JPH01117325A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPH01117325A JPH01117325A JP62273291A JP27329187A JPH01117325A JP H01117325 A JPH01117325 A JP H01117325A JP 62273291 A JP62273291 A JP 62273291A JP 27329187 A JP27329187 A JP 27329187A JP H01117325 A JPH01117325 A JP H01117325A
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- electron beam
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- electron
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- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、大ビーム電゛流を使用してそのビーム断面の
形状と大きさとを制御する電子線描画装置の改良に係り
、さらに詳細には、空間電荷の相互作用によるビーム断
面形状のボケを減少させることのできる電子線描画装置
に関するものである。
形状と大きさとを制御する電子線描画装置の改良に係り
、さらに詳細には、空間電荷の相互作用によるビーム断
面形状のボケを減少させることのできる電子線描画装置
に関するものである。
断面固定型の電子線描画装置および断面可変型の電子線
描画装置は、その描画速度が速いので。
描画装置は、その描画速度が速いので。
ＩＣやＬＳＩ素子製作の担い手として期待されている。
第３図は従来提案に係る断面固定型電子線描画装置の全
体構成説明図である。
体構成説明図である。
第３図に示す電子線描画装置において、ビーム［Ｇから
射出された電子ビームは、集束レンズＬｏにより、例え
ば矩形状の通過口Ｈを有するマスクＭｌ上に照射され、
この通過口を通過して矩形状に整形されたビームは、集
束レンズＬ１により、描画試料Ｗ上に縮小投影される。
射出された電子ビームは、集束レンズＬｏにより、例え
ば矩形状の通過口Ｈを有するマスクＭｌ上に照射され、
この通過口を通過して矩形状に整形されたビームは、集
束レンズＬ１により、描画試料Ｗ上に縮小投影される。
そして、前記矩形ビームは、電子計算機により制御され
るビーム偏向手段りにより、試料Ｗ上をディジタル的に
走査する。すなわち、前記のごとく、矩形状のビームで
試料上をディジタル的に走査することにより、矩形のつ
ぎ合せとして、所望のパターンを描いていくものであっ
て、前記した方法は、ビームスポットを走査してぬりつ
ぶす露光方法に比べて、描画時間を大幅に短縮すること
ができる。
るビーム偏向手段りにより、試料Ｗ上をディジタル的に
走査する。すなわち、前記のごとく、矩形状のビームで
試料上をディジタル的に走査することにより、矩形のつ
ぎ合せとして、所望のパターンを描いていくものであっ
て、前記した方法は、ビームスポットを走査してぬりつ
ぶす露光方法に比べて、描画時間を大幅に短縮すること
ができる。
一方、第４図は従来提案に係る断面可変型電子線描画装
置の全体構成説明図であって、これは、例えば正方形、
長方形等の通過口Ｈ□、ＩＩ、を有する２つのマスクＭ
１．Ｍ、の間に偏向手段Ｄ□を配置する。電子ビーム源
Ｇから射出したビームｅ０は、集束レンズＬ０により、
マスクＭ□上に照射される。そして、マスク間工の通過
口Ｈ１を通過した矩形状ビームｅ工は、集束レンズＬ１
を通り。
置の全体構成説明図であって、これは、例えば正方形、
長方形等の通過口Ｈ□、ＩＩ、を有する２つのマスクＭ
１．Ｍ、の間に偏向手段Ｄ□を配置する。電子ビーム源
Ｇから射出したビームｅ０は、集束レンズＬ０により、
マスクＭ□上に照射される。そして、マスク間工の通過
口Ｈ１を通過した矩形状ビームｅ工は、集束レンズＬ１
を通り。
電子計算機で制御される偏向手段Ｄ□により、マスクＭ
、の通過口Ｈ１に対して偏位した位置に。
、の通過口Ｈ１に対して偏位した位置に。
第２の集束レンズＬ８ を介して集束され、その結果、
マスクＭ、の通過口Ｈ２からは、前記通過口Ｈ工とＨ，
との重合せに相当する所望断面形状のビームｅ２が取り
出され、このビームｅ２は、集束レンズＬ２ により、
試料Ｗ上に縮小投影される。
マスクＭ、の通過口Ｈ２からは、前記通過口Ｈ工とＨ，
との重合せに相当する所望断面形状のビームｅ２が取り
出され、このビームｅ２は、集束レンズＬ２ により、
試料Ｗ上に縮小投影される。
