JP3104814B2 - 荷電粒子線描画装置 - Google Patents
荷電粒子線描画装置Info
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- JP3104814B2 JP3104814B2 JP04134139A JP13413992A JP3104814B2 JP 3104814 B2 JP3104814 B2 JP 3104814B2 JP 04134139 A JP04134139 A JP 04134139A JP 13413992 A JP13413992 A JP 13413992A JP 3104814 B2 JP3104814 B2 JP 3104814B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体メモリ素
子等のように所定のパターンの繰り返しが多い微細パタ
ーンを高速に描画する電子線の如き荷電粒子線を用いた
描画装置に関する。
子等のように所定のパターンの繰り返しが多い微細パタ
ーンを高速に描画する電子線の如き荷電粒子線を用いた
描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体メモリ素子等の微細パター
ンを高速に描画するために電子線描画装置が使用されて
いる。微細パターンを高速に描画するためには、断面形
状が変化できる可変成形ビームを用いて、例えば幅が広
いパターンは断面形状の大きな電子ビームで描画し、逆
に幅が狭いパターンは断面形状の小さな電子ビームで描
画すればよい。可変成形ビームを生成するには、例えば
上段の矩形の成形アパーチャと共役に下段の矩形の成形
アパーチャを配置し、上段の成形アパーチャと下段の成
形アパーチャとの間を通過する電子線を静電偏向器等で
偏向させればよい。
ンを高速に描画するために電子線描画装置が使用されて
いる。微細パターンを高速に描画するためには、断面形
状が変化できる可変成形ビームを用いて、例えば幅が広
いパターンは断面形状の大きな電子ビームで描画し、逆
に幅が狭いパターンは断面形状の小さな電子ビームで描
画すればよい。可変成形ビームを生成するには、例えば
上段の矩形の成形アパーチャと共役に下段の矩形の成形
アパーチャを配置し、上段の成形アパーチャと下段の成
形アパーチャとの間を通過する電子線を静電偏向器等で
偏向させればよい。
【０００３】また、半導体メモリ素子のように特定のメ
モリセルを繰り返すことにより構成されるパターンの場
合には、ステンシルマスク（電子線透過マスク）にその
繰り返しの基本となるパターンの拡大パターンを形成し
ておき、感光基板に所定間隔でそのパターンを縮小転写
していくことにより、全体の回路パターンを高速に高い
スループットで描画することができる。そこで、従来の
この種の電子線描画装置では、可変寸法の矩形のパター
ン及びメモリセルのパターン等のように繰り返しの基本
となる予め用意された複数個のパターンの中から任意に
選んだパターンを縮小転写により描画できるようになっ
ている。このような描画方式はセルプロジェクション方
式とも呼ばれている。
モリセルを繰り返すことにより構成されるパターンの場
合には、ステンシルマスク（電子線透過マスク）にその
繰り返しの基本となるパターンの拡大パターンを形成し
ておき、感光基板に所定間隔でそのパターンを縮小転写
していくことにより、全体の回路パターンを高速に高い
スループットで描画することができる。そこで、従来の
この種の電子線描画装置では、可変寸法の矩形のパター
ン及びメモリセルのパターン等のように繰り返しの基本
となる予め用意された複数個のパターンの中から任意に
選んだパターンを縮小転写により描画できるようになっ
ている。このような描画方式はセルプロジェクション方
式とも呼ばれている。
【０００４】また、可変成形ビーム方式の電子線描画装
置では、上段に正方形の開口パターン及びこのパターン
に対して４５°傾斜した正方形の開口パターンが形成さ
れた開口板が配置され、下段に２個の正方形の開口パタ
ーンが形成された開口板が配置された装置も知られてい
る。この装置では、上段の４５°傾斜した正方形の開口
パターンを通過した電子線を横ずれさせながら下段の正
方形の開口パターンで制限することにより、可変寸法の
直角三角形のパターンをも描画することができる。
置では、上段に正方形の開口パターン及びこのパターン
に対して４５°傾斜した正方形の開口パターンが形成さ
れた開口板が配置され、下段に２個の正方形の開口パタ
ーンが形成された開口板が配置された装置も知られてい
る。この装置では、上段の４５°傾斜した正方形の開口
パターンを通過した電子線を横ずれさせながら下段の正
方形の開口パターンで制限することにより、可変寸法の
直角三角形のパターンをも描画することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
セルプロジェクション方式の電子線描画装置では、繰り
返しの基本となるパターンで描画可能な領域は高速に描
画できるが、それ以外の領域では描画速度が遅い不都合
があった。特に、非繰り返し部に斜線を含むパターン、
直角三角形のパターン又は台形のパターン等があると、
描画速度が極端に低下すると共に、斜線部を小さな矩形
に分解して描画するために斜線や直角三角形の辺の部分
のエッジの平坦度（エッジラフネス）が悪い不都合があ
った。
セルプロジェクション方式の電子線描画装置では、繰り
返しの基本となるパターンで描画可能な領域は高速に描
画できるが、それ以外の領域では描画速度が遅い不都合
があった。特に、非繰り返し部に斜線を含むパターン、
直角三角形のパターン又は台形のパターン等があると、
描画速度が極端に低下すると共に、斜線部を小さな矩形
に分解して描画するために斜線や直角三角形の辺の部分
のエッジの平坦度（エッジラフネス）が悪い不都合があ
った。
【０００６】また、後者の従来の可変寸法の直角三角形
のパターンを描画できる装置では、繰り返し部は高速に
描画できないため、例えば半導体メモリ素子等のパター
ンを描く際には極端に描画速度が遅くなる不都合があっ
た。また、４５°傾斜した正方形の開口と通常の正方形
の開口との組合せで或る可変の直角三角形のパターンを
描画する場合には、図６（ａ）に示すように、上段の４
５°傾斜した正方形の開口パターンを通過した電子線に
よる像３１Ｉと下段の正方形の開口パターン３２（この
正方形の２辺をＸ軸及びＹ軸とする）とが重なった部分
の直角三角形のパターン３３が縮小転写される。
のパターンを描画できる装置では、繰り返し部は高速に
描画できないため、例えば半導体メモリ素子等のパター
ンを描く際には極端に描画速度が遅くなる不都合があっ
