JP3086238B2 - 荷電粒子ビーム露光装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光装置Info
- Publication number
- JP3086238B2 JP3086238B2 JP02217846A JP21784690A JP3086238B2 JP 3086238 B2 JP3086238 B2 JP 3086238B2 JP 02217846 A JP02217846 A JP 02217846A JP 21784690 A JP21784690 A JP 21784690A JP 3086238 B2 JP3086238 B2 JP 3086238B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- stripe
- block
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
ブロックマスク（ステンシルマスク）を使用し、か
つ、連続ステージ移動方式、即ち、試料面上を荷電粒子
ビームが偏向できる幅の同一方向の複数のストライプに
区分し、これら複数のストライプを一端のストライプか
ら順にその長手方向に沿って連続露光する荷電粒子ビー
ム露光方法に関し、 ブロックマスクの移動によるスループットの低下を避
けることを目的とし、 ブロックマスクの各エリアに、一つのストライプに用
いる全てのブロックパターンを形成し、かつ、複数のス
トライプ中、同一のパターンを形成すべきストライプに
ついて共通に用いるブロックパターンを形成して、ブロ
ックマスクの移動は、一つのストライプの露光終了後、
他のストライプを露光する際のステージ移動をする時に
行う。
つ、連続ステージ移動方式、即ち、試料面上を荷電粒子
ビームが偏向できる幅の同一方向の複数のストライプに
区分し、これら複数のストライプを一端のストライプか
ら順にその長手方向に沿って連続露光する荷電粒子ビー
ム露光方法に関し、 ブロックマスクの移動によるスループットの低下を避
けることを目的とし、 ブロックマスクの各エリアに、一つのストライプに用
いる全てのブロックパターンを形成し、かつ、複数のス
トライプ中、同一のパターンを形成すべきストライプに
ついて共通に用いるブロックパターンを形成して、ブロ
ックマスクの移動は、一つのストライプの露光終了後、
他のストライプを露光する際のステージ移動をする時に
行う。
【０００２】
本発明は、LSI製造工程において使用される電子ビー
ム露光方法等、荷電粒子ビーム露光方法、より詳しく
は、ブロックマスク（ステンシルマスク）を使用し、か
つ、連続ステージ移動方式、即ち、試料面上を荷電粒子
ビームが偏向できる幅の同一方向の複数のストライプに
区分し、これら複数のストライプを一端のストライプか
ら順にその長手方向に沿って連続露光する荷電粒子ビー
ム露光方法に関する。
ム露光方法等、荷電粒子ビーム露光方法、より詳しく
は、ブロックマスク（ステンシルマスク）を使用し、か
つ、連続ステージ移動方式、即ち、試料面上を荷電粒子
ビームが偏向できる幅の同一方向の複数のストライプに
区分し、これら複数のストライプを一端のストライプか
ら順にその長手方向に沿って連続露光する荷電粒子ビー
ム露光方法に関する。
【０００３】
従来、電子ビーム露光装置として第２図にその要部を
示すようなものが提案されている。図中、１は電子銃で
あって、この電子銃１は、カソード電極２、グリッド電
極３、アノード電極４を設けて構成されている。
示すようなものが提案されている。図中、１は電子銃で
あって、この電子銃１は、カソード電極２、グリッド電
極３、アノード電極４を設けて構成されている。
【０００４】 また、５は電子ビーム、６は電子ビーム５を矩形に成
形する矩形成形アパーチャ、７は光軸、８は矩形に成形
された電子ビーム５を収束する電磁レンズ、９は可変矩
形成形用の偏向器、10は電子ビーム５を平行ビームにす
る電磁レンズである。
形する矩形成形アパーチャ、７は光軸、８は矩形に成形
された電子ビーム５を収束する電磁レンズ、９は可変矩
形成形用の偏向器、10は電子ビーム５を平行ビームにす
る電磁レンズである。
【０００５】 また、11はブロックマスク、12はブロックマスク11を
必要に応じて平行移動させるマスク移動機構であって、
ブロックマスク11は、第３図に示すように、基盤13上に
エリアと呼ばれる領域14を設定すると共に、このエリア
14に、第４図にも示すように、ブロックと呼ばれる領域
15を設け、このブロック15に所望の透過パターン、いわ
ゆるブロックパターン16を形成して構成されている。こ
こに、エリア14は、電子ビーム５を偏向できる領域であ
り、したがって、エリア14の選択は、マスク移動機構12
によるブロックマスク11の移動によって行われる。
必要に応じて平行移動させるマスク移動機構であって、
ブロックマスク11は、第３図に示すように、基盤13上に
エリアと呼ばれる領域14を設定すると共に、このエリア
14に、第４図にも示すように、ブロックと呼ばれる領域
15を設け、このブロック15に所望の透過パターン、いわ
ゆるブロックパターン16を形成して構成されている。こ
こに、エリア14は、電子ビーム５を偏向できる領域であ
り、したがって、エリア14の選択は、マスク移動機構12