そして、前記ビームｅ、は、電子計算機で制御される偏
向手段Ｄ２ により、試料Ｗ上をディジタル的に走査す
る。すなわち、第４図に示す電子線描画装置によれば、
描画すべきパターンに応じてビーム断面形状を変えるこ
とができるので、第３図に示した電子線描画装置に比べ
て、さらに描画時間を大幅に短縮することができる。
向手段Ｄ２ により、試料Ｗ上をディジタル的に走査す
る。すなわち、第４図に示す電子線描画装置によれば、
描画すべきパターンに応じてビーム断面形状を変えるこ
とができるので、第３図に示した電子線描画装置に比べ
て、さらに描画時間を大幅に短縮することができる。
しかしながら、前記した断面可変型の電子線描画装置に
あっては、その目的からして、ビーム電流を大きくとる
必要があり、しかもビーム経路中にビーム断面積が小さ
くなる場所が数個所（クロスオーバＣＯ，Ｃｔ、 Ｃｚ
）存在する。
あっては、その目的からして、ビーム電流を大きくとる
必要があり、しかもビーム経路中にビーム断面積が小さ
くなる場所が数個所（クロスオーバＣＯ，Ｃｔ、 Ｃｚ
）存在する。
このため、ビーム中における電子間の相互反撥効果が無
視できない程大きくなり、描画されるパターンの周辺部
が不明確となって、いわゆるパターン・エツジの解像度
の低下、すなわちボケという問題が生じる。
視できない程大きくなり、描画されるパターンの周辺部
が不明確となって、いわゆるパターン・エツジの解像度
の低下、すなわちボケという問題が生じる。
ところで、前記した電子間の相互反撥効果によるボケは
、一般に、ビーム電流を小さくしたり。
、一般に、ビーム電流を小さくしたり。
ビーム投射光学系の長さを短くすれば小さくなり、従来
は、ビーム電流を、電子ビーム経路の上流側において、
できるだけ早い段階で必要最小限の大きさにすることに
より、電子間の相互反撥効果によるボケを減少させる技
術が提案されている（特開昭５７−４１８１１号および
特開昭５７−４１８１２号）。
は、ビーム電流を、電子ビーム経路の上流側において、
できるだけ早い段階で必要最小限の大きさにすることに
より、電子間の相互反撥効果によるボケを減少させる技
術が提案されている（特開昭５７−４１８１１号および
特開昭５７−４１８１２号）。
しかしながら、従来提案に係る電子線描画装置によれば
、試料上に種々の図形を描画する場合、実際に投影され
る矩形ビームの形状および大きさについて制限を加える
ことになり、ＬＳＩや超ＬＳＩ素子に要求される複雑な
パターン形状に十分対応しているとは云い難く、この点
が改善されれば、電子線描画装置の性能はさらに向上す
る。
、試料上に種々の図形を描画する場合、実際に投影され
る矩形ビームの形状および大きさについて制限を加える
ことになり、ＬＳＩや超ＬＳＩ素子に要求される複雑な
パターン形状に十分対応しているとは云い難く、この点
が改善されれば、電子線描画装置の性能はさらに向上す
る。
本発明は、従来提案に係る断面可変型電子線描画装置を
さらに改良すべく検討の結果なされたものであって、そ
の目的とするところは、試料上に種々の図形を描画する
場合、実際に投影される矩形ビームの形状および大きさ
について制限を加えることなく、電子ビーム光学通路上
のビーム電流を、電子ビーム経路の上流側において、必
要最小限の大きさにし、電子間の相互反撥効果を減少さ
せて、試料上に描画される矩形ビーム像周辺部のボケを
大幅に減少させ、極めて高精度な図形の描画を可能にし
た電子線描画装置を提供しようとするものである。
さらに改良すべく検討の結果なされたものであって、そ
の目的とするところは、試料上に種々の図形を描画する
場合、実際に投影される矩形ビームの形状および大きさ
について制限を加えることなく、電子ビーム光学通路上
のビーム電流を、電子ビーム経路の上流側において、必
要最小限の大きさにし、電子間の相互反撥効果を減少さ
せて、試料上に描画される矩形ビーム像周辺部のボケを
大幅に減少させ、極めて高精度な図形の描画を可能にし
た電子線描画装置を提供しようとするものである。
前記目的は、電子線通過口を有する第１のマスクと、前
記第１のマスクの下位に位置して、同じく電子線通過口
を有する第２のマスクと、前記第１のマスクの像を第２
のマスク上に結像する電子レンズと、前記第１．第２マ
スク間に設けられた偏向手段とを備える電子線描画装置
において、前記二枚のマスクの内、上位に位置するマス
ク板の上方に、当該マスク板の電子線通過口を通過する
電子ビームの電流密度を減少させる偏向器を設置するこ
とによって達成される。
記第１のマスクの下位に位置して、同じく電子線通過口
を有する第２のマスクと、前記第１のマスクの像を第２
のマスク上に結像する電子レンズと、前記第１．第２マ
スク間に設けられた偏向手段とを備える電子線描画装置
