JP2504434B2 - 荷電粒子ビ―ム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビ―ム描画方法Info
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- JP2504434B2 JP2504434B2 JP62016036A JP1603687A JP2504434B2 JP 2504434 B2 JP2504434 B2 JP 2504434B2 JP 62016036 A JP62016036 A JP 62016036A JP 1603687 A JP1603687 A JP 1603687A JP 2504434 B2 JP2504434 B2 JP 2504434B2
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- Japan
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、荷電粒子描画方法に係わり、特に可変成形
ビーム方式の描画方法に関する。
ビーム方式の描画方法に関する。
（従来の技術） 近年、寸法可変の矩形ビームを用いる可変成形ビーム
方式の電子ビーム描画装置が提案され、一部では試用さ
れている。この方式は、２枚のアパーチャマスクの光学
的なアパーチャ重なりを可変することによって、寸法の
異なる矩形状ビームを得ている。そして、微細な寸法制
御と、円形ビームに比べて大面積の一括露光が可能とな
り、高精度・高スリープットの要求を満たすことができ
る。しかし、斜線を含むパターンに対しては斜線部を微
細な矩形パターンで近似して描画するので、露光時間の
増大と精度の低下は避けられない。
方式の電子ビーム描画装置が提案され、一部では試用さ
れている。この方式は、２枚のアパーチャマスクの光学
的なアパーチャ重なりを可変することによって、寸法の
異なる矩形状ビームを得ている。そして、微細な寸法制
御と、円形ビームに比べて大面積の一括露光が可能とな
り、高精度・高スリープットの要求を満たすことができ
る。しかし、斜線を含むパターンに対しては斜線部を微
細な矩形パターンで近似して描画するので、露光時間の
増大と精度の低下は避けられない。
そこでこのような欠点を解決するために考案されたの
が特開昭60−30131号明細書に記載されたように、矩形
ビームと直角三角形ビームを発生できるビーム発生方式
である。
が特開昭60−30131号明細書に記載されたように、矩形
ビームと直角三角形ビームを発生できるビーム発生方式
である。
従来の矩形ビームのみによる描画方式では、ひとつの
矩形照射終了から次の矩形の照射開始までの時間（以下
ではセトリングタイムと略す）を短縮し描画スループッ
トを向上させるために、ひとつの矩形照射後は、その矩
形に最新接、あるいはほぼ最近接する矩形を照射する、
という工程を順次行なっていた。
矩形照射終了から次の矩形の照射開始までの時間（以下
ではセトリングタイムと略す）を短縮し描画スループッ
トを向上させるために、ひとつの矩形照射後は、その矩
形に最新接、あるいはほぼ最近接する矩形を照射する、
という工程を順次行なっていた。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の対象である矩形ビーム及び矩形以外の可変成
形ビームをともに発生しうる荷電粒子描画装置におい
て、最近接図形を順次照射するという従来の描画方式を
LSIパターンに適用すると、ほぼすべての照射において
可変成形ビームの形状を変化させることになる。
形ビームをともに発生しうる荷電粒子描画装置におい
て、最近接図形を順次照射するという従来の描画方式を
LSIパターンに適用すると、ほぼすべての照射において
可変成形ビームの形状を変化させることになる。
このような場合の上記描画装置のセトリングタイム
は、50n秒程度の位置設定に要する時間とはならず、ビ
ームの形状と寸法の設定に要する時間、約200n秒とな
る。そのため従来の方式によれば、描画時のむだな時間
であるセトリングがきわめて大きくなり、描画のスルー
プットを劣下させるという問題があった。
は、50n秒程度の位置設定に要する時間とはならず、ビ
ームの形状と寸法の設定に要する時間、約200n秒とな
る。そのため従来の方式によれば、描画時のむだな時間
であるセトリングがきわめて大きくなり、描画のスルー
プットを劣下させるという問題があった。
本発明の目的はこのような問題を解決し、従来の描画
方法に代わる新しい描画方法を提供することにある。
方法に代わる新しい描画方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、ふたつ以上ｎ種類の形状の可変成形ビーム
によつて、描画すべき領域の内部に属するパターンを描
画する荷電粒子描画方法及び装置において、同種形状の
描画単位図形を照射する、という工程をｎ種類のすべて
の形状の可変成形ビームに対して行うことによって、前
記領域の内部のすべてのパターンを描画することを特徴
とする荷電粒子描画方法及び装置である。
によつて、描画すべき領域の内部に属するパターンを描
