わない遮光部と連続した場合の、余剰欠陥を除去する際に好適である。また、遮光部に生じた欠落欠陥が、自身と隣接し、かつ修正膜の形成を行わない透光部と連続した場合の、欠落欠陥部分に修正膜を形成する際に好適である。また、パターンのエッジに直線部分が含まれる、ライン・アンド・スペースパターンの欠陥修正方法として好適である。これらの態様は、例えば、膜除去の例を、第１の実施の形態であれば、図１（Ａ）（ｃ）の透光部１Ｔと遮光部１Ｓの境界、同様に図１（Ｂ）（ｄ）、図１（Ｃ）（ｅ）、図２（Ａ）（ｂ）、図２（Ｂ）（ｃ）、図２（Ｃ）（ｂ）、図２（Ｃ）（ｄ）などに示す。また、第２の実施の形態であれば、図３（ｂ）の遮光部３Ｓと透光部３Ｔの境界、同様に図３（ｄ）、図３（ｆ）などを例示する。また、第３の実施の形態であれば、図５の（ｂ）の遮光部５Ｓと透光部５Ｔの境界、同様に図５（ｄ）、図５（ｆ）、図５（ｈ）、図５（ｊ）などがこれにあたる。また、修正膜を形成する場合の例を、図１（Ａ）（ｂ）の透光部２Ｔと遮光部１Ｓの境界、同様に図１（Ｂ）（ｃ）、図１（Ｃ）（ｂ）、図１（Ｃ）（ｄ）などに示す。

本発明の欠陥修正方法によれば、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部に隣接した第１の遮光部であって、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな遮光部の欠落欠陥を修正した場合、前記修正作業で形成された修正膜は、欠落欠陥部分と共に前記大きな幅の透光部にも暫定的に修正膜を形成した後に、前記大きな幅の透光部に形成した修正膜を除去することが必要となる。したがって、この場合に第１の遮光部に形成された修正膜は、前記大きな幅の透光部との境界に、修正膜を除去することによって形成された、レーザーザッピングによるエッジを有する（図１（Ａ）（ｃ）の遮光部１Ｓと透光部１Ｔとの境界、同様に図３（ｆ）、図５（ｊ）などに例示）。

また、例えば図５によれば、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな遮光部の欠落欠陥を修正した後には、必ずこの遮光部における、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部がある側のエッジは、修正膜を除去することによって形成される必要が有り、その態様を図５（ｄ）の遮光部４Ｓと透光部４Ｔの境界や、同様に図５（ｆ）、図５（ｈ）、図５（ｊ）などに例示する。一方、同じ遮光部における、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部がある側とは反対側のエッジは、膜を除去することによって形成したエッジではなく、修正膜を形成することによって形成されたエッジを有する。その態様を、図５（ｃ）の透光部５Ｔと遮光部４Ｓの境界、同様に、図５（ｅ）、図５（ｇ）、図５（ｉ）などに例示する。本発明のフォトマスクの修正方法の実施によって生じるこの特徴は、第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態のいずれの場合にも生じる。

レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな遮光部の複数個が連続して隣接し、かつそれらが本発明の欠陥修正方法によって修正されている時に、前記修正された遮光部の内の一つである第１の遮光部は、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部に隣接している。加えて、前記第１の遮光部に最も近い位置に存在する、第２の遮光部の修正膜と前記第１の遮光部の修正膜との距離は、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅よりも小さい。この理由を、図１（Ｃ）を例にして以下に説明する。

図１（Ｃ）（ａ）において示された、小さな幅の遮光部２Ｓに生じた欠落欠陥１０を修正する場合、先ず図１（Ｃ）（ｂ）に示されるように、前記欠落欠陥１０と、該欠落欠陥１０が生じた遮光部2Sに隣接する小さな幅の透光部2Tの一部を含む領域に、遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜１を形成する（前記透光部２Ｔは、前記欠落欠陥１０を有する遮光部２Ｓの、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部側に隣接した透光部である）。次に、図１（Ｃ）（ｃ）に示されるように、修正膜１によって透光部２Ｔに形成された修正膜と、透光部２Ｔに隣接する遮光部１Ｓの一部を含む領域を除去する。次に、図１（Ｃ）（ｄ）に示されるように、遮光部１Ｓの除去された領域と透光部１Ｔの一部を含む領域に修正膜を形成する。最後に、図１（Ｃ）（ｅ）で示されるように、透光部１Ｔに形成された修正膜を除去して修正が完了する。このように本発明の欠陥修正方法は、欠陥の生じた遮光部（または透光部）の修正の際に、その欠陥に対して、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部側に隣接する箇所の透光部（または遮光部）を暫定的に修正を行い、次工程では暫定的に修正した箇所を欠陥と見なして、修正を順次繰り返していくことを特徴としている。このことは、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の領域の矩形状の一辺をパターンのエッジに一致させて修正をしていった場合に、修正されていく箇所は、欠陥を修正し始めた位置から、例えばライン・アンド・スペースパターンなどの場合、その直線部を有するエッジに対して垂直にかつレーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部の方向に形成されていくことを示している。したがって、本発明の欠陥修正方法で修正した箇所に形成された修正膜は、パターンエッジと垂直な方向に隣接し並んでいることから、隣接した修正膜同士の距離は、修正膜と修正膜の間に存在する透光部の幅（レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さな幅）と等しくなる。つまり、隣接した修正膜同士の距離は、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅よりも小さい。

本発明に使用する遮光膜は、少なくとも露光光の一部を遮光するものであり、例えば、透光部の光の透過率を１００％とした時、露光光を１％よりも減衰可能な、光を遮る膜とすることが出来る。光学濃度において２以上の膜を使用することが出来る。また、例えば、遮光性を有する膜として、５％から８０％程度、より好ましくは５％〜６０％程度の透過率をもつものも本発明の遮光膜に含まれる。この場合、本発明でいう「同等の遮光性」とは、「同等の透過率」とする。このような遮光膜としては、クロム（Ｃｒ）を含む材料として、例えば窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯ）、酸窒化クロム（ＣｒＯＮ）、フッ化クロム（ＣｒＦ）等が有る。また、モリブデン（Ｍｏ）等の金属とシリコン（Ｓｉ）とを含む材料として、例えばＭｏＳｉ、ＭｏＳｉ_２、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＣＯＮ等が有る。また、遮光膜にはこれらの遮光膜が積層されたものも含まれる。

本発明の欠陥修正方法が好適に行えるフォトマスクとしては、テレビやモニター等の画像表示装置の分野において、ＴＦＴやカラーフィルター等の製造に使用される、大型のフォトマスクを挙げることができる。特に一辺のサイズが１０００ｍｍを超えるようなフォトマスクに好適である。さらには、このような大型のフォトマスクに対してレーザーを用いた修正装置で修正する場合に有効である。

例えば、本発明は、透過率制御部に、露光機の露光光解像限界以下の遮光部と透光部により形成された微細パターンを用いて、被転写体上に形成されたレジストパターンに、露光現像後にレジスト膜厚の異なる部分を形成するための多階調フォトマスクにおける上記露光光解像限界以下の微細パターンを修正する場合に好適である。

また、本発明の欠陥修正方法によって修正された多階調マスクは以下の点で優れている。このような多階調フォトマスクは、遮光部、透光部とともに、露光光解像限界以下の微細パターンを含む透過率制御部を有する。この透過率制御部は、例えば数μｍ以下の幅を有するラインパターンとスペースパターンの繰り返しパターンを用いる事が出来、被転写体に形成するレジストパターンの所望のレジストの膜厚を実現するために、ラインパターンの幅とスペースパターンの幅を設計し、所望の透過率を有する光透過率制御部部を形成する。このような多階調フォトマスクのラインパターンとスペースパターンの幅は、いずれも例えば１μｍ以下、即ち、修正装置の最小加工寸法よりも小さくなることがあり、線幅やピッチの異なる複数の微細パターンにより複数の階調を形成することも可能である。こうしたフォトマスクにおいて、本発明を適用すると、透過率制御部の透過率を変えてしまうことなく、透過率制御部の修正が可能である。

本発明は、その他の微細なパターンの修正に好適である。例えば、数μｍ以下の微細なライン・アンド・スペースパターンを有するＩＴＯ導電膜のパターニング用のフォトマスクや、薄膜トランジスタの微細なチャンネルパターンをもつフォトマスクなどの修正に好適である。
また、本発明を実施できるパターン形状は、ライン・アンド・スペースパターンに限らず、曲線や屈曲線からなる、遮光部と透光部が順に並び、その幅が小さい場合に好適である。例えば図７に例示した（Ａ）〜（Ｄ）のような様々なパターンやこれらに類似したパターンに対しても本発明を好適に実施することが出来る。
本発明は、上述のようにサイズの大きい大型フォトマスクの修正には特に有利である。例えば、半導体装置製造用のフォトマスクでは、集束イオンビームを使用した欠陥修正装置を適用することがあるが、これを大型フォトマスクに適用することには、膨大なコストの他、装置の設置スペース、チャンバーの真空性維持などの運用にも困難が大きい。これに対し、本発明を適用すれば、こうした困難を伴わずに、精緻な修正が行える。