において、前記二枚のマスクの内、上位に位置するマス
ク板の上方に、当該マスク板の電子線通過口を通過する
電子ビームの電流密度を減少させる偏向器を設置するこ
とによって達成される。
すなわち、本発明の目的は、第４図に示す断面可変型電
子線描画装置の電子光学系において１例えば正方形、長
方形等の通過口Ｈ１を有するマスクＭＬの上方に、電子
ビーム源Ｇより射出されたビームｅｏを偏向するための
偏向器を配置することによって達成される。
子線描画装置の電子光学系において１例えば正方形、長
方形等の通過口Ｈ１を有するマスクＭＬの上方に、電子
ビーム源Ｇより射出されたビームｅｏを偏向するための
偏向器を配置することによって達成される。
しかして、前記構成よりなる本発明によれば、第４図に
符号Ｒ１で示すマスクの上方に設置された偏向器に電圧
を印加（静電型偏向器の場合）もしくは電流を流す（電
磁型偏向器の場合）ことにより、ｆ！１子源Ｇより射出
されたビームｅｏは、マスクＭｌ上の所望の位置に偏向
され、これにより、電子ビーム光学通路上のビーム電流
を、必要最小限の大きさにすることができ、電子間の相
互反撥作用を減少させて、試料Ｗ上に描画される矩形ビ
ーム周辺部のボケを大幅に減少することができる。
符号Ｒ１で示すマスクの上方に設置された偏向器に電圧
を印加（静電型偏向器の場合）もしくは電流を流す（電
磁型偏向器の場合）ことにより、ｆ！１子源Ｇより射出
されたビームｅｏは、マスクＭｌ上の所望の位置に偏向
され、これにより、電子ビーム光学通路上のビーム電流
を、必要最小限の大きさにすることができ、電子間の相
互反撥作用を減少させて、試料Ｗ上に描画される矩形ビ
ーム周辺部のボケを大幅に減少することができる。
以下、本発明を、第１図および第２図にもとづいて説明
すると、第１図は本発明に係る断面可変型電子線描画装
置の一実施例を示す全体構成説明図、第２図（ａ）およ
び（ｂ）は本発明の動作を補足する図であり、第１図お
よび第２図において、第４図に示す従来提案の断面可変
型電子線描画装置と同一符号は同一部分を示している。
すると、第１図は本発明に係る断面可変型電子線描画装
置の一実施例を示す全体構成説明図、第２図（ａ）およ
び（ｂ）は本発明の動作を補足する図であり、第１図お
よび第２図において、第４図に示す従来提案の断面可変
型電子線描画装置と同一符号は同一部分を示している。
そして、第１図の実施例においては、第１マスクＭ１の
直ぐ上方に、静電型の偏向器Ｄ３が配置されている。な
お、第１マスクＭｌの上方に配置される偏向器は、第１
図に示す１段型の静電偏向器に代えて、第２図（ａ）に
示すように、２段型の静電偏向器Ｄａ、Ｄ’ ａであっ
てもよく、さらには、１段もしくは２段からなる電磁型
偏向器であってもよい。
直ぐ上方に、静電型の偏向器Ｄ３が配置されている。な
お、第１マスクＭｌの上方に配置される偏向器は、第１
図に示す１段型の静電偏向器に代えて、第２図（ａ）に
示すように、２段型の静電偏向器Ｄａ、Ｄ’ ａであっ
てもよく、さらには、１段もしくは２段からなる電磁型
偏向器であってもよい。
しかして１例えば第２図（ａ）に示す静電偏向器Ｄａ、
Ｄ’ ａに電圧を印加することにより、集束レンズＬｏ
によって第１マスクＭｌ上に集束された電子銃Ｇからの
電子ビームｅｏは、第２図（ｂ）に示すように、ビーム
ｅ’ｏ として、第１マスクＭ□上に偏向照射される。
Ｄ’ ａに電圧を印加することにより、集束レンズＬｏ
によって第１マスクＭｌ上に集束された電子銃Ｇからの
電子ビームｅｏは、第２図（ｂ）に示すように、ビーム
ｅ’ｏ として、第１マスクＭ□上に偏向照射される。
すなわち、偏向器に対する偏向電圧の印加具合により１
例えば第２図（ｂ）に示すように、電子銃Ｇからの電子
ビームが、第１マスクＭ１上でｅ’ｏの位置に集束照射
され、第１マスクＭ１により、大部分の電子ビームがカ
ットされ、ビームｅ′ｏのみ通過させるようにする。そ
して、半円錐状の断面を有する前記電子ビームｅ“０は
、第１図に符号ｅｌで示すように、ｉ！！子レンしＬ１
により、第２マスクＭ、上に結像・投影されると同時に
、偏向器Ｄ１によって偏向され、前記電子ビームｅ１と
第２マスクＭ１の孔Ｈ２との重なりにより、第１図に符
号ｅ３で示すごとき断面を有する電子ビームが、投影レ
ンズＬ２ によって、例えば１１５に縮小されて、試料
Ｗ上に投影される。なお、前記静電偏向器Ｄ３およびＤ
′、によるビーム偏向量は、第１マスクＭ１の孔Ｈ１を
通過する電子ビームｅ１の断面のどの部分が所望断面形
状および大きさを形成するのに必要かを念頭に置いてお
こなわれる。すなわち、従来は、第４図に示すように、
第１マスクＭ１の孔Ｈ１（１００ｕｍｘｌＯＯμｍ）を
通過した電子ビームｅ１を第２マスクＭ２の孔Ｈ２に重