画する荷電粒子描画方法及び装置において、同種形状の
描画単位図形を照射する、という工程をｎ種類のすべて
の形状の可変成形ビームに対して行うことによって、前
記領域の内部のすべてのパターンを描画することを特徴
とする荷電粒子描画方法及び装置である。
（作用） 本発明方法は各形状の図面をそれぞれ続けて描画する
ため、形状を変化させる回数は高々形状の種類数回にな
る。例えば、第４図のような矩形と四種の三角形を発生
できる描画装置の場合、この回数は５になる。本発明方
法は，形状を変化させる回数を大巾に減少させることに
より、全セトリングタイムを大巾に短縮させ、ひいては
描画のスループットを向上させるものである。
ため、形状を変化させる回数は高々形状の種類数回にな
る。例えば、第４図のような矩形と四種の三角形を発生
できる描画装置の場合、この回数は５になる。本発明方
法は，形状を変化させる回数を大巾に減少させることに
より、全セトリングタイムを大巾に短縮させ、ひいては
描画のスループットを向上させるものである。
多くのLSIパターンでは、各形状の描画単位図形（例
えば矩形）間の距離は大きくないため、本発明方法を用
いても照射位置の移動に要する時間は従来の方法に比べ
て１〜２割増加するにすぎない。
えば矩形）間の距離は大きくないため、本発明方法を用
いても照射位置の移動に要する時間は従来の方法に比べ
て１〜２割増加するにすぎない。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例方法を適用する電子ビーム
描画装置を示す概略構成図である。図中11は電子銃、1
2,〜,16は各種レンズ系、17,〜,19は各種偏向系、20は
ブランキング板、21,22はビーム成形用アパーチャマス
ク、23は反射電子検出器、24はターゲットを示してい
る。電子銃11から放出された電子ビームはブランキング
用偏向器17によりON−OFFされる。ブランキング板20を
通過したビームはビーム成形用偏向器18及びビーム成形
用アパーチャマスク21,22によりそれ形状及び寸法が可
変される。即ち、偏向器18によりアパーチャマスク21の
第１のビーム成形用アパーチャ31とアパーチャマスク22
の第２のビーム成形用アパーチャ32との光学的重なりを
可変することにより、ビームの寸法及び形状が可変制御
される。なお、アパーチャ31,32の形状及び可変成形ビ
ームの発生方法については後述する。そして、この成形
されたビームは走査用偏向器19によりターゲット24上で
偏向走査され、このビーム走査によりターゲット24が所
望パターンに描画されるものとなっている。
描画装置を示す概略構成図である。図中11は電子銃、1
2,〜,16は各種レンズ系、17,〜,19は各種偏向系、20は
ブランキング板、21,22はビーム成形用アパーチャマス
ク、23は反射電子検出器、24はターゲットを示してい
る。電子銃11から放出された電子ビームはブランキング
用偏向器17によりON−OFFされる。ブランキング板20を
通過したビームはビーム成形用偏向器18及びビーム成形
用アパーチャマスク21,22によりそれ形状及び寸法が可
変される。即ち、偏向器18によりアパーチャマスク21の
第１のビーム成形用アパーチャ31とアパーチャマスク22
の第２のビーム成形用アパーチャ32との光学的重なりを
可変することにより、ビームの寸法及び形状が可変制御
される。なお、アパーチャ31,32の形状及び可変成形ビ
ームの発生方法については後述する。そして、この成形
されたビームは走査用偏向器19によりターゲット24上で
偏向走査され、このビーム走査によりターゲット24が所
望パターンに描画されるものとなっている。
前記第１のアパーチャ31は矩形状に形成され、前記第
２のアパーチャ32は大径の矩形と小径の矩形とを組合わ
せて形成されている。本描画装置はアパチャー31,32の
重なりを可変制御して第２図に示す如く矩形ａ及び直角
三角形b,c,d,eの５種の可変成形ビームを得る。
２のアパーチャ32は大径の矩形と小径の矩形とを組合わ
せて形成されている。本描画装置はアパチャー31,32の
重なりを可変制御して第２図に示す如く矩形ａ及び直角
三角形b,c,d,eの５種の可変成形ビームを得る。
以下、本発明の一実施例による方法を説明する。本実
施例では、描画領域内に属する図形のデータは第３図に
示す形式で記述される。矩形と４種類の３角形は図形コ
ード０〜４で表現され、各形状の図形数は図形コードの
直後に記される。図中、x,yは各図形の照射位置を、X,Y
は各図形の寸法を表わす。図形の寸法は第４図のように
定義される。
施例では、描画領域内に属する図形のデータは第３図に
示す形式で記述される。矩形と４種類の３角形は図形コ
ード０〜４で表現され、各形状の図形数は図形コードの
直後に記される。図中、x,yは各図形の照射位置を、X,Y
は各図形の寸法を表わす。図形の寸法は第４図のように
定義される。
このようなデータを読み込み、各種偏向器を制御する
回路のブロック図を第５図に記す。各回路の動作は以下
の通りである。データ識別回路はデータの読み込みを行
ない、まず図形コードを成形偏向量設定回路と照射位置
