JPH0554251B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0554251B2 JPH0554251B2 JP58042165A JP4216583A JPH0554251B2 JP H0554251 B2 JPH0554251 B2 JP H0554251B2 JP 58042165 A JP58042165 A JP 58042165A JP 4216583 A JP4216583 A JP 4216583A JP H0554251 B2 JPH0554251 B2 JP H0554251B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aperture
- image
- rectangular aperture
- electron beam
- rectangular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線描画方法および装置、特に面積
ビームを用いた電子線描画装置のビーム形成の新
しい方式に関する。
ビームを用いた電子線描画装置のビーム形成の新
しい方式に関する。
第１図を用いて従来技術について説明する。な
お、かかる従来技術の詳細については、例えば特
公昭53−20391号公報を参照されたい。
お、かかる従来技術の詳細については、例えば特
公昭53−20391号公報を参照されたい。
電子銃１から発射された電子ビーム２は第１の
矩形アパーチア３を通り、二つの成形レンズ４，
５により第２の矩形アパーチア６上に像７を結像
する。第２アパーチアを通して、第１図の下方へ
通る電子ビームは複合像８である。複合像８は矩
形であるが偏向器９によりその寸法（幅Ｗ、高さ
Ｈ）を変化することができる。複合像８は縮小レ
ンズ１０、対物レンズ１１を通して、ウエハ１２
上に縮小結像される。矩形の方向は一般にステー
ジの移動方向と一致している。ウエハ１２上での
ビームの位置は偏向器１３，１４により制御でき
るのでウエハ上にパターンを描画できる。
矩形アパーチア３を通り、二つの成形レンズ４，
５により第２の矩形アパーチア６上に像７を結像
する。第２アパーチアを通して、第１図の下方へ
通る電子ビームは複合像８である。複合像８は矩
形であるが偏向器９によりその寸法（幅Ｗ、高さ
Ｈ）を変化することができる。複合像８は縮小レ
ンズ１０、対物レンズ１１を通して、ウエハ１２
上に縮小結像される。矩形の方向は一般にステー
ジの移動方向と一致している。ウエハ１２上での
ビームの位置は偏向器１３，１４により制御でき
るのでウエハ上にパターンを描画できる。
従来装置による基本図形はステージ移動方向に
方向が一致した可変寸法矩形である。したがつ
て、たとえば描画したいパターンが丸みをもつて
いたり、斜めを含んでいると細かな矩形に分割し
て描画せざるを得ない。この様子を第２図に示し
た。図形２０が描画したいパターンであり、可変
寸法矩形２１，２２等に分割して描画している。
したがつてこの方法では分割数が増加して描画に
長時間を要することになる。また周辺はステツプ
状となり図形精度が低下する。
方向が一致した可変寸法矩形である。したがつ
て、たとえば描画したいパターンが丸みをもつて
いたり、斜めを含んでいると細かな矩形に分割し
て描画せざるを得ない。この様子を第２図に示し
た。図形２０が描画したいパターンであり、可変
寸法矩形２１，２２等に分割して描画している。
したがつてこの方法では分割数が増加して描画に
長時間を要することになる。また周辺はステツプ
状となり図形精度が低下する。
本発明の目的は斜め、または丸みを有するパタ
ーンの全てを細かな矩形に分割して描画せず、特
殊形状のビームを形成し、描画速度を向上するこ
とである。
ーンの全てを細かな矩形に分割して描画せず、特
殊形状のビームを形成し、描画速度を向上するこ
とである。
本発明は上記目的を達成するため、従来知られ
ている可変成形ビームと数個の特殊面積ビームを
組合せるようにしたことを特徴とする。
ている可変成形ビームと数個の特殊面積ビームを
組合せるようにしたことを特徴とする。
以下、本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。第３図は第２アパーチアプレート３０上に９
ケのアパーチアを配置した例である。中央には従
来型の矩形アパーチア３１が配置されており、第
１の矩形アパーチア像３２により複合像３３が形
成される。他のアパーチアは像３２とは十分離れ
た位置にあり、ビームがもれることはないように
しておく。複合像３３の寸法が任意に変えられる
ことは従来と同じである。本発明では像３２を、
たとえば特殊アパーチア３４上の位置３２′に移
動させることにより３４の縮小像を試料上に結像
する。この像により、第２図の単位である図形Ｔ
が細かな矩形に分割することなく一度に描画でき
るわけである。アパーチプレート３０上には現れ
る頻度の高い特殊図形３５，３６等を矩形３１の
まわりに配置しておく。
る。第３図は第２アパーチアプレート３０上に９
ケのアパーチアを配置した例である。中央には従
来型の矩形アパーチア３１が配置されており、第
１の矩形アパーチア像３２により複合像３３が形
成される。他のアパーチアは像３２とは十分離れ
た位置にあり、ビームがもれることはないように
しておく。複合像３３の寸法が任意に変えられる
ことは従来と同じである。本発明では像３２を、
たとえば特殊アパーチア３４上の位置３２′に移
動させることにより３４の縮小像を試料上に結像
する。この像により、第２図の単位である図形Ｔ
が細かな矩形に分割することなく一度に描画でき
るわけである。アパーチプレート３０上には現れ
る頻度の高い特殊図形３５，３６等を矩形３１の
まわりに配置しておく。
また大規模集積回路のパターンには45°の角度
を含む斜め図形が多い。このような図形のために
は、第４図に示したような可変矩形の他に寸法可
変の直角二等辺三角形のビームを形成できる第２
成形アパーチア３０の例を示した。第１矩形アパ
ーチアの像３２を、たとえばアパーチア４０上で