た。また、４５°傾斜した正方形の開口と通常の正方形
の開口との組合せで或る可変の直角三角形のパターンを
描画する場合には、図６（ａ）に示すように、上段の４
５°傾斜した正方形の開口パターンを通過した電子線に
よる像３１Ｉと下段の正方形の開口パターン３２（この
正方形の２辺をＸ軸及びＹ軸とする）とが重なった部分
の直角三角形のパターン３３が縮小転写される。
【０００７】しかしながら、その直角三角形のパターン
３３を１８０°回転した形のパターン３４を描画するに
は、図６（ｂ）に示すように、電子線による像３１Ｉを
Ｘ軸に対して時計方向に４５°で交差する方向に大きく
振る必要がある。同様に、直角三角形のパターン３３を
９０°又は２７０°回転した形のパターンを描画するに
も、電子線による像３１ＩをＸ軸に反時計方向に４５°
で交差する方向に大きく振る必要がある。即ち、従来の
装置では４種類の可変直角三角形のパターンを切り換え
るときに、偏向電圧を大きく変化させる必要があり、電
子線による像３１Ｉの位置が安定するまでの時間である
整定時間が長くなり、描画速度が遅くなる不都合があっ
た。また、偏向電圧を大きく変化させるため、所定の精
度の寸法の可変の直角三角形を得るためには偏向電圧の
電源の安定度に対する要求が厳しくなるという不都合も
あった。
３３を１８０°回転した形のパターン３４を描画するに
は、図６（ｂ）に示すように、電子線による像３１Ｉを
Ｘ軸に対して時計方向に４５°で交差する方向に大きく
振る必要がある。同様に、直角三角形のパターン３３を
９０°又は２７０°回転した形のパターンを描画するに
も、電子線による像３１ＩをＸ軸に反時計方向に４５°
で交差する方向に大きく振る必要がある。即ち、従来の
装置では４種類の可変直角三角形のパターンを切り換え
るときに、偏向電圧を大きく変化させる必要があり、電
子線による像３１Ｉの位置が安定するまでの時間である
整定時間が長くなり、描画速度が遅くなる不都合があっ
た。また、偏向電圧を大きく変化させるため、所定の精
度の寸法の可変の直角三角形を得るためには偏向電圧の
電源の安定度に対する要求が厳しくなるという不都合も
あった。
【０００８】本発明は斯かる点に鑑み、同一のパターン
が繰り返される繰り返し部で高速な描画ができると共
に、斜線を含む可変パターン又は直角三角形の可変パタ
ーンを良好なエッジラフネスで且つ高速に描画できる荷
電粒子線描画装置を提供することを目的とする。更に、
本発明は、異なる種類（回転状態）の可変寸法の直角三
角形のパターンを切り換えて描く際に、電子線の如き荷
電粒子線をあまり大きく偏向させる必要がない荷電粒子
線描画装置を提供することを目的とする。
が繰り返される繰り返し部で高速な描画ができると共
に、斜線を含む可変パターン又は直角三角形の可変パタ
ーンを良好なエッジラフネスで且つ高速に描画できる荷
電粒子線描画装置を提供することを目的とする。更に、
本発明は、異なる種類（回転状態）の可変寸法の直角三
角形のパターンを切り換えて描く際に、電子線の如き荷
電粒子線をあまり大きく偏向させる必要がない荷電粒子
線描画装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の荷電
粒子線描画装置は、例えば図１〜図３に示すように、縮
小転写による描画と可変成形ビームによる描画とを切り
換えて描画する荷電粒子線描画装置において、第１の矩
形の開口パターン（１８Ｄ）が形成された第１のビーム
成形部（７）と、その第１の矩形の開口パターンの投影
パターンと同じ方向の第２の矩形の開口パターン（２０
Ｃ）とその第１の矩形の開口パターンの投影パターンの
拡大相似パターンの角部である４個の直角三角形の開口
パターンよりなる開口パターン（２０Ｄ）とを含む２個
以上の可変成形用の開口パターン及び１個以上の縮小転
写用のパターン（１９−１）が形成された第２のビーム
成形部（９）と、その第１のビーム成形部（７）を透過
した荷電粒子線をその第２のビーム成形部上で偏向させ
る偏向手段（８）と、その第２のビーム成形部（９）を
透過した荷電粒子線をターゲット（１６）上で位置決め
する位置決め手段（１３，１４）とを有し、その偏向手
段を特定の動作条件とした状態において、その第１の矩
形の開口パターンの像は、その４個の直角三角形の開口
パターンにほぼ内接する形でその第２のビーム成形部上
に結像されるものである。
粒子線描画装置は、例えば図１〜図３に示すように、縮
小転写による描画と可変成形ビームによる描画とを切り
換えて描画する荷電粒子線描画装置において、第１の矩
形の開口パターン（１８Ｄ）が形成された第１のビーム
成形部（７）と、その第１の矩形の開口パターンの投影
パターンと同じ方向の第２の矩形の開口パターン（２０
Ｃ）とその第１の矩形の開口パターンの投影パターンの
拡大相似パターンの角部である４個の直角三角形の開口
パターンよりなる開口パターン（２０Ｄ）とを含む２個
以上の可変成形用の開口パターン及び１個以上の縮小転
写用のパターン（１９−１）が形成された第２のビーム
成形部（９）と、その第１のビーム成形部（７）を透過
した荷電粒子線をその第２のビーム成形部上で偏向させ
る偏向手段（８）と、その第２のビーム成形部（９）を
透過した荷電粒子線をターゲット（１６）上で位置決め
する位置決め手段（１３，１４）とを有し、その偏向手
段を特定の動作条件とした状態において、その第１の矩
形の開口パターンの像は、その４個の直角三角形の開口
パターンにほぼ内接する形でその第２のビーム成形部上
に結像されるものである。
【００１０】また、本発明による第２の荷電粒子線描画
装置は、例えば図１〜図３に示すように、縮小転写によ
る描画と可変成形ビームによる描画とを切り換えて描画
する荷電粒子線描画装置において、第１の矩形の開口パ
ターン（１８Ｃ）とこの第１の矩形の開口パターンに対
して４５°傾斜した第２の矩形の開口パターン（１８
Ｂ）とを含む２個以上の可変成形用の開口パターンが形
成された第１のビーム成形部（７）と、その第１の矩形
の開口パターンの投影パターンと同じ方向の第３の矩形
の開口パターン（２０Ｃ）とその第２の矩形の開口パタ
ーンの投影パターンと同じ方向の第４の矩形の開口パタ
ーン（２０Ｂ）とを含む２個以上の可変成形用の開口パ
ターン及び１個以上の縮小転写用のパターン（１９−
１）が形成された第２のビーム成形部（９）と、その第
１のビーム成形部（７）を透過した荷電粒子線をその第
２のビーム成形部（９）上で偏向させる偏向手段（８）
と、その第２のビーム成形部（９）を透過した荷電粒子
線をターゲット（１６）上で位置決めする位置決め手段
（１３，１４）とを有し、その第１の矩形の開口パター
ンを通過した荷電粒子線は、その第３の矩形の開口パタ
ーン上に照射され、その第２の矩形の開口パターンを通
過した荷電粒子線は、その第４の矩形の開口パターン上
に照射されることによりその第３の矩形の開口パターン
に対して４５゜傾斜した可変成形ビームを形成するもの
である。
装置は、例えば図１〜図３に示すように、縮小転写によ
る描画と可変成形ビームによる描画とを切り換えて描画
する荷電粒子線描画装置において、第１の矩形の開口パ
ターン（１８Ｃ）とこの第１の矩形の開口パターンに対
して４５°傾斜した第２の矩形の開口パターン（１８
Ｂ）とを含む２個以上の可変成形用の開口パターンが形
成された第１のビーム成形部（７）と、その第１の矩形
の開口パターンの投影パターンと同じ方向の第３の矩形
の開口パターン（２０Ｃ）とその第２の矩形の開口パタ
ーンの投影パターンと同じ方向の第４の矩形の開口パタ
ーン（２０Ｂ）とを含む２個以上の可変成形用の開口パ
ターン及び１個以上の縮小転写用のパターン（１９−
１）が形成された第２のビーム成形部（９）と、その第
１のビーム成形部（７）を透過した荷電粒子線をその第
２のビーム成形部（９）上で偏向させる偏向手段（８）
と、その第２のビーム成形部（９）を透過した荷電粒子
線をターゲット（１６）上で位置決めする位置決め手段
（１３，１４）とを有し、その第１の矩形の開口パター
ンを通過した荷電粒子線は、その第３の矩形の開口パタ
ーン上に照射され、その第２の矩形の開口パターンを通
過した荷電粒子線は、その第４の矩形の開口パターン上
に照射されることによりその第３の矩形の開口パターン
に対して４５゜傾斜した可変成形ビームを形成するもの
である。
【００１１】また、本発明による第３の荷電粒子線描画
装置は、例えば図１〜図３に示すように、縮小転写によ
る描画と可変成形ビームによる描画とを切り換えて描画
する荷電粒子線描画装置において、第１の矩形の開口パ
ターンとこの第１の矩形の開口パターンに対して４５゜
回転した第２の矩形の開口パターンとを含む２個以上の
可変成形用の開口パターンが形成された第１のビーム成
形部（７）と、その第１の矩形の開口パターンの投影パ
ターンと同じ方向の第３の矩形の開口パターン（２０
Ｃ）とその第１の矩形の開口パターンの投影パターンの
拡大相似パターンの辺部である４個の矩形の開口パター
ンよりなる開口パターン（２０Ａ）とを含む２個以上の
可変成形用の開口パターン及び１個以上の縮小転写用の
パターンが形成された第２のビーム成形部（９）と、そ
の第１のビーム成形部（７）を透過した荷電粒子線をそ
の第２のビーム成形部（９）上で偏向させる偏向手段
（８）と、その第２のビーム成形部（９）を透過した荷
電粒子線をターゲット（１６）上で位置決めする位置決
め手段（１３，１４）とを有し、その偏向手段を特定の
動作条件とした状態において、その第２の矩形の開口パ
ターンの像は、その４個の矩形の開口パターンにほぼ内
接する形でその第２のビーム成形部上に結像させること
により斜辺がその第３の矩形の開口パターンの長手方向
又は短手方向に平行な直角三角形を形成するものであ
る。
装置は、例えば図１〜図３に示すように、縮小転写によ
る描画と可変成形ビームによる描画とを切り換えて描画
する荷電粒子線描画装置において、第１の矩形の開口パ
ターンとこの第１の矩形の開口パターンに対して４５゜
回転した第２の矩形の開口パターンとを含む２個以上の
可変成形用の開口パターンが形成された第１のビーム成
形部（７）と、その第１の矩形の開口パターンの投影パ
ターンと同じ方向の第３の矩形の開口パターン（２０
Ｃ）とその第１の矩形の開口パターンの投影パターンの
拡大相似パターンの辺部である４個の矩形の開口パター
ンよりなる開口パターン（２０Ａ）とを含む２個以上の
可変成形用の開口パターン及び１個以上の縮小転写用の
パターンが形成された第２のビーム成形部（９）と、そ
の第１のビーム成形部（７）を透過した荷電粒子線をそ
の第２のビーム成形部（９）上で偏向させる偏向手段
（８）と、その第２のビーム成形部（９）を透過した荷
電粒子線をターゲット（１６）上で位置決めする位置決
め手段（１３，１４）とを有し、その偏向手段を特定の
動作条件とした状態において、その第２の矩形の開口パ
ターンの像は、その４個の矩形の開口パターンにほぼ内
接する形でその第２のビーム成形部上に結像させること
により斜辺がその第３の矩形の開口パターンの長手方向
又は短手方向に平行な直角三角形を形成するものであ
る。
【００１２】
【作用】斯かる本発明の第１の荷電粒子線描画装置によ
れば、第２のビーム成形部（９）の縮小転写用のパター
ン（１９−１）を選択することにより、所定のパターン
が繰り返される繰り返し部のパターンを高速に描画でき
る。また、第１のビーム成形部（７）の第１の矩形の開
口パターン（１８Ｄ）と第２のビーム成形部（９）の角
部よりなる開口パターン（２０Ｄ）とを選択すると、例
えば図４に示すように、その開口パターン（１８Ｄ）を
通過した荷電粒子線の像（１８ＤＩ）はその開口パター
ン（２０Ｄ（２２Ａ〜２２Ｄ））にほぼ内接するような
状態にすることができる。そして、偏向手段（８）を動
作させてその荷電粒子線の像（１８ＤＩ）を前後に少し
振ると、異なる回転状態の可変の直角三角形のパターン
を描画することができる。この場合、荷電粒子線の像
（１８ＤＩ）をわずかに異なる方向に偏向させるだけで
異なる回転状態の可変の直角三角形のパターンを描画す
ることができ、且つ偏向された荷電粒子線の像（１８Ｄ
Ｉ）の位置が安定するまでの時間（整定時間）は短い。
れば、第２のビーム成形部（９）の縮小転写用のパター
ン（１９−１）を選択することにより、所定のパターン
が繰り返される繰り返し部のパターンを高速に描画でき
る。また、第１のビーム成形部（７）の第１の矩形の開
口パターン（１８Ｄ）と第２のビーム成形部（９）の角
部よりなる開口パターン（２０Ｄ）とを選択すると、例
えば図４に示すように、その開口パターン（１８Ｄ）を
通過した荷電粒子線の像（１８ＤＩ）はその開口パター
ン（２０Ｄ（２２Ａ〜２２Ｄ））にほぼ内接するような
状態にすることができる。そして、偏向手段（８）を動
作させてその荷電粒子線の像（１８ＤＩ）を前後に少し
振ると、異なる回転状態の可変の直角三角形のパターン
を描画することができる。この場合、荷電粒子線の像
（１８ＤＩ）をわずかに異なる方向に偏向させるだけで
異なる回転状態の可変の直角三角形のパターンを描画す
ることができ、且つ偏向された荷電粒子線の像（１８Ｄ
Ｉ）の位置が安定するまでの時間（整定時間）は短い。
【００１３】また、第２の荷電粒子線描画装置によれ
ば、第１のビーム成形部（７）の第２の矩形の開口パタ
ーン（１８Ｂ）と第２のビーム成形部（９）の第４の矩
形の開口パターン（２０Ｂ）とを選択すると、第１の矩
形の開口パターン（１８Ｃ）の投影パターンに対して４
５°傾斜した可変の矩形のパターン、即ち斜線を含む可
変パターンを描画することができる。この場合、その斜
線部のエッジラフネスは良好であり、描画速度は高速で
ある。
ば、第１のビーム成形部（７）の第２の矩形の開口パタ
ーン（１８Ｂ）と第２のビーム成形部（９）の第４の矩
形の開口パターン（２０Ｂ）とを選択すると、第１の矩
形の開口パターン（１８Ｃ）の投影パターンに対して４
５°傾斜した可変の矩形のパターン、即ち斜線を含む可
変パターンを描画することができる。この場合、その斜
線部のエッジラフネスは良好であり、描画速度は高速で
ある。
【００１４】また、第３の荷電粒子線描画装置によれ
ば、第１のビーム成形部（７）の第２の矩形の開口パタ
ーン（１８Ａ）と第２のビーム成形部（９）の辺部より
なる開口パターン（２０Ａ）とを選択すると、例えば図
５に示すように、その開口パターン（１８Ａ）を通過し
た荷電粒子線の像（１８ＡＩ）はその開口パターン（２
０Ａ（２１Ａ〜２１Ｄ））にほぼ内接するような状態に
することができる。そして、偏向手段（８）を動作させ
てその荷電粒子線の像（１８ＡＩ）を前後に少し振る
と、異なる回転状態の可変の直角三角形のパターンを描
画することができる。この場合、荷電粒子線の像（１８
ＡＩ）をわずかに異なる方向に偏向させるだけで異なる
回転状態の可変の直角三角形のパターンを描画すること
ができ、且つ偏向された荷電粒子線の像（１８ＡＩ）の
位置が安定するまでの時間（整定時間）は短い。
ば、第１のビーム成形部（７）の第２の矩形の開口パタ
ーン（１８Ａ）と第２のビーム成形部（９）の辺部より
なる開口パターン（２０Ａ）とを選択すると、例えば図
５に示すように、その開口パターン（１８Ａ）を通過し
た荷電粒子線の像（１８ＡＩ）はその開口パターン（２
０Ａ（２１Ａ〜２１Ｄ））にほぼ内接するような状態に
することができる。そして、偏向手段（８）を動作させ
てその荷電粒子線の像（１８ＡＩ）を前後に少し振る
と、異なる回転状態の可変の直角三角形のパターンを描
画することができる。この場合、荷電粒子線の像（１８
ＡＩ）をわずかに異なる方向に偏向させるだけで異なる
回転状態の可変の直角三角形のパターンを描画すること
ができ、且つ偏向された荷電粒子線の像（１８ＡＩ）の
位置が安定するまでの時間（整定時間）は短い。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による荷電粒子線描画装置の一
実施例につき図１〜図５を参照して説明する。本例では
荷電粒子線として電子線を使用する。図１は本例の電子
線描画装置の構成を示し、この図１において、１は電子
銃である。この電子銃１から順にブランキング用の偏向
器２、コンデンサーレンズ３第１成形開口板４、電磁方
式の偏向器５、第１成形レンズ６及び第２成形開口板７
を配置する。その下に、静電方式の偏向器８、第２成形
レンズ１０及びステンシルマスク９を配置する。第２成
形レンズ１０により第２成形開口板７の開口パターンの
電子線による像をステンシルマスク９上に結像する。即
ち、第２成形開口板７の配置面とステンシルマスク９の
配置面とは共役である。
実施例につき図１〜図５を参照して説明する。本例では
荷電粒子線として電子線を使用する。図１は本例の電子
線描画装置の構成を示し、この図１において、１は電子
銃である。この電子銃１から順にブランキング用の偏向
器２、コンデンサーレンズ３第１成形開口板４、電磁方
式の偏向器５、第１成形レンズ６及び第２成形開口板７
を配置する。その下に、静電方式の偏向器８、第２成形
レンズ１０及びステンシルマスク９を配置する。第２成
形レンズ１０により第２成形開口板７の開口パターンの
電子線による像をステンシルマスク９上に結像する。即
ち、第２成形開口板７の配置面とステンシルマスク９の
配置面とは共役である。
【００１６】このステンシルマスク９の下側に順に、電
子線の振り戻し用の電磁方式の偏向器１１、縮小レンズ
１２、副偏向器１３、主偏向器１４、対物レンズ１５及
びターゲット１６を配置する。上述の第１成形開口板４
の光軸ＡＸを含む中央部には正方形の１個の開口パター
ンを形成する。
子線の振り戻し用の電磁方式の偏向器１１、縮小レンズ
１２、副偏向器１３、主偏向器１４、対物レンズ１５及
びターゲット１６を配置する。上述の第１成形開口板４
の光軸ＡＸを含む中央部には正方形の１個の開口パター
ンを形成する。
【００１７】図２は第２成形開口板７のパターンを示
し、この図２に示すように、第２成形開口板７のパター
ン領域を６行×６列の小領域に分割する。そして、光軸
ＡＸの直下の４個の小領域を除く３２個の小領域にはそ
れぞれ比較的大きな矩形又は正方形の開口パターン１７
−１，１７−２〜１７−３２を形成する。また、第２成
形開口板７の各小領域を区切る横軸及び縦軸に平行にそ
れぞれＸ軸及びＹ軸をとり、その光軸ＡＸの直下の４個
の小領域には左端から順にＸ軸に対して４５°傾斜した
第１の正方形の開口パターン１８Ａ、同じくＸ軸に対し
て４５°傾斜した第２の正方形の開口パターン１８Ｂ、
Ｘ軸に対して一辺が平行な第３の正方形の開口パターン
１８Ｃ及び同じくＸ軸に対して一辺が平行な第４の正方
形の開口パターン１８Ｄを形成する。これらの開口パタ
ーン１８Ａ〜１８Ｄは可変成形ビーム用の開口パターン
である。
し、この図２に示すように、第２成形開口板７のパター
ン領域を６行×６列の小領域に分割する。そして、光軸
ＡＸの直下の４個の小領域を除く３２個の小領域にはそ
れぞれ比較的大きな矩形又は正方形の開口パターン１７
−１，１７−２〜１７−３２を形成する。また、第２成
形開口板７の各小領域を区切る横軸及び縦軸に平行にそ
れぞれＸ軸及びＹ軸をとり、その光軸ＡＸの直下の４個
の小領域には左端から順にＸ軸に対して４５°傾斜した
第１の正方形の開口パターン１８Ａ、同じくＸ軸に対し
て４５°傾斜した第２の正方形の開口パターン１８Ｂ、
Ｘ軸に対して一辺が平行な第３の正方形の開口パターン
１８Ｃ及び同じくＸ軸に対して一辺が平行な第４の正方
形の開口パターン１８Ｄを形成する。これらの開口パタ
ーン１８Ａ〜１８Ｄは可変成形ビーム用の開口パターン
である。
【００１８】図３はステンシルマスク９のパターンを示
し、この図３に示すように、ステンシルマスク９のパタ
ーン領域もそれぞれＸ軸及びＹ軸に平行に６行×６列の
小領域に分割する。これらステンシルマスク９上の３６
個の小領域にはそれぞれ図２の第２成形開口板７の３６
個の小領域を通過した電子線が１対１で結像される。そ
して、図３のステンシルマスク９において、光軸ＡＸの
上の４個の小領域を除く３２個の小領域にはそれぞれメ
モリセル等の繰り返しの基本となるパターンの拡大パタ
ーン１９−１，１９−２〜１９−３２を形成する。
し、この図３に示すように、ステンシルマスク９のパタ
ーン領域もそれぞれＸ軸及びＹ軸に平行に６行×６列の
小領域に分割する。これらステンシルマスク９上の３６
個の小領域にはそれぞれ図２の第２成形開口板７の３６
個の小領域を通過した電子線が１対１で結像される。そ
して、図３のステンシルマスク９において、光軸ＡＸの
上の４個の小領域を除く３２個の小領域にはそれぞれメ
モリセル等の繰り返しの基本となるパターンの拡大パタ
ーン１９−１，１９−２〜１９−３２を形成する。
【００１９】また、その光軸ＡＸの上の４個の小領域に
は、右端から第２成形開口板７の第１の正方形の開口パ
ターン１８Ａの像に内接するような４個の矩形の開口パ
ターン２１Ａ〜２１Ｄよりなる第１の開口パターン２０
Ａ、第２成形開口板７の第２の正方形の開口パターン１
８Ｂの像と等しい大きさの正方形の第２の開口パターン
２０Ｂ及び第２成形開口板７の第３の正方形の開口パタ
ーン１８Ｃの像と等しい大きさの正方形の第３の開口パ
ターン２０Ｃを形成する。また、４個の小領域の左端に
は第２成形開口板７の第４の正方形の開口パターン１８
Ａの像に内接するような４個の直角三角形の開口パター
ン２２Ａ〜２２Ｄよりなる第４の開口パターン２０Ｄを
形成する。これら４個の開口パターン２０Ａ〜２０Ｄは
可変成形ビーム用の開口パターンである。
は、右端から第２成形開口板７の第１の正方形の開口パ
ターン１８Ａの像に内接するような４個の矩形の開口パ
ターン２１Ａ〜２１Ｄよりなる第１の開口パターン２０
Ａ、第２成形開口板７の第２の正方形の開口パターン１
８Ｂの像と等しい大きさの正方形の第２の開口パターン
２０Ｂ及び第２成形開口板７の第３の正方形の開口パタ
ーン１８Ｃの像と等しい大きさの正方形の第３の開口パ
ターン２０Ｃを形成する。また、４個の小領域の左端に
は第２成形開口板７の第４の正方形の開口パターン１８
Ａの像に内接するような４個の直角三角形の開口パター
ン２２Ａ〜２２Ｄよりなる第４の開口パターン２０Ｄを
形成する。これら４個の開口パターン２０Ａ〜２０Ｄは
可変成形ビーム用の開口パターンである。
【００２０】図１の装置の基本的な動作につき説明する
に、電子銃１から放出された電子線はコンデンサーレン
ズ３により適度に集束されて第１成形開口板４の中央部
の開口パターンの上に照射される。その第１成形開口板
４の開口パターンの電子線による像が第１成形レンズ６
により第２成形開口板７上に結像される。偏向器５の偏
向作用により、第１成形開口板４の開口パターンの像は
第２成形開口板７の３６個の小領域の内の任意の１つの
小領域の上に結像される。そして、偏向器８が動作して
いない状態では、第２成形開口板７の１つの小領域の開
口パターンの像が第２成形レンズ１０によりステンシル
マスク９の対応する１つの小領域の上に結像される。一
方、偏向器８を動作させるとその偏向作用により、第２
成形開口板７の１つの小領域の開口パターンの像は対応
するステンシルマスク９の１つの小領域上でＸ方向及び
Ｙ方向に所定量だけ偏向させることができる。
に、電子銃１から放出された電子線はコンデンサーレン
ズ３により適度に集束されて第１成形開口板４の中央部
の開口パターンの上に照射される。その第１成形開口板
４の開口パターンの電子線による像が第１成形レンズ６
により第２成形開口板７上に結像される。偏向器５の偏
向作用により、第１成形開口板４の開口パターンの像は
第２成形開口板７の３６個の小領域の内の任意の１つの
小領域の上に結像される。そして、偏向器８が動作して
いない状態では、第２成形開口板７の１つの小領域の開
口パターンの像が第２成形レンズ１０によりステンシル
マスク９の対応する１つの小領域の上に結像される。一
方、偏向器８を動作させるとその偏向作用により、第２
成形開口板７の１つの小領域の開口パターンの像は対応
するステンシルマスク９の１つの小領域上でＸ方向及び
Ｙ方向に所定量だけ偏向させることができる。
【００２１】ステンシルマスク９のその１つの小領域の
開口パターンを通過した電子線は、縮小レンズ１２及び
対物レンズ１５によりターゲット１６上に集束され、そ
の第２成形開口板７の選択された１つの小領域の開口パ
ターンの像とステンシルマスク９の対応する１つの小領
域の開口パターンとが重なって得られるパターンがター
ゲット１６上に所定の縮小率で縮小されて転写される。
この際に、偏向器１１により電子線の軸が光軸ＡＸの方
向に振り戻され、副偏向器１３及び主偏向器１４により
ターゲット１６上での縮小像の位置決めが行われる。
開口パターンを通過した電子線は、縮小レンズ１２及び
対物レンズ１５によりターゲット１６上に集束され、そ
の第２成形開口板７の選択された１つの小領域の開口パ
ターンの像とステンシルマスク９の対応する１つの小領
域の開口パターンとが重なって得られるパターンがター
ゲット１６上に所定の縮小率で縮小されて転写される。
この際に、偏向器１１により電子線の軸が光軸ＡＸの方
向に振り戻され、副偏向器１３及び主偏向器１４により
ターゲット１６上での縮小像の位置決めが行われる。
【００２２】この場合、第２成形開口板７側で開口パタ
ーン１７−１〜１７−３２の内の何れかの開口パターン
を選択すると、この選択された開口パターンを通過した
電子線はステンシルマスク９側ではそれに対応してそれ
ぞれ拡大パターン１９−１〜１９−３２を通過して、タ
ーゲット１６上の所定の位置に選択された拡大パターン
が縮小転写される。また、第２成形開口板７で第３の正
方形の開口パターン１８Ｃを通過した電子線は、ステン
シルマスク９側では第３の開口パターン２０Ｃ上に照射
される。そこで、偏向器８により電子線をＸ方向及びＹ
方向に偏向させることにより、ターゲット１６上に２辺
がＸ軸及びＹ軸に平行で且つ大きさが可変の矩形のパタ
ーンを描画することができる。
ーン１７−１〜１７−３２の内の何れかの開口パターン
を選択すると、この選択された開口パターンを通過した
電子線はステンシルマスク９側ではそれに対応してそれ
ぞれ拡大パターン１９−１〜１９−３２を通過して、タ
ーゲット１６上の所定の位置に選択された拡大パターン
が縮小転写される。また、第２成形開口板７で第３の正
方形の開口パターン１８Ｃを通過した電子線は、ステン
シルマスク９側では第３の開口パターン２０Ｃ上に照射
される。そこで、偏向器８により電子線をＸ方向及びＹ
方向に偏向させることにより、ターゲット１６上に２辺
がＸ軸及びＹ軸に平行で且つ大きさが可変の矩形のパタ
ーンを描画することができる。
【００２３】また、第２成形開口板７で傾斜した第２の
正方形の開口パターン１８Ｂを通過した電子線は、ステ
ンシルマスク９側では傾斜した第２の開口パターン２０
Ｂ上に照射される。そこで、偏向器８により電子線をＸ
方向及びＹ方向に偏向させることにより、ターゲット１
６上にＸ軸に対して４５°傾斜した状態の可変の矩形の
パターンを描画することができる。この場合、縮小転写
方式であるため、描画される矩形のパターンの各辺、即
ちＸ軸を基準にした場合の斜線のエッジラフネスは良好
である。
正方形の開口パターン１８Ｂを通過した電子線は、ステ
ンシルマスク９側では傾斜した第２の開口パターン２０
Ｂ上に照射される。そこで、偏向器８により電子線をＸ
方向及びＹ方向に偏向させることにより、ターゲット１
６上にＸ軸に対して４５°傾斜した状態の可変の矩形の
パターンを描画することができる。この場合、縮小転写
方式であるため、描画される矩形のパターンの各辺、即
ちＸ軸を基準にした場合の斜線のエッジラフネスは良好
である。
【００２４】次に、偏向器８を動作させない状態で第２
成形開口板７の第４の正方形の開口パターン１８Ｄを選
択すると、図４（ａ）に示すように、ステンシルマスク
９の第４の開口パターン２０Ｄを構成する４個の直角三
角形の開口パターン２２Ａ〜２２Ｄに内接する形で開口
パターン１８Ｄの像１８ＤＩが結像される。この状態で
はターゲット１６上にはパターンは描画されない。その
後、図４（ｂ）に示すように、偏向器８を動作させて開
口パターンの像１８ＤＩの位置をＸ軸に対して時計方向
に４５°で交差する方向に少し偏向させると、その像１
８ＤＩと直角三角形の開口パターン２２Ｂとが重なった
部分の大きさが可変の直角三角形のパターン２３がター
ゲット１６上に縮小転写される。
成形開口板７の第４の正方形の開口パターン１８Ｄを選
択すると、図４（ａ）に示すように、ステンシルマスク
９の第４の開口パターン２０Ｄを構成する４個の直角三
角形の開口パターン２２Ａ〜２２Ｄに内接する形で開口
パターン１８Ｄの像１８ＤＩが結像される。この状態で
はターゲット１６上にはパターンは描画されない。その
後、図４（ｂ）に示すように、偏向器８を動作させて開
口パターンの像１８ＤＩの位置をＸ軸に対して時計方向
に４５°で交差する方向に少し偏向させると、その像１
８ＤＩと直角三角形の開口パターン２２Ｂとが重なった
部分の大きさが可変の直角三角形のパターン２３がター
ゲット１６上に縮小転写される。
【００２５】また、その直角三角形のパターン２３をそ
れぞれ９０°、１８０°又は２７０°回転した状態の可
変の直角三角形のパターン２４〜２６をターゲット１６
上に縮小転写するには、開口パターンの像１８ＤＩを対
応する方向に少し偏向させるだけでよい。このように、
本例によれば、偏向器８により開口パターンの像１８Ｄ
Ｉを少し所定の方向に移動するだけで、直交する２辺が
Ｘ軸及びＹ軸に平行な４種類の可変の直角三角形を高速
に描画することができる。これら４種類の直角三角形の
パターンの斜辺部のエッジラフネスは良好である。
れぞれ９０°、１８０°又は２７０°回転した状態の可
変の直角三角形のパターン２４〜２６をターゲット１６
上に縮小転写するには、開口パターンの像１８ＤＩを対
応する方向に少し偏向させるだけでよい。このように、
本例によれば、偏向器８により開口パターンの像１８Ｄ
Ｉを少し所定の方向に移動するだけで、直交する２辺が
Ｘ軸及びＹ軸に平行な４種類の可変の直角三角形を高速
に描画することができる。これら４種類の直角三角形の
パターンの斜辺部のエッジラフネスは良好である。
【００２６】同様に、偏向器８を動作させない状態で第
２成形開口板７の第１の正方形の開口パターン１８Ａを
選択すると、図５（ａ）に示すように、ステンシルマス
ク９の第１の開口パターン２０Ａを構成する４個の矩形
の開口パターン２１Ａ〜２１Ｄに内接する形で開口パタ
ーン１８Ａの像１８ＡＩが結像される。この状態ではタ
ーゲット１６上にはパターンは描画されない。その後、
図５（ｂ）に示すように、偏向器８を動作させて開口パ
ターンの像１８ＡＩの位置をＹ軸に平行な方向に少し偏
向させると、その像１８ＡＩと矩形の開口パターン２１
Ａとが重なった部分の大きさが可変の直角三角形のパタ
ーン２７がターゲット１６上に縮小転写される。
２成形開口板７の第１の正方形の開口パターン１８Ａを
選択すると、図５（ａ）に示すように、ステンシルマス
ク９の第１の開口パターン２０Ａを構成する４個の矩形
の開口パターン２１Ａ〜２１Ｄに内接する形で開口パタ
ーン１８Ａの像１８ＡＩが結像される。この状態ではタ
ーゲット１６上にはパターンは描画されない。その後、
図５（ｂ）に示すように、偏向器８を動作させて開口パ
ターンの像１８ＡＩの位置をＹ軸に平行な方向に少し偏
向させると、その像１８ＡＩと矩形の開口パターン２１
Ａとが重なった部分の大きさが可変の直角三角形のパタ
ーン２７がターゲット１６上に縮小転写される。
【００２７】また、その直角三角形のパターン２７をそ
れぞれ９０°、１８０°又は２７０°回転した状態の可
変の直角三角形のパターン２８〜３０をターゲット１６
上に縮小転写するには、開口パターンの像１８ＡＩを対
応する方向に少し偏向させるだけでよい。このように、
本例によれば、偏向器８により開口パターンの像１８Ａ
Ｉを少し所定の方向に移動するだけで、斜辺がＸ軸又は
Ｙ軸に平行でエッジラフネスが良好な４種類の可変の直
角三角形を高速に描画することができる。
れぞれ９０°、１８０°又は２７０°回転した状態の可
変の直角三角形のパターン２８〜３０をターゲット１６
上に縮小転写するには、開口パターンの像１８ＡＩを対
応する方向に少し偏向させるだけでよい。このように、
本例によれば、偏向器８により開口パターンの像１８Ａ
Ｉを少し所定の方向に移動するだけで、斜辺がＸ軸又は
Ｙ軸に平行でエッジラフネスが良好な４種類の可変の直
角三角形を高速に描画することができる。
【００２８】上述のように本例によれば、８種類の大き
さが可変の直角三角形を縮小転写により描画することが
できる。これら８種類の直角三角形を組み合わせること
により、台形のパターン等も縮小転写により高速に描画
することができる。また、それら８種類の直角三角形の
パターンを切り換えて縮小転写する際の、偏向器８にお
ける偏向電圧は従来方式に比べて大幅に小さい電圧でよ
い。従って、偏向器８の偏向電圧を制御するための制御
信号のビット数は少なくて済むと共に、偏向器８用の電
源の安定度が従来例に比べて低い場合でも従来例と同程
度の形状精度を得ることができる。
さが可変の直角三角形を縮小転写により描画することが
できる。これら８種類の直角三角形を組み合わせること
により、台形のパターン等も縮小転写により高速に描画
することができる。また、それら８種類の直角三角形の
パターンを切り換えて縮小転写する際の、偏向器８にお
ける偏向電圧は従来方式に比べて大幅に小さい電圧でよ
い。従って、偏向器８の偏向電圧を制御するための制御
信号のビット数は少なくて済むと共に、偏向器８用の電
源の安定度が従来例に比べて低い場合でも従来例と同程
度の形状精度を得ることができる。
【００２９】なお、図１の実施例では、第２成形開口板
７の３６個の小領域とステンシルマスク９の３６個の小
領域とはそれぞれ１対１で対応しているが、必ずしも１
対１で対応させる必要はない。また、例えば図１の第１
成形開口板４は省略してもよい。このように、本発明は
上述実施例に限定されず本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。
７の３６個の小領域とステンシルマスク９の３６個の小
領域とはそれぞれ１対１で対応しているが、必ずしも１
対１で対応させる必要はない。また、例えば図１の第１
成形開口板４は省略してもよい。このように、本発明は
上述実施例に限定されず本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。
【００３０】
【発明の効果】本発明の第１の荷電粒子線描画装置によ
れば、同一のパターンの繰り返し部では縮小転写用のパ
ターンの転写により高速な描画ができる。また、第１の
ビーム成形部の可変成形用の開口パターンと第２のビー
ム成形部の２個以上の可変成形用の開口パターンとを組
み合わせて、偏向手段を動作させることにより、矩形の
可変パターン及び直角三角形の可変パターンを良好なエ
ッジラフネスで且つ高速に描画できる利点がある。ま
た、可変寸法の直角三角形のパターンを切り換えて描く
際に、荷電粒子線をあまり大きく偏向させる必要がなく
偏向手段の制御部が簡略化できる利点がある。
れば、同一のパターンの繰り返し部では縮小転写用のパ
ターンの転写により高速な描画ができる。また、第１の
ビーム成形部の可変成形用の開口パターンと第２のビー
ム成形部の２個以上の可変成形用の開口パターンとを組
み合わせて、偏向手段を動作させることにより、矩形の
可変パターン及び直角三角形の可変パターンを良好なエ
ッジラフネスで且つ高速に描画できる利点がある。ま
た、可変寸法の直角三角形のパターンを切り換えて描く
際に、荷電粒子線をあまり大きく偏向させる必要がなく
偏向手段の制御部が簡略化できる利点がある。
【００３１】また、第２の荷電粒子線描画装置によれ
ば、同一のパターンの繰り返し部では縮小転写用のパタ
ーンの転写により高速な描画ができると共に、第１のビ
ーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パターンと第
２のビーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パター
ンとを組み合わせて、偏向手段を動作させることによ
り、矩形の可変パターン及び４５°傾斜した矩形の可変
パターンを良好なエッジラフネスで且つ高速に描画でき
る利点がある。
ば、同一のパターンの繰り返し部では縮小転写用のパタ
ーンの転写により高速な描画ができると共に、第１のビ
ーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パターンと第
２のビーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パター
ンとを組み合わせて、偏向手段を動作させることによ
り、矩形の可変パターン及び４５°傾斜した矩形の可変
パターンを良好なエッジラフネスで且つ高速に描画でき
る利点がある。
【００３２】また、第３の荷電粒子線描画装置によれ
ば、同一のパターンの繰り返し部では縮小転写用のパタ
ーンの転写により高速な描画ができると共に、第１のビ
ーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パターンと第
２のビーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パター
ンとを組み合わせて、偏向手段を動作させることによ
り、矩形の可変パターン及び直角三角形の可変パターン
を良好なエッジラフネスで且つ高速に描画できる利点が
ある。また、可変寸法の直角三角形のパターンを切り換
えて描く際に、荷電粒子線をあまり大きく偏向させる必
要がなく偏向手段の制御部が簡略化できる利点がある。
ば、同一のパターンの繰り返し部では縮小転写用のパタ
ーンの転写により高速な描画ができると共に、第１のビ
ーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パターンと第
２のビーム成形部の２個以上の可変成形用の開口パター
ンとを組み合わせて、偏向手段を動作させることによ
り、矩形の可変パターン及び直角三角形の可変パターン
を良好なエッジラフネスで且つ高速に描画できる利点が
ある。また、可変寸法の直角三角形のパターンを切り換
えて描く際に、荷電粒子線をあまり大きく偏向させる必
要がなく偏向手段の制御部が簡略化できる利点がある。
【図１】本発明による荷電粒子線描画装置の一実施例の
全体の構成を示す縦断面に沿う端面図である。
全体の構成を示す縦断面に沿う端面図である。
【図２】図１の第２成形開口板７のパターンを示す平面
図である。
図である。
【図３】図１のステンシルマスク９のパターンを示す平
面図である。
面図である。
【図４】直交する２辺がＸ軸及びＹ軸に平行な可変の直
角三角形のパターンを描画する場合の動作の説明に供す
る線図である。
角三角形のパターンを描画する場合の動作の説明に供す
る線図である。
【図５】斜辺がＸ軸又はＹ軸に平行な可変の直角三角形
のパターンを描画する場合の動作の説明に供する線図で
ある。
のパターンを描画する場合の動作の説明に供する線図で
ある。
【図６】従来の電子線描画装置で直交する２辺がＸ軸及
びＹ軸に平行な可変の直角三角形のパターンを描画する
場合の動作の説明に供する線図である。
びＹ軸に平行な可変の直角三角形のパターンを描画する
場合の動作の説明に供する線図である。
１ 電子銃 ３ コンデンサーレンズ ４ 第１成形開口板 ５ 電磁方式の偏向器 ６ 第１成形レンズ ７ 第２成形開口板 ８ 静電方式の偏向器 ９ ステンシルマスク １０ 第２成形レンズ １２ 縮小レンズ １３ 副偏向器 １４ 主偏向器 １５ 対物レンズ １６ ターゲット １７−１〜１７−３２ 正方形の開口パターン １９−１〜１９−３２ 拡大パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秦 一成 東京都品川区西大井１丁目６番３号 株 式会社ニコン 大井製作所内 (56)参考文献 特開 平３−270215（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−125825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−169131（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−43629（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−128844（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−302413（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 縮小転写による描画と可変成形ビームに
よる描画とを切り換えて描画する荷電粒子線描画装置に
おいて、 第１の矩形の開口パターンが形成された第１のビーム成
形部と、 前記第１の矩形の開口パターンの投影パターンと同じ方
向の第２の矩形の開口パターンと前記第１の矩形の開口
パターンの投影パターンの拡大相似パターンの角部であ
る４個の直角三角形の開口パターンよりなる開口パター
ンとを含む２個以上の可変成形用の開口パターン及び１
個以上の縮小転写用のパターンが形成された第２のビー
ム成形部と、 前記第１のビーム成形部を透過した荷電粒子線を前記第
２のビーム成形部上で偏向させる偏向手段と、 前記第２のビーム成形部を透過した荷電粒子線をターゲ
ット上で位置決めする位置決め手段とを有し、 前記偏向手段を特定の動作条件とした状態において、前
記第１の矩形の開口パターンの像は、前記４個の直角三
角形の開口パターンにほぼ内接する形で前記第２のビー
ム成形部上に結像されること を特徴とする荷電粒子線描
画装置。 - 【請求項２】 縮小転写による描画と可変成形ビームに
よる描画とを切り換えて描画する荷電粒子線描画装置に
おいて、 第１の矩形の開口パターンと該第１の矩形の開口パター
ンに対して４５°傾斜した第２の矩形の開口パターンと
を含む２個以上の可変成形用の開口パターンが形成され
た第１のビーム成形部と、 前記第１の矩形の開口パターンの投影パターンと同じ方
向の第３の矩形の開口パターンと前記第２の矩形の開口
パターンの投影パターンと同じ方向の第４の矩形の開口
パターンとを含む２個以上の可変成形用の開口パターン
及び１個以上の縮小転写用のパターンが形成された第２
のビーム成形部と、 前記第１のビーム成形部を透過した荷電粒子線を前記第
２のビーム成形部上で偏向させる偏向手段と、 前記第２のビーム成形部を透過した荷電粒子線をターゲ
ット上で位置決めする位置決め手段とを有し、 前記第１の矩形の開口パターンを通過した荷電粒子線
は、前記第３の矩形の開口パターン上に照射され、前記
第２の矩形の開口パターンを通過した荷電粒子線は、前
記第４の矩形の開口パターン上に照射されることにより
前記第３の矩形の開口パターンに対して４５゜傾斜した
可変成形ビームを形成する ことを特徴とする荷電粒子線
描画装置。 - 【請求項３】 縮小転写による描画と可変成形ビームに
よる描画とを切り換えて描画する荷電粒子線描画装置に
おいて、 第１の矩形の開口パターンと該第１の矩形の開口パター
ンに対して４５゜回転した第２の矩形の開口パターンと
を含む２個以上の可変成形用の開口パターンが形成され
た第１のビーム成形部と、 前記第１の矩形の開口パターンの投影パターンと同じ方
向の第３の矩形の開口パターンと前記第１の矩形の開口
パターンの投影パターンの拡大相似パターンの辺部であ
る４個の矩形の開口パターンよりなる開口パターンとを
含む２個以上の可変成形用の開口パターン及び１個以上
の縮小転写用のパターンが形成された第２のビーム成形
部と、 前記第１のビーム成形部を透過した荷電粒子線を前記第
２のビーム成形部上で偏向させる偏向手段と、 前記第２のビーム成形部を透過した荷電粒子線をターゲ
ット上で位置決めする位置決め手段とを有し、 前記偏向手段を特定の動作条件とした状態において、前
記第２の矩形の開口パターンの像は、前記４個の矩形の
開口パターンにほぼ内接する形で前記第２のビーム成形
部上に結像させることにより斜辺が前記第３の矩形の開
口パターンの長手方向又は短手方向に平行な直角三角形
を形成すること を特徴とする荷電粒子線描画装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３の何れか一項記載の荷電粒
子線描画装置であって、 前記第１のビーム成形部の電子銃側に１個の矩形の開口
パターンが形成された第３のビーム成形部を有すること
を特徴とする荷電粒子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04134139A JP3104814B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 荷電粒子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04134139A JP3104814B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 荷電粒子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304083A JPH05304083A (ja) | 1993-11-16 |
| JP3104814B2 true JP3104814B2 (ja) | 2000-10-30 |
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ID=15121388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04134139A Expired - Fee Related JP3104814B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 荷電粒子線描画装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3104814B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5466416B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-04-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP04134139A patent/JP3104814B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05304083A (ja) | 1993-11-16 |
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