ね、所望の断面形状を有する電子ビームを得るようにし
ていたが、本発明、例えば第２図（ａ）の実施例におい
ては、静電偏向器Ｄ３およびＤ′、により、電子ビーム
ｅ、を偏向（ｅ ／。）することにより、第２マスク（
第１図の符号Ｍ２参照）上に照射される電子ビームの形
状は、第２図（ｂ）のｅ′。形状となる。その結果、第
１マスクＭ１の孔Ｈ１を通過し、第２マスクＭ２上に集
束される電子ビーム（第１図の符号ｅ工参照）の量は、
第４図に示す従来型電子線描画装置のそれと比較して、
１７２以下となり、これは、取りも直さず、第１図に示
すクロスオーバ点Ｃ工近傍におけるビーム電流密度が、
第４図に示す従来型電子線描画装置のＣ□近傍における
ビーム電流密度の１／２以下に減少したことに等しく、
その結果、第２マスクＭ２ の孔Ｈ２を通過して試料Ｗ
上に投影される矩形ビームｅ、の形状および大きさにつ
いて制限を加えることなく、電子ビーム光学通路上のビ
ーム電流を、電子ビーム経路の上流側において、必要最
小限の大きさにし、電子間の相互反撥効果を減少させて
。
例えば第２図（ｂ）に示すように、電子銃Ｇからの電子
ビームが、第１マスクＭ１上でｅ’ｏの位置に集束照射
され、第１マスクＭ１により、大部分の電子ビームがカ
ットされ、ビームｅ′ｏのみ通過させるようにする。そ
して、半円錐状の断面を有する前記電子ビームｅ“０は
、第１図に符号ｅｌで示すように、ｉ！！子レンしＬ１
により、第２マスクＭ、上に結像・投影されると同時に
、偏向器Ｄ１によって偏向され、前記電子ビームｅ１と
第２マスクＭ１の孔Ｈ２との重なりにより、第１図に符
号ｅ３で示すごとき断面を有する電子ビームが、投影レ
ンズＬ２ によって、例えば１１５に縮小されて、試料
Ｗ上に投影される。なお、前記静電偏向器Ｄ３およびＤ
′、によるビーム偏向量は、第１マスクＭ１の孔Ｈ１を
通過する電子ビームｅ１の断面のどの部分が所望断面形
状および大きさを形成するのに必要かを念頭に置いてお
こなわれる。すなわち、従来は、第４図に示すように、
第１マスクＭ１の孔Ｈ１（１００ｕｍｘｌＯＯμｍ）を
通過した電子ビームｅ１を第２マスクＭ２の孔Ｈ２に重
ね、所望の断面形状を有する電子ビームを得るようにし
ていたが、本発明、例えば第２図（ａ）の実施例におい
ては、静電偏向器Ｄ３およびＤ′、により、電子ビーム
ｅ、を偏向（ｅ ／。）することにより、第２マスク（
第１図の符号Ｍ２参照）上に照射される電子ビームの形
状は、第２図（ｂ）のｅ′。形状となる。その結果、第
１マスクＭ１の孔Ｈ１を通過し、第２マスクＭ２上に集
束される電子ビーム（第１図の符号ｅ工参照）の量は、
第４図に示す従来型電子線描画装置のそれと比較して、
１７２以下となり、これは、取りも直さず、第１図に示
すクロスオーバ点Ｃ工近傍におけるビーム電流密度が、
第４図に示す従来型電子線描画装置のＣ□近傍における
ビーム電流密度の１／２以下に減少したことに等しく、
その結果、第２マスクＭ２ の孔Ｈ２を通過して試料Ｗ
上に投影される矩形ビームｅ、の形状および大きさにつ
いて制限を加えることなく、電子ビーム光学通路上のビ
ーム電流を、電子ビーム経路の上流側において、必要最
小限の大きさにし、電子間の相互反撥効果を減少させて
。
試料Ｗ上に描画される矩形ビーム像周辺部のボケを大幅
に減少させることができる。
に減少させることができる。
本発明は以上のごときであり、図示実施例の説明から明
らかなように、本発明によれば、試料上に種々の図形を
描画する場合、実際に投影される矩形ビームの形状およ
び大きさについて制限を加えることなく、電子ビーム光
学通路上のビーム電流を、電子ビーム経路の上流側にお
いて、必要最小限の大きさにし、電子間の相互反撥効果
を減少させて、試料上に描画される矩形ビーム像周辺部
のボケを大幅に減少させ、極めて高精度な図形の描画を
可能にした、改良された電子線描画装置を提供すること
ができる。
らかなように、本発明によれば、試料上に種々の図形を
描画する場合、実際に投影される矩形ビームの形状およ
び大きさについて制限を加えることなく、電子ビーム光
学通路上のビーム電流を、電子ビーム経路の上流側にお
いて、必要最小限の大きさにし、電子間の相互反撥効果
を減少させて、試料上に描画される矩形ビーム像周辺部
のボケを大幅に減少させ、極めて高精度な図形の描画を
可能にした、改良された電子線描画装置を提供すること
ができる。
第１図は本発明に係る断面可変型電子線描画装置の一実
施例を示す全体構成説明図、第２図（ａ）および（ｂ）
は本発明の動作を補足説明する図、第３図は従来提案に
係る断面固定型電子線描画装置の全体構成説明図、第４
図は同じ〈従来提案に係る断面可変型電子線描画装置の
全体構成説明図である。 Ｍｌ・・・第１マスク、Ｈｌ・・・第１マスクの孔、Ｍ