移動させれば複合像４４ができる。矩形アパーチ
ア３１の周辺に、特殊アパーチア４０〜４３を設
けておくと、Ｘ−Ｙ軸に対し４種の方向の45°斜
めパターンが矩形に分割することなく描画でき
る。
を含む斜め図形が多い。このような図形のために
は、第４図に示したような可変矩形の他に寸法可
変の直角二等辺三角形のビームを形成できる第２
成形アパーチア３０の例を示した。第１矩形アパ
ーチアの像３２を、たとえばアパーチア４０上で
移動させれば複合像４４ができる。矩形アパーチ
ア３１の周辺に、特殊アパーチア４０〜４３を設
けておくと、Ｘ−Ｙ軸に対し４種の方向の45°斜
めパターンが矩形に分割することなく描画でき
る。
第５図は上記機能をみたす電子光学系を示す。
なお、第１図と同一部分には同一の番号を付して
いる。第１図に示す従来形の光学系に、新たに選
択コイル５０、ビーム軸アライメントコイル５１
を設ける。第２成形アパーチアプレート３０上に
は矩系アパーチアの他に、現れる頻度の高い特殊
アパーチアが適当な数だけ設けられている。
なお、第１図と同一部分には同一の番号を付して
いる。第１図に示す従来形の光学系に、新たに選
択コイル５０、ビーム軸アライメントコイル５１
を設ける。第２成形アパーチアプレート３０上に
は矩系アパーチアの他に、現れる頻度の高い特殊
アパーチアが適当な数だけ設けられている。
従来と同様に可変矩形ビームを形成する時は偏
向器９によりおこなう。この時、コイル５０，５
１に流す電流は０である。特殊基本図形、たとえ
ば３４を選択する時は、偏向器９の偏向能を解除
し、選択コイル５０に対応する電流を流してビー
ムを２′のように偏向することにより可能である。
たゞし第２アパーチア通過後、ビームが光学軸か
らはずれるのを補正するため、コイル５１に対応
量の電流を流しておく。第４図に示す第２成形ア
パーチアプレートを用いる時は選択コイルにより
ビーム３２を移動した後、偏向器９で可変矩形を
形成した時と同様に重なり部分の大きさを変える
ことができる。
向器９によりおこなう。この時、コイル５０，５
１に流す電流は０である。特殊基本図形、たとえ
ば３４を選択する時は、偏向器９の偏向能を解除
し、選択コイル５０に対応する電流を流してビー
ムを２′のように偏向することにより可能である。
たゞし第２アパーチア通過後、ビームが光学軸か
らはずれるのを補正するため、コイル５１に対応
量の電流を流しておく。第４図に示す第２成形ア
パーチアプレートを用いる時は選択コイルにより
ビーム３２を移動した後、偏向器９で可変矩形を
形成した時と同様に重なり部分の大きさを変える
ことができる。
描画シヨツト数の低減によるスループツト、な
らびパターン精度が向上する。
らびパターン精度が向上する。
第１図は従来形可変成形電子線描画装置の要部
斜視図、第２図は丸みを有するパターンを細かな
矩形ビームで描画する時の分割の様子を示す画面
図、第３図および第４図は本発明に用いる第２成
形アパーチアの一例を示す図、第５図は本発明に
よる装置の光学系の構成を示す図である。 １……電子銃、３……第１成形アパーチア、６
……第２成形アパーチア、８……可変矩形ビー
ム、１０……縮小レンズ、１１……対物レンズ、
１２……ウエハー、１３，１４……偏向器、３０
……特殊アパーチアを有する第２成形アパーチア
プレート、５０……選択コイル、５１……アライ
メントコイル。
斜視図、第２図は丸みを有するパターンを細かな
矩形ビームで描画する時の分割の様子を示す画面
図、第３図および第４図は本発明に用いる第２成
形アパーチアの一例を示す図、第５図は本発明に
よる装置の光学系の構成を示す図である。 １……電子銃、３……第１成形アパーチア、６
……第２成形アパーチア、８……可変矩形ビー
ム、１０……縮小レンズ、１１……対物レンズ、
１２……ウエハー、１３，１４……偏向器、３０
……特殊アパーチアを有する第２成形アパーチア
プレート、５０……選択コイル、５１……アライ
メントコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の矩形アパーチア像を第２のアパーチ
アプレート上に結像することによつて形成された
複合像を試料上に縮小結像することによりパター
ンを描画する電子線描画装置において、第２のア
パーチアプレート上には第２の矩形アパーチアを
含む複数の第２アパーチアを、第１の矩形アパー
チア像が同時に２ケ以上の第２アパーチアに重
なることのないように十分に離して形成してお
き、第１の矩形アパーチア像を第２のアパーチ
アプレート上の任意の一つの第２アパーチア上
に重なるように偏向移動させるアパーチア選択用
の第１の偏向手段と、第１の矩形アパーチア像
とそれと重なる第２アパーチアの重なり状態を
変化させる重なり調節用の第２の偏向手段とを有
することを特徴とする電子線描画装置。 ２ 第１の偏向手段用として第１の偏向器を、第
２の偏向手段用として第２の偏向器を、それぞれ
別個に設けたことを特徴とする第１項記載の電子
線描画装置。 ３ 第１の偏向器として磁界型偏向器を、第２の
偏向器として電界型偏向器を用いることを特徴と
する第２項記載の電子線描画装置。 ４ 第２のアパーチアプレート上の第２の矩形ア
パーチアは第１の偏向手段が付勢されていないと
きに第１のアパーチア像が結像される位置に設け
られていることを特徴とする第１項記載の電子線
描画装置。 ５ 第１のアパーチアプレート上に設けられた第
１の矩形アパーチアに電子線を照射することによ
つて第１の矩形アパーチア像を形成する段階と、
この第１の矩形アパーチア像を第２のアパーチア
プレート上に設けられた複数の第２アパーチアの
うちの任意の一つの上に選択的に重なるように偏
向移動させるアパーチア選択のための第１の偏向
段階と、該第１の偏向段階により選択的に重ねら
れた第１の矩形アパーチア像と第２アパーチアと
の重なり状態を変化させる重なり調節のための第
２の偏向段階と、この第２の偏向段階を経て形成
された第１の矩形アパーチア像と第２アパーチア
との複合像を試料上に縮小結像させることによつ
て該試料上に所望のパターンを描画する段階と、
を含んでなることを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4216583A JPS59169131A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子線描画方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4216583A JPS59169131A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子線描画方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169131A JPS59169131A (ja) | 1984-09-25 |
| JPH0554251B2 true JPH0554251B2 (ja) | 1993-08-12 |
Family
ID=12628345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4216583A Granted JPS59169131A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 電子線描画方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169131A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206828A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 荷電粒子線描画装置 |
| JPS62206829A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 荷電粒子線描画装置 |
| JPH0789533B2 (ja) * | 1986-06-05 | 1995-09-27 | 東芝機械株式会社 | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS6394623A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Hitachi Ltd | 描画装置 |
| JPH0793253B2 (ja) * | 1986-10-31 | 1995-10-09 | 株式会社東芝 | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JP2695795B2 (ja) * | 1987-09-16 | 1998-01-14 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置 |
| JPH02246318A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| US5334845A (en) * | 1989-03-24 | 1994-08-02 | Hitachi Limited | Charged beam exposure method and apparatus as well as aperture stop and production method thereof |
| JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
| US5283440A (en) * | 1990-10-05 | 1994-02-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam writing system used in a cell projection method |
| US7229742B2 (en) * | 2004-04-14 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Methods for improving angled line feature accuracy and throughput using electron beam lithography and electron beam lithography system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396679A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Electron-beam drawing equipment |
| JPS548071A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-22 | Daishowa Giken Kogyo | Method and device for making pouch |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP4216583A patent/JPS59169131A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396679A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Electron-beam drawing equipment |
| JPS548071A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-22 | Daishowa Giken Kogyo | Method and device for making pouch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59169131A (ja) | 1984-09-25 |
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