によるブロックマスク11の移動によって行われる。
【０００６】 また、第２図において、17はブロックマスク11に形成
されているブロックパターン16中、所望のブロックパタ
ーンの選択を行うマスク偏向部であって、このマスク偏
向部17は、静電偏向器からなる４個の偏向器18〜21を配
置して構成されている。ここに、電子ビーム５は、偏向
器18によって、選択されたブロックパターン16の方向に
偏向された後、偏向器19によって垂直方向に偏向され
て、選択されたブロックパターン16を通過する。このブ
ロックパターン16を通過した電子ビーム５は、偏向器20
によって光軸７に向かって偏向された後、偏向器21によ
って光軸７上に乗せられる。
されているブロックパターン16中、所望のブロックパタ
ーンの選択を行うマスク偏向部であって、このマスク偏
向部17は、静電偏向器からなる４個の偏向器18〜21を配
置して構成されている。ここに、電子ビーム５は、偏向
器18によって、選択されたブロックパターン16の方向に
偏向された後、偏向器19によって垂直方向に偏向され
て、選択されたブロックパターン16を通過する。このブ
ロックパターン16を通過した電子ビーム５は、偏向器20
によって光軸７に向かって偏向された後、偏向器21によ
って光軸７上に乗せられる。
【０００７】 また、22は平行ビーム化された電子ビーム５を収束す
る電磁レンズ、23は電子ビーム５の遮断、通過を制御す
るブランキング電極、24は縮小レンズ、25は絞りアパー
チャ、26、27は投影レンズ、28は電磁偏向器からなるメ
インデフレクタ（主偏向器）、29は静電偏向器からなる
サブデフレクタ（副偏向器）、30は試料であるウエハ、
31はウエハ30を載置するウエハステージである。
る電磁レンズ、23は電子ビーム５の遮断、通過を制御す
るブランキング電極、24は縮小レンズ、25は絞りアパー
チャ、26、27は投影レンズ、28は電磁偏向器からなるメ
インデフレクタ（主偏向器）、29は静電偏向器からなる
サブデフレクタ（副偏向器）、30は試料であるウエハ、
31はウエハ30を載置するウエハステージである。
【０００８】 かかる電子ビーム露光装置においては、種々のブロッ
クパターン16を形成したブロックマスク11を使用してい
るので、メモリLSI等につき露光を行う場合には、可変
矩形方式により全てのパターンを露光する電子ビーム露
光装置に比較して、スループットを高めることができ
る。
クパターン16を形成したブロックマスク11を使用してい
るので、メモリLSI等につき露光を行う場合には、可変
矩形方式により全てのパターンを露光する電子ビーム露
光装置に比較して、スループットを高めることができ
る。
【０００９】
しかしながら、かかる電子ビーム露光装置において
は、エリア14の選択を行う場合、マスク移動機構12によ
るブロックマスク11の移動を必要とするため、エリア14
の選択を頻繁に行う場合には、かえって、スループット
の低下を招いてしまう。したがって、各エリア14にどの
ようなブロックパターン16を形成するかは、重要な問題
である。
は、エリア14の選択を行う場合、マスク移動機構12によ
るブロックマスク11の移動を必要とするため、エリア14
の選択を頻繁に行う場合には、かえって、スループット
の低下を招いてしまう。したがって、各エリア14にどの
ようなブロックパターン16を形成するかは、重要な問題
である。
【００１０】 例えば、第５図に示すように、ウエハ30を、電子ビー
ム５を偏向させることができる幅のストライプ321〜32n
に区分し、ウエハステージ31を移動して、一端のストラ
イプ321から順に、矢印33で示すように各ストライプ321
〜32nをその長手方向に沿って連続露光する場合におい
て、あるストライプ、例えば、ストライプ321を露光す
るに必要なブロックパターン16が複数、例えば、２個の
エリア14にまたがって形成されていると、ストライプ32
1の露光途中で、ブロックマスク11の移動を行わなけれ
ばならず、このようにする場合には、スループットの低
下を招いてしまう。
ム５を偏向させることができる幅のストライプ321〜32n
に区分し、ウエハステージ31を移動して、一端のストラ
イプ321から順に、矢印33で示すように各ストライプ321
〜32nをその長手方向に沿って連続露光する場合におい
て、あるストライプ、例えば、ストライプ321を露光す
るに必要なブロックパターン16が複数、例えば、２個の
エリア14にまたがって形成されていると、ストライプ32
1の露光途中で、ブロックマスク11の移動を行わなけれ
ばならず、このようにする場合には、スループットの低
下を招いてしまう。
【００１１】 本発明は、かかる点に鑑み、ブロックマスクの移動に
よるスループットの低下を避けることができるようにし
た荷電粒子ビーム露光方法を提供することを目的とす
る。
よるスループットの低下を避けることができるようにし
た荷電粒子ビーム露光方法を提供することを目的とす
る。
【００１２】
本発明による荷電粒子ビーム露光方法は、光軸上に、
荷電粒子ビーム発生源側から順に、多角形の１個の透過
パターンを形成してなる第１の荷電粒子ビーム成形板
と、荷電粒子ビームを偏向できる広さを単位とする複数
の透過パターン形成領域（エリア）を設け、これら複数
の透過パターン形成領域（エリア）の各々に種々の形状
の複数の透過パターン（ブロックパターン）を形成して
なる第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマスク）と
を配置し、前記荷電粒子ビーム発生源から発生した前記
荷電粒子ビームを前記第１の荷電粒子ビーム成形板によ
って多角形に成形した後、該多角形に成形した荷電粒子
ビームを前記第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマ
スク）の所望の透過パターン形成領域（エリア）の所望
の透過パターン（ブロックパターン）を通過させて所望
のパターンに成形し、該所望のパターンに成形した荷電
粒子ビームを試料に露光し、かつ、前記試料面上を前記
荷電粒子ビームが偏向できる幅の同一方向の複数のスト
ライプに区分し、該複数のストライプを、一端のストラ
イプから順にその長手方向に沿って連続露光する荷電粒
子ビーム露光方法において、前記第２の荷電粒子ビーム
成形板（ブロックマスク）に設けられている各透過パタ
ーン形成領域（エリア）に、一つのストライプに用いる
全ての透過パターン（ブロックパターン）を形成し、か
つ、前記複数のストライプ中、同一のパターンを形成す
べきストライプについて共通に用いる透過パターン（ブ
ロックパターン）を形成して、前記第２の荷電粒子ビー
ム成形板（ブロックマスク）の移動は、一つのストライ
プの露光終了後、他のストライプを露光する際のステー
ジ移動をする時に行う、というものである。
荷電粒子ビーム発生源側から順に、多角形の１個の透過
パターンを形成してなる第１の荷電粒子ビーム成形板
と、荷電粒子ビームを偏向できる広さを単位とする複数
の透過パターン形成領域（エリア）を設け、これら複数
の透過パターン形成領域（エリア）の各々に種々の形状
の複数の透過パターン（ブロックパターン）を形成して
なる第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマスク）と
を配置し、前記荷電粒子ビーム発生源から発生した前記
荷電粒子ビームを前記第１の荷電粒子ビーム成形板によ
って多角形に成形した後、該多角形に成形した荷電粒子
ビームを前記第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマ
スク）の所望の透過パターン形成領域（エリア）の所望
の透過パターン（ブロックパターン）を通過させて所望
のパターンに成形し、該所望のパターンに成形した荷電
粒子ビームを試料に露光し、かつ、前記試料面上を前記
荷電粒子ビームが偏向できる幅の同一方向の複数のスト
ライプに区分し、該複数のストライプを、一端のストラ
イプから順にその長手方向に沿って連続露光する荷電粒
子ビーム露光方法において、前記第２の荷電粒子ビーム
成形板（ブロックマスク）に設けられている各透過パタ
ーン形成領域（エリア）に、一つのストライプに用いる
全ての透過パターン（ブロックパターン）を形成し、か
つ、前記複数のストライプ中、同一のパターンを形成す
べきストライプについて共通に用いる透過パターン（ブ
ロックパターン）を形成して、前記第２の荷電粒子ビー
ム成形板（ブロックマスク）の移動は、一つのストライ
プの露光終了後、他のストライプを露光する際のステー
ジ移動をする時に行う、というものである。
【００１３】
本発明においては、第２の荷電粒子ビーム成形板（ブ
ロックマスク）の各透過パターン形成領域（エリア）
に、一つのストライプに用いる全ての透過パターンを形
成し、かつ、複数のストライプ中、同一のパターンを形
成すべきストライプについて共通に用いる透過パターン
を形成するとしている。換言すれば、第２の荷電粒子ビ
ーム成形板（ブロックマスク）の各透過パターン形成領
域（エリア）は、複数のストライプ中、同一のパターン
を形成すべきストライプに専用に使用されることにな
り、一つのストライプの露光途中に他の透過パターン形
成領域（エリア）を選択することがないようにしてい
る。即ち、一つのストライプの露光途中に第２の荷電粒
子ビーム成形板（ブロックマスク）の移動が行われるこ
とがないようにしている。そこで、また、本発明におい
ては、第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマスク）
の移動は、一つのストライプの露光終了後、他のストラ
イプを露光する際のステージ移動をする時に行うとして
いる。したがって、本発明によれば、第２の荷電粒子ビ
ーム成形板（ブロックマスク）を移動することに基づく
スループットの低下を避けることができる。
ロックマスク）の各透過パターン形成領域（エリア）
に、一つのストライプに用いる全ての透過パターンを形
成し、かつ、複数のストライプ中、同一のパターンを形
成すべきストライプについて共通に用いる透過パターン
を形成するとしている。換言すれば、第２の荷電粒子ビ
ーム成形板（ブロックマスク）の各透過パターン形成領
域（エリア）は、複数のストライプ中、同一のパターン
を形成すべきストライプに専用に使用されることにな
り、一つのストライプの露光途中に他の透過パターン形
成領域（エリア）を選択することがないようにしてい
る。即ち、一つのストライプの露光途中に第２の荷電粒
子ビーム成形板（ブロックマスク）の移動が行われるこ
とがないようにしている。そこで、また、本発明におい
ては、第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマスク）
の移動は、一つのストライプの露光終了後、他のストラ
イプを露光する際のステージ移動をする時に行うとして
いる。したがって、本発明によれば、第２の荷電粒子ビ
ーム成形板（ブロックマスク）を移動することに基づく
スループットの低下を避けることができる。
【００１４】
第１図は、本発明の一実施例の内容を説明するための
図であって、ウエハ30及びブロックマスク11の一部を示
している。本実施例は、例えば、チップ34を４分割する
ようなストライプ321〜32nで露光する場合を例にするも
のである。
図であって、ウエハ30及びブロックマスク11の一部を示
している。本実施例は、例えば、チップ34を４分割する
ようなストライプ321〜32nで露光する場合を例にするも
のである。
【００１５】 ここで、仮に、チップ34が全て同一品種であれば、ス
トライプ321、325・・・32n-3は同一パターンを描くこ
とになる。ストライプ322、326・・・32n-2、ストライ
プ323、327・・・32n-1、ストライプ324、328・・・32n
についても同様である。
トライプ321、325・・・32n-3は同一パターンを描くこ
とになる。ストライプ322、326・・・32n-2、ストライ
プ323、327・・・32n-1、ストライプ324、328・・・32n
についても同様である。
【００１６】 そこで、本実施例においては、ブロックマスク11に、
少なくとも、ストライプ321、325・・・32n-3用のエリ
ア351と、ストライプ322、326・・・32n-2用のエリア35
2と、ストライプ323、327・・・32n-1用のエリア35
3と、ストライプ324、328・・・32n用のエリア354を設
ける。
少なくとも、ストライプ321、325・・・32n-3用のエリ
ア351と、ストライプ322、326・・・32n-2用のエリア35
2と、ストライプ323、327・・・32n-1用のエリア35
3と、ストライプ324、328・・・32n用のエリア354を設
ける。
【００１７】 そして、エリア351には、ストライプ321、325・・・3
2n-3に必要なブロックパターン361〜36nを形成し、エリ
ア352には、ストライプ322、326・・・32n-2に必要なブ
ロックパターン371〜37nを形成し、エリア353には、ス
トライプ323、327・・・32n-1に必要なブロックパター
ン381〜38nを形成し、エリア354には、ストライプ324、
328・・・32nに必要なブロックパターン391〜39nを形成
する。
2n-3に必要なブロックパターン361〜36nを形成し、エリ
ア352には、ストライプ322、326・・・32n-2に必要なブ
ロックパターン371〜37nを形成し、エリア353には、ス
トライプ323、327・・・32n-1に必要なブロックパター
ン381〜38nを形成し、エリア354には、ストライプ324、
328・・・32nに必要なブロックパターン391〜39nを形成
する。
【００１８】 この場合、ブロックパターン361〜36n、371〜37n、38
1〜38n、391〜39nには、それぞれ、使用頻度の高いブロ
ックパターンの他、可変矩形成形用のブロックパターン
や、可変三角形成形用のブロックパターンを形成してお
く。これは、使用頻度の低いパターンは、可変矩形成形
用のブロックパターンや、可変三角形成形用のブロック
パターンで形成する趣旨である。
1〜38n、391〜39nには、それぞれ、使用頻度の高いブロ
ックパターンの他、可変矩形成形用のブロックパターン
や、可変三角形成形用のブロックパターンを形成してお
く。これは、使用頻度の低いパターンは、可変矩形成形
用のブロックパターンや、可変三角形成形用のブロック
パターンで形成する趣旨である。
【００１９】 そして、ストライプ321、325・・・32n-3の部分は、
それぞれエリア351のブロックパターン361〜36nを使用
して露光し、ストライプ322、326・・・32n-2の部分
は、それぞれエリア352のブロックパターン371〜37nを
使用して露光し、ストライプ323〜327・・・32n-1の部
分は、それぞれエリア353のブロックパターン381〜38n
を使用して露光し、ストライプ324、328・・・32nの部
分は、それぞれエリア354のブロックパターン391〜39n
を使用して露光する。
それぞれエリア351のブロックパターン361〜36nを使用
して露光し、ストライプ322、326・・・32n-2の部分
は、それぞれエリア352のブロックパターン371〜37nを
使用して露光し、ストライプ323〜327・・・32n-1の部
分は、それぞれエリア353のブロックパターン381〜38n
を使用して露光し、ストライプ324、328・・・32nの部
分は、それぞれエリア354のブロックパターン391〜39n
を使用して露光する。
【００２０】 この結果、一つのストライプ部分の露光途中にブロッ
クマスク11の移動が行われることはなく、かかるブロッ
クマスク11の移動は、一つのストライプ部分の露光終了
後、他のストライプを露光可能領域に移動させるための
ステージ移動の際にのみ行われることになる。したがっ
て、本実施例によれば、ブロックマスク11を移動するこ
とに基づくスループットの低下を避けることができる。
クマスク11の移動が行われることはなく、かかるブロッ
クマスク11の移動は、一つのストライプ部分の露光終了
後、他のストライプを露光可能領域に移動させるための
ステージ移動の際にのみ行われることになる。したがっ
て、本実施例によれば、ブロックマスク11を移動するこ
とに基づくスループットの低下を避けることができる。
【００２１】
以上のように、本発明によれば、第２の荷電粒子ビー
ム成形板（ブロックマスク）の各透過パターン形成領域
（エリア）に、一つのストライプに用いる全ての透過パ
ターン（ブロックパターン）を形成し、かつ、複数のス
トライプ中、同一のパターンを形成すべきストライプに
ついて共通に用いる透過パターン（ブロックパターン）
を形成して、第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマ
スク）の移動は、一つのストライプの露光終了後、他の
ストライプを露光する際のステージ移動をする時に行う
としているので、第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロッ
クマスク）を移動することに基づくスループットの低下
を避けることができる。
ム成形板（ブロックマスク）の各透過パターン形成領域
（エリア）に、一つのストライプに用いる全ての透過パ
ターン（ブロックパターン）を形成し、かつ、複数のス
トライプ中、同一のパターンを形成すべきストライプに
ついて共通に用いる透過パターン（ブロックパターン）
を形成して、第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロックマ
スク）の移動は、一つのストライプの露光終了後、他の
ストライプを露光する際のステージ移動をする時に行う
としているので、第２の荷電粒子ビーム成形板（ブロッ
クマスク）を移動することに基づくスループットの低下
を避けることができる。
【図１】 本発明の一実施例の内容を説明するための図である。
【図２】 従来の電子ビーム露光装置の一例の要部を示す概念図で
ある。
ある。
【図３】 ブロックマスクを示す平面図である。
【図４】 ブロックマスクの１つのエリアを示す平面図である。
【図５】 連続ステージ移動方式による露光方法を示す図である。
30……ウエハ 321〜32n……ストライプ 33……露光順序を示す矢印 34……チップ 351〜354……エリア 361〜36n……ブロックパターン 371〜37n……ブロックパターン 381〜38n……ブロックパターン 391〜39n……ブロックパターン
フロントページの続き (72)発明者 安田 洋 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 川島 憲一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−111012（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−114513（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−114221（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−183926（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−73713（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−88626（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】光軸上に、荷電粒子ビーム発生源側から順
に、多角形の１個の透過パターンを形成してなる第１の
荷電粒子ビーム成形板と、荷電粒子ビームを偏向できる
広さを単位とする複数の透過パターン形成領域を設け、
該複数の透過パターン形成領域の各々に種々の形状の複
数の透過パターンを形成してなる第２の荷電粒子ビーム
成形板とを配置し、 前記荷電粒子ビーム発生源から発生した前記荷電粒子ビ
ームを前記第１の荷電粒子ビーム成形板によって多角形
に成形した後、該多角形に成形した荷電粒子ビームを前
記第２の荷電粒子ビーム成形板の所望の透過パターン形
成領域の所望の透過パターンを通過させて所望のパター
ンに成形し、該所望のパターンに成形した荷電粒子ビー
ムを試料に露光し、かつ、前記試料面上を前記荷電粒子
ビームが偏向できる幅の同一方向の複数のストライプに
区分し、該複数のストライプを、一端のストライプから
順にその長手方向に沿って連続露光する荷電粒子ビーム
露光方法において、 前記第２の荷電粒子ビーム成形板に設けられている各透
過パターン形成領域に、一つのストライプに用いる全て
の透過パターンを形成し、かつ、前記複数のストライプ
中、同一のパターンを形成すべきストライプについて共
通に用いる透過パターンを形成して、 前記第２の荷電粒子ビーム成形板の移動は、一つのスト
ライプの露光終了後、他のストライプを露光する際のス
テージ移動をする時に行われることを特徴とする荷電粒
子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02217846A JP3086238B2 (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02217846A JP3086238B2 (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100204A JPH04100204A (ja) | 1992-04-02 |
| JP3086238B2 true JP3086238B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=16710681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02217846A Expired - Fee Related JP3086238B2 (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 荷電粒子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3086238B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP02217846A patent/JP3086238B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04100204A (ja) | 1992-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6472672B1 (en) | Electron beam exposure apparatus and its control method | |
| EP1253619A2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus and device manufacturing method using same | |
| US20020125444A1 (en) | Illumination-beam scanning configurations and methods for charged-particle-beam microlithography | |
| JP3601630B2 (ja) | 荷電粒子線転写方法 | |
| US6573014B2 (en) | Charged-particle-beam microlithography methods for exposing a segmented reticle | |
| KR20010014831A (ko) | 전자빔 노출 장치 | |
| JP2830854B2 (ja) | 電子ビーム用マスクおよび露光方法 | |
| JPH09199389A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| US6307209B1 (en) | Pattern-transfer method and apparatus | |
| JP2647000B2 (ja) | 電子ビームの露光方法 | |
| JPH0316775B2 (ja) | ||
| JPH0554251B2 (ja) | ||
| WO2000075954A2 (en) | Apparatus and method for forming a charged particle beam of arbitrary shape | |
| JP3086238B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP2874688B2 (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
| JPH11195589A (ja) | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH11195590A (ja) | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 | |
| US6201598B1 (en) | Charged-particle-beam microlithographic exposure apparatus and reticles for use with same | |
| JP2849184B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JP3218468B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JP3310448B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JP3458628B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JPS6276619A (ja) | マルチ荷電ビ−ム描画装置 | |
| JPH07211609A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
| JP2871617B2 (ja) | 電子線露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |