JPH0423315A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
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- JPH0423315A JPH0423315A JP12393090A JP12393090A JPH0423315A JP H0423315 A JPH0423315 A JP H0423315A JP 12393090 A JP12393090 A JP 12393090A JP 12393090 A JP12393090 A JP 12393090A JP H0423315 A JPH0423315 A JP H0423315A
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- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム描画装置に関し、特に微小な円形の
電子ビームを試料上に走査し、選択的に描画を行い、所
望のパターンを得る電子ビーム描画装置に関する。
電子ビームを試料上に走査し、選択的に描画を行い、所
望のパターンを得る電子ビーム描画装置に関する。
従来の電子ビーム描画装置を第９図を用いて説明する。
第９図に示すように、電子ビーム源１から放出された電
子ビーム１７は、第１のレンズ２によりアパーチャー３
の円形孔に集束される。アパーチャー３の孔を通過した
電子ビーム１７は、ブランキング電極４により描画する
か、或いは描画しないかが選択される。描画しないとき
はブランキング電極４に電圧を加えて電子ビーム１７を
偏向させ、スデージ８上の試料９に電子ビームが照射さ
れないようにし、描画するときは、ブランキング電極４
に電圧を加えず、電子ビーム１７を偏向しないようにし
ている。この描画するか否かの情報は、データメモリ１
０にあらかじめ記憶しておき、制御用コンピュータ１６
によってその一部をパターンメモリ１１に転送し、Ｄ／
Ａコンバータ１３を通じてブランキング電極４に信号が
送られる。データメモリ１０に記憶されているデータは
“０”と“１”であり、これが描画をするか否かに対応
している。ブランキング電極４を通過した電子ビーム１
７は第２のレンズ５により試料９上に集束される。ステ
ージ８は駆動回路１５によりＸ方向に連続移動し、偏向
器６によりＹ方向に電子ビーム１７を偏向することによ
って全面走査を行っている。ステージ８の位置を正確に
制御するなめ、ステージ９の位置をレーザ測定器１４で
測定し、Ｘ方向の補正を偏向器７により行っている。
子ビーム１７は、第１のレンズ２によりアパーチャー３
の円形孔に集束される。アパーチャー３の孔を通過した
電子ビーム１７は、ブランキング電極４により描画する
か、或いは描画しないかが選択される。描画しないとき
はブランキング電極４に電圧を加えて電子ビーム１７を
偏向させ、スデージ８上の試料９に電子ビームが照射さ
れないようにし、描画するときは、ブランキング電極４
に電圧を加えず、電子ビーム１７を偏向しないようにし
ている。この描画するか否かの情報は、データメモリ１
０にあらかじめ記憶しておき、制御用コンピュータ１６
によってその一部をパターンメモリ１１に転送し、Ｄ／
Ａコンバータ１３を通じてブランキング電極４に信号が
送られる。データメモリ１０に記憶されているデータは
“０”と“１”であり、これが描画をするか否かに対応
している。ブランキング電極４を通過した電子ビーム１
７は第２のレンズ５により試料９上に集束される。ステ
ージ８は駆動回路１５によりＸ方向に連続移動し、偏向
器６によりＹ方向に電子ビーム１７を偏向することによ
って全面走査を行っている。ステージ８の位置を正確に
制御するなめ、ステージ９の位置をレーザ測定器１４で
測定し、Ｘ方向の補正を偏向器７により行っている。
従来の斜め線描画方向を第４図（ａ） 、 （ｂ）を用
いて説明する。
いて説明する。
第４図ｆａ）のような台形パターンを描画する場合には
、第４図（ｂ）に示すように斜め線は階段状に描画して
いた。これは上述のようにデータメモリ１０に記憶され
ている“０”又は“１”の情報に基いて選択的に描画を
行っているためである。
、第４図（ｂ）に示すように斜め線は階段状に描画して
いた。これは上述のようにデータメモリ１０に記憶され
ている“０”又は“１”の情報に基いて選択的に描画を
行っているためである。
この従来の電子ビーム描画装置では、斜め線を階段状に
描画しているため、斜め線の精度が悪化するという欠点
がある０例えば、電子ビームのサイズが０．５μｍの場
合、最大的０．３５μｍの誤差か生じることになる。
描画しているため、斜め線の精度が悪化するという欠点
がある０例えば、電子ビームのサイズが０．５μｍの場
合、最大的０．３５μｍの誤差か生じることになる。
また、電子ビームのサイズを小さくすることによって、
誤差を減少させることは可能であるが、電子ビームのサ
イズを半分にした場合、第５図に示すようにデータ量が
増え、描画時間も４倍になってしまうという問題点があ
った。
誤差を減少させることは可能であるが、電子ビームのサ
イズを半分にした場合、第５図に示すようにデータ量が
増え、描画時間も４倍になってしまうという問題点があ
った。
本発明の目的は前記課題を解決した電子ビーム描画装置
を提供することにある。
を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る電子ビーム描画
装置においては、パターンメモリと、斜め線判定回路と
、制御機構とを有し、微小な円形の電子ビームを試料上
に走査させ、選択的に描画を行うことにより、所望のパ
ターンを得る電子ビーム露光装置であって、 パターンメモリは、所望のパターンを含む領域に隣接す
る周辺の情報を記憶可能な容量をもつものであり、 斜め線判定回路は、パターンメモリの情報に基いて斜め
線であるかどうかの判定を行い、斜め線である場合に電
子ビームの照射時間を決定するものであり、 制御機構は、斜め線判定回路の出力に基いて電子ビーム
の照射時間を制御するものである。
装置においては、パターンメモリと、斜め線判定回路と
、制御機構とを有し、微小な円形の電子ビームを試料上
に走査させ、選択的に描画を行うことにより、所望のパ
ターンを得る電子ビーム露光装置であって、 パターンメモリは、所望のパターンを含む領域に隣接す
る周辺の情報を記憶可能な容量をもつものであり、 斜め線判定回路は、パターンメモリの情報に基いて斜め
線であるかどうかの判定を行い、斜め線である場合に電
子ビームの照射時間を決定するものであり、 制御機構は、斜め線判定回路の出力に基いて電子ビーム
の照射時間を制御するものである。
また、本発明においては、前記制御Ｉｌ梢は、斜め線を
描画する場合に、電子ビームの照射時間を制御して試料
上に照射される電子ビームの密度分布を小さく設定し、
斜め線を形成するものである。
描画する場合に、電子ビームの照射時間を制御して試料
上に照射される電子ビームの密度分布を小さく設定し、
斜め線を形成するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、１は電子ビーム源、２は第１のレンズ、３
はアパーチャー、４はブランキング電極、５は第２のレ
ンズ、６，７は偏向器、８はステージ、１０はデータメ
モリ、１３はＤ／Ａコンバータ、１４はレーザ測定器、
１５は駆動回路である。これらの構成は従来のものと同
じである。
はアパーチャー、４はブランキング電極、５は第２のレ
ンズ、６，７は偏向器、８はステージ、１０はデータメ
モリ、１３はＤ／Ａコンバータ、１４はレーザ測定器、
１５は駆動回路である。これらの構成は従来のものと同
じである。
本発明に係る電子描画装置は、パターンメモリ１１ａと
、斜め線判定回路１２と、制御用コンピュータ１６ａと
を有する。
、斜め線判定回路１２と、制御用コンピュータ１６ａと
を有する。
パターンメモリ１１ａは、基準パターンとの比較を行う
際に、実際に描画を行う点の周辺データが必要となるた
め、第６図に示すように実際に描画する領域３１と、そ
の領域３１に隣接する領域３２との情報を記憶可能な容
量を有している。１０１〜６１０はパターンメモリ１１
ａ内の記憶情報（“０”又は“１”）である。
際に、実際に描画を行う点の周辺データが必要となるた
め、第６図に示すように実際に描画する領域３１と、そ
の領域３１に隣接する領域３２との情報を記憶可能な容
量を有している。１０１〜６１０はパターンメモリ１１
ａ内の記憶情報（“０”又は“１”）である。
斜め線判定回路１２は、パターンメモリ１１ａ内のパタ
ーンデータと第２図（ａ）〜（ｄ）の基準パターンとを
比較することにより、斜め線であるかどうかの判定（以
下、斜め線の判定という）を行い、斜め線である場合に
すなわち、基準パターンとメモリ１１ａ内のパターンデ
ータとが一致した場合に電子ビーム１７の照射時間を決
定する。斜め線判定回路１２は、第２図（ａ）の基準パ
ターンとの比較を行う場合には第３図に示すような論理
回路として構成される。１０７〜５０９はパターンメモ
リ１１ａ内の記憶情報（“０”又は“１”）を表わす、
この回路は、第２図（ａ）の基準パターンとパターンメ
モリ１１ａ内のパターンデータとが一致した場合にのみ
、出力が“１″となり、斜め線であることを制御用コン
ピュータ１６ａに出力する。また、第２図（ｂ） 、
（ｃ） 、 （ｄ）の基準パターンとの比較を行う場合
は、第３図に示す回路を並列に接続することにより実現
される。
ーンデータと第２図（ａ）〜（ｄ）の基準パターンとを
比較することにより、斜め線であるかどうかの判定（以
下、斜め線の判定という）を行い、斜め線である場合に
すなわち、基準パターンとメモリ１１ａ内のパターンデ
ータとが一致した場合に電子ビーム１７の照射時間を決
定する。斜め線判定回路１２は、第２図（ａ）の基準パ
ターンとの比較を行う場合には第３図に示すような論理
回路として構成される。１０７〜５０９はパターンメモ
リ１１ａ内の記憶情報（“０”又は“１”）を表わす、
この回路は、第２図（ａ）の基準パターンとパターンメ
モリ１１ａ内のパターンデータとが一致した場合にのみ
、出力が“１″となり、斜め線であることを制御用コン
ピュータ１６ａに出力する。また、第２図（ｂ） 、
（ｃ） 、 （ｄ）の基準パターンとの比較を行う場合
は、第３図に示す回路を並列に接続することにより実現
される。
制御用コンピュータ１６ａは、斜め線判定回路１２の出
力に基いて電子ビームの照射時間を制御するものである
。
力に基いて電子ビームの照射時間を制御するものである
。
従来、制御用コンピュータ１６からブランキングｔ［！
４に送られる信号は、第７図（ａ）に示すように描画時
５２．５３．５４と、非描画時５１．５５．５６の２種
類であった０本発明において、制御用コンピュータ１６
ａは第７図（ｂ）に示すように、描画時６２゜６３と、
非描画時６１．６５．６６と、斜め線描画時６４との３
種類となる。斜め線を描画するときは走査時間の１７２
を描画し、残りの１／２を描画しないようにして試料９
上に照射される電子ビーム１７の密度分布を小さくし、
斜め線を形成する。ただし、電子ビームの量（密度分布
の大きさ）や試料９上に塗布されているレジストの感度
等により、描画時間は走査時間の１／２とは限らず、描
画前の試行により決定される。
４に送られる信号は、第７図（ａ）に示すように描画時
５２．５３．５４と、非描画時５１．５５．５６の２種
類であった０本発明において、制御用コンピュータ１６
ａは第７図（ｂ）に示すように、描画時６２゜６３と、
非描画時６１．６５．６６と、斜め線描画時６４との３
種類となる。斜め線を描画するときは走査時間の１７２
を描画し、残りの１／２を描画しないようにして試料９
上に照射される電子ビーム１７の密度分布を小さくし、
斜め線を形成する。ただし、電子ビームの量（密度分布
の大きさ）や試料９上に塗布されているレジストの感度
等により、描画時間は走査時間の１／２とは限らず、描
画前の試行により決定される。
（実施例２）
第８図は本発明の実施例２の基準パターンの一例である
。
。
実施例１では、斜め線の角度が４５°の場合のみ補正す
るのに対し、第８図の基準パターン等を用いることによ
り、斜め線の角度が３０°及び６０°の場合も補正が可
能となる。第８図での斜線部は描画部分を示す。
るのに対し、第８図の基準パターン等を用いることによ
り、斜め線の角度が３０°及び６０°の場合も補正が可
能となる。第８図での斜線部は描画部分を示す。
斜め線判定回路１２では、４５°の判定回路と並列に３
０°及び６０°の判定回路を構成することにより、動作
速度を低下することなく実現可能である。
０°及び６０°の判定回路を構成することにより、動作
速度を低下することなく実現可能である。
第８図の場合、ブランキング制御信号は、Ａでは１／３
を描画し、Ｂでは２／３を描画することになる。
を描画し、Ｂでは２／３を描画することになる。
従来、電子ビームのサイズを１／２にした場合、データ
メモリの容量及び描画時間がともに４倍になってしまう
のに比べ、本発明は従来のデータメモリの容量及び描画
時間でより精度の高い斜め線が描画可能である。
メモリの容量及び描画時間がともに４倍になってしまう
のに比べ、本発明は従来のデータメモリの容量及び描画
時間でより精度の高い斜め線が描画可能である。
以上説明したように本発明は、電子ビームのサイズを小
さくすることなく、直線性の高い斜め線が描画できると
いう効果がある。
さくすることなく、直線性の高い斜め線が描画できると
いう効果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図（ａ）
〜（ｄ）は基準パターンを示す図、第３図は斜め線判定
回路を示す論理回路図、第４図（ａ）（ｂ）、第５図は
従来の斜め線描画方法を示す図、第６図はパターンメモ
リの構成図、第７図（ａ）。 （ｂ）はブランキング制御信号を示す図、第８図は本発
明の実施例２に係る基準パターンの一例を示す図、第９
図は従来例を示す構成図である。 １・・・電子ビーム源 ２・・・第１のレンズ３・
・・アパーチャー ４・・・ブランキング電極５・
・・第２のレンズ ６．７・・・偏向器８・・・ス
テージ ９・・・試料１０・・・データメモリ
ｌｌａ・・・パターンメモリ１２・・・斜め線判
定回路 １３・・・Ｄ／Ａコンバータ１４・・・レー
ザー測定器 １５・・・駆動回路１６ａ・・・制御用
コンピュータ １７・・・電子ビーム 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中９．−
１Ｌ７．．１．’−’Ｌｌ ミ５ 出力 第 図 （α） （ｂ） 第 図 第 図 第 図
〜（ｄ）は基準パターンを示す図、第３図は斜め線判定
回路を示す論理回路図、第４図（ａ）（ｂ）、第５図は
従来の斜め線描画方法を示す図、第６図はパターンメモ
リの構成図、第７図（ａ）。 （ｂ）はブランキング制御信号を示す図、第８図は本発
明の実施例２に係る基準パターンの一例を示す図、第９
図は従来例を示す構成図である。 １・・・電子ビーム源 ２・・・第１のレンズ３・
・・アパーチャー ４・・・ブランキング電極５・
・・第２のレンズ ６．７・・・偏向器８・・・ス
テージ ９・・・試料１０・・・データメモリ
ｌｌａ・・・パターンメモリ１２・・・斜め線判
定回路 １３・・・Ｄ／Ａコンバータ１４・・・レー
ザー測定器 １５・・・駆動回路１６ａ・・・制御用
コンピュータ １７・・・電子ビーム 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中９．−
１Ｌ７．．１．’−’Ｌｌ ミ５ 出力 第 図 （α） （ｂ） 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）パターンメモリと、斜め線判定回路と、制御機構
とを有し、微小な円形の電子ビームを試料上に走査させ
、選択的に描画を行うことにより、所望のパターンを得
る電子ビーム露光装置であって、 パターンメモリは、所望のパターンを含む領域に隣接す
る周辺の情報を記憶可能な容量をもつものであり、 斜め線判定回路は、パターンメモリの情報に基いて斜め
線であるかどうかの判定を行い、斜め線である場合に電
子ビームの照射時間を決定するものであり、 制御機構は、斜め線判定回路の出力に基いて電子ビーム
の照射時間を制御するものであることを特徴とする電子
ビーム描画装置。 - （２）前記制御機構は、斜め線を描画する場合に、電子
ビームの照射時間を制御して試料上に照射される電子ビ
ームの密度分布を小さく設定し、斜め線を形成するもの
であることを特徴とする請求項第（１）項に記載の電子
ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12393090A JPH0423315A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12393090A JPH0423315A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423315A true JPH0423315A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14872867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12393090A Pending JPH0423315A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0423315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004573A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
| JP2008509588A (ja) * | 2004-08-06 | 2008-03-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｒｆ電力検知回路 |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP12393090A patent/JPH0423315A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008509588A (ja) * | 2004-08-06 | 2008-03-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｒｆ電力検知回路 |
| JP2008004573A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
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