JPH05267142A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPH05267142A JPH05267142A JP5990292A JP5990292A JPH05267142A JP H05267142 A JPH05267142 A JP H05267142A JP 5990292 A JP5990292 A JP 5990292A JP 5990292 A JP5990292 A JP 5990292A JP H05267142 A JPH05267142 A JP H05267142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- deflection
- data
- area
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子線描画装置の電子線偏向器の偏向領域間で
の接続精度を向上する。 【構成】図１に示すように、描画すべき図形データを複
数の偏向領域に分割して入力データに変換する際、偏向
領域の外周が隣接する領域に重なるように分割し、その
重なる部分に含まれる図形がある場合、それをそれぞれ
の偏向領域のデータとし、重なる回数に応じて電子線照
射時間の短縮を行い、描画において偏向領域の重なる部
分の図形とそうでない部分の図形の照射料を等しくする
ように描画する。 【効果】描画時間を低下すること無く偏向領域間での接
続精度が向上する。
の接続精度を向上する。 【構成】図１に示すように、描画すべき図形データを複
数の偏向領域に分割して入力データに変換する際、偏向
領域の外周が隣接する領域に重なるように分割し、その
重なる部分に含まれる図形がある場合、それをそれぞれ
の偏向領域のデータとし、重なる回数に応じて電子線照
射時間の短縮を行い、描画において偏向領域の重なる部
分の図形とそうでない部分の図形の照射料を等しくする
ように描画する。 【効果】描画時間を低下すること無く偏向領域間での接
続精度が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として半導体製造に係
り、主な利用分野は、電子線照射により試料上へ半導体
素子を構成するいわゆる直接描画による素子製造技法、
及び光学縮小投影露光装置に用いられるマスク，レティ
クル作製に関する。
り、主な利用分野は、電子線照射により試料上へ半導体
素子を構成するいわゆる直接描画による素子製造技法、
及び光学縮小投影露光装置に用いられるマスク，レティ
クル作製に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術は、電子線偏向器の偏向領域間
の接続精度は、０.０８〜０.１μｍ程度あり、本発明
は、この接続精度改良にある。
の接続精度は、０.０８〜０.１μｍ程度あり、本発明
は、この接続精度改良にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に電子線描画装置
において、電子線を偏向することにより描画できる範囲
は、描画精度を考慮すると、約１mm〜６mm程度である。
この領域を主偏向領域と呼ぶ。又、装置の描画速度を上
げるため、主偏向領域の１／１００〜１０００程度の面
積（副偏向領域）を偏向できる高速の副偏向器により描
画する手法が取られている。つまり、副偏向器で副偏向
領域を描画した後、次の副偏向領域を主偏向器で選択
し、主偏向領域内総てを順次描画して行く。主偏向領域
内部の描画が終了したら、試料を移動して次の描画領域
の描画を実施する。このようにして試料全面の描画を行
う。
において、電子線を偏向することにより描画できる範囲
は、描画精度を考慮すると、約１mm〜６mm程度である。
この領域を主偏向領域と呼ぶ。又、装置の描画速度を上
げるため、主偏向領域の１／１００〜１０００程度の面
積（副偏向領域）を偏向できる高速の副偏向器により描
画する手法が取られている。つまり、副偏向器で副偏向
領域を描画した後、次の副偏向領域を主偏向器で選択
し、主偏向領域内総てを順次描画して行く。主偏向領域
内部の描画が終了したら、試料を移動して次の描画領域
の描画を実施する。このようにして試料全面の描画を行
う。
【０００４】上記描画方法を実行するに当たって設計図
形データは、予め副偏向領域，主偏向領域に分割されて
おり、領域の境界上にある図形データは、二つの領域に
分解されて描画される。副偏向領域と副偏向領域の境
界、主偏向領域と主偏向領域の境界には、電子線偏向に
よる歪みなどに起因して０.０８〜０.１μｍ程度の接続
誤差が発生する。従って、１つの図形データであって
も、その部分で接続箇所にずれが生じ所望の形状が試料
上に形成できない。
形データは、予め副偏向領域，主偏向領域に分割されて
おり、領域の境界上にある図形データは、二つの領域に
分解されて描画される。副偏向領域と副偏向領域の境
界、主偏向領域と主偏向領域の境界には、電子線偏向に
よる歪みなどに起因して０.０８〜０.１μｍ程度の接続
誤差が発生する。従って、１つの図形データであって
も、その部分で接続箇所にずれが生じ所望の形状が試料
上に形成できない。
【０００５】この対策としては、各偏向領域を狭くすれ
ばするほどずれが少なくなるが、その場合、描画時間が
極端に長くなり実用性が無い。
ばするほどずれが少なくなるが、その場合、描画時間が
極端に長くなり実用性が無い。
【０００６】本発明は、上記のような不具合を発生させ
ず、つまり偏向領域を極力狭くせず、偏向領域にまたが
る図形をより美しく描画することにある。
ず、つまり偏向領域を極力狭くせず、偏向領域にまたが
る図形をより美しく描画することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】偏向領域の外周部が重な
りあうように設定し、偏向領域間にまたがる図形を考慮
して、偏向領域の近傍にある図形を隣接する複数の偏向
領域で重ね書きし、平均効果で境界部分のずれを低減す
る。この時、重ね書きする回数に応じて電子線照射時間
を減らすことで、露光時間過多になることを押さえる。
りあうように設定し、偏向領域間にまたがる図形を考慮
して、偏向領域の近傍にある図形を隣接する複数の偏向
領域で重ね書きし、平均効果で境界部分のずれを低減す
る。この時、重ね書きする回数に応じて電子線照射時間
を減らすことで、露光時間過多になることを押さえる。
【０００８】
【作用】描画図形データは、偏向領域ごとに分割して装
置で使用する。一般に、装置の描画速度を上げるために
偏向領域が重ならないようにする。多重露光により境界
部分のずれを少なくするために、図１に示すように、偏
向領域が重なるように描画図形データを分割し、重なる
部分に含まれる図形データは、双方の領域のデータとし
て多重露光する。
置で使用する。一般に、装置の描画速度を上げるために
偏向領域が重ならないようにする。多重露光により境界
部分のずれを少なくするために、図１に示すように、偏
向領域が重なるように描画図形データを分割し、重なる
部分に含まれる図形データは、双方の領域のデータとし
て多重露光する。
【０００９】偏向領域が重なる分、偏向領域を狭くした
ことになり、偏向回数の増加により描画時間が延びる
が、偏向領域が重ならないようにして描画したときより
も接続精度は良くなる。又、本発明と同程度の接続精度
を得ようとするには、偏向領域をさらに狭くしなければ
ならず、描画時間が極端に延びる。
ことになり、偏向回数の増加により描画時間が延びる
が、偏向領域が重ならないようにして描画したときより
も接続精度は良くなる。又、本発明と同程度の接続精度
を得ようとするには、偏向領域をさらに狭くしなければ
ならず、描画時間が極端に延びる。
【００１０】
【実施例】電子線描画装置の全体構成を図２に示す。電
子線１は電子銃２より放射され、絞り３，電磁レンズ４
により所望の形状と電流密度に制御されて試料５上に照
射される。試料５は、移動台６に固定されていて、制御
計算機７から移動台制御部８に目標座標を指定すると、
高精度にその位置に移動する。
子線１は電子銃２より放射され、絞り３，電磁レンズ４
により所望の形状と電流密度に制御されて試料５上に照
射される。試料５は、移動台６に固定されていて、制御
計算機７から移動台制御部８に目標座標を指定すると、
高精度にその位置に移動する。
【００１１】試料５への描画方法について説明する。移
動台６にて描画すべき主偏向領域９に試料５を移動す
る。主偏向領域９とは、主偏向器１０にて電子線偏向可
能な領域である。ここで主偏向器１０で、副偏向領域１
１を選択する。副偏向領域１１とは、副偏向器１２にて
電子線偏向可能な領域である。主偏向器は、電子線を大
きく振ることができ、副偏向領域１１は、偏向領域は狭
いが高速で動作することを特徴とする。これら偏向器で
電子線１の位置決めを行い、ブランカ１３にて所定の時
間電子線１を試料５上に照射することで描画を行う。副
偏向領域１１を描画した後、次の副偏向領域１１を主偏
向器１０で選択し、主偏向領域９内総てを順次描画して
行く。主偏向領域９内部の描画が終了したら、試料５を
移動台６で移動して次の描画領域の描画を実施する。こ
のようにして試料全面の描画を行う。主偏向器１０，副
偏向器１２の設定データは、設計図形データを予め装置
に最適な形に変換しておいた、いわゆる描画データを描
画実施時にデータ制御系１４が、偏向器の入力フォーマ
ットに高速変換して生成する。
動台６にて描画すべき主偏向領域９に試料５を移動す
る。主偏向領域９とは、主偏向器１０にて電子線偏向可
能な領域である。ここで主偏向器１０で、副偏向領域１
１を選択する。副偏向領域１１とは、副偏向器１２にて
電子線偏向可能な領域である。主偏向器は、電子線を大
きく振ることができ、副偏向領域１１は、偏向領域は狭
いが高速で動作することを特徴とする。これら偏向器で
電子線１の位置決めを行い、ブランカ１３にて所定の時
間電子線１を試料５上に照射することで描画を行う。副
偏向領域１１を描画した後、次の副偏向領域１１を主偏
向器１０で選択し、主偏向領域９内総てを順次描画して
行く。主偏向領域９内部の描画が終了したら、試料５を
移動台６で移動して次の描画領域の描画を実施する。こ
のようにして試料全面の描画を行う。主偏向器１０，副
偏向器１２の設定データは、設計図形データを予め装置
に最適な形に変換しておいた、いわゆる描画データを描
画実施時にデータ制御系１４が、偏向器の入力フォーマ
ットに高速変換して生成する。
【００１２】次に本発明の特徴である描画データの作成
方法について図１により説明する。電子線描画装置で描
画できる最大の図形は、移動台６に搭載できる試料の大
きさで決まる。従って描画データは、この大きさ以下で
ある。描画が主偏向領域９単位で行われることから、設
計図形データを、図１に示すように主偏向領域９の大き
さに分割する。又、同様にして主偏向領域１１の中を副
偏向領域９に分割する。この時、図１に示すように、各
領域が重なるようにする。そして、図１に示すように領
域間にまたがる図形は、領域の重なる部分で多重描画と
なるよう、重なる部分を双方の領域のデータとして変換
する。多重描画となる部分は、その回数に応じて電子線
照射時間が短くなるように、照射時間のデータを操作す
る。
方法について図１により説明する。電子線描画装置で描
画できる最大の図形は、移動台６に搭載できる試料の大
きさで決まる。従って描画データは、この大きさ以下で
ある。描画が主偏向領域９単位で行われることから、設
計図形データを、図１に示すように主偏向領域９の大き
さに分割する。又、同様にして主偏向領域１１の中を副
偏向領域９に分割する。この時、図１に示すように、各
領域が重なるようにする。そして、図１に示すように領
域間にまたがる図形は、領域の重なる部分で多重描画と
なるよう、重なる部分を双方の領域のデータとして変換
する。多重描画となる部分は、その回数に応じて電子線
照射時間が短くなるように、照射時間のデータを操作す
る。
【００１３】実際の描画において、上記データを使用
し、照射時間を制御して、総ての図形の照射量が適当に
なるように描画する。これは、データ制御系１４が入力
データをもとに、ブランカ１３のＯＮ／ＯＦＦ時間を制
御することにより実現する。
し、照射時間を制御して、総ての図形の照射量が適当に
なるように描画する。これは、データ制御系１４が入力
データをもとに、ブランカ１３のＯＮ／ＯＦＦ時間を制
御することにより実現する。
【００１４】本発明を使用することにより、偏向器の設
定回数が増え描画時間が延びるものの、偏向領域の境界
で発生するずれをアベレージングでき、接続精度を向上
できる。
定回数が増え描画時間が延びるものの、偏向領域の境界
で発生するずれをアベレージングでき、接続精度を向上
できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、描画速度への影響を押
さえて主偏向領域，副偏向領域の接続部分の精度を向上
することができる。
さえて主偏向領域，副偏向領域の接続部分の精度を向上
することができる。
【図１】描画領域を重ねるデータ変換例および複数領域
にまたがる図形があったときの描画方法実施例を示す図
である。
にまたがる図形があったときの描画方法実施例を示す図
である。
【図２】電子線描画装置の構成例を示す図である。
１…電子線、２…電子銃、３…絞り、４…電磁レンズ、
５…試料、６…移動台、７…制御計算機、８…移動台制
御部、９…主偏向領域、１０…主偏向器、１１…副偏向
領域、１２…副偏向器、１３…ブランカ、１４…データ
制御系。
５…試料、６…移動台、７…制御計算機、８…移動台制
御部、９…主偏向領域、１０…主偏向器、１１…副偏向
領域、１２…副偏向器、１３…ブランカ、１４…データ
制御系。
Claims (1)
- 【請求項１】電子線を電磁レンズ及び絞りによって所望
の電流密度と形状に制御し、高精度位置決め機構を有す
る試料移動台上に固定された電子線感光剤を塗布した固
体表面上に、上記電子線を偏向器を用いて所望の位置に
偏向し、所定の時間照射するいわゆる電子線描画装置に
おいて、描画すべき図形データを予め複数の偏向領域に
分割して電子線描画装置の入力データに変換する際、偏
向領域の外周が隣接する偏向領域と重なるように分割
し、その重なる部分に含まれる図形をそれぞれの偏向領
域のデータとし、重なる回数に応じて電子線照射時間の
短縮を行い、最終的に重なる領域に位置する図形の照射
量とその図形に接続して隣接する偏向領域に位置する図
形の照射量を等しく描画するように一回もしくは多重描
画を行うことを特徴とした電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5990292A JPH05267142A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5990292A JPH05267142A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267142A true JPH05267142A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13126519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5990292A Pending JPH05267142A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267142A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688036A3 (en) * | 1994-06-16 | 1997-11-26 | Nikon Corporation | Method for transferring patterns with charged particle beam |
| EP0936505A1 (en) * | 1997-09-03 | 1999-08-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of producing phase mask for fabricating optical fiber and optical fiber with bragg's diffraction grating produced by using the phase mask |
| US6271852B1 (en) | 1996-11-22 | 2001-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | boundary processing of oblique overlapping graphics to achieve dimensionally accurate electron beam irradiation |
| KR100480609B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 전자 빔 리소그래피 방법 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP5990292A patent/JPH05267142A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688036A3 (en) * | 1994-06-16 | 1997-11-26 | Nikon Corporation | Method for transferring patterns with charged particle beam |
| EP0949655A2 (en) * | 1994-06-16 | 1999-10-13 | Nikon Corporation | Method for transferring patterns with charged particle beam |
| EP0949655A3 (en) * | 1994-06-16 | 2001-04-04 | Nikon Corporation | Method for transferring patterns with charged particle beam |
| US6271852B1 (en) | 1996-11-22 | 2001-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | boundary processing of oblique overlapping graphics to achieve dimensionally accurate electron beam irradiation |
| EP0936505A1 (en) * | 1997-09-03 | 1999-08-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of producing phase mask for fabricating optical fiber and optical fiber with bragg's diffraction grating produced by using the phase mask |
| KR100480609B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 전자 빔 리소그래피 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9373424B2 (en) | Electron beam writing apparatus and electron beam writing method | |
| US20130120724A1 (en) | Method for splitting a pattern for use in a multi-beamlet lithography apparatus | |
| US7759660B2 (en) | Electron beam lithography system | |
| JPH0831724A (ja) | 電子線描画装置及び電子線描画方法 | |
| JP2000150367A (ja) | 荷電ビ―ム描画装置 | |
| JP3295855B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH0554251B2 (ja) | ||
| JPH05267142A (ja) | 電子線描画装置 | |
| US5349197A (en) | Method for exposing a pattern on an object by a charged particle beam | |
| JP4664552B2 (ja) | 可変成型ビーム型パターン描画装置 | |
| JP3173162B2 (ja) | 透過マスク板 | |
| JP2002260982A (ja) | 可変面積型電子ビーム描画装置を用いた描画方法 | |
| JP2708551B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH11329933A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP2502704B2 (ja) | 電子ビ―ム描画方法 | |
| JPS61183926A (ja) | 荷電ビ−ム照射装置 | |
| JPH0586850B2 (ja) | ||
| JP2898726B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH0624181B2 (ja) | 電子ビ−ム露光方法および電子ビ−ム露光装置 | |
| JPS62149126A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JPH06163383A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH0423315A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JPH05259042A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JP2001358053A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| JPH06267831A (ja) | ステップアンドリピート方式電子ビーム描画方法 |