設定回路へ送る。次に図形数を内部のレジスタに格納
し、このレジスタ値をゼロになるまでカウントダウンさ
せながら、データ（x,y）を照射位置設定回路へ、デー
タ（X,Y）を成形偏向量設定回路へ送る。照射位置設定
回路はあらかじめ送られた図形コードにより定まる偏向
補正量とデータ（x,y）とから偏向量を決定し、これを
偏向器19に送る。成形偏向量設定回路も同様に、図形コ
ードにより定まる偏向補正量とデータ（X,Y）とから偏
向量を決定しこれを成形偏向器18に送る。
回路のブロック図を第５図に記す。各回路の動作は以下
の通りである。データ識別回路はデータの読み込みを行
ない、まず図形コードを成形偏向量設定回路と照射位置
設定回路へ送る。次に図形数を内部のレジスタに格納
し、このレジスタ値をゼロになるまでカウントダウンさ
せながら、データ（x,y）を照射位置設定回路へ、デー
タ（X,Y）を成形偏向量設定回路へ送る。照射位置設定
回路はあらかじめ送られた図形コードにより定まる偏向
補正量とデータ（x,y）とから偏向量を決定し、これを
偏向器19に送る。成形偏向量設定回路も同様に、図形コ
ードにより定まる偏向補正量とデータ（X,Y）とから偏
向量を決定しこれを成形偏向器18に送る。
第６図（ａ）は本発明の実施により行なわれる図形の
照射順を示す一例である。第６図（ｂ）は従来法による
場合の照射順である。従来法では形状変更が律速するセ
トリングが50回で200×50（＝10,000）ｎ秒、また位置
の設定が律速するとセトリングが５回で200×５（＝100
0）ｎ秒、となりセトリングタイムの合計は11000n秒に
なる。この実施例によれば第６図（ａ）に示すように向
きの同じ直角三角形をまず同種形状の単位図形として順
次描画していき、直角三角形の描画が終了した後、さら
に同種形状の矩形を描画していく。
照射順を示す一例である。第６図（ｂ）は従来法による
場合の照射順である。従来法では形状変更が律速するセ
トリングが50回で200×50（＝10,000）ｎ秒、また位置
の設定が律速するとセトリングが５回で200×５（＝100
0）ｎ秒、となりセトリングタイムの合計は11000n秒に
なる。この実施例によれば第６図（ａ）に示すように向
きの同じ直角三角形をまず同種形状の単位図形として順
次描画していき、直角三角形の描画が終了した後、さら
に同種形状の矩形を描画していく。
これによれば形状変更が律速するセトリングは４回,2
00×４（＝800）ｎ秒、また位置の設定が律速するセト
リングは51回,60×51（＝3060）ｎ秒、となり合計のセ
トリングタイムは3,860n秒になる。ここで位置設定のた
めのセトリングタイムは、図形間の平均距離より定まる
値、60n秒を用いた。
00×４（＝800）ｎ秒、また位置の設定が律速するセト
リングは51回,60×51（＝3060）ｎ秒、となり合計のセ
トリングタイムは3,860n秒になる。ここで位置設定のた
めのセトリングタイムは、図形間の平均距離より定まる
値、60n秒を用いた。
第６図（ａ）の例では本発明方法は、従来法のセトリ
ングタイムを約1/3に短縮している。
ングタイムを約1/3に短縮している。
なお本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、成形ビームアバーチャの形状は第２図に示
した矢印形に限るものではなく、成形すべきビーム形状
に応じて適宜変更可能である。また本実施例では図形の
形状のコードのデータは各図形の寸法と位置のデータの
集合の先頭に設定されたが、形状コード、寸法のデータ
及び位置のデータを各図形ごとに設定してもよい。
い。例えば、成形ビームアバーチャの形状は第２図に示
した矢印形に限るものではなく、成形すべきビーム形状
に応じて適宜変更可能である。また本実施例では図形の
形状のコードのデータは各図形の寸法と位置のデータの
集合の先頭に設定されたが、形状コード、寸法のデータ
及び位置のデータを各図形ごとに設定してもよい。
さらに、電子ビーム露光装置に限らず、イオンビーム
を用いたイオンビーム露光装置に適用できるのは、勿論
のことである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
を用いたイオンビーム露光装置に適用できるのは、勿論
のことである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
本発明によれば、描画領域内で可変成形ビームの形状
を変化させる回数を、たかだか可変成形ビームの形状の
種類数回にすることができる。そのため、形状を変化さ
せるに要する全時間ひいてはセトリングタイムが大巾に
短縮される。例えば上記実施例では本発明方法によって
セトリングタイムが約1/3に短縮されている。
を変化させる回数を、たかだか可変成形ビームの形状の
種類数回にすることができる。そのため、形状を変化さ
せるに要する全時間ひいてはセトリングタイムが大巾に
短縮される。例えば上記実施例では本発明方法によって
セトリングタイムが約1/3に短縮されている。
本発明方法は、このようにセトリングタイムを短縮す
ることにより、描画時間を短縮し、荷電粒子描画装置の
生産性を向上させる効果をもっている。
ることにより、描画時間を短縮し、荷電粒子描画装置の
生産性を向上させる効果をもっている。
第１図は本発明の一実施例による方法を適用した電子ビ
ーム描画装置を示す概略構成図、第２図は矩形及び直角
三角形ビームの発生原理と図形種別を示す模式図、第３
図は、図形データの形式を示す図、第４図は、図形の寸
法の定義を示す図、第５図は、図形データにより偏向器
を制御する回路のブロック図、第６図は、本発明の一実
施例及び従来法を用いた場合の図形の照射順を示す説明
図である。 11……電子銃、12,〜,16……レンズ系、17,〜,19……偏
向系、21,22……ビーム成形用アパーチャマスク、23…
…反射電子検出器、24……ターゲット、31,32……ビー
ム成形用アパーチャ、41……図形コードのデータ、42…
…図形の寸法データ、43……図形の照射位置データ、44
……成形偏向器18の偏向量、45……偏向器19の偏向量。
ーム描画装置を示す概略構成図、第２図は矩形及び直角
三角形ビームの発生原理と図形種別を示す模式図、第３
図は、図形データの形式を示す図、第４図は、図形の寸
法の定義を示す図、第５図は、図形データにより偏向器
を制御する回路のブロック図、第６図は、本発明の一実
施例及び従来法を用いた場合の図形の照射順を示す説明
図である。 11……電子銃、12,〜,16……レンズ系、17,〜,19……偏
向系、21,22……ビーム成形用アパーチャマスク、23…
…反射電子検出器、24……ターゲット、31,32……ビー
ム成形用アパーチャ、41……図形コードのデータ、42…
…図形の寸法データ、43……図形の照射位置データ、44
……成形偏向器18の偏向量、45……偏向器19の偏向量。
Claims (2)
- 【請求項１】複数種類の描画単位図形が組み合わされて
構成された小領域が複数個存在する描画領域に対して、
複数種類の形状の可変成形ビームによってパターンを描
画する際に、前記描画領域内の同種形状の描画単位図形
を異なる小領域にわたって照射するという工程を、前記
複数種類の形状の可変成形ビームに対して順次行うと共
に、続けて照射する２つの可変成形ビームが異種形状で
ある場合のセトリングタイムに対し、続けて照射する２
つの可変成形ビームが同種形状である場合のセトリング
タイムを短かく設定することによって前記描画領域のす
べてのパターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビ
ーム描画方法。 - 【請求項２】前記複数種類の形状の可変成形ビームが矩
形と４種類の直角三角形の計５種類の可変成形ビームで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の荷電
粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016036A JP2504434B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 荷電粒子ビ―ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016036A JP2504434B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 荷電粒子ビ―ム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185027A JPS63185027A (ja) | 1988-07-30 |
| JP2504434B2 true JP2504434B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=11905355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62016036A Expired - Lifetime JP2504434B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 荷電粒子ビ―ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504434B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7609362B2 (en) | 2004-11-08 | 2009-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697648B2 (ja) * | 1983-07-29 | 1994-11-30 | 株式会社東芝 | 電子ビーム露光装置 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP62016036A patent/JP2504434B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63185027A (ja) | 1988-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |