JPS6229893B2 - - Google Patents
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- JPS6229893B2 JPS6229893B2 JP55158439A JP15843980A JPS6229893B2 JP S6229893 B2 JPS6229893 B2 JP S6229893B2 JP 55158439 A JP55158439 A JP 55158439A JP 15843980 A JP15843980 A JP 15843980A JP S6229893 B2 JPS6229893 B2 JP S6229893B2
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- JP
- Japan
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- electron beam
- rectangular
- pattern
- exposure
- size
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、矩形電子ビームを用い、パターンを
分割して露光する電子ビーム露光方法に関する。
分割して露光する電子ビーム露光方法に関する。
矩形電子ビームを用いてデータパターンを露光
する場合、最大矩形サイズより大きいパターンは
分割して露光する。例えば矩形電子ビームの最大
なものは５μｍの正方形である場合、データパタ
ーンの横×縦が６μｍ×７μｍ（以下、これを６
×７μｍと表示する。）すると、矩形電子ビーム
１シヨツトでは全データパターンを照射すること
ができない。そこで、データパターンを、第１図
ａに示すように、４個に分割し、データパターン
は５×５μｍ、は１×５μｍ、は１×２μ
ｍ、は５×２μｍの矩形とする。そして、これ
ら４個のパターンを、それぞれの矩形の横と縦の
寸法に対応した大きさの可変矩形電子ビームによ
つて４シヨツトで照射していた。ところが、空間
電荷効果による矩形電子ビームのボケのため、ビ
ームサイズが小さい程、矩形電子ビームはシヤー
プになり、ビームサイズが大きいと、たとえば第
１図ｂに示すように矩形パターンでは、その隅
部が正確な直角とならず丸みを帯びてしまう所謂
ボケが大きくなつてしまう。すなわち、分割パタ
ーンのボケの程度は、矩形電子ビームのサイズの
順に従つて ＞＞＞ の順に大きくなる。したがつて６×７μｍのデー
タパターン全体としてはボケ方が均一ではない。
したがつて、この従来の方法では、可変矩形電子
ビームによつて、データパターンを均一に照射で
きず、高精度の露光が行えないという欠点があつ
た。
する場合、最大矩形サイズより大きいパターンは
分割して露光する。例えば矩形電子ビームの最大
なものは５μｍの正方形である場合、データパタ
ーンの横×縦が６μｍ×７μｍ（以下、これを６
×７μｍと表示する。）すると、矩形電子ビーム
１シヨツトでは全データパターンを照射すること
ができない。そこで、データパターンを、第１図
ａに示すように、４個に分割し、データパターン
は５×５μｍ、は１×５μｍ、は１×２μ
ｍ、は５×２μｍの矩形とする。そして、これ
ら４個のパターンを、それぞれの矩形の横と縦の
寸法に対応した大きさの可変矩形電子ビームによ
つて４シヨツトで照射していた。ところが、空間
電荷効果による矩形電子ビームのボケのため、ビ
ームサイズが小さい程、矩形電子ビームはシヤー
プになり、ビームサイズが大きいと、たとえば第
１図ｂに示すように矩形パターンでは、その隅
部が正確な直角とならず丸みを帯びてしまう所謂
ボケが大きくなつてしまう。すなわち、分割パタ
ーンのボケの程度は、矩形電子ビームのサイズの
順に従つて ＞＞＞ の順に大きくなる。したがつて６×７μｍのデー
タパターン全体としてはボケ方が均一ではない。
したがつて、この従来の方法では、可変矩形電子
ビームによつて、データパターンを均一に照射で
きず、高精度の露光が行えないという欠点があつ
た。
本発明は叙上の従来の欠点に鑑みてボケの程度
が均一となる可変矩形電子ビームを用いた電子ビ
ーム露光方法を提供することを目的とする。
が均一となる可変矩形電子ビームを用いた電子ビ
ーム露光方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴とするところは、可変矩形電子ビ
ームの最大矩形サイズより大きな露光パターンを
露光する際に、該露光パターンを最小の分割数で
等分割するように、矩形電子ビームの形状を変化
させて前記露光パターンを露光することを特徴と
する電子ビーム露光方法である。
ームの最大矩形サイズより大きな露光パターンを
露光する際に、該露光パターンを最小の分割数で
等分割するように、矩形電子ビームの形状を変化
させて前記露光パターンを露光することを特徴と
する電子ビーム露光方法である。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例を説
明する。
明する。
第２図は可変矩形電子ビーム露光装置であり、
電子銃１１から放出された電子ビームはコンデン
サレンズ１２を介して第１のスリツト１３通過
し、レンズ１４を介して、第２のスリツト１５に
結像する。電子ビームはレンズ１４に近接して設
けらたスリツトデフレクタ１６によつて偏向され
る。第２のスリツト１５を通過したとき、所望の
サイズの矩形電子ビームに形成され縮小レンズ１
７、投影レンズ１８を介して、メインデフレクタ
１９によつて露光位置を制御されて試料面２０を
露光する。
電子銃１１から放出された電子ビームはコンデン
サレンズ１２を介して第１のスリツト１３通過
し、レンズ１４を介して、第２のスリツト１５に
結像する。電子ビームはレンズ１４に近接して設
けらたスリツトデフレクタ１６によつて偏向され
る。第２のスリツト１５を通過したとき、所望の
サイズの矩形電子ビームに形成され縮小レンズ１
７、投影レンズ１８を介して、メインデフレクタ
１９によつて露光位置を制御されて試料面２０を
露光する。
かかる可変矩形電子ビーム露光装置において、
例えば６×７μｍの矩形データパターンを、第３
図に示すように、横及び縦方向がそれぞれ３×
3.5μｍの同一の４個のパターンに分割し、各分
割パターンに対応した電子ビームサイズを、第１
及び第２のスリツト１３，１５を制御することに
よつて形成し、同一サイズの電子ビームの４シヨ
ツトによつて、データパターンを露光するもので
ある。この方法をより具体的に説明すると以下の
如くなる。
例えば６×７μｍの矩形データパターンを、第３
図に示すように、横及び縦方向がそれぞれ３×
3.5μｍの同一の４個のパターンに分割し、各分
割パターンに対応した電子ビームサイズを、第１
及び第２のスリツト１３，１５を制御することに
よつて形成し、同一サイズの電子ビームの４シヨ
ツトによつて、データパターンを露光するもので
ある。この方法をより具体的に説明すると以下の
如くなる。
パターン・データは通常、パターンの始点座標
X0，Y0と、パターンサイズX1，Y1で表わされ
る。電子ビームの最大矩形寸法をＳとして、 ＮX＝〔X1÷Ｓ〕 〔 〕：切上げ ＮY＝〔Y1÷Ｓ〕 ＳX＝X1÷ＮX ＳY＝Y1÷ＮY を求め、パターンデータとして、X0，Y0，X1，
Y1の代りに、X0，Y0，ＮX，ＮY，ＳX，ＳYをEB
（電子ビーム）装置に与える。ＮX，ＳXはＸ方向
のシヨツト繰り返し数、１シヨツト寸法となり、
ＮY，ＳYはＹ方向のそれとなる。すなわち、露光
パターンの縦と横のサイズX1，Y1を電子ビーム
の最大矩形寸法Ｓで除して切り上げた数のシヨツ
ト繰り返し数ＮX，ＮYで露光すればよい。例え
ば、６×７μｍでは、X0，Y0，２，２，３，3.5
となる。すなわち、パターンを電子ビームの最大
矩形寸法と等しいかこれより小さい矩形によつて
最小のシヨツト繰り返し数すなわち最小の分割数
で等分割するように矩形電子ビームを用いて露光
する。
X0，Y0と、パターンサイズX1，Y1で表わされ
る。電子ビームの最大矩形寸法をＳとして、 ＮX＝〔X1÷Ｓ〕 〔 〕：切上げ ＮY＝〔Y1÷Ｓ〕 ＳX＝X1÷ＮX ＳY＝Y1÷ＮY を求め、パターンデータとして、X0，Y0，X1，
Y1の代りに、X0，Y0，ＮX，ＮY，ＳX，ＳYをEB
（電子ビーム）装置に与える。ＮX，ＳXはＸ方向
のシヨツト繰り返し数、１シヨツト寸法となり、
ＮY，ＳYはＹ方向のそれとなる。すなわち、露光
パターンの縦と横のサイズX1，Y1を電子ビーム
の最大矩形寸法Ｓで除して切り上げた数のシヨツ
ト繰り返し数ＮX，ＮYで露光すればよい。例え
ば、６×７μｍでは、X0，Y0，２，２，３，3.5
となる。すなわち、パターンを電子ビームの最大
矩形寸法と等しいかこれより小さい矩形によつて
最小のシヨツト繰り返し数すなわち最小の分割数
で等分割するように矩形電子ビームを用いて露光
する。
上記実施例によれば、データパターンが４つの
均等な大きさに分割されて、電子ビームによつて
照射されるので、各分割パターン，，，
のボケの程度は均一となり、全体のデータパター