１，３，６，８ 修正膜
２，４，５，７ 膜除去領域
２１，２３，２５，２７，２９ 修正膜
２０，２２，２４，２６，２８ 膜除去領域
３１，３３，３５，３７ 修正膜
３０，３２，３４，３６，３８ 膜除去領域
４０，４２，４４，４６，４８ 修正膜
４１，４３，４５，４７ 膜除去領域
１０，１３，１５ 欠落欠陥
１１，１２，１４ 余剰欠陥
１Ｔ〜６Ｔ 透光部
１Ｓ〜６Ｓ 遮光部

Claims (16)

1. 透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた余剰欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、
   前記透光部にある前記余剰欠陥と、前記余剰欠陥をもつ前記透光部に隣接する遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する膜除去工程と、
   前記膜除去工程において除去された前記遮光部における遮光膜の一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程と、を含み、
   前記膜形成工程において行われる膜形成は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きい幅をもつ遮光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
2. 透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた余剰欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、
   前記透光部にある前記余剰欠陥と、前記余剰欠陥をもつ前記透光部に隣接する遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する第１膜除去工程と、
   前記第１膜除去工程において遮光膜の一部が除去された前記遮光部と、該遮光部に隣接する第２透光部に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程と、
   前記第２透光部に形成された前記修正膜を除去する第２膜除去工程と、を含み、
   前記第２膜除去工程において行われる膜除去は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きい幅をもつ透光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
3. 前記膜形成工程において、形成する修正膜のエッジを前記隣接する遮光部のエッジと一致させることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
4. 前記余剰欠陥は、前記修正膜を含むことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
5. 透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠落欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、
   前記遮光部にある前記欠落欠陥と、前記欠落欠陥をもつ前記遮光部に隣接する透光部の一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する膜形成工程と、
   前記膜形成工程において形成された前記透光部における修正膜を除去する膜除去工程と、を含み、
   前記膜除去工程において行われる膜除去は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きい幅をもつ透光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
6. 透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠落欠陥を、欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、
   前記遮光部にある前記欠落欠陥と、前記欠落欠陥をもつ前記遮光部に隣接する透光部の一部を含む領域に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する第１膜形成工程と、
   前記第１膜形成工程において前記透光部に形成された前記修正膜と、該透光部に隣接する第２遮光部の遮光膜の一部を同時に除去する膜除去工程と、
   一部が除去された前記第２遮光部に、前記遮光膜と同等の遮光性を有する修正膜を形成する第２膜形成工程と、を含み、
   前記第２膜形成工程において行われる膜形成は、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きい幅をもつ遮光部に対して行われることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
7. 前記膜除去工程において、除去する修正膜のエッジを前記透光部のエッジと一致させることを特徴とする請求項５又は６に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
8. 前記欠落欠陥は、前記欠陥修正方法により遮光膜が除去された領域を含むことを特徴とする請求項６又は７に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
9. 透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠陥を、レーザー欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、
   前記フォトマスクは、透光部と、遮光部とが交互に並んだパターン領域を有し、
   該パターン領域は、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さな幅の透光部と、前記欠陥修正装置による1回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな幅の遮光部と、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部と、からなり、
   前記パターン領域の欠陥修正方法であって、
   前記大きな幅の透光部から、前記パターン領域を構成する前記小さな幅の遮光部と前記小さな幅の透光部を交互に順に数えて、欠陥を有しかつ最も大きな数となる遮光部又は透光部を特定する工程（Ａ）と、
   前記工程（Ａ）により遮光部が特定されたとき、前記特定された遮光部の欠落欠陥に修正膜を形成して修正し、かつ前記遮光部の前記大きな幅の透光部側に隣接する透光部（ａ）に同時に修正膜を暫定形成する工程（Ｂ−１）または、
   前記工程（Ａ）により透光部が特定されたとき、前記特定された透光部の余剰欠陥を除去して修正し、かつ前記透光部の前記大きな幅の透光部側に隣接する遮光部の一部を同時に暫定除去する工程（Ｂ−２）と、
   前記暫定形成または暫定除去された部分を、前記パターン領域に生じた余剰欠陥または欠落欠陥とし、前前記（Ａ）工程と、前記（Ｂ−１）工程または前記（Ｂ−２）工程のいずれかと、
   を繰り返し行い、前記（Ｂ−１）工程において前記透光部（ａ）が、前記大きな幅の透光部と一致したときに前記大きな幅の透光部に形成された余剰欠陥を除去する工程（Ｃ）と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
10. 透明基板上に形成された遮光膜がパターニングされて形成された、透光部と遮光部を有するフォトマスクに生じた欠陥を、レーザー欠陥修正装置を用いて修正するフォトマスクの欠陥修正方法において、
    前記フォトマスクは、透光部と、遮光部とが交互に並んだパターン領域を有し、
    該パターン領域は、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さな幅の透光部と、前記欠陥修正装置による1回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな幅の遮光部と、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より大きな幅の遮光部と、からなり、
    前記パターン領域の欠陥修正方法であって、
    前記大きな幅の遮光部から、前記パターン領域を構成する前記小さな幅の透光部と前記小さな幅の遮光部を交互に順に数えて、欠陥を有しかつ最も大きな数となる遮光部又は透光部を特定する工程（Ａ）と、
    前記工程（Ａ）により遮光部が特定されたとき、前記特定された遮光部の欠落欠陥に修正膜を形成して修正し、かつ前記遮光部の前記大きな幅の遮光部側に隣接する透光部（ａ）に同時に修正膜を暫定形成する工程（Ｂ−１）または、
    前記工程（Ａ）により透光部が特定されたとき、前記特定された透光部の余剰欠陥を除去して修正し、かつ前記透光部の前記大きな幅の遮光部側に隣接する遮光部（ａ）の一部を同時に暫定除去する工程（Ｂ−２）と、
    前記暫定形成または暫定除去された部分を、前記パターン領域に生じた余剰欠陥または欠落欠陥とし、前前記（Ａ）工程と、前記（Ｂ−１）工程または前記（Ｂ−２）工程のいずれかと、
    を繰り返し行い、前記（Ｂ−２）工程において前記遮光部（ａ）が、前記大きな幅の遮光部と一致したときに前記大きな幅の遮光部に形成された欠落欠陥を修正する工程（Ｃ）と、
    を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
11. 前記欠陥修正装置による前記膜形成はレーザーＣＶＤによって行われ、前記膜除去はレーザー照射によって行われ、前記欠陥修正装置による一回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅および一回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅を１μｍとすることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
12. 透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることによる遮光部と透光部を有するフォトマスクの製造方法であって、
    前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
    フォトリソグラフィー法により、前記遮光膜をパターニングすることによって、遮光部と透光部を有する転写パターンを形成するパターニング工程と、
    形成された前記転写パターンに生じた欠陥を修正する修正工程と、を有し、
    前記修正工程においては、請求項１乃至１１のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法を適用することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
13. 透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることによる遮光部と透光部を有するフォトマスクにおいて、
    前記フォトマスクは、
    レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より大きな幅の透光部と、
    前記大きな幅の透光部に隣接し、前記欠陥修正装置による1回の修正操作で形成できる最小の膜形成幅より小さな幅の遮光部と、前記欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さな幅の透光部とがこの順に交互に並んだライン・アンド・スペースパターン領域と、
    を有し、
    前記大きな幅の透光部に隣接する前記小さな幅の遮光部である第一の遮光部にレーザー欠陥修正装置による修正膜が形成され、
    前記修正膜のエッジは、前記第一の遮光部と前記大きな幅の透光部の境界の一部を成し、かつ前記レーザー欠陥修正装置によって前記修正膜を除去して形成されたエッジであることを特徴とするフォトマスク。
14. 前記パターン領域において、第一の遮光部に最も近い位置に存在する第二の遮光部に修正膜が形成され、
    第一の遮光部の修正膜と第二の遮光部の修正膜との距離が、レーザー欠陥修正装置による１回の修正操作で除去できる最小の膜除去幅より小さいことを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスク。
15. 前記修正膜が形成された遮光部のそれぞれの修正膜において、前記大きな透光部側のエッジは前記修正膜が除去されたエッジを含み、前記大きな透光部とは反対側のエッジは前記修正膜が除去されたエッジを含まないことを特徴とする請求項１３又は１４に記載のフォトマスク。
16. 請求項１２に記載の製造方法によるフォトマスク、又は請求項１３乃至１５のいずれか記載のフォトマスク、と露光装置を用いて、被転写体上にパターン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。
    

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