JPH06163383A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
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- JPH06163383A JPH06163383A JP43A JP31169892A JPH06163383A JP H06163383 A JPH06163383 A JP H06163383A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 31169892 A JP31169892 A JP 31169892A JP H06163383 A JPH06163383 A JP H06163383A
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- Japan
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- pattern
- electron beam
- patterns
- charged particle
- cell pattern
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一括描画方式においてパターンのつなぎの精
度を向上させた荷電粒子ビーム描画方法を実現する。 【構成】 特定パターンを描画する場合、まず、成形マ
スク６上の単位セルパターンＰ１が選択され、このセル
パターンＰ１を通過した電子ビームが所定位置に投射さ
れる。この時、ショットタイムは通常の描画動作の時の
タイムに比べて１／２にされている。次に、成形マスク
６の単位セルパターンＰ２が選択され、セルパターンＰ
２を通過した電子ビームが単位セルパターンＰ１に一部
重ね合わされて所定位置に投射される。このように、単
位セルパターンＰ１とＰ２を交互に選択し、夫々のパタ
ーンの一部が重なるようにして描画を行うことにより、
単位パターンのつなぎの部分での隙間やパターン幅の拡
大などが生じることはなくなり、精度の高いパターン描
画を行うことができる。
度を向上させた荷電粒子ビーム描画方法を実現する。 【構成】 特定パターンを描画する場合、まず、成形マ
スク６上の単位セルパターンＰ１が選択され、このセル
パターンＰ１を通過した電子ビームが所定位置に投射さ
れる。この時、ショットタイムは通常の描画動作の時の
タイムに比べて１／２にされている。次に、成形マスク
６の単位セルパターンＰ２が選択され、セルパターンＰ
２を通過した電子ビームが単位セルパターンＰ１に一部
重ね合わされて所定位置に投射される。このように、単
位セルパターンＰ１とＰ２を交互に選択し、夫々のパタ
ーンの一部が重なるようにして描画を行うことにより、
単位パターンのつなぎの部分での隙間やパターン幅の拡
大などが生じることはなくなり、精度の高いパターン描
画を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを用いて微細なパターンの描画を行うようにした荷
電粒子ビーム描画方法に関し、特に、一括描画方式の描
画システムに使用して最適な荷電粒子ビーム描画方法に
関する。
ームを用いて微細なパターンの描画を行うようにした荷
電粒子ビーム描画方法に関し、特に、一括描画方式の描
画システムに使用して最適な荷電粒子ビーム描画方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画においては、膨大なデー
タを圧縮するため、繰り返し描画する特定のパターンデ
ータはライブラリー登録し、描画データにはライブラリ
ー番号を付けるようにしている。そして、描画データの
ライブラリー番号から登録されているライブラリーのデ
ータを読み出し、このライブラリーデータに基づいてパ
ターンの描画を行うようにしている。
タを圧縮するため、繰り返し描画する特定のパターンデ
ータはライブラリー登録し、描画データにはライブラリ
ー番号を付けるようにしている。そして、描画データの
ライブラリー番号から登録されているライブラリーのデ
ータを読み出し、このライブラリーデータに基づいてパ
ターンの描画を行うようにしている。
【０００３】近年、ライブラリー登録するような繰り返
し出現するパターンと同じ形状のセルパターン開口を有
した成形マスクを電子ビーム光軸上に配置し、この開口
に向けて電子ビームを照射し、開口を通過した電子ビー
ムを材料上に投射する方式が考えられている。
し出現するパターンと同じ形状のセルパターン開口を有
した成形マスクを電子ビーム光軸上に配置し、この開口
に向けて電子ビームを照射し、開口を通過した電子ビー
ムを材料上に投射する方式が考えられている。
【０００４】この方式は、一括描画方式と呼ばれており
（ブロック描画方式とも呼ばれている）、材料には描画
すべきパターンと同じ断面形状の電子ビームが照射され
る。従って、一つのパターンでありながら、矩形や台形
などの複数のパターンに分割処理を行って描画を行う必
要がないので、高速の描画を行うことが可能となる。
（ブロック描画方式とも呼ばれている）、材料には描画
すべきパターンと同じ断面形状の電子ビームが照射され
る。従って、一つのパターンでありながら、矩形や台形
などの複数のパターンに分割処理を行って描画を行う必
要がないので、高速の描画を行うことが可能となる。
【０００５】図１はこのような一括描画方式の電子ビー
ム描画装置の電子光学系を示しており、１は電子銃、２
は電子銃１から発生した電子ビームをブランキングする
ためのブランキング電極である。３は照明レンズ、４は
矩形状の開口を有した成形アパーチャである。電子銃１
からの電子ビームは照明レンズ３で集光され、成形アパ
ーチャ４で矩形状の断面形状に制限された電子ビーム束
とされる。成形アパーチャ４で成形された電子ビーム
は、マスクセレクタ偏向器５によって偏向され成形マス
ク６の所望位置に照射される。なお、７は成形レンズで
ある。
ム描画装置の電子光学系を示しており、１は電子銃、２
は電子銃１から発生した電子ビームをブランキングする
ためのブランキング電極である。３は照明レンズ、４は
矩形状の開口を有した成形アパーチャである。電子銃１
からの電子ビームは照明レンズ３で集光され、成形アパ
ーチャ４で矩形状の断面形状に制限された電子ビーム束
とされる。成形アパーチャ４で成形された電子ビーム
は、マスクセレクタ偏向器５によって偏向され成形マス
ク６の所望位置に照射される。なお、７は成形レンズで
ある。
【０００６】成形マスク６を透過した電子ビームは振り
戻し偏向器８によって一旦光軸に振り戻され、その後縮
小レンズ９，対物レンズ１０によって被描画材料１１上
に投影される。被描画材料１１上の電子ビームの照射位
置は、偏向器１２によって決められる。なお、図中１３
は第１の回転レンズ、１４は第２の回転レンズである。
このような構成の動作を次に説明する。
戻し偏向器８によって一旦光軸に振り戻され、その後縮
小レンズ９，対物レンズ１０によって被描画材料１１上
に投影される。被描画材料１１上の電子ビームの照射位
置は、偏向器１２によって決められる。なお、図中１３
は第１の回転レンズ、１４は第２の回転レンズである。
このような構成の動作を次に説明する。
【０００７】電子銃１からの電子ビームは、照明レンズ
３により成形アパーチャ４上に投射されるが、成形アパ
ーチャ４には矩形の開口が穿たれており、電子ビームは
断面が矩形に成形される。成形アパーチャ４を透過した
電子ビームは、成形マスク６に照射されるが、成形マス
ク６は図２の平面図に示すようにＣ11〜Ｃnmまでのセル
（ブロックともいう）パターンが穿たれている。図では
各セルパターンＣ11〜Ｃnmは全て正方形状に描かれてい
るが、実際には各々その形状が異なっており、また、各
セルパターンは描画の際に繰り返し出現するパターンと
同じ形状にされている。
３により成形アパーチャ４上に投射されるが、成形アパ
ーチャ４には矩形の開口が穿たれており、電子ビームは
断面が矩形に成形される。成形アパーチャ４を透過した
電子ビームは、成形マスク６に照射されるが、成形マス
ク６は図２の平面図に示すようにＣ11〜Ｃnmまでのセル
（ブロックともいう）パターンが穿たれている。図では
各セルパターンＣ11〜Ｃnmは全て正方形状に描かれてい
るが、実際には各々その形状が異なっており、また、各
セルパターンは描画の際に繰り返し出現するパターンと
同じ形状にされている。
【０００８】電子ビームはマスクセレクタ偏向器５によ
って偏向され、Ｃ11〜Ｃnmの内の描画すべきセルパター
ンを選択する。選択されたセルパターンを透過した電子
ビームは、振り戻し偏向器８によって光軸に振り戻され
る。その後電子ビームは縮小レンズ９と対物レンズ１０
によって材料１１上に投影される。電子ビームの材料１
１上の投影位置は、描画パターンデータに基づいて偏向
器１２に印加された偏向信号に応じて変えられ、材料１
１上の所望位置にセルパターンが一括描画される。
って偏向され、Ｃ11〜Ｃnmの内の描画すべきセルパター
ンを選択する。選択されたセルパターンを透過した電子