ンのボケの程度も一様となる。したがつて、高精
度な電子ビーム露光を行うことができる。
均等な大きさに分割されて、電子ビームによつて
照射されるので、各分割パターン，，，
のボケの程度は均一となり、全体のデータパター
ンのボケの程度も一様となる。したがつて、高精
度な電子ビーム露光を行うことができる。
第１図ａは従来のデータパターンの分割方法を
示す図、同図ｂは従来の分割パターンのボケの程
度を示す図、第２図は可変矩形電子ビーム露光装
置の略線図、第３図は本発明によるパターンの分
割方法を示す図である。 １１……電子銃、１２……コンデンサレンズ、
１３……第１のスリツト、１４……レンズ、１５
……第２のスリツト、１６……スリツトデフレク
タ、１７……縮小レンズ、１８……投影レンズ、
１９……メインデフレクタ、２０……試料面。
示す図、同図ｂは従来の分割パターンのボケの程
度を示す図、第２図は可変矩形電子ビーム露光装
置の略線図、第３図は本発明によるパターンの分
割方法を示す図である。 １１……電子銃、１２……コンデンサレンズ、
１３……第１のスリツト、１４……レンズ、１５
……第２のスリツト、１６……スリツトデフレク
タ、１７……縮小レンズ、１８……投影レンズ、
１９……メインデフレクタ、２０……試料面。
Claims (1)
- １ 可変矩形電子ビームの最大矩形サイズより大
きな露光パターンを露光する際に、該露光パター
ンの縦と横の長さを前記可変矩形電子ビームの最
大矩形サイズで除して切り上げることにより最小
の分割数を求め、該露光パターンを最小の分割数
で等分割するように、矩形電子ビームの形状を変
化させて前記露光パターンを露光することを特徴
とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15843980A JPS5783030A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | Exposure of electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15843980A JPS5783030A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | Exposure of electron beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5783030A JPS5783030A (en) | 1982-05-24 |
| JPS6229893B2 true JPS6229893B2 (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=15671786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15843980A Granted JPS5783030A (en) | 1980-11-11 | 1980-11-11 | Exposure of electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5783030A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122525A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dividing method for drawing figure in electron beam exposure apparatus |
| JPS57208133A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Jeol Ltd | Electron-beam exposure method |
| JPS5957431A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366174U (ja) * | 1976-11-08 | 1978-06-03 |
-
1980
- 1980-11-11 JP JP15843980A patent/JPS5783030A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5783030A (en) | 1982-05-24 |
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