JP2011059716A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】大面積の基板を1回の走査で露光するリソグラフィ装置と方法を提供する。
【解決手段】照明システムは、個別制御可能の要素のアレイでパターン形成したビームを供給し、ビームをレンズアレイに通して基板の目標部分へ投影し、アレイの各レンズはビームの各部分を基板へ配向し、変位システムは、基板とビームを相対的に変位させ、ビームは所定の走査方向に基板全体で走査される。投影システムを各トラックに沿って各ビームを走査するように位置決めする。各トラックはビーム1本で走査する第一部分と、隣接トラックと重なりビーム2本で走査する第二部分を有する。第一部分への各ビーム部分の最大強度は第二部分へのビーム部分の最大強度より大きいので、第一と第二部分はほぼ同じ最大強度の放射線に露光する。隣接ビームをこのように重ねビーム強度を変調すると異なる光列の光学的フットプリントが継合わされ1回の走査で大面積の基板を露光できる。
【選択図】図2

Description

本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)、フラットパネルディスプレイ、および微細構造を含む他のデバイスの製造において使用可能である。従来のリソグラフィ装置では、代替的にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニング手段は、IC(または他のデバイス)の個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができ、このパターンを、放射線感光原料(例えばレジスト)の層を有する基板(例えばシリコンウェハまたはガラスプレート)上の目標部分(例えば1つあるいは幾つかのダイの一部を含む)に描像することができる。マスクの代わりに、パターニング手段は個々に制御可能で、回路パターンを生成する要素のアレイを含んでもよい。
一般的に、1枚の基板は、順次照射される近接目標部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に1回露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向(「走査」方向)にパターンをビームで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
リソグラフィシステムには、1つまたは複数の光列(例えば光路)を有するスキャナを含むものもある。従来のスキャナは、1回の走査で大面積の基板を露光することができない。その1つの理由は、大きい目標部分を露光することができる単体の光列を生成するのが困難なことである。例えば、パネルの各縁に沿って2メートルのオーダの寸法を有するパネル上にフラットパネルディスプレイ(FPD)を製造できることが好ましいが、このようなパターンのほぼ全幅にわたって延在する目標部分を露光できる単体の光列を生成することは非常に困難である。
この問題に対応する1つの方法は、各光列が基板上の個々のトラックを走査するように配置された一連の別個の光列を使用して、パネルの全幅を露光することであった。この場合は、隣接するトラックが、パネルの全幅を露光するように突き合わせてある。残念ながら、隣接するトラック間に生じる小さいギャップを回避するか、隣接するトラック間の小さい重なりを回避するために、別個の光列を相互に対して適切な位置で維持することは困難である。このような位置合わせ不良は、製造中のデバイスの機能に影響することがあり、FPDの場合は、ディスプレイ上に非常に目立つ線が現れることがある。
したがって、必要とされているのは、大面積の基板を1回の走査で走査するために使用できるリソグラフィシステムおよびその使用方法である。
本発明によると、照明システム、パターニングシステム、投影システムおよび変位システムを有するリソグラフィ装置が提供される。照明システムは放射線のビームを供給する。パターニングシステムはビームにパターンを形成する。投影システムは、パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する。変位システムは、ビームが所定の走査方向にて基板上で走査されるように、基板と投影システムの間に相対的変位を引き起こす。各投影システムは、アレイの各レンズが個々のビームの個々の部分を基板に向かって配向するように配置されたレンズのアレイを有する。各パターニングシステムは、所望のパターンを個々のビームに与えるように制御された個々に制御可能な要素のアレイを有する。投影システムは、各ビームが基板上の一連のトラックの個々に沿って走査されるように配置される。トラックは、各トラックが1本のビームのみで走査される第一部分、および隣接トラックと重なり、2本のビームで走査される少なくとも1つの第二部分を有するように重なる。トラックの第一部分に配向される各ビームの第一部分の最大強度は、トラックの第二部分に配向されるビームの第二部分の最大強度より大きく、したがってトラックの第一および第二部分は、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される。
走査される隣接トラック間に重なりを設け、重ならない領域と比較して重なる領域に投影される放射線の強度を調節することにより、個々のトラックの縁部領域における露光強度に大きい段階的変化が生じるのを回避することができる。したがって、異なる光学エンジンによって走査されるトラックは、隣接トラックの相対的位置の間の位置合わせ不良による悪影響を最小限に抑える方法で、相互に継ぎ合わせることができる。
本発明の別の実施形態によると、以下のステップを含むデバイス製造方法が提供される。つまり、放射線のビームにパターンを形成するステップ。パターン形成したビームを、基板テーブル上に支持された基板の目標部分に投影するステップ。基板にわたって所定の走査方向にてビームが走査されるように、基板とビームの間に相対的変位を引き起こすステップ。各ビームは、レンズのアレイを通して基板に向かって配向される。個々に制御可能な要素のアレイによってパターンがビームに与えられるように、アレイの各レンズは、ビームの個々の部分を配向する。各ビームは、基板上にある一連のトラックの個々に沿って走査される。トラックは、各トラックが1本のビームのみで走査される第一部分、および隣接トラックと重なり、2本のビームで走査される少なくとも1つの第二部分を有するように重なる。トラックの第一部分に配向される各ビームの第一部分の最大強度は、トラックの第二部分に配向されるビームの第二部分の最大強度より大きく、したがってトラックの第一および第二部分は、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される。
一例では、各ビームが、走査方向に対して直角方向で基板テーブルにわたって分布した光列のアレイにて、個々の光列によって生成することができる。隣接する光列は、走査方向にずれてよい。あるいは、少なくとも2本の重なるビームを、共通レンズアレイにあるレンズの隣接する列を通して基板に配向することができる。隣接する列は走査方向に対して傾斜した方向に延在し、走査方向に対して直角の方向で隔置される。ビームは、個々に制御可能な要素のアレイを使用してパターン形成される。一例では、ビームに与えられたパターンは、基板の連続的走査中に連続的に更新することができる。
個々のビームの様々な部分の最大強度は、ビームを転送する減衰デバイスを設けることによって決定することができる。例えば、ビームの部分を吸収する吸収デバイスである。この例では、吸収デバイスの少なくとも1つの周囲部分が、ビームの部分を吸収し、その周囲部分を通して転送された放射線が個々のトラックの第二部分に投影されるように配置することができる。様々な例で、吸収デバイスを照明システムとパターニングシステムの間、またはパターニングシステムと基板の間に配置することができる。
一例では、各ビームは、ビームの最小、最大、または少なくとも1つの中間強度成分を送出することができ、個々に制御可能な要素のアレイによってパターン形成される。一例では、制御デバイスを使用して要素を制御し、トラックの第二部分に配向されたビームの成分の強度を削減する。
一例では、各ビームは、アレイの各レンズが個々のビームの個々の部分を基板の個々の区域へと配向するように配置構成されたレンズのアレイを通して基板に送出される。ビームの部分をトラックの第二部分に配向するアレイのレンズは、ビームの部分をトラックの第一部分へと配向するアレイのレンズより多くのビームを吸収するか、例えば部分反射などの他の方法で減衰するように配置構成される。
一例では、ビームの第二部分の強度は、トラックの第一部分に隣接するそのトラックの第二部分の縁部から、トラックの第二部分の他方縁部へと漸進的に低下させることができる。したがって、1本のビームの送出強度は、そのビームが走査する区域の縁部に向かって下方向へとテーパ状になる。
本発明の1つの実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。 本発明の1つの実施形態によるマイクロレンズアレイを含む光学投影システムを示したものである。 本発明の1つの実施形態により変位可能な基板テーブルを含む請求項2の光学投影システムを示したものである。 本発明の1つの実施形態により図3で示したシステムの基板上に投影する光のスポットの方位の略図である。 本発明の1つの実施形態による光列のアレイの配置構成の略図である。 本発明の1つの実施形態により、図5の光列によって走査されるトラックの基板に対する位置を概略的に示したものである。 本発明の1つの実施形態により、図6で示したトラックのうち1つと2つの隣接トラックとの重なりを概略的に示したものである。 図8A、図8Bおよび図8Cは、本発明の様々な実施形態により、2つのトラック間で重なる領域の幅にわたって強度の連続的変動が存在する場合に、隣接するトラックの重なる領域におけるビームの強度を概略的に示したものである。 本発明の1つの実施形態により、2つのトラック間の重なる領域にわたる強度の代替階段状変動を示したものである。 本発明の1つの実施形態により、図8または図9で示した強度の変動を生成することができる吸収デバイスの4つの代替位置を概略的に示したものである。 本発明の実施形態により、制御可能な反射性要素を使用して、ビームの一部分の強度を調節する方法を概略的に示したものである。 本発明の実施形態により、制御可能な反射性要素を使用して、ビームの一部分の強度を調節する方法を概略的に示したものである。 本発明の1つの実施形態により、それぞれが基板上の重なるトラックを露光するように位置決めされたマイクロレンズアレイを組み込んだ3つの光列の配置構成を概略的に示したものである。 本発明の1つの実施形態により、基板上の重なるトラックを露光するように配置構成された2つのマイクロレンズアレイに個々のレンズを配置することを概略的に示したものである。 本発明の1つの実施形態により異なる光列によって生成された重なるトラックの図である。 本発明の1つの実施形態により、レンズのアレイにあるレンズの隣接列によって生成された重なるトラックの図である。
本発明のさらなる実施形態、特徴、および利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造および動作について、添付図面に関して以下でさらに詳細に説明する。
本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付図面は、本発明を例示し、説明とともに本発明の原理を説明し、当業者による本発明の作成および使用を可能にする働きをする。
次に、添付図面に関して本発明を説明する。図面では、同様の参照番号は同一または機能的に類似した要素を示す。
概要および用語
本文では集積回路(IC)の製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。
本明細書で使用する「個々に制御可能な要素のアレイ」という用語は、基板の目標部分に所望のパターンを生成できるように、入射する放射線ビームにパターン形成した断面を与えるために使用できる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。「ライトバルブ」および「空間光変調器」(SLM)という用語も、この文脈で使用可能である。このようなパターニングデバイスの例について、以下で検討する。
プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層および反射性表面を有するマトリクスアドレス可能表面を有することができる。このような装置の基本的原理は、例えば反射性表面のアドレスされた区域は、入射光を回折光として反射し、アドレスされない区域は入射光を非回折光として反射することである。適切な空間フィルタを使用して、非回折光を反射ビームから除去し、回折光のみを基板に到達させることができる。この方法で、ビームはマトリクスアドレス可能表面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。
代替法として、フィルタは回折光を除去し、非回折光を基板に到達させることができる。回折性光学超小型電気機械システム(MEMS)デバイスのアレイも、対応する方法で使用することができる。各回折性光学MEMSデバイスは、入射光を回折光として反射する格子を形成するために相互に対して変形可能である複数の反射性リボンを含むことができる。
さらなる代替実施形態は、微小ミラーのマトリクス配置構成を使用するプログラマブルミラーアレイを含むことができ、各ミラーは、適切な局所的電界を適用するか、圧電手段を使用することによって軸線の周囲で個々に傾斜させることができる。この場合もミラーはマトリクスアドレス可能であり、したがってアドレスされたミラーは入射放射線ビームを異なる方向でアドレスされていないミラーへと反射し、この方法で反射ビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従ってパターン形成される。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子的手段を使用して実施することができる。
上述した両方の状況で、個々に制御可能な要素のアレイは、1つまたは複数のプログラマブルミラーアレイを有してよい。本明細書で言及したミラーアレイに関するさらなる情報は、例えば米国特許第5,296,891号および第5,523,193号、およびPCT特許出願第WO98/38597号および第WO98/33096号で見ることができ、これらは参照により全体が本明細書に組み込まれる。
プログラマブルLCDアレイも使用することができる。このような構造の一例が米国特許第5,229,872号で与えられ、これは参照により全体が本明細書に組み込まれる。
例えばフィーチャー(features)の事前バイアス付与、光学近接補正フィーチャー、位相変動技術および多重露光技術を使用する場合、個々に制御可能な要素のアレイ上に「表示」されるパターンは、最終的に基板上または基板の層に伝達されるパターンとは非常に異なる可能性があることを理解されたい。同様に、最終的に基板上に生成されるパターンは、個々に制御可能な要素のアレイ上に任意の瞬間に形成されるパターンには対応しないことがある。これは、基板の各部分に形成される最終的パターンが、所与の期間にわたって、または個々に制御可能な要素のアレイ上のパターンおよび/または基板の相対的位置が変化する所与の露光回数にわたって蓄積する配置構成である場合であり得る。
本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、DNAチップ、MEMS、MOEMS、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。
本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)放射線(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、あるいは126nmの波長を有する)および超紫外線(EUV)放射線(例えば、5nm〜20nmの範囲の波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。
本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。
照明システムは、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う屈折、反射、および反射屈折光学構成要素などの様々なタイプの光学構成要素も含むことができ、こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。
リソグラフィ装置は2つ(デュアルステージ)あるいはそれ以上の基板テーブル(および/または2つもしくはそれ以上のマスクテーブル)を有するタイプのものである。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、1つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が1つ以上のテーブルにて実行される。
リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するよう、基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬するタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの第一要素との間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるため、当技術分野で周知である。