２・・・第２マスク、Ｈｌ・・・第２マスクの孔、Ｄ３
・・・静電偏向器、 ８０１ ｅ’ ０＠ ｅ’ Ｏｓ
ｅｌｓ ｅ３ ”・電子ビーム、Ｗ・・・試料。 范１図 寓λ図 （α） （ｂ）
施例を示す全体構成説明図、第２図（ａ）および（ｂ）
は本発明の動作を補足説明する図、第３図は従来提案に
係る断面固定型電子線描画装置の全体構成説明図、第４
図は同じ〈従来提案に係る断面可変型電子線描画装置の
全体構成説明図である。 Ｍｌ・・・第１マスク、Ｈｌ・・・第１マスクの孔、Ｍ
２・・・第２マスク、Ｈｌ・・・第２マスクの孔、Ｄ３
・・・静電偏向器、 ８０１ ｅ’ ０＠ ｅ’ Ｏｓ
ｅｌｓ ｅ３ ”・電子ビーム、Ｗ・・・試料。 范１図 寓λ図 （α） （ｂ）
Claims (1)
- １、電子線通過口を有する第１のマスクと、前記第１の
マスクの下位に位置して、同じく電子線通過口を有する
第２のマスクと、前記第１のマスクの像を第２のマスク
上に結像する電子レンズと、前記第１、第２マスク間に
設けられた偏向手段とを備える電子線描画装置において
、前記二枚のマスクの内、上位に位置するマスク板の上
方に、当該マスク板の電子線通過口を通過する電子ビー
ムのビーム電流密度を減少させる偏向器を設置したこと
を特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62273291A JPH01117325A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62273291A JPH01117325A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117325A true JPH01117325A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17525804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62273291A Pending JPH01117325A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117325A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264411A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光での近接効果補正方法 |
| JP2003109900A (ja) * | 2002-09-02 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 電子ビーム露光での近接効果補正方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148980A (en) * | 1977-05-31 | 1978-12-26 | Rikagaku Kenkyusho | Method of projecting charged particle beam |
| JPS62249417A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Vlsi Eng Corp | 電子線描画装置 |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62273291A patent/JPH01117325A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148980A (en) * | 1977-05-31 | 1978-12-26 | Rikagaku Kenkyusho | Method of projecting charged particle beam |
| JPS62249417A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Vlsi Eng Corp | 電子線描画装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264411A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光での近接効果補正方法 |
| JP2003109900A (ja) * | 2002-09-02 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 電子ビーム露光での近接効果補正方法 |
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