ビームは、振り戻し偏向器８によって光軸に振り戻され
る。その後電子ビームは縮小レンズ９と対物レンズ１０
によって材料１１上に投影される。電子ビームの材料１
１上の投影位置は、描画パターンデータに基づいて偏向
器１２に印加された偏向信号に応じて変えられ、材料１
１上の所望位置にセルパターンが一括描画される。
【０００９】このように所望パターンの描画は、描画パ
ターンデータに応じてマスクセレクタ偏向器５に偏向信
号を送ってセルパターンの選択を行い、偏向器１２によ
る位置決め偏向と共に、ブランキング電極２へのブラン
キング信号の供給によって行われる。更に、材料１１上
の全ての領域の描画は、上記ステップに加えて材料１１
を機械的に移動させることによって行われる。
ターンデータに応じてマスクセレクタ偏向器５に偏向信
号を送ってセルパターンの選択を行い、偏向器１２によ
る位置決め偏向と共に、ブランキング電極２へのブラン
キング信号の供給によって行われる。更に、材料１１上
の全ての領域の描画は、上記ステップに加えて材料１１
を機械的に移動させることによって行われる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図３に示す
ようなパターンＰを描画する場合、図４に示すような繰
り返し出現する単位パターンＰ１を図１の成形マスク６
に穿ち、単位セルパターンＰ１の開口を通過した電子ビ
ームを偏向器１２によって単位セルパターンごとに照射
位置をずらしながら描画を行えば図３に示すパターンＰ
の描画を高速に行うことができる。
ようなパターンＰを描画する場合、図４に示すような繰
り返し出現する単位パターンＰ１を図１の成形マスク６
に穿ち、単位セルパターンＰ１の開口を通過した電子ビ
ームを偏向器１２によって単位セルパターンごとに照射
位置をずらしながら描画を行えば図３に示すパターンＰ
の描画を高速に行うことができる。
【００１１】しかしながら、近接効果の影響により、描
画されたパターンＰにおいて単位セルパターンＰ１ごと
のつなぎの部分Ｓでパターンに隙間ができたり、逆につ
なぎ部分のパターン幅が太くなったする現象が生じ、パ
ターンの描画精度の悪化の原因となっていた。
画されたパターンＰにおいて単位セルパターンＰ１ごと
のつなぎの部分Ｓでパターンに隙間ができたり、逆につ
なぎ部分のパターン幅が太くなったする現象が生じ、パ
ターンの描画精度の悪化の原因となっていた。
【００１２】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、一括描画方式においてパターンの
つなぎの精度を向上させた荷電粒子ビーム描画方法を実
現するにある。
もので、その目的は、一括描画方式においてパターンの
つなぎの精度を向上させた荷電粒子ビーム描画方法を実
現するにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画方法は、異なった形状のセルパターン開口を
複数有した成形マスクの特定の開口部分に荷電粒子ビー
ムを偏向して照射し、該開口を通った荷電粒子ビームを
被描画材料に投射するようにして所望パターンの描画を
行う荷電粒子ビーム描画方法において、セルパターンを
つなぎ合わせて所望パターンの描画を行うに際し、成形
マスクに夫々が描画すべき特定パターンの一部であっ
て、部分的に重なり合う複数のセルパターンの開口を設
け、該複数のセルパターンの開口を通った電子ビームを
部分的に重ね合わせながら該特定パターンの描画を行う
ようにしたことを特徴としている。
ビーム描画方法は、異なった形状のセルパターン開口を
複数有した成形マスクの特定の開口部分に荷電粒子ビー
ムを偏向して照射し、該開口を通った荷電粒子ビームを
被描画材料に投射するようにして所望パターンの描画を
行う荷電粒子ビーム描画方法において、セルパターンを
つなぎ合わせて所望パターンの描画を行うに際し、成形
マスクに夫々が描画すべき特定パターンの一部であっ
て、部分的に重なり合う複数のセルパターンの開口を設
け、該複数のセルパターンの開口を通った電子ビームを
部分的に重ね合わせながら該特定パターンの描画を行う
ようにしたことを特徴としている。
【００１４】
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法は、一
括描画方式において、成形マスクに夫々が描画すべき特
定パターンの一部であって、部分的に重なり合う複数の
セルパターンの開口を設け、該複数のセルパターン開口
を通った電子ビームを部分的に重ね合わせながら該特定
パターンの描画を行う。
括描画方式において、成形マスクに夫々が描画すべき特
定パターンの一部であって、部分的に重なり合う複数の
セルパターンの開口を設け、該複数のセルパターン開口
を通った電子ビームを部分的に重ね合わせながら該特定
パターンの描画を行う。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳
細に説明する。図５は本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示しているが、こ
のシステムで電子光学系は図１に示した光学系と同一と
なっており、従って、電子光学系の詳細な説明は省略す
る。
細に説明する。図５は本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示しているが、こ
のシステムで電子光学系は図１に示した光学系と同一と
なっており、従って、電子光学系の詳細な説明は省略す
る。
【００１６】この実施例で、１５はブランキング電極２
にブランキング信号を供給するためのブランカーであ
り、ブランカー１５にはコンピュータ１６からショット
タイムコントローラ１７を介してブランキング信号が供
給される。１８はマスク偏向器コントローラであり、コ
ンピュータ１６からの偏向データに基づいて偏向信号を
発生し、ＤＡ変換器１９を介してマスクセレクタ偏向器
５にセルパターン選択用の偏向信号を供給し、ＤＡ変換
器２０を介して振り戻し偏向器８に電子ビームを光軸上
に振り戻す偏向信号を供給する。
にブランキング信号を供給するためのブランカーであ
り、ブランカー１５にはコンピュータ１６からショット
タイムコントローラ１７を介してブランキング信号が供
給される。１８はマスク偏向器コントローラであり、コ
ンピュータ１６からの偏向データに基づいて偏向信号を
発生し、ＤＡ変換器１９を介してマスクセレクタ偏向器
５にセルパターン選択用の偏向信号を供給し、ＤＡ変換
器２０を介して振り戻し偏向器８に電子ビームを光軸上
に振り戻す偏向信号を供給する。
【００１７】２１は位置決め偏向器コントローラであ
り、コンピュータ１６からの偏向データに基づいて位置
決め偏向信号をＤＡ変換器２２を介して偏向器１２に供
給する。図６はこの実施例に用いられる成形マスク６の
一部を図示したもので、図３に示すパターンの描画に対
して、繰り返し出現する単位セルパターンＰ１と、単位
セルパターナＰ１に対して部分的にずれた単位セルパタ
ーンＰ２が穿たれている。このような構成の動作を次に
説明する。
り、コンピュータ１６からの偏向データに基づいて位置
決め偏向信号をＤＡ変換器２２を介して偏向器１２に供
給する。図６はこの実施例に用いられる成形マスク６の
一部を図示したもので、図３に示すパターンの描画に対
して、繰り返し出現する単位セルパターンＰ１と、単位
セルパターナＰ１に対して部分的にずれた単位セルパタ
ーンＰ２が穿たれている。このような構成の動作を次に
説明する。
【００１８】上記した構成で、所望パターンの描画は、
コンピュータ１６に記憶された描画データに基づいて行
われ、描画すべきパターンに応じた成形マスク６の一括
セルパターンの選択のため、セルパターンの位置に関す
るデータがマスク偏向器コントローラ１８に供給され
る。
コンピュータ１６に記憶された描画データに基づいて行
われ、描画すべきパターンに応じた成形マスク６の一括
セルパターンの選択のため、セルパターンの位置に関す
るデータがマスク偏向器コントローラ１８に供給され
る。
【００１９】マスク偏向器コントローラ１８に供給され
たデータに基づきマスクセレクト偏向器５には所定の一
括セルパターン上に電子ビームを偏向するための偏向信
号が供給され、また振り戻し偏向器８には電子ビームを
光軸上に振り戻すための偏向信号が供給される。更に、
コンピュータ１６は材料１１上のパターン描画位置に応
じたデータを位置決め偏向器コントローラ２１に供給す
ることから、コントローラ２１から位置決め偏向信号が
ＤＡ変換器２２を介して偏向器１２に供給される。
たデータに基づきマスクセレクト偏向器５には所定の一
括セルパターン上に電子ビームを偏向するための偏向信
号が供給され、また振り戻し偏向器８には電子ビームを
光軸上に振り戻すための偏向信号が供給される。更に、
コンピュータ１６は材料１１上のパターン描画位置に応
じたデータを位置決め偏向器コントローラ２１に供給す
ることから、コントローラ２１から位置決め偏向信号が
ＤＡ変換器２２を介して偏向器１２に供給される。
【００２０】この結果、選択された一括セルパターンの
形状の電子ビームが材料１１の所定位置に照射される。
