JP6235643B2 - パターン修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び修正膜形成装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の態様は、
基板の主表面上に転写用パターンが形成されたフォトマスクの前記転写用パターンに対し、修正膜を形成する、パターン修正方法であって、
前記修正膜を形成する対象領域を特定する領域特定工程と、
原料ガスの雰囲気中で、前記対象領域内にレーザ光を照射して、前記修正膜を形成する成膜工程と、を有し、
前記成膜工程では、レーザ発振器から射出されたレーザ光を、前記対象領域内に照射することにより、所定サイズの単位修正膜を形成するとともに、
前記対象領域内において、複数の前記単位修正膜の各々の一部分を互いに重ね合わせることにより、所定膜厚を有する修正膜を形成することを特徴とする、パターン修正方法である。
(第2の態様)
本発明の第2の態様は、
前記成膜工程では、レーザ発振器から射出され、所定寸法のアパーチャを通過したレーザ光を、前記対象領域内に照射して、前記基板上に照射スポットを形成することにより、所定サイズの単位修正膜を形成するとともに、
前記対象領域内において、前記照射スポットを移動させ、複数の前記単位修正膜の各々の一部分を互いに重ね合わせることにより、所定膜厚を有する修正膜を形成することを特徴とする、上記第1の態様に記載のパターン修正方法である。
(第3の態様)
本発明の第3の態様は、
前記照射スポットの重ね合わせは、二方向の重ね合わせであることを特徴とする、上記第2の態様に記載のパターン修正方法である。
(第4の態様)
本発明の第4の態様は、
前記照射スポットの重ね合わせ方向をX方向とするとき、前記X方向における前記照射スポットの寸法SX(μm)は、
0.5≦SX<3.0
であることを特徴とする、上記第2又は第3の態様に記載のパターン修正方法である。
(第5の態様)
本発明の第5の態様は、
前記照射スポットの重ね合わせ方向をX方向とするとき、前記X方向における前記照射スポットの重ね合わせピッチPXは、前記X方向における前記照射スポットの寸法SXに対して、
0.9SX≦PX≦0.5SX
であることを特徴とする、上記第2〜第4の態様のいずれか1つに記載のパターン修正方法である。
(第6の態様)
本発明の第6の態様は、
前記照射スポットの重ね合わせ方向をX方向とするとき、前記X方向における前記照射スポットの重ね合わせ幅WX(μm)は、
0.2≦WX≦1.5
であることを特徴とする、上記第2〜第5の態様のいずれか1つに記載のパターン修正方法である。
(第7の態様)
本発明の第7の態様は、
前記転写用パターンは、露光光の一部を透過する半透光部を含み、前記対象領域は、前記半透光部を少なくとも一部含むことを特徴とする、上記第2〜第6の態様のいずれか1つに記載のパターン修正方法である。
(第8の態様)
本発明の第8の態様は、
前記照射スポットは、前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を振動させたのち、前記アパーチャを通過させ、前記フォトマスクの対象領域に照射して形成することを特徴とする、上記第2〜第7の態様のいずれか1つに記載のパターン修正方法である。
(第9の態様)
本発明の第9の態様は、
前記アパーチャの形状は、正方形であることを特徴とする、上記第2〜第8の態様のいずれか1つに記載のパターン修正方法である。
(第10の態様)
本発明の第10の態様は、
基板の主表面上に、少なくとも半透光膜を有するフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記半透光膜をパターニングして、転写用パターンをもつフォトマスクを形成する工程と、
前記転写用パターンを修正する修正工程と含む、フォトマスクの製造方法において、
前記修正工程では、上記第1〜第9の態様のいずれか1つに記載のパターン修正方法を適用して前記転写用パターンを修正することを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
(第11の態様)
本発明の第11の態様は、
基板の主表面上に形成された転写用パターンの一部が修正膜によって修正された修正転写用パターンを有するフォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、半透光膜が前記基板上に形成されてなる半透光部を含み、
前記修正転写用パターンは、前記フォトマスクの露光条件における解像限界寸法未満の寸法をもつCVD膜からなる複数の単位修正膜が、互いに一部を重なり合わせた状態で規則的に配列する修正膜部分を有することを特徴とする、フォトマスクである。
(第12の態様)
本発明の第12の態様は、
前記単位修正膜は、互いに垂直な2方向に重ね合わされて配列することを特徴とする、上記第11の態様に記載のフォトマスクである。
(第13の態様)
本発明の第13の態様は、
基板の主表面上に転写用パターンを備えたフォトマスクの前記転写用パターンに対し、修正膜を形成する、修正膜形成装置であって、
レーザ光を射出するレーザ発振器と、
前記レーザ光の光束径を所定の大きさに絞るための、所定寸法のアパーチャと、
前記アパーチャを通過した前記レーザ光を、前記基板上に照射し、前記基板上に照射スポットを形成するための光学系と、
前記基板上に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、
前記基板の主表面と平行な面内で前記光学系と前記基板とを相対的に移動させる移動制御手段と、を有し、
前記移動制御手段は、前記光学系と前記基板とを相対的に移動させることにより、前記基板上に所定サイズの単位修正膜を複数形成するとともに、前記複数の単位修正膜が、その一部を互いに重ね合わせて配列するように、前記移動を制御することを特徴とする、修正膜形成装置である。
(第14の態様)
本発明の第14の態様は、
前記移動制御手段は、前記光学系と前記基板とを相対的に移動させることにより、前記複数の単位修正膜が2方向で互いに重ね合わせて配列するように、前記移動を制御することを特徴とする、上記第13の態様に記載の修正膜形成装置である。
(第15の態様)
本発明の第15の態様は、
前記移動制御手段は、前記光学系と前記基板のいずれかを、相対的に、一定のピッチで、少なくとも一方向にステップ・アンド・リピート方式で移動させることを特徴とする、上記第13又は第14の態様に記載の修正膜形成装置である。
基板の主表面上に転写用パターンが形成されたフォトマスクの前記転写用パターンに対し、修正膜を形成する、パターン修正方法であって、
前記修正膜を形成する対象領域を特定する領域特定工程と、
原料ガスの雰囲気中で、前記対象領域内にレーザ光を照射して、前記修正膜を形成する成膜工程と、を有し、
前記成膜工程では、レーザ発振器から射出されたレーザ光を、前記対象領域内に照射することにより、所定サイズの単位修正膜を形成するとともに、
前記対象領域内において、複数の前記単位修正膜の各々の一部分を互いに重ね合わせることにより、所定膜厚を有する修正膜を形成し、この修正膜によって転写用パターンを修正する。
また、好ましくは、
前記成膜工程では、レーザ発振器から射出され、所定寸法のアパーチャを通過したレーザ光を、前記対象領域内に照射して、前記基板上に照射スポットを形成することにより、所定サイズの単位修正膜を形成するとともに、
前記対象領域内において、前記照射スポットを移動させ、複数の前記単位修正膜の各々の一部分を互いに重ね合わせることにより、所定膜厚を有する修正膜を形成する。
すなわち、
基板の主表面上に転写用パターンを備えたフォトマスクの前記転写用パターンに対し、修正膜を形成する、修正膜形成装置であって、
レーザ光を射出するレーザ発振器と、
前記レーザ光の光束径を所定の大きさに絞るための、所定寸法のアパーチャと、
前記アパーチャを通過した前記レーザ光を、前記基板上に照射し、前記基板上に照射スポットを形成するための光学系と、
前記基板上に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、
前記基板の主表面と平行な面内で前記光学系と前記基板とを相対的に移動させる移動制御手段と、を有し、
前記移動制御手段は、前記光学系と前記基板とを相対的に移動させることにより、前記基板上に所定サイズの単位修正膜を複数形成するとともに、前記複数の単位修正膜が、その一部を互いに重ね合わせて配列するように、前記移動を制御する。
図1は本発明の実施形態に係る修正膜形成装置の概要を例示する構成図である。ただし、本発明に係る修正膜形成装置は、図示した装置構成に限定されるものではない。
修正膜形成装置1は、レーザCVD法によって、局所的な修正膜(CVD膜ともいわれる)を形成できる装置である。フォトマスクの転写用パターンに生じる欠陥には、透過率が許容値よりも低くなる黒欠陥と、透過率が許容値よりも高くなる白欠陥がある。黒欠陥は、膜パターンの余剰や異物の付着などが原因で発生する欠陥であって、余剰欠陥ともいわれる。白欠陥は、膜パターンの不足や欠落などが原因で発生する欠陥であって、欠落欠陥ともいわれる。修正膜形成装置1は、黒欠陥の除去、及び白欠陥部への修正膜の堆積をそれぞれ行える構成になっている。フォトマスクは、基板の主表面上に転写用パターンが形成されたものである。以降の説明では、この転写用パターンが形成された基板をフォトマスク基板ともいう。
本発明の実施形態に係るパターン修正方法は、フォトマスクが備える転写パターンを修正する修正工程に適用される方法であって、下記の領域特定工程と成膜工程とを有する。
領域特定工程では、フォトマスク基板上に形成された転写用パターンにおいて、修正膜の形成によって欠陥の修正を行う対象領域(以下、「修正対象領域」ともいう。)を特定する。このとき、必要に応じて、下記の前処理を行うことが好ましい。
ここでは、フォトマスクの転写用パターンに含まれる半透光部に欠陥が生じた場合に、この半透光部の欠陥を修正する場合について説明する。この場合、必要に応じて、欠陥部分を、修正の施しやすい白欠陥とする前処理を行う。本態様において、半透光部とは、フォトマスクの露光に用いる露光光の一部を透過する部分であって、ハーフトーン部、又はグレートーン部と呼ばれることもある。例えば、透明なフォトマスク基板上に半透光膜(露光光を一部透過する、所定の透過率をもつ光学膜)が形成されてなる領域である。この半透光部に生じた欠陥の具体例として、図2(A)に示すように、半透光部51の一部に黒欠陥52が生じている場合、又は、図2(B)に示すように、半透光部51の一部に白欠陥53が生じている場合を考える。黒欠陥52は、半透光部51を形成している半透光膜上に、遮光膜や、その他の異物が付着しているために、半透光部51に設定されている透過率よりも低い透過率を示す欠陥となっている。白欠陥53は、半透光部51を形成している半透光膜が一部脱落しているために、半透光部51に設定されている透過率よりも高い透過率を示す欠陥となっている。黒欠陥52に対する前処理では、付着している異物を除去し、必要に応じて、欠陥部分の周囲にある正常な半透光膜(正常膜)を一部除去し、修正工程に都合の良い形状の白欠陥を形成しておく。白欠陥53に対する前処理でも、欠陥近傍の半透光膜を一部除去して、欠陥の形状を整えることが好ましい。
また、前処理を行う場合は、下記の成膜工程で修正膜の形成を開始する開始位置の近傍に、修正膜の下地膜を予備的に形成しておいてもよい。下地膜は、成膜工程開始時のレーザ光LBの吸収を促し、修正膜を成長させる起点となる。このため、効率的で安定した修正膜の形成に貢献することが期待できる。
成膜工程では、上記の領域特定工程で特定した修正対象領域54に対し、修正膜を形成する(図1、図3〜図10を参照)。
膜形成には、レーザCVD法を適用する。具体的には、レーザ発振器11から射出されたレーザ光LBを、ビームエキスパンダ12によって所定のビーム径に拡大し、さらにアッテネータ14によって出力調整した後、可変アパーチャ25によって適切なビーム径に絞った状態で、フォトマスク4上に照射する。その際、可変アパーチャ25に入射するレーザ光LBの光束径が可変アパーチャ25のアパーチャ寸法よりも十分に大きくなるように、レーザ光LBの光束径をビームエキスパンダ12によって拡げておいてもよい。又は、レーザ光LBの光束径がアパーチャ寸法より小さくてもよい。いずれの場合も、可変アパーチャ25上でレーザ光LBが所定の振幅で振動するように、ビームスキャンユニット15によってレーザ光LBを振動させ、アパーチャを通過する光強度を均一化することができる。その一方で、ガス供給系6によりフォトマスク4上に原料ガスを供給することにより、フォトマスク4上を原料ガス雰囲気35とする。これにより、レーザ光LBが照射された部分に、CVD膜からなる修正膜が形成される。
まず、成膜例の一態様につき、図1、図3〜図7を用いて説明する。
成膜例1に適用する好ましい具体的手法としては、レーザ光LBの光束を、所定のアパーチャ寸法(開口寸法)に設定した可変アパーチャ25に入射させ、その光束の径を可変アパーチャ25の寸法によって規制する。たとえば、図1に示すように、可変アパーチャ25に入射する直前のX方向のレーザ光LBの光束径がLX(μm)であるとすると、可変アパーチャ25のX方向のアパーチャ寸法AXを上記LXよりも十分に小さく設定しておく。そして、可変アパーチャ25による光束径の絞りにより、好ましくはレーザ光束の中心近傍を含む光束の一部分のみを通過させて小さな光束とする。その際、レーザ光LBの光束の一部分を通過させる可変アパーチャ25のアパーチャ形状は、四角形(正方形、長方形)、あるいは、スリット状とすることができる。本態様では正方形のアパーチャを用いた例で説明する。
AX<LX …(1)
AX≦0.5LX …(2)
20≦AX<600 …(3)
100≦AX<400 …(4)
この場合、照射スポットの重ね合わせ方向をX方向とし、X方向におけるアパーチャ寸法をAX(μm)、X方向における照射スポットの寸法をSX(μm)とすると、このSXが下記の(5)式、より好ましくは下記の(6)式を満たすように、AXを調整することが好ましい。
0.5≦SX<3 …(5)
1≦SX<2.5 …(6)
0.9SX≧PX≧0.5SX …(7)
0.1SX≦WX≦0.5SX …(8)
照射スポットの重ね合わせピッチとは、照射スポットの位置に形成される単位修正膜どうしを重ね合わせるための、照射スポットの重ね合わせのピッチをいう。また、照射スポットの重ね合わせ幅とは、照射スポットの位置に形成される単位修正膜どうしを重ね合わせるための、照射スポットの重ね合わせの幅をいう。
PX=0.5SX …(9)
この場合は、上述した移動制御部7が、フォトマスク4をPXと同じ一定のピッチMXで、X方向にステップ・アンド・リピート方式で移動させることにより、図6(A),(B)に示すように、修正対象領域54内で照射スポット(単位修正膜58)を1/2ずつX方向に順次重ね合わせて配列することができる。本態様では、照射スポットの寸法SXを2μmとし、その1/2ずつをX方向に重ね合わせることにより、照射スポットの重ね合わせ幅WXを1μmとした。具体的な重ね合わせ幅WX(μm)は、下記の(10)式を満たすことが好ましい。
0.2≦WX≦1.5 …(10)
AY<LY …(11)
AY≦0.5LY …(12)
20≦AY<600 …(13)
100≦AY<400 …(14)
0.5≦SY<3 …(15)
1≦SY<2.5 …(16)
0.9SY≧PY≧0.5SY …(17)
0.1SY≦WY≦0.5SY …(18)
成膜例1では、フォトマスク基板をY方向に移動させる際に、1ステップ分の移動ピッチ(送りピッチ)MY(μm)を、MY<SYの条件で設定することにより、Y方向で複数の単位修正膜58を重ね合わせる形態を採用している。この場合、Y方向における照射スポットの重ね合わせピッチPYは、移動ピッチMYと同じ値になり、上記WYの値は、SYからMYを差し引いた値になる。
PY=0.5SY …(19)
この場合は、上述した移動制御部7が、フォトマスク4を支持するステージを、PYと同じピッチMYでY方向に1ステップ分だけ移動させることにより、修正対象領域内で照射スポット(単位修正膜)を1/2ずつY方向に重ね合わせて配列することができる。本態様では、照射スポットの寸法SYを2μmとし、その1/2ずつをY方向に重ね合わせることにより、照射スポットの重ね合わせ幅WYを1μmとした。具体的な重ね合わせ幅WY(μm)は、下記の(20)式を満たすことが好ましい。
0.2≦WY≦1.5 …(20)
次に、成膜例の他の態様について、図8〜図10を用いて説明する。
先述した成膜例1と相違する点は、修正対象領域54に複数の単位修正膜58からなる修正膜を形成する場合に、この修正膜の中央部を4重膜とする代わりに2重膜とする点である。成膜例2に適用するアパーチャ形状は、成膜例1と同様に、一辺の寸法(以下、「AP」とする。)が200μmの正方形とした。したがって、単位修正膜58の形状は、アパーチャ形状とほぼ相似形となる。また、照射スポットの寸法が、アパーチャ寸法の1/100となるように、対物レンズ26の倍率が設定されているものとすると、単位修正膜58の寸法は、X方向及びY方向のいずれの方向でも2μmとなる。
まず、1層目の単位修正膜58を形成する場合は、修正対象領域54のひとつの隅部を膜形成の開始位置とし、そこにレーザ光LBを照射して単位修正膜58を形成する(図8(A),(B))。このとき、X方向及びY方向における単位修正膜58のサイズは、照射スポットの寸法SX,SYと等しくなる。次に、フォトマスク基板をX方向及びY方向に適宜移動させることにより、修正対象領域54全体に1層目の単位修正膜58をマトリクス状に並べて形成する。その際、フォトマスク基板をX方向にステップ・アンド・リピート方式で移動させるときの、1ステップ分の移動ピッチ(送りピッチ)MX(μm)を、MX=SXの条件で設定する。また、フォトマスク基板をY方向に移動させるときの、1ステップ分の移動ピッチ(送りピッチ)MY(μm)を、MY=SYの条件で設定する。これにより、1層目の単位修正膜58は、X方向及びY方向で、互いに隣接して形成される。また、修正対象領域54全体に、1層目の単位修正膜58が単層で規則的に整列して形成される(図9(A),(B))。
次に、2層目の単位修正膜58を形成する場合は、1層目の膜形成開始位置に対して2層目の膜形成開始位置をX方向及びY方向に所定量ずつずらして設定する。すなわち、X方向については、上記SX(μm)の1/2相当分だけ膜形成開始位置をずらして設定し、Y方向については、上記SY(μm)の1/2相当分だけ膜形成開始位置をずらして設定する。そして、その設定した膜形成開始位置から、1層目と同様の条件(MX=SX、MY=SY)を適用して、2層目の単位修正膜58を形成する。これにより、1層目の単位修正膜58の上に2層目の単位修正膜58が重ね合わせて形成される(図10(A),(B))。
すなわち、基板の主表面上に形成された転写用パターンの一部が修正膜によって修正された修正転写用パターンを有するフォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、半透光膜が前記基板上に形成されてなる半透光部を含み、
前記修正転写用パターンは、前記フォトマスクの露光条件における解像限界寸法未満の寸法をもつCVD膜からなる複数の単位修正膜が、互いに一部を重なり合わせた状態で規則的に配列する修正膜部分を有する。
このフォトマスクは、たとえば上述した修正工程を経て得られるものである。
その場合、半透光部は、上記基板上に半透光膜が形成されてなり、その露光光透過率は、15〜70%、より好ましくは20〜60%である。
また、半透光膜のもつ位相シフト量φ(度)は、0<φ≦90とすることができる。この場合、被転写体上に形成するレジストパターンのプロファイルを優れたものとしやすい。このようなフォトマスクに対して、本発明を適用する場合には、修正膜(特にその中央部)の透過率を同様の範囲内とする。修正対象領域全体の透過率の平均値がこの領域に入ることが、より好ましい。
特に、露光光透過率については、修正膜の透過率B(%)は、正常な半透光膜の透過率A(%)に対して、“A−5≦B≦A+5”とすることができる。ここで、修正膜の透過率Bは、中央部の透過率とすることができる。
一方、半透光膜の位相シフト量φ(度)を、150≦φ≦210とすることもできる。この場合は、修正膜として同様なものを用いることが望まれる。
基板の主平面上に、少なくとも半透光膜を有するフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記半透光膜をパターニングして、転写用パターンをもつフォトマスクを形成する工程と、
前記転写用パターンを修正する修正工程と含む、フォトマスク製造方法において、
前記修正工程では、上述のパターン修正方法を適用して前記転写用パターンを修正する。
たとえば、上記フォトマスクブランクを用い、パターニングする工程としては、描画装置によって、所望のパターンデータにもとづく描画を行う。描画手段はレーザを用いても、電子ビームを用いてもよい。現像を行って形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして、上記光学膜などの膜にエッチングを施す。表示装置製造用のフォトマスクとしては、ウェットエッチングが好適に使用されるが、ドライエッチングを適用してもかまわない。必要に応じて、成膜及び描画・エッチングを複数回行い、所望の転写用パターンを基板主表面に形成する。
4…フォトマスク
7…移動制御部
15…ビームスキャンユニット
25…可変アパーチャ
26…対物レンズ
51…半透光部
52…黒欠陥
53…白欠陥
54…修正対象領域
58…単位修正膜
LB…レーザ光
Claims (15)
- 基板の主表面上に転写用パターンが形成されたフォトマスクの前記転写用パターンに対し、修正膜を形成する、パターン修正方法であって、
前記修正膜を形成する対象領域を特定する領域特定工程と、
原料ガスの雰囲気中で、前記対象領域内にレーザ光を照射して、前記修正膜を形成する成膜工程と、を有し、
前記成膜工程では、レーザ発振器から射出されたレーザ光を、前記対象領域内に照射することにより、所定サイズの単位修正膜を形成するとともに、
前記対象領域内において、複数の前記単位修正膜の各々の一部分を互いに重ね合わせることにより、所定膜厚を有する修正膜を形成することを特徴とする、パターン修正方法。 - 前記成膜工程では、レーザ発振器から射出され、所定寸法のアパーチャを通過したレーザ光を、前記対象領域内に照射して、前記基板上に照射スポットを形成することにより、所定サイズの単位修正膜を形成するとともに、
前記対象領域内において、前記照射スポットを移動させ、複数の前記単位修正膜の各々の一部分を互いに重ね合わせることにより、所定膜厚を有する修正膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載のパターン修正方法。 - 前記照射スポットの重ね合わせは、二方向の重ね合わせであることを特徴とする、請求項2に記載のパターン修正方法。
- 前記照射スポットの重ね合わせ方向をX方向とするとき、前記X方向における前記照射スポットの寸法SX(μm)は、
0.5≦SX<3.0
であることを特徴とする、請求項2又は3に記載のパターン修正方法。 - 前記照射スポットの重ね合わせ方向をX方向とするとき、前記X方向における前記照射スポットの重ね合わせピッチPXは、前記X方向における前記照射スポットの寸法SXに対して、
0.9SX≦PX≦0.5SX
であることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記照射スポットの重ね合わせ方向をX方向とするとき、前記X方向における前記照射スポットの重ね合わせ幅WX(μm)は、
0.2≦WX≦1.5
であることを特徴とする、請求項2〜5のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記転写用パターンは、露光光の一部を透過する半透光部を含み、前記対象領域は、前記半透光部を少なくとも一部含むことを特徴とする、請求項2〜6のいずれか1項に記載のパターン修正方法。
- 前記照射スポットは、前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を振動させたのち、前記アパーチャを通過させ、前記フォトマスクの対象領域に照射して形成することを特徴とする、請求項2〜7のいずれか1項に記載のパターン修正方法。
- 前記アパーチャの形状は、正方形であることを特徴とする、請求項2〜8のいずれか1項に記載のパターン修正方法。
- 基板の主表面上に、少なくとも半透光膜を有するフォトマスクブランクを用意する工程と、
前記半透光膜をパターニングして、転写用パターンをもつフォトマスクを形成する工程と、
前記転写用パターンを修正する修正工程と含む、フォトマスクの製造方法において、
前記修正工程では、請求項1〜9のいずれか1項に記載のパターン修正方法を適用して前記転写用パターンを修正することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 - 基板の主表面上に形成された転写用パターンの一部が修正膜によって修正された修正転写用パターンを有するフォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、半透光膜が前記基板上に形成されてなる半透光部を含み、
前記修正転写用パターンは、前記フォトマスクの露光条件における解像限界寸法未満の寸法をもつCVD膜からなる複数の単位修正膜が、互いに一部を重なり合わせた状態で規則的に配列する修正膜部分を有することを特徴とする、フォトマスク。 - 前記単位修正膜は、互いに垂直な2方向に重ね合わされて配列することを特徴とする、請求項11に記載のフォトマスク。
- 基板の主表面上に転写用パターンを備えたフォトマスクの前記転写用パターンに対し、修正膜を形成する、修正膜形成装置であって、
レーザ光を射出するレーザ発振器と、
前記レーザ光の光束径を所定の大きさに絞るための、所定寸法のアパーチャと、
前記アパーチャを通過した前記レーザ光を、前記基板上に照射し、前記基板上に照射スポットを形成するための光学系と、
前記基板上に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、
前記基板の主表面と平行な面内で前記光学系と前記基板とを相対的に移動させる移動制御手段と、を有し、
前記移動制御手段は、前記光学系と前記基板とを相対的に移動させることにより、前記基板上に所定サイズの単位修正膜を複数形成するとともに、前記複数の単位修正膜が、その一部を互いに重ね合わせて配列するように、前記移動を制御することを特徴とする、修正膜形成装置。 - 前記移動制御手段は、前記光学系と前記基板とを相対的に移動させることにより、前記複数の単位修正膜が2方向で互いに重ね合わせて配列するように、前記移動を制御することを特徴とする、請求項13に記載の修正膜形成装置。
- 前記移動制御手段は、前記光学系と前記基板のいずれかを、相対的に、一定のピッチで、少なくとも一方向にステップ・アンド・リピート方式で移動させることを特徴とする、請求項13又は14に記載の修正膜形成装置。
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