さらに、装置には、(例えば化学物質を基板に付着させるか、基板の表面構造を選択的に改造するために)流体と基板の照射部分の間の相互作用を可能にする流体処理セルを設けることができる。
リソグラフィ投影装置
図1は、本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置100を概略的に示したものである。装置100は少なくとも放射線システム102、個々に制御可能な要素104のアレイ、オブジェクトテーブル106(例えば基板テーブル)および投影システム(「レンズ」)108を含む。
放射線システム102は、放射線(例えばUV放射線)のビーム110を提供するために使用することができ、この特定の場合は放射線ソース112も有する。
個々に制御可能な要素104のアレイ(例えばプログラマブルミラーアレイ)は、ビーム110にパターンを適用するために使用することができる。概して、個々に制御可能な要素104のアレイの位置を投影システム108に対して固定することができる。しかし、代替配置構成では、個々に制御可能な要素104のアレイは、投影システム108に対して正確に配置されるために位置決めデバイス(図示せず)に接続することができる。本明細書で示すように、個々に制御可能な要素104は反射タイプである(例えば個々に制御可能な要素の反射性アレイを有する)。
オブジェクトテーブル106には、基板114(例えばレジスト塗布したシリコンウェハまたはガラス基板)を保持する基板ホルダ(特には図示せず)を設けることができ、オブジェクトテーブル106は、基板114を投影システム108に対して正確に配置するために、位置決めデバイス116に接続することができる。
投影システム108(例えばクォーツおよび/またはCaF2レンズシステムまたはこのような材料から作成したレンズ要素を有する反射屈折システム、またはミラーシステム)は、ビーム分割器118から受け取ったパターン形成ビームを基板114の目標部分120(例えば1つまたは複数のダイ)に投影するために使用可能である。投影システム108は、個々に制御可能な要素104のアレイの像を基板114に投影することができる。あるいは、投影システム108は、二次ソースの像を投影することができ、これに対して個々に制御可能な要素104のアレイにある要素がシャッタとして作用する。投影システム108は、二次ソースを形成し、基板114上に微小スポットを投影するマイクロレンズアレイ(MLA)も有してよい。
ソース112(例えばエキシマレーザ)は放射線ビーム122を生成することができる。ビーム122は、直接的に、または例えばビーム拡大器などの調整デバイス126を通り越した後、照明システム(照明装置)124へと供給される。照明装置124は、ビーム122の強度分布の外部および/あるいは内部放射範囲(一般的にそれぞれ、σ−outerおよびσ−innerと呼ばれる)を設定する調節デバイス128を有してよい。また、照明装置124は一般的に、積分器130およびコンデンサ132のような他の構成要素を含む。この方法で、個々に制御可能な要素104のアレイに当たるビーム110は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。
図1に関して、ソース112は(ソース112が例えば水銀灯である場合によくあるように)リソグラフィ投影装置100のハウジング内にあってよいことを留意されたい。代替実施形態では、ソース112はリソグラフィ投影装置100から離れてもよい。この場合、放射線ビーム122は(例えば適切な配向ミラーの助けにより)装置100へと配向される。この後者のシナリオは、ソース112がエキシマレーザである場合に多い。このシナリオは両方とも本発明の範囲内と想定されることを理解されたい。
ビーム110はその後、ビーム分割器118を使用して配向された後、個々に制御可能な要素104のアレイと交差する。ビーム110は、個々に制御可能な要素104のアレイで反射した後、投影システム108を通過し、これはビーム110を基板114の目標部分120に集束させる。
位置決めデバイス116(および任意選択でビーム分割器140を介して干渉ビーム138を受け取るベースプレート136上の干渉測定デバイス134)の助けにより、オブジェクトテーブル106は、ビーム110の経路における異なる目標部分120に位置を合わせるために正確に運動可能である。個々に制御可能な要素104のアレイに位置決めデバイスを使用する場合、これは、例えば走査中にビーム110の経路に対して個々に制御可能な要素104のアレイの位置を正確に補正するために使用可能である。一般的に、オブジェクトテーブル106の運動は、図1には明示的に図示されていないロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けで実現される。同様のシステムは、個々に制御可能な要素104のアレイの位置決めにも使用することができる。ビーム110は、オブジェクトテーブル106および/または個々に制御可能な要素104のアレイが必要な相対的運動を提供するために固定位置を有する一方、代替的/追加的に運動可能にできることが理解される。
実施形態の代替構成では、基板114が基板テーブル106上で運動可能である状態で、基板テーブル106を固定することができる。その場合、基板テーブル106には平坦な最上面に複数の開口を設け、開口を通して気体を供給し、基板114を支持できる気体クッションを提供する。これは従来、空気支承構成と呼ばれている。基板114は、ビーム110の経路に対して基板114を正確に位置決めできる1つまたは複数のアクチュエータ(図示せず)を使用して、基板テーブル106上で動作する。あるいは、開口を通る気体の通過を選択的に開始および停止することによって、基板114を基板テーブル106上で運動させることができる。
本発明によるリソグラフィ装置100は、本明細書では、基板上のレジストを露光するためのものとして説明してきたが、本発明は、この使用法に制限されず、装置100はレジストなしのリソグラフィに使用するパターン形成ビーム110の投影に使用できることが理解される。
ここに表した装置100は4つの好ましいモードにて使用可能である。
1.ステップモードにおいては、個々に制御可能な要素104のアレイ上の全パターンを、1回の作動(すなわち1回の「フラッシュ」)で目標部分120に投影する。次に基板テーブル106がx方向および/あるいはy方向で異なる位置へと移動し、異なる目標部分120がパターン形成ビーム110によって照射される。
2.走査モードにおいては、基本的にステップモードと同じであるが、1回の「フラッシュ」で所与の目標部分120が露光されない。代わりに、個々に制御可能な要素104のアレイは速度vで所与の方向(y方向などのいわゆる「走査方向」)に移動可能であり、したがってパターン形成ビーム110が個々に制御可能な要素104のアレイを走査する。それと同時に基板テーブル106が速度V=Mvで同じ方向または反対方向に動作する。ここでMは投影システム108の倍率である。この方法で、解像度を妥協することなく、比較的大きい目標部分120を露光することができる。
3.パルスモードにおいては、個々に制御可能な要素104のアレイが基本的に静止状態に維持され、パルス状放射線システム102を使用して全パターンを基板114の目標部分120に投影する。基板テーブル106は基本的に一定の速度で移動し、したがってパターン形成したビーム110は基板106にまたがる線を走査する。個々に制御可能な要素104のアレイ上のパターンは、要求に応じて放射線システム102のパルス間で更新され、基板114上の必要な位置で連続する目標部分120が露光するようにパルスのタイミングをとる。その結果、パターン形成したビーム110は基板114全体を走査して、基板114の細片ごとに完全なパターンを露光することができる。線ごとに基板114全体を露光するまで、このプロセスを繰り返す。
4.連続的走査モードにおいては、基本的にパルスモードと同じであるが、ほぼ一定の放射線システム102を使用し、パターン形成したビーム110が基板114を走査し、それを露光するにつれて、個々に制御可能な要素104のアレイ上のパターンを更新する。
上述した使用モードの組合せおよび/または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。
例示的投影システム
図2は、本発明の1つの実施形態によるマイクロレンズアレイを含む光学投影システムを示す。図2に示す装置は、要素2の2次元アレイを支持する下面を有するコントラストデバイス1を有する。要素2のアレイにある各要素の角度位置は選択的に制御することができる。ビーム分割器3をコントラストデバイス1の下に位置決めする。照明ソース4が放射線ビーム5をビーム分割器3へと配向する。放射線ビーム5は、コントラストデバイス1の下面へと反射する。コントラストデバイス1の要素の1つは、ビーム5の成分部分を反射し、ビーム分割器3およびレンズ6、7および8によって画定された投影光学系を通して戻すように図示されている。この例では、最下レンズ8が視野レンズであり、これはマイクロレンズアレイ9へと配向されるほぼテレセントリック系のビームを生成する。一例では、マイクロレンズアレイ9は小型レンズの2次元アレイを有する。各レンズは、自身に入射した光を基板10の上面へと集束するように配置構成される。
この例では、光をマイクロレンズアレイ9へと反射するミラーとして作用するコントラストデバイス1の要素2ごとに、マイクロレンズアレイ9にある個々のレンズが照明される。光の個々のスポットは、マイクロレンズアレイ9の照明されたレンズによって基板10の上面へと投影される。この配置構成では、コントラストデバイス1が基板10上に描像されるが、他の配置構成も可能であることを理解されたい。例えば、投影システム6、7、8の瞳を基板10に描像することができる。
図3は、本発明の1つの実施形態により変位可能な基板テーブルを含む請求項2の光学投影システムを示す。図3では、マイクロレンズアレイ9の下で基板テーブル11に支持された基板10が図示されている。投影光学系は長方形12で表される。図2のコントラストデバイス1の3つのコントラスト要素2が、投影光学系12の上に図示されている。図示の配置構成では、基板テーブル11がマイクロレンズアレイ9の下で矢印13の方向に直線上に移動する。
図4は、本発明の1つの実施形態により図3で示したシステムの基板上に投影される光のスポットの配向(orientation)の略図である。図4は、図2および図3のマイクロレンズアレイ9にある個々のレンズの位置間の関係、および図3の基板テーブル11の変位方向を示す。変位方向は、図4では矢印13で表す。この方向は線14に平行であり、これはマイクロレンズアレイ9のレンズの列に平行に延在するさらなる線15に対して傾斜する。隣接列のレンズは、レンズ15に対して直角に延在する列を画定するために位置合わせされる。各レンズは、長方形のアレイ状のスポットのうち異なるスポットに光を投影し、その1つを数字16で識別する。レンズは長方形の2次元アレイで配置構成され、これは基板テーブルの運動の方向13に対してわずかに傾斜し、したがってコントラストデバイス1の個々の要素によって個々のレンズに送出される照明ビーム5を適切に制御することによって、基板10の表面全体を露光することができる。
一例では、各レンズが実際に基板10の表面に連続線を「書く」ことができる。これらの線は、重なるほど相互に対して十分に近い。
一例では、基板10の選択された2次元区域を露光するために、基板10をマイクロレンズアレイ9の下で前進させ、任意の時に露光すべき区域が位置決めされる場所の上にある個々のレンズが、コントラストデバイス1の関連する要素を適切に制御することによって照明される。
光列を含む例示的投影システム
図5は、本発明の1つの実施形態による光列のアレイの配置構成の略図である。この例では、装置は連続的操作モードで動作する。基板17は基板テーブル18上に位置決めされ、矢印19の方向にて基板テーブル18上で変位可能である。基板テーブル18上ではブリッジ20が位置決めされ、これは例えば6つの光列21を支持し、これはそれぞれ、円で示した空間を占有して、長方形22で表したフットプリントを有するビームを送出する構成要素を組み込む。
この例では、基板17が矢印19の方向にて基板テーブル18上を前進するにつれ、各光学的フットプリント22が基板17上で走査される。各光列21は、基板17の表面上にある個々のトラックを露光するために使用可能である。トラックは、矢印19で示す方向に平行に延在し、矢印19に対して直角の方向では光学的フットプリント22の寸法に対応する幅を有する。
この例では、図5で示す6つの光列21は、矢印19で示す方向に対して直角な2本の行で配置構成される。6つの光列21は、矢印19で示す方向に対して直角の方向に分布するが、矢印19に対して直角の方向で隣接する光列は、矢印19の方向にオフセットもする。この例では、これは通常、各光列21を構成する機器が、例えば長方形22で表すような光学フットプリントの面積より大きいフットプリントを占有しなければならないので必要である。したがって、図5で示す6つの光列21が、矢印19に対して直角に延在する基板17上の線を露光すべき場合、この線のうち最初の3つの区間は、基板17がブリッジ20に対して第一位置にある場合に、左端行の3つの光列21[のうち左端行]で露光され、その線の他の3つの部分は、基板17がさらに変位した後、光列21の右端行で露光される。
図6は、本発明の1つの実施形態により図5の光列で走査されるトラック23の基板に対する位置を概略的に示す。図6は、基板テーブル18上に配置された基板17上の図5の光列21によって露光可能なトラック23を表す。各トラック23は、破線で表した境界を有する。
図7は、本発明の1つの実施形態により、図6で示すトラック23の1つと2つの隣接トラック23との重なりを概略的に示す。中心トラック23は、線24および25で示した縁部の間に延在する。隣接トラック23は、一方側が線26で示す位置まで、他方側は線27で示す位置まで延在する。一方側は影区域28で、他方側は影区域29で示した隣接トラック23が重なる領域がある。
一例では、線24と線25の間にある区域の露光を担当するビームの強度は、重なる区域28および29を除いて均一である。同様に、隣接トラック23は、区域28および29を除いて均一の強度である。
一例では、区域28に到達する放射線の全体的強度が、重なり区域28と29の間の区域に到達する放射線の強度とほぼ同じであるように、区域28の露光に寄与する2本のビームの強度を変調する。例えば、図示された3つのトラック23全部が、ある特定の瞬間に全く同じ強度の照明を受けるように意図されている場合、重なり区域28および29を含む全ての区域は、ほぼ同じ放射線強度を受け取る。
この実施形態において、図5に示したように矢印19の方向に光列21のオフセットが存在すると仮定すると、基板17がその光列21の下で走査されるにつれ、各トラック23の中心区域が1つの光列21によって露光され、区域28および29は2つの連続的段階で露光される。基板17の関連部分として実行される第一露光ステップは、図5で示す光列21の左手行のうち1つの下を通過して行われる。基板17のその同じ区域で実行される第二ステップは、図5で示す光列21の右手行の下を通過して行われる。
例示的強度特徴およびその生成システム
図8A、図8Bおよび図8Cは、本発明の様々な実施形態により、2本のトラック23間で重なる領域の幅にわたって強度の連続的変化が存在する場合に、隣接トラック23の重なる領域におけるビームの強度を概略的に示す。例えば、これらのグラフは図7で示し、重なり28および29の区域を含む3つのトラック23に送出されるビームの強度を表す。
図8Aのグラフは、図7の中心で示したトラック23に送出される1本のビームの強度を、そのビームによって送出され、必要とされるパターンが均一の100%の強度であると仮定して示す。強度は、各領域28および29にわたって100%からゼロへとテーパ状になることが分かる。言うまでもなく、ビームが、ゼロ強度のパターン区域および100%強度のパターン区域を含むようにパターン形成されると、図8Aのグラフで示す全体的パターンは、図示のように均一にならないが、本発明を説明する目的で、下にある基板に必要な露光では均一性があると仮定する。
図8Bのグラフは、図7で示した2つの重なる区域28および29を露光する2本のビームによって送出されるビームの強度を示す。これらのビームもそれぞれ、領域28、29の一方の先端における100%から他方の先端におけるゼロ強度までのテーパ状態を有する。
図8Cのグラフは、図7で示す3つのトラック23に寄与する3本のビームによって送出される強度の合計を示す。強度は領域28および29にわたって一定である。図7の中心トラック23の露光に寄与する3本のビームに多少の位置合わせ不良、例えば10%の位置合わせ不良があった場合、全体的な強度分布は多少変動するが、せいぜい名目100%強度値の±10%である。したがって、露光トラック23間の位置合わせ不良の重大性は大幅に低下する。
図9は、本発明の1つの実施形態により、2つのトラック23間の重なる領域にわたる強度の代替階段状変動を示す。したがって、図9は、図8で示したものの代替強度分布を示す。図8で示すように任意の特定トラック23の縁部に向かって強度を連続的に下降させてテーパ状にするのではなく、強度を階段状に低下させることができる。図9で示すケースでは、個々の段がそれぞれ、全体的な名目100%強度の20%を表す。位置合わせ不良がこれらの5段階のうち1つの幅以内であったと仮定すると、全体的な強度線量は名目値から±20%を超えて発散しない。
図10は、本発明の1つの実施形態により、図8または図9で示した強度の変動を生成することができる吸収デバイス30、31、32または33の代替位置を概略的に示す。一例では、減衰デバイスは吸収性ガラスプレートでよく、したがって投影されたビームは、図8で示したものと同様の強度分布を有する。
一例では、吸収性デバイスは、透明な中心区間および表面処理した2つの縁部区間がある単純なガラスプレートでよく、したがって、プレートを透過しているビームの強度は、プレートの2つの対向する縁部に向かって漸進的に低下する。
代替物は、部分的に反射性の縁部があるガラスプレートである。
上記の例のいずれでも、吸収デバイスを、構成要素30で示すようにソース4とビーム分割器3の間、デバイス31で示すようにビーム分割器3と制御可能なコントラストデバイス2の間、デバイス32で示すようにビーム分割器3の1つの表面上、または視野レンズ8とマイクロレンズアレイ9の間に配置されたデバイス33が示すように、光列中の他の適切な位置に位置決めすることができる。いずれのケースでも、デバイス30、31、32または33は、走査方向に平行に延在するビームの縁部に沿ってビームの部分の相対的強度を低下させる目的を果たす。
制御可能な要素のアレイにある要素の例示的動作
図11および図12は、本発明の実施形態により、制御可能な反射性要素を使用して、ビームの一部分の強度を調節する方法を概略的に示す。一例では、ミラーのアレイを使用して、最大強度(例えば「白」)、最小強度(例えば「黒」)、および中間強度(例えば「グレー」)を送出することができる。最大強度は、コントラストデバイス1の面に平行に延在するように個々のミラー2(アレイ2で示す)を位置決めすることによって、コントラストデバイス1によりマイクロレンズアレイ9の1つのレンズ34に送出される。ミラー2をこのように配置した状態で、曲線35によって表されるミラー2が反射した光の強度分布は、開口プレート36の開口を中心とする。開口を通過するビームは、線37で示す中心軸線を有し、光の小さいビームを形成するように線38で示すレンズによって集束され、これは基板10上のレンズ34によって集束される。レンズ34が送出するビームは、39で示す軸線で対称である。線35が示す強度分布が、開口プレート36にある開口の中心で対称であるならば、ミラー2が反射する光の大部分(例えば「白い」)が基板10に到達し、これは最大強度に対応する。
ほぼ全ての反射光が開口プレート36の開口に到達しないようにミラー2を回転すると、レンズ34に到達する光がほぼなく(例えば「黒」)、その結果、基板10の最小強度の露光になる。しかし、ミラー2を比較的小さい角度だけ回転すると、反射ビームが開口プレート36の開口に対して変位するが、反射光の一部が開口を通過する。
これらの状況が図12に図示され、ここでは強度分布35が開口の中心に対してオフセットするが、部分的にその開口に重なることが分かる。したがって、一部の光がレンズ34に到達するが、基板10に送出される光の強度は、図11で示したケースと比較すると低下している。
本発明の実施形態によると、光は、マイクロレンズアレイ9の縁部に隣接して配置されたレンズを有するマイクロレンズアレイ9のレンズの行に送出される。走査方向に平行に延在するレンズが、コントラストデバイス1からグレー強度のビームを受け取り、したがって重なる光列間の強度関係を達成することができる。
図11および図12は、基板10上のピクセルごとに1つのミラー2がある投影システムを示す。このような配置構成では、解像度はコントラストデバイス1のグレー値の関数として変動し、これはミラー2の傾斜である。
代替配置構成では、例えば幾つかのミラー2のクラスタによって回折格子が形成される。このような配置構成では、解像度はグレー値に依存しない。
図13は、本発明の1つの実施形態により、それぞれが基板上の重なるトラックを露光するように位置決めされたマイクロレンズアレイを組み込んだ3つの光列の配置構成(例えば光学的フットプリント)を概略的に示す。3つの光列の光学的フットプリントは、重なるこれらの列の光学的フットプリントの部分のグレーレベル照明を使用する。図13では、走査方向を矢印40で示す。第一光列は、長方形41で示す光学的フットプリントを有する。その光学的フットプリントは、露光すべき基板の区域の縁部まで延在し、その縁部は線42で示される。光学的フットプリント41は、線43と44の間に画定された領域とも重なり、その領域は、隣接する光列の長方形45で示す光学的フットプリントの右手側とも重なる。光学的フットプリント45は、線46および47で境界を区切られた領域と重なり、これは長方形48で示す光列の右手側とも重なる。
長方形41で示すマイクロレンズアレイの左手側は、「グレー」レベルの強度を送出するように位置決めされたミラー2(例えば図11および図12参照)から光を受け取る一連のレンズの行を構成する。光学的フットプリント41の右手側は、全強度の放射線を受け取る。隣接する光列との重なりがないからである。しかし、隣接する光列との重なりがある全てのケースにおいては、光学的フットプリントの重なる部分に送出される放射線のビームの強度を低下させる。
図14は、隣接する光列の一部を形成し、部分的に図13で示した方法で重なる2つのマイクロレンズアレイの縁部分を概略的に示す。つまり、図14は、基板上の重なるトラックを露光するように配置構成された2つのマイクロレンズアレイに個々のレンズを配置することを概略的に示す。図13では、ミラーアレイを適切に制御することによって、重なる部分が受け取る放射線の強度を低下させる。しかし、図14で示すケースでは、光学的フットプリントの重なる部分に寄与するレンズが、入射放射線のある割合を吸収するか、他の方法で変化させるように処理される。したがって、例えば図8で示すように、隣接する光学的フットプリント間で重なる領域にわたり、ほぼ一定の照明レベルを維持することができる。
一例では、円50で示すレンズの行および列を組み込んだ第一マイクロレンズアレイ49の1つの隅部が図示されている。これらのレンズはそれぞれ、下にある基板上のスポットを露光する。そのスポットの位置を、小さい円51で示す。マイクロレンズアレイ49は静止状態であるが、下にある基板に対して矢印52の方向に移動する。これは、マイクロレンズアレイ49の下にある基板の変位に基づく。したがって、マイクロレンズアレイ49は、図13で示すマイクロレンズアレイ45の1つの隅部として表すことができる。
一例では、隣接する光列のマイクロレンズアレイ53の隅部である。マイクロレンズアレイ53は、図13で示す光学的フットプリント41の左手上隅部に対応する。この場合も、個々のレンズを円50で、個々の照明スポットを円51で示す。
マイクロレンズアレイ49の最上行かつ最右列にあるレンズ54は、走査方向52に平行に延在する2本の線間のスペース55として示されたトラックを照明する。次の行の隣接レンズがスペース57を照明し、次の行の隣接レンズ58がトラック59を照明する。これらのトラックはわずかに重なり、したがって3つのレンズ54、56および58が全て、同じ強度の放射線ビームを受け取り、その結果、トラック55、57および59と重なる区域の露光がほぼ均一になる。
レンズ54、56および58は、走査方向でマイクロレンズアレイ53のレンズ60、61および62と位置合わせされる。したがって、これらのレンズ60、61および62はそれぞれ、トラック55、57および59の個々のトラックを照明することができる。例えば、完全に位置合わせされ、図14の2つのマイクロレンズアレイで示した6つのレンズ54、56、58、60、61および62がそれぞれ、100%の放射線ビームを送出するアレイの他の全レンズと比較して、50%の放射線ビームを送出する場合、2つのマイクロレンズアレイによって露光される全トラックは、均一な100%の露光となる。
一例では、各マイクロレンズアレイは64行のレンズを有し、重なる64のトラックの露光を可能にする。行の各レンズには、受け取った全放射線の一部が吸収されるように表面処理を施す。例えば、レンズ60は、入射ビームの1/64を吸収し、レンズ61は2/64を、レンズ62は3/64を、および以下同様に吸収するように製造することができ、レンズ54は63/64を、レンズ56は62/64を、レンズ58は61/64を、および以下同様に吸収するように配置構成される。したがって、この例では、2つのマイクロレンズアレイが横断するトラックがほぼ完全に位置合わせされている場合、各トラックが入射ビームのちょうど64/64を送出することになる。マイクロレンズアレイが、例えば1トラックの幅だけ位置合わせ不良である場合、重なる区域が1トラックだけ減少する結果、任意の2つの光列間の境界線をまたぐ最大強度の変動が、重なる区域にわたって所望の強度を1/64低下させる。
図14で示す実施形態の一例では、各マイクロレンズアレイにある1列のみを処理して、入射ビームのある割合を吸収させるように仮定することができる。走査方向52に対する列の傾斜角度、およびレンズ50のピッチは、各列が64のトラックを露光できるようなものであり、それぞれの幅がレンズのピッチの1/64であることも仮定する。
この例は説明の目的でのみ与えられ、代替的に光列の周囲に隣接する有意の数のレンズ列を、例えば放射線吸収材料の層などで処理し、下にある基板に適切な放射線強度を送出することも理解される。
例えば図11および図12で示すような配置構成の一例では、各ミラーは、例えば16平方マイクロメートルのオーダであり、各ミラーがマイクロレンズアレイにあるレンズアレイの個々のアレイを照明する。各レンズは、基板にて1.25マイクロメートル直径のスポットを送出することができる。各マイクロレンズアレイは、例えば200行のレンズを収容するマイクロレンズアレイの(例えば走査方向での)深さを有する例えば500のレンズの行(例えば走査方向に対して横方向)を有することができる。この例では、200のレンズの各列が、250マイクロメートル幅9のトラック(200×1.25マイクロメートル)を露光することができる。
様々な実施形態および/または上記の例のうち1つまたは複数の説明において、各「ビーム」は、レンズのアレイを含む個々の光列によって生成され、そのアレイのレンズは全て、1本のビームの複数の部分を基板に向かって配向するものと仮定する。上記の実施形態および/または例のうち1つまたは複数は、2つの隣接する光列の光学的フットプリントの重なる部分に当てはまる。しかし、1つの光列のレンズのアレイ内で、レンズの隣接する列間に発生し得る描像エラーを減少できる他の例もある。この例では、各「ビーム」は、1つの光列内でレンズの1つのアレイにあるレンズの個々の列を使用して生成する。本発明のこの追加的な用途について、図15および図16に関してさらに説明する。
図15は、本発明の1つの実施形態により異なる光列によって生成された重なるトラックの図である。この実施形態は、図13および図14で示した実施形態と最も類似しているが、それぞれが4列のレンズc1、c2、c3およびc4で構成されたレンズ63、64を含み、各列が10行のレンズr1からr10を画定するように配置構成された2つの光列を組み込む。走査方向が矢印65で示され、したがってアレイ63のレンズの列は線66間に画定された区域に寄与し、アレイ64のレンズの列は、線67間に画定された区域に寄与する。したがって、アレイ63の右手列の最初の4行(列c4、行r1からr4)にあるレンズと、アレイ64の左手列の最後の4行(列c1、行r7からr10)にあるレンズとの間に重なる区域がある。レンズの2アレイの照明の最大強度を、線68および69で示す。したがって、2つの光列の光学フットプリント間の「シーム(seam)」にて、均一な最大強度が達成される。
図16は、本発明の1つの実施形態により、レンズのアレイにあるレンズの隣接列によって生成された重なるトラックの図である。これは、図15で示す実施形態のように隣接するレンズアレイ間ではなく、1つのレンズアレイにある異なるレンズ列間に重なる「シーム」を設けることを示す。1つのレンズアレイ70を図16で示し、このアレイは、13の行r1からr13で配置構成された4列のレンズc1からc4を有する。
図16で示す実施形態では、走査方向を矢印71で示す。したがって、例えば線72と73の間に配置されたゾーンなどで隣接する列の重なりがあることが分かる。重なり合う各列内で、最大強度を線74で示す。列c1、c2およびc3の行r1からr3、および列c2、c3およびc4の行r10からr13は、最大強度が低下している。その結果、照明された光列が走査した基板上のトラックの全幅にわたる最大強度は、ほぼ一定である。レンズの隣接列に送出されたパターン形成ビームを異なる「ビーム」と見なすことにより、隣接するビームが走査されるトラックが重なり合い、ビームの重なる部分と重ならない部分との最大強度は、基板上の全目標表面が、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光されるような強度であることが分かる。
結論
以上、本発明の様々な実施形態を説明してきたが、これは例示によってのみ提示されたもので、制限ではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱せずに、形態および細部を様々に変更できることが当業者には明白である。したがって、本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれにも制限されず、請求の範囲およびその等価物によってのみ定義されるものとする。
1 コントラストデバイス
2 2次元アレイ
3 ビーム分割器
4 照明ソース4
5 放射線ビーム
6,7,8 レンズ
9 マイクロレンズアレイ
10 基板
11 基板テーブル
12 投影光学系
13 基板テーブルの移動方向
16 スポット
17 基板
18 基板テーブル
19 基板の移動方向
20 ブリッジ
21 光列
22 フットプリント
23 トラック
24,25,26,27 線
28,29 重なり区区域
30,31,32,33 吸収デバイス
34 レンズ
35 光の強度分布
36 開口プレート
37 中心軸線
39 線
40 走査方向
41 フットプリント
43,44 線
45 フットプリント
46,47 線
48 光列
49 マイクロレンズアレイ
50 レンズ
51 照明スポット
52 基板に対するマイクロレンズアレイの移動方向
53 マイクロレンズアレイ
54 レンズ
55 スペース(トラック)
56 レンズ
57 スペース(トラック)
58 レンズ
59 スペース(トラック)
60,61,62 レンズ
63,64レンズ
c1,c2,c3,c4 レンズ
r1〜r13 レンズ
65 走査方向
66〜69 線
70 レンズアレイ
71 走査方向
72,73 線
74 最大強度

Claims (17)

  1. リソグラフィ装置であって、
    放射線のビームを供給する照明システムと、
    ビームにパターンを形成するパターニングシステムとを有し、各パターニングシステムは、個々に制御可能な要素のアレイを有し、さらに、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する複数の投影システムを有し、各投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
    基板の全体にわたって所定の走査方向でビームが走査されるように、基板と複数の投影システムの間に相対的変位を引き起こす変位システムを有し、
    複数の投影システムは、各投影システムによって投影されるビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、各投影システムのレンズのアレイは、パターン形成されたビームの一部を第二部分へと配向するアレイのレンズが、パターン形成されたビームの一部を第一部分へと配向するアレイのレンズより多くのパターン形成ビームを減衰するように配置構成されるリソグラフィ装置。
  2. 各投影システムによって投影されるビームのうち、そのビームが走査するトラックの第一部分に向かって配向されるビームの最大強度が、そのトラックの第二部分に向かって配向されるビームの最大強度より大きく、そのトラックの第一および第二部分が、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光する、請求項1に記載の装置。
  3. 各投影システムによって投影されるビームが個々の光列によって生成され、
    光列が、走査方向に対して直角の方向で基板に分布し、
    隣接する光列が走査方向にオフセットする、請求項1または2に記載の装置。
  4. 各投影システムが、
    パターン形成されたビームが透過する減衰デバイスを有し、
    減衰デバイスの少なくとも1つの周囲部分が、パターン形成されたビームのある割合を減衰し、
    減衰デバイスは、周囲部分を透過したパターン形成されたビームが、トラックの第二部分へと投影されるように配置される、請求項1から3のいずれかに記載の装置。
  5. 減衰デバイスが、照明システムとパターニングシステムの間で配置される、請求項4に記載の装置。
  6. 減衰デバイスが、パターニングシステムと基板の間に配置される、請求項4に記載の装置。
  7. 個々に制御可能な要素のアレイは、パターン形成されたビームの最大、最小、または少なくとも1つの中間強度の成分のうち少なくとも1つを基板へと配向するために個々の要素を制御するように配置される、請求項1から6のいずれかに記載の装置。
  8. 中間強度の成分を第二部分へと配向し、最大強度の成分を第一部分へと配向することによって、第一部分へと配向したパターン形成されたビームの成分と比較して、第二部分へと配向したパターン形成されたビームの成分の強度を低下させるために、個々に制御可能な要素のアレイにある各要素を制御する制御デバイスを有する、請求項7に記載の装置。
  9. 各投影システムによって投影されるビームのうち、そのビームが走査するトラックの第二部分に向かって配向されるビームの強度が、第一部分と隣接する一方の縁部から他方の縁部へと漸進的に低下する、請求項1から8のいずれかに記載の装置。
  10. デバイス製造方法であって、
    個々に制御可能な要素の個々のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
    パターン形成されたビームを基板の目標部分に複数の投影システムによって投影することと、
    パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成ビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
    各投影システムがレンズのアレイを通してパターン形成ビームを基板へ配向することとを含み、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を配向し、さらに、
    複数の投影システムを、各投影システムによって投影されるビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
    各トラックのうち、隣接トラックと重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、各投影システムのレンズのアレイは、パターン形成されたビームの一部を第二部分へと配向するアレイのレンズが、パターン形成されたビームの一部を第一部分へと配向するアレイのレンズより多くのパターン形成ビームを減衰するように配置構成される、方法。
  11. 各投影システムによって投影されるビームのうち、そのビームが走査するトラックの第一部分に向かって配向されるビームの最大強度が、そのトラックの第二部分に向かって配向されるビームの最大強度より大きく、そのトラックの第一および第二部分が、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される、請求項10に記載の方法。
  12. 隣接する光列が走査方向にてオフセットするように、走査方向に対して直角の方向で基板全体に分布する個々の光列を使用してパターン形成されたビームを生成することを含む、請求項10または11に記載の方法。
  13. 各投影システムがパターン形成ビームを減衰デバイスを通して伝送することを含み、
    パターン形成ビームの少なくとも1つの周囲部分は、減衰デバイスの比較的高度に減衰する周囲部分によって強度が低下する、請求項10から12のいずれかに記載の方法。
  14. 照明システムとパターニングシステムの間に減衰デバイスを配置することを含む、請求項13に記載の方法。
  15. パターニングシステムと基板の間に減衰デバイスを配置することを含む、請求項13に記載の方法
  16. パターン形成ステップが、
    パターン形成ビームの成分を1つのトラックの第一部分の1つ、またはトラックの第二部分の1つへと配向するために、個々に制御可能な要素のアレイの個々の要素を制御することと、
    高くても中間の強度の成分がトラックの第二部分の1つへと配向され、最大強度の成分が、トラックの第一部分の1つへと配向されるように、個々の要素を制御することとを含む、請求項10から15のいずれかに記載の方法。
  17. 各投影システムによって投影されるビームのうち、そのビームが走査するトラックの第二部分に向かって配向されるビームの強度を、第一部分と隣接する一方の縁部から他方の縁部へと漸進的に低下させることを含む、請求項10から16のいずれかに記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017167174A (ja) * 2016-03-14 2017-09-21 東京エレクトロン株式会社 補助露光装置
WO2023282210A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12 株式会社ニコン 露光装置、露光方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法、ならびに露光データ作成方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508514B2 (en) * 2006-06-23 2009-03-24 Asml Holding N.V. Correction of off-axis translation of optical elements in an optical zoom assembly
EP2226683A1 (en) 2009-03-06 2010-09-08 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Illumination system for use in a stereolithography apparatus
CN101846888B (zh) * 2010-03-26 2011-11-30 友达光电股份有限公司 曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、光刻胶层及形成方法
CN102231049B (zh) * 2011-06-29 2014-04-23 广东工业大学 一种大面积投影光刻系统及其对准方法
KR102151254B1 (ko) * 2013-08-19 2020-09-03 삼성디스플레이 주식회사 노광장치 및 그 방법
KR20150087949A (ko) * 2014-01-23 2015-07-31 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치
EP3155647A4 (en) * 2014-06-13 2018-01-24 Intel Corporation Ebeam universal cutter
EP3559752A4 (en) * 2016-12-23 2020-08-19 ASML Netherlands B.V. PRODUCTION OF UNIQUE CHIPS WITH A LITHOGRAPHY SYSTEM WITH MULTIPLE CARRIER PART JETS
WO2022250714A1 (en) * 2021-05-25 2022-12-01 Applied Materials, Inc. Bridge stiffeners for increased digital photolithography precision
CN117677902A (zh) * 2021-07-20 2024-03-08 Asml荷兰有限公司 用于具有增加的公差的光刻工具的系统和方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251219A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びディスプレイ装置の製造方法
JP2001500628A (ja) * 1996-02-28 2001-01-16 ケニス シー ジョンソン マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡
JP2001297975A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2002506231A (ja) * 1998-03-02 2002-02-26 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2003195512A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Pentax Corp 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP2004009595A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置
JP2004062156A (ja) * 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2504434B2 (ja) 1987-01-28 1996-06-05 株式会社東芝 荷電粒子ビ―ム描画方法
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) * 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
DE69123923T2 (de) * 1990-10-12 1997-04-30 Fuji Photo Film Co Ltd Abtast- und Beleuchtungsverfahren mit mehreren optischen Strahlen und Vorrichtung dazu
JPH04240718A (ja) 1991-01-24 1992-08-28 Jeol Ltd 可変成形型荷電粒子ビーム描画方法
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) * 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) * 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) * 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) * 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
US6538723B2 (en) * 1996-08-05 2003-03-25 Nikon Corporation Scanning exposure in which an object and pulsed light are moved relatively, exposing a substrate by projecting a pattern on a mask onto the substrate with pulsed light from a light source, light sources therefor, and methods of manufacturing
JPH1050599A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Nikon Corp 露光装置の制御方法
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) * 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
CN1166987A (zh) 1997-06-18 1997-12-10 武汉大学 含d-半乳糖基的顺磁性金属配合物磁共振成像造影剂
KR20010088343A (ko) 2000-02-18 2001-09-26 시마무라 테루오 노광방법 및 장치, 그리고 디스플레이장치의 제조방법
TW520526B (en) * 2000-05-22 2003-02-11 Nikon Corp Exposure apparatus, method for manufacturing thereof, method for exposing and method for manufacturing micro-device
TWI226972B (en) * 2000-06-01 2005-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1246014A1 (en) 2001-03-30 2002-10-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
RU2187160C1 (ru) * 2000-12-29 2002-08-10 Кумахов Мурадин Абубекирович Устройство для рентгеновской литографии
EP1251402B1 (en) 2001-03-30 2007-10-24 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3563384B2 (ja) * 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
US6940080B2 (en) 2002-03-28 2005-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam lithography system, lithography method using charged particle beam, method of controlling charged particle beam, and method of manufacturing semiconductor device
CN1297836C (zh) * 2002-06-07 2007-01-31 富士胶片株式会社 曝光头以及曝光装置
US6870601B2 (en) * 2002-06-12 2005-03-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1324406C (zh) 2002-07-09 2007-07-04 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
EP1573366B1 (en) * 2002-08-24 2016-11-09 Chime Ball Technology Co., Ltd. Continuous direct-write optical lithography
JP4365579B2 (ja) 2002-12-20 2009-11-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
TW200428158A (en) 2003-01-28 2004-12-16 Tadahiro Ohmi Mask producing method, mask producing apparatus, and mask drawing apparatus
JP2004287082A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Tadahiro Omi マスク描画装置
JP2004252375A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Sharp Corp 露光装置および露光方法
EP1482373A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001500628A (ja) * 1996-02-28 2001-01-16 ケニス シー ジョンソン マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡
JPH11251219A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びディスプレイ装置の製造方法
JP2002506231A (ja) * 1998-03-02 2002-02-26 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット ステッチング誤差防止用改良型パターン・ジェネレータ
JP2001297975A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2003195512A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Pentax Corp 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP2004009595A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置
JP2004062156A (ja) * 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017167174A (ja) * 2016-03-14 2017-09-21 東京エレクトロン株式会社 補助露光装置
KR20170106918A (ko) * 2016-03-14 2017-09-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 보조 노광 장치
KR102327108B1 (ko) 2016-03-14 2021-11-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 보조 노광 장치
KR20210135974A (ko) * 2016-03-14 2021-11-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 보조 노광 장치
KR102456281B1 (ko) 2016-03-14 2022-10-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 보조 노광 장치
WO2023282210A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12 株式会社ニコン 露光装置、露光方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法、ならびに露光データ作成方法

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