そして、この時のショットタイムは、被描画材料１１に
塗布されたレジストや電子ビームの電流密度などによっ
て決められており、材料１１には所定のドーズ量で電子
ビームが照射される。
形状の電子ビームが材料１１の所定位置に照射される。
そして、この時のショットタイムは、被描画材料１１に
塗布されたレジストや電子ビームの電流密度などによっ
て決められており、材料１１には所定のドーズ量で電子
ビームが照射される。
【００２１】さて、図３に示した特定パターンを描画す
る場合、まず、成形マスク６上の単位セルパターンＰ１
が選択され、このセルパターンＰ１を通過した電子ビー
ムが所定位置に投射される。この時、ショットタイムは
通常の描画動作の時のタイムに比べて１／２にされてい
る。次に、成形マスク６の単位セルパターンＰ２が選択
され、セルパターンＰ２を通過した電子ビームが単位セ
ルパターンＰ１に一部重ね合わされて所定位置に投射さ
れる。この場合もショットタイムは通常の描画動作の時
のタイムに比べて１／２にされている。
る場合、まず、成形マスク６上の単位セルパターンＰ１
が選択され、このセルパターンＰ１を通過した電子ビー
ムが所定位置に投射される。この時、ショットタイムは
通常の描画動作の時のタイムに比べて１／２にされてい
る。次に、成形マスク６の単位セルパターンＰ２が選択
され、セルパターンＰ２を通過した電子ビームが単位セ
ルパターンＰ１に一部重ね合わされて所定位置に投射さ
れる。この場合もショットタイムは通常の描画動作の時
のタイムに比べて１／２にされている。
【００２２】図７はこの時の被描画材料１１上への単位
セルパターンＰ１とＰ２の投射の状態を説明するための
図であり、図中実線で示したパターンがＰ１、点線で示
したパターンがＰ２である。実際には、両セルパターン
は一部分が完全に一致して投射されるが、説明の容易さ
から両パターンは若干離して描かれている。このよう
に、単位セルパターンＰ１とＰ２を交互に選択し、夫々
のパターンの一部が重なるようにして描画を行うことに
より、従来近接効果の影響により生じていた単位パター
ンのつなぎの部分での隙間やパターン幅の拡大などが生
じることはなくなり、精度の高いパターン描画を行うこ
とができる。
セルパターンＰ１とＰ２の投射の状態を説明するための
図であり、図中実線で示したパターンがＰ１、点線で示
したパターンがＰ２である。実際には、両セルパターン
は一部分が完全に一致して投射されるが、説明の容易さ
から両パターンは若干離して描かれている。このよう
に、単位セルパターンＰ１とＰ２を交互に選択し、夫々
のパターンの一部が重なるようにして描画を行うことに
より、従来近接効果の影響により生じていた単位パター
ンのつなぎの部分での隙間やパターン幅の拡大などが生
じることはなくなり、精度の高いパターン描画を行うこ
とができる。
【００２３】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。また、上記実施例では、特定パター
ンＰに対して２種の単位セルパターンを準備する場合に
ついて述べたが、３種以上の単位セルパターンを用いて
重ね合わせ回数を増やすことは望ましい。ただし、いず
れの場合でも重ね合わせの回数に応じて、各単位セルパ
ターンのショットタイムはその回数分の１とする必要が
ある。
はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。また、上記実施例では、特定パター
ンＰに対して２種の単位セルパターンを準備する場合に
ついて述べたが、３種以上の単位セルパターンを用いて
重ね合わせ回数を増やすことは望ましい。ただし、いず
れの場合でも重ね合わせの回数に応じて、各単位セルパ
ターンのショットタイムはその回数分の１とする必要が
ある。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム描画方法は、一括描画方式において、成形
マスクに夫々が描画すべき特定パターンの一部であっ
て、部分的に重なり合う複数のセルパターンの開口を設
け、該複数のセルパターン開口を通った電子ビームを部
分的に重ね合わせながら該特定パターンの描画を行うよ
うにしたので、近接効果によるつなぎ部分でのパターン
の隙間やパターン幅の拡大などが生ぜず、精度の高い描
画を行うことができる。
電粒子ビーム描画方法は、一括描画方式において、成形
マスクに夫々が描画すべき特定パターンの一部であっ
て、部分的に重なり合う複数のセルパターンの開口を設
け、該複数のセルパターン開口を通った電子ビームを部
分的に重ね合わせながら該特定パターンの描画を行うよ
うにしたので、近接効果によるつなぎ部分でのパターン
の隙間やパターン幅の拡大などが生ぜず、精度の高い描
画を行うことができる。
【図１】一括描画方式の電子ビーム描画装置の電子光学
系を示す図である。
系を示す図である。
【図２】セルパターンが穿たれた成形マスクの一例を示
す図である。
す図である。
【図３】描画すべきパターンを示す図である。
【図４】図４のパターンに対する単位パターンを示す図
である。
である。
【図５】本発明を実施するための電子ビーム描画システ
ムを示す図である。
ムを示す図である。
【図６】成形マスクに穿たれたセルパターンを示す図で
ある。
ある。
【図７】２種の単位セルパターンの描画の様子を説明す
るための図である。
るための図である。
１ 電子銃 ２ ブランキング電極 ３ 照明レンズ ４ 成形アパーチャ ５ マスクセレクタ偏向器 ６ 成形マスク ８ 振り戻し偏向器 １０ 対物レンズ １１ 被描画材料 １２ 位置決め偏向器 １５ ブランカー １６ コンピュータ １７ ショットタイムコントローラ １８ マスク偏向器コントローラ ２１ 位置決め偏向器コントローラ
Claims (1)
- 【請求項１】 異なった形状のセルパターン開口を複数
有した成形マスクの特定の開口部分に荷電粒子ビームを
偏向して照射し、該開口を通った荷電粒子ビームを被描
画材料に投射するようにして所望パターンの描画を行う
荷電粒子ビーム描画方法において、セルパターンをつな
ぎ合わせて所望パターンの描画を行うに際し、成形マス
クに夫々が描画すべき特定パターンの一部であって、部
分的に重なり合う複数のセルパターンの開口を設け、該
複数のセルパターンの開口を通った電子ビームを部分的
に重ね合わせながら該特定パターンの描画を行うように
した荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163383A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163383A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163383A true JPH06163383A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18020394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Withdrawn JPH06163383A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163383A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6049085A (en) * | 1997-03-13 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Charged particle beam exposure method and method for making patterns on wafer |
| JP2004214526A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Riipuru:Kk | 荷電粒子露光方法、これに使用する相補分割マスク及び該方法を使用して製造した半導体デバイス |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP43A patent/JPH06163383A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6049085A (en) * | 1997-03-13 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Charged particle beam exposure method and method for making patterns on wafer |
| JP2004214526A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Riipuru:Kk | 荷電粒子露光方法、これに使用する相補分割マスク及び該方法を使用して製造した半導体デバイス |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |