JPH11233418A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
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- JPH11233418A JPH11233418A JP10035720A JP3572098A JPH11233418A JP H11233418 A JPH11233418 A JP H11233418A JP 10035720 A JP10035720 A JP 10035720A JP 3572098 A JP3572098 A JP 3572098A JP H11233418 A JPH11233418 A JP H11233418A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の電子ビームを同時に被描画材料上に照
射して同一パターンを一括して描画する方式において、
高い精度でパターンの描画を行うことができる電子ビー
ム描画装置を実現する。 【解決手段】 電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn からの複数の電
子ビームを同時に発生させ、各電子ビームを集束レン
ズ、対物レンズで集束して被描画材料１上に照射する。
更に、パターンデータメモリー９からのパターンデータ
に基づき各主偏向器ＭＤ1 〜ＭＤn によって被描画材料
１上では、複数（１〜ｎ）の電子ビームによって異なっ
た領域で同時に同一パターンの描画が実行される。この
際、各カラムごとの偏向振幅や偏向歪等の補正信号がそ
れぞれの副偏向器ＳＤ1 〜ＳＤn に供給され、この結
果、各電子ビームの偏向振幅や偏向歪は適性に補正さ
れ、材料１上には同時に複数箇所に対し高い精度で同一
パターンの描画が実行される。
射して同一パターンを一括して描画する方式において、
高い精度でパターンの描画を行うことができる電子ビー
ム描画装置を実現する。 【解決手段】 電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn からの複数の電
子ビームを同時に発生させ、各電子ビームを集束レン
ズ、対物レンズで集束して被描画材料１上に照射する。
更に、パターンデータメモリー９からのパターンデータ
に基づき各主偏向器ＭＤ1 〜ＭＤn によって被描画材料
１上では、複数（１〜ｎ）の電子ビームによって異なっ
た領域で同時に同一パターンの描画が実行される。この
際、各カラムごとの偏向振幅や偏向歪等の補正信号がそ
れぞれの副偏向器ＳＤ1 〜ＳＤn に供給され、この結
果、各電子ビームの偏向振幅や偏向歪は適性に補正さ
れ、材料１上には同時に複数箇所に対し高い精度で同一
パターンの描画が実行される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電子ビーム
源からの電子ビームを同時に被描画材料上に照射してパ
ターンの描画を行うようにした電子ビーム描画装置に関
する。
源からの電子ビームを同時に被描画材料上に照射してパ
ターンの描画を行うようにした電子ビーム描画装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般の電子ビーム描画装置は、単一の電
子ビーム源からの電子ビームをレンズで絞って被描画材
料上に照射すると共に、パターンに応じて電子ビームを
偏向し、被描画材料上に所定のパターンを描画するよう
にしている。この場合、電子ビームの偏向歪の問題を回
避するため、電子ビームの偏向によるパターンの描画は
比較的狭い領域（フィールド）に限定し、被描画材料を
載せたステージを機械的に移動させながら、全体として
広い領域の描画を行うようにしている。
子ビーム源からの電子ビームをレンズで絞って被描画材
料上に照射すると共に、パターンに応じて電子ビームを
偏向し、被描画材料上に所定のパターンを描画するよう
にしている。この場合、電子ビームの偏向歪の問題を回
避するため、電子ビームの偏向によるパターンの描画は
比較的狭い領域（フィールド）に限定し、被描画材料を
載せたステージを機械的に移動させながら、全体として
広い領域の描画を行うようにしている。
【０００３】上記した電子ビーム描画は、ステージの機
械的な移動が多く伴うことから、所定全領域の描画に多
大な時間が必要となる。この描画のスループットを向上
させるため、多数の電子ビーム源を用意し、それぞれの
電子ビーム源からの多数の電子ビームを同時に被描画材
料上の異なった領域に照射するタイプの電子ビーム描画
装置が考えられている。
械的な移動が多く伴うことから、所定全領域の描画に多
大な時間が必要となる。この描画のスループットを向上
させるため、多数の電子ビーム源を用意し、それぞれの
電子ビーム源からの多数の電子ビームを同時に被描画材
料上の異なった領域に照射するタイプの電子ビーム描画
装置が考えられている。
【０００４】このタイプの電子ビーム描画装置では、そ
れぞれの電子ビームに対して偏向器を備え、各偏向器に
同一の偏向信号を提供し、同時に同一パターンを被描画
材料の各領域で描画することにより、スループットの向
上を図るようにしている。
れぞれの電子ビームに対して偏向器を備え、各偏向器に
同一の偏向信号を提供し、同時に同一パターンを被描画
材料の各領域で描画することにより、スループットの向
上を図るようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した複数の電子ビ
ームにより、同時にパターンを描画する方式の場合、個
々の電子ビームに対してその偏向幅、偏向歪、描画位置
ずれ等を補正して、材料表面に等間隔に同一のパターン
を精度高く描画する必要がある。
ームにより、同時にパターンを描画する方式の場合、個
々の電子ビームに対してその偏向幅、偏向歪、描画位置
ずれ等を補正して、材料表面に等間隔に同一のパターン
を精度高く描画する必要がある。
【０００６】現実的には、装置の機械加工や組み立て精
度などの様々な要因が重なり、電子ビームの偏向に関す
る特性（偏向感度、偏向歪）は、各電子ビーム源からの
電子ビームごとにバラツキが生じている。また、電子ビ
ーム源の中心位置も同様の原因により、位置誤差を有し
ている。
度などの様々な要因が重なり、電子ビームの偏向に関す
る特性（偏向感度、偏向歪）は、各電子ビーム源からの
電子ビームごとにバラツキが生じている。また、電子ビ
ーム源の中心位置も同様の原因により、位置誤差を有し
ている。
【０００７】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、複数の電子ビームを同時に被描画
材料上に照射して同一パターンを一括して描画する方式
において、高い精度でパターンの描画を行うことができ
る電子ビーム描画装置を実現するにある。
もので、その目的は、複数の電子ビームを同時に被描画
材料上に照射して同一パターンを一括して描画する方式
において、高い精度でパターンの描画を行うことができ
る電子ビーム描画装置を実現するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく電子
ビーム描画装置は、複数の電子ビーム源と、複数の電子
ビーム源に対応して設けられ各電子ビーム源から発生し
た電子ビームを被描画材料上に集束するためのレンズ
と、複数の電子ビームそれぞれに対して設けられた主偏
向器と副偏向器と、各電子ビームの電子光学系ごとの偏
向補正データを記憶した補正データメモリーと、各主偏
向器に描画パターンに応じた共通の偏向信号を供給する
信号供給系と、主偏向器による電子ビームの偏向に応じ
て補正データメモリーから補正データを読みだし、各副
偏向器にそれぞれ独立した偏向補正信号を供給する信号
供給系とを備えたことを特徴としている。
ビーム描画装置は、複数の電子ビーム源と、複数の電子
ビーム源に対応して設けられ各電子ビーム源から発生し
た電子ビームを被描画材料上に集束するためのレンズ
と、複数の電子ビームそれぞれに対して設けられた主偏
向器と副偏向器と、各電子ビームの電子光学系ごとの偏
向補正データを記憶した補正データメモリーと、各主偏
向器に描画パターンに応じた共通の偏向信号を供給する
信号供給系と、主偏向器による電子ビームの偏向に応じ
て補正データメモリーから補正データを読みだし、各副
偏向器にそれぞれ独立した偏向補正信号を供給する信号
供給系とを備えたことを特徴としている。
【０００９】第１の発明では、複数の電子ビームそれぞ
れに対して主偏向器と副偏向器を設け、パターン描画の
ための電子ビームの偏向は主偏向器により共通の偏向信
号で行い、各副偏向器には主偏向器による電子ビームの
偏向に応じてそれぞれ独立した偏向補正信号を供給す
る。
れに対して主偏向器と副偏向器を設け、パターン描画の
ための電子ビームの偏向は主偏向器により共通の偏向信
号で行い、各副偏向器には主偏向器による電子ビームの
偏向に応じてそれぞれ独立した偏向補正信号を供給す
る。
【００１０】第２の発明では、第１の発明において、各
副偏向器には、補正データメモリーに書き込まれている
補正値と被描画材料の移動位置誤差の値とに基づいた偏
向補正信号を供給するようにしたことを特徴としてい
る。
副偏向器には、補正データメモリーに書き込まれている
補正値と被描画材料の移動位置誤差の値とに基づいた偏
向補正信号を供給するようにしたことを特徴としてい
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく電
子ビーム描画装置を示しており、Ｓ1 〜Ｓn はそれぞれ
電子ビーム源である。各電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn から発
生し加速された電子ビームは、図示していない集束レン
ズ、対物レンズにより、被描画材料１上に細く集束され
る。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく電
子ビーム描画装置を示しており、Ｓ1 〜Ｓn はそれぞれ
電子ビーム源である。各電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn から発
生し加速された電子ビームは、図示していない集束レン
ズ、対物レンズにより、被描画材料１上に細く集束され
る。
【００１２】なお、集束レンズ、対物レンズは、それぞ
れ電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn ごとにｎ個設けられている。
また、電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn からの各電子ビームは、
それぞれ主偏向器ＭＤ1 〜ＭＤn によって偏向され、更
に副偏向器ＳＤ1 〜ＳＤn によって偏向される。
れ電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn ごとにｎ個設けられている。
また、電子ビーム源Ｓ1 〜Ｓn からの各電子ビームは、
それぞれ主偏向器ＭＤ1 〜ＭＤn によって偏向され、更
に副偏向器ＳＤ1 〜ＳＤn によって偏向される。
【００１３】被描画材料１は、ステージ２上に載せられ
ているが、ステージ２はステージ駆動部３によりＸ，Ｙ
２方向に移動できるように構成されている。ステージ駆
動部３はステージ制御部４により制御される。ステージ
２の位置は、レーザー測長計のような位置検出器５によ
り検出され、位置検出器５からの信号は、ステージ制御
部４に供給される。ステージ制御部４は管理コンピュー
タ６によってコントロールされる。
ているが、ステージ２はステージ駆動部３によりＸ，Ｙ
２方向に移動できるように構成されている。ステージ駆
動部３はステージ制御部４により制御される。ステージ
２の位置は、レーザー測長計のような位置検出器５によ
り検出され、位置検出器５からの信号は、ステージ制御
部４に供給される。ステージ制御部４は管理コンピュー
タ６によってコントロールされる。
【００１４】被描画材料１への各電子ビームの照射によ
って発生した反射電子は、反射電子検出器ＢＥ1 〜ＢＥ
n によって検出される。各反射電子検出器ＢＥ1 〜ＢＥ
n の出力信号は、信号処理ユニット７に供給される。こ
の信号処理ユニット７で処理された信号は、管理コンピ
ュータ６に供給される。
って発生した反射電子は、反射電子検出器ＢＥ1 〜ＢＥ
n によって検出される。各反射電子検出器ＢＥ1 〜ＢＥ
n の出力信号は、信号処理ユニット７に供給される。こ
の信号処理ユニット７で処理された信号は、管理コンピ
ュータ６に供給される。
【００１５】各主偏向器ＭＤ1 〜ＭＤn には、主偏向ア
ンプ８からパターンに応じた偏向信号が供給される。主
偏向アンプ８には、データメモリー９に記憶されたパタ
ーンデータがデータ変換ユニット１０とＤＡ変換器１１
を介して供給される。データ変換ユニット１０は、デー
タメモリー９からのパターンデータを描画に適した状態
にデータ変換する。
ンプ８からパターンに応じた偏向信号が供給される。主
偏向アンプ８には、データメモリー９に記憶されたパタ
ーンデータがデータ変換ユニット１０とＤＡ変換器１１
を介して供給される。データ変換ユニット１０は、デー
タメモリー９からのパターンデータを描画に適した状態
にデータ変換する。
【００１６】各副偏向器ＳＤ1 〜ＳＤn には、副偏向ア
ンプＳＡ1 〜ＳＡn から補正のための偏向信号が供給さ
れる。各副偏向アンプＳＡ1 〜ＳＡn には、補正演算ユ
ニット１２から補正偏向信号が供給されるが、補正演算
ユニット１２は、補正データメモリー１３からの補正デ
ータと、ＤＡ変換器１１からの信号に基づいて、各補正
データを演算する。管理コンピュータ６は、データメモ
リー９と補正データメモリー１３をコントロールする。
このような構成の動作を次に説明する。
ンプＳＡ1 〜ＳＡn から補正のための偏向信号が供給さ
れる。各副偏向アンプＳＡ1 〜ＳＡn には、補正演算ユ
ニット１２から補正偏向信号が供給されるが、補正演算
ユニット１２は、補正データメモリー１３からの補正デ
ータと、ＤＡ変換器１１からの信号に基づいて、各補正
データを演算する。管理コンピュータ６は、データメモ
リー９と補正データメモリー１３をコントロールする。
このような構成の動作を次に説明する。
【００１７】まず、通常の描画は、電子ビーム源Ｓ1 〜
Ｓn からの複数の電子ビームを同時に発生させ、各電子
ビームを集束レンズ、対物レンズで集束して被描画材料
１上に照射する。
Ｓn からの複数の電子ビームを同時に発生させ、各電子
ビームを集束レンズ、対物レンズで集束して被描画材料
１上に照射する。
【００１８】更に、パターンデータメモリー９からのパ
ターンデータを読みだし、このデータをデータ変換ユニ
ット１０によって描画に適した状態にデータ変換し、こ
の変換されたデータをＤＡ変換器１１によってアナログ
信号に変換する。
ターンデータを読みだし、このデータをデータ変換ユニ
ット１０によって描画に適した状態にデータ変換し、こ
の変換されたデータをＤＡ変換器１１によってアナログ
信号に変換する。
【００１９】そして、ＤＡ変換器１１の出力を主偏向ア
ンプ８によって増幅した後に、各主偏向器ＭＤ1 〜ＭＤ
n に同時に供給し、全ての電子ビームを同一の偏向信号
によって偏向する。この結果、被描画材料１上では、複
数（１〜ｎ）の電子ビームによって異なった領域で同時
に同一パターンの描画が実行される。このような描画
は、ステージ２を２次元的に移動させながら行う。
ンプ８によって増幅した後に、各主偏向器ＭＤ1 〜ＭＤ
n に同時に供給し、全ての電子ビームを同一の偏向信号
によって偏向する。この結果、被描画材料１上では、複
数（１〜ｎ）の電子ビームによって異なった領域で同時
に同一パターンの描画が実行される。このような描画
は、ステージ２を２次元的に移動させながら行う。
【００２０】さて、上記した描画に際して、副偏向器Ｓ
Ｄ1 〜ＳＤn には、補正演算ユニット１２から副偏向ア
ンプＳＡ1 〜ＡＳn を介して補正信号が供給される。こ
の補正演算ユニット１２は、補正データメモリー１３に
記憶されている補正データを読みだし、補正演算を行う
が、補正データメモリー１３からのデータの読み出し
は、ＤＡ変換器１１への入力信号（描画データ）を用い
て行っている。
Ｄ1 〜ＳＤn には、補正演算ユニット１２から副偏向ア
ンプＳＡ1 〜ＡＳn を介して補正信号が供給される。こ
の補正演算ユニット１２は、補正データメモリー１３に
記憶されている補正データを読みだし、補正演算を行う
が、補正データメモリー１３からのデータの読み出し
は、ＤＡ変換器１１への入力信号（描画データ）を用い
て行っている。
【００２１】この補正データメモリー１３には、各電子
ビーム源Ｓ1 〜Ｓn とそれぞれの電子ビームに付随した
レンズ、偏向器等の電子光学系（各カラムと定義する）
の偏向振幅や偏向歪の補正データが記憶されており、描
画データに対応した補正データが読み出されて所望の演
算がなされ、各カラムごとの補正信号がそれぞれの副偏
向器ＳＤ1 〜ＳＤn に供給される。この結果、各電子ビ
ームの偏向振幅や偏向歪は適性に補正され、材料１上に
は同時に複数箇所に対し高い精度で同一パターンの描画
が実行される。
ビーム源Ｓ1 〜Ｓn とそれぞれの電子ビームに付随した
レンズ、偏向器等の電子光学系（各カラムと定義する）
の偏向振幅や偏向歪の補正データが記憶されており、描
画データに対応した補正データが読み出されて所望の演
算がなされ、各カラムごとの補正信号がそれぞれの副偏
向器ＳＤ1 〜ＳＤn に供給される。この結果、各電子ビ
ームの偏向振幅や偏向歪は適性に補正され、材料１上に
は同時に複数箇所に対し高い精度で同一パターンの描画
が実行される。
【００２２】本例はアナログ描画データに対する補正演
算の場合であるが、ＤＡ変換器と偏向アンプを一体化す
れば、即ち、図１における主偏向アンプ８、副偏向アン
プＳＡ1 〜ＳＡn をＤ／Ａ付き偏向アンプにすれば補正
演算を全てディジタル処理式にもできる。
算の場合であるが、ＤＡ変換器と偏向アンプを一体化す
れば、即ち、図１における主偏向アンプ８、副偏向アン
プＳＡ1 〜ＳＡn をＤ／Ａ付き偏向アンプにすれば補正
演算を全てディジタル処理式にもできる。
【００２３】なお、パターンの描画はステージ２を移動
させながら行うが、このステージ２の移動位置は位置検
出器５によって検出されており、移動位置誤差が発生し
た場合には、その誤差（位置ずれ）の量がステージ制御
ユニット４から補正演算ユニット１２に供給され、各カ
ラムごとの補正信号とステージの位置ずれの信号とが演
算処理される。この結果、補正演算ユニット１２から各
副偏向器ＳＤ1 〜ＳＤ n に供給される補正信号は各カラ
ムごとに特有の補正信号とステージの位置ずれの補正信
号とが含まれたものとなる。
させながら行うが、このステージ２の移動位置は位置検
出器５によって検出されており、移動位置誤差が発生し
た場合には、その誤差（位置ずれ）の量がステージ制御
ユニット４から補正演算ユニット１２に供給され、各カ
ラムごとの補正信号とステージの位置ずれの信号とが演
算処理される。この結果、補正演算ユニット１２から各
副偏向器ＳＤ1 〜ＳＤ n に供給される補正信号は各カラ
ムごとに特有の補正信号とステージの位置ずれの補正信
号とが含まれたものとなる。
【００２４】なお、補正データメモリー１３に記憶する
データの作成は、通常の描画動作の前にあらかじめ作成
される。すなわち、装置の機能点検査業の中で、各電子
ビームごとに偏向振幅のデータ、偏向歪みのデータ、電
子ビームの中心位置の位置ずれの値などの作成が行われ
る。
データの作成は、通常の描画動作の前にあらかじめ作成
される。すなわち、装置の機能点検査業の中で、各電子
ビームごとに偏向振幅のデータ、偏向歪みのデータ、電
子ビームの中心位置の位置ずれの値などの作成が行われ
る。
【００２５】これらのデータは、例えば、次のようにし
て作成される。まず、被描画材料１上に設けられたマー
ク上で電子ビームを走査し、その結果得られた反射電子
を検出器ＢＥで検出し、この検出信号を信号処理ユニッ
ト７に供給する。この信号処理ユニット７で処理された
信号とステージ制御ユニット４からの信号により、管理
コンピュータ６は、偏向振幅のデータ、偏向歪みのデー
タ、位置ずれの値などを作成し、補正データメモリー１
３に供給し、それらを記憶させる。
て作成される。まず、被描画材料１上に設けられたマー
ク上で電子ビームを走査し、その結果得られた反射電子
を検出器ＢＥで検出し、この検出信号を信号処理ユニッ
ト７に供給する。この信号処理ユニット７で処理された
信号とステージ制御ユニット４からの信号により、管理
コンピュータ６は、偏向振幅のデータ、偏向歪みのデー
タ、位置ずれの値などを作成し、補正データメモリー１
３に供給し、それらを記憶させる。
【００２６】図２には補正データメモリー１３のより詳
細な構成が示されている。補正データメモリー１３は、
カラムごとのｎ個のメモリーブロックＭＢ1 〜ＭＢ
n と、このメモリーブロックＭＢ1 〜ＭＢn に接続され
た座標アドレスデコーダ２０、コラムアドレスデコーダ
とデータブッファ２１、データ出力バッファ２２を備え
ている。
細な構成が示されている。補正データメモリー１３は、
カラムごとのｎ個のメモリーブロックＭＢ1 〜ＭＢ
n と、このメモリーブロックＭＢ1 〜ＭＢn に接続され
た座標アドレスデコーダ２０、コラムアドレスデコーダ
とデータブッファ２１、データ出力バッファ２２を備え
ている。
【００２７】補正データメモリー１３の第１の入力ポー
ト２３は、データ座標を受け付ける。第２の入力ポート
２４は、データ座標、カラムアドレス信号、書き込み信
号、補正データを受け付ける。出力ポート２５は、メモ
リーブロックＭＢ1 〜ＭＢnから読み出された補正デー
タを出力する。
ト２３は、データ座標を受け付ける。第２の入力ポート
２４は、データ座標、カラムアドレス信号、書き込み信
号、補正データを受け付ける。出力ポート２５は、メモ
リーブロックＭＢ1 〜ＭＢnから読み出された補正デー
タを出力する。
【００２８】図２に示した補正データメモリー１３には
２つのモードがあり、第１のモードは、メモリーに補正
データを書き込んだり、読みだしたりするモード、第２
のモードは、描画パターンデータによりメモリー内のデ
ータを選択し、カラムごとに出力するモードである。
２つのモードがあり、第１のモードは、メモリーに補正
データを書き込んだり、読みだしたりするモード、第２
のモードは、描画パターンデータによりメモリー内のデ
ータを選択し、カラムごとに出力するモードである。
【００２９】第１のモードでこのメモリー１３にデータ
の読み書きを行うのは管理コンピュータ６で、そのため
に第２の入力ポート２４が使用される。管理コンピュー
タ６は、データ座標とカラムアドレスの組み合わせによ
り、補正データメモリー１３内の全てのメモリー（メモ
リーブロックＭＢ1 〜ＭＢn ）にアクセスしてデータの
読み書きを行うことができる。
の読み書きを行うのは管理コンピュータ６で、そのため
に第２の入力ポート２４が使用される。管理コンピュー
タ６は、データ座標とカラムアドレスの組み合わせによ
り、補正データメモリー１３内の全てのメモリー（メモ
リーブロックＭＢ1 〜ＭＢn ）にアクセスしてデータの
読み書きを行うことができる。
【００３０】なお、各メモリーブロックＭＢ1 〜ＭＢn
内には、補正データが表の形式で書き込まれる。すなわ
ち、各カラムごとに電子ビームの偏向座標に対しての補
正データが格納される。
内には、補正データが表の形式で書き込まれる。すなわ
ち、各カラムごとに電子ビームの偏向座標に対しての補
正データが格納される。
【００３１】管理コンピュータ６からの指示により、第
１のモードから第２のモードに切り換えられると、第１
の入力ポート２３と出力ポート２５が有効となる。この
第２のモードでは、描画パターンデータがデータ変換ユ
ニット１０から供給され、座標アドレスデコーダ２０を
経てカラムの数だけあるメモリーブロックＭＢ1 〜ＭＢ
n を並列にアドレッシングする。
１のモードから第２のモードに切り換えられると、第１
の入力ポート２３と出力ポート２５が有効となる。この
第２のモードでは、描画パターンデータがデータ変換ユ
ニット１０から供給され、座標アドレスデコーダ２０を
経てカラムの数だけあるメモリーブロックＭＢ1 〜ＭＢ
n を並列にアドレッシングする。
【００３２】この結果、選択された各補正データは、そ
れぞれのデータバスに出力され、データ出力バッファ２
２を通って出力ポート２５に供給される。出力ポート２
５は副偏向アンプＳＡ1 〜ＳＡn に接続されている。
れぞれのデータバスに出力され、データ出力バッファ２
２を通って出力ポート２５に供給される。出力ポート２
５は副偏向アンプＳＡ1 〜ＳＡn に接続されている。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明に基づ
く電子ビーム描画装置は、複数の電子ビーム源と、複数
の電子ビーム源に対応して設けられ各電子ビーム源から
発生した電子ビームを被描画材料上に集束するためのレ
ンズと、複数の電子ビームそれぞれに対して設けられた
主偏向器と副偏向器と、各電子ビームの電子光学系ごと
の偏向補正データを記憶した補正データメモリーと、各
主偏向器に描画パターンに応じた共通の偏向信号を供給
する信号供給系と、主偏向器による電子ビームの偏向に
応じて補正データメモリーから補正データを読みだし、
各副偏向器にそれぞれ独立した偏向補正信号を供給する
信号供給系とを備えた。
く電子ビーム描画装置は、複数の電子ビーム源と、複数
の電子ビーム源に対応して設けられ各電子ビーム源から
発生した電子ビームを被描画材料上に集束するためのレ
ンズと、複数の電子ビームそれぞれに対して設けられた
主偏向器と副偏向器と、各電子ビームの電子光学系ごと
の偏向補正データを記憶した補正データメモリーと、各
主偏向器に描画パターンに応じた共通の偏向信号を供給
する信号供給系と、主偏向器による電子ビームの偏向に
応じて補正データメモリーから補正データを読みだし、
各副偏向器にそれぞれ独立した偏向補正信号を供給する
信号供給系とを備えた。
【００３４】この結果、各電子ビームの偏向は共通の大
出力の偏向アンプで駆動される主偏向器で行い、各カラ
ムごとの偏向幅、偏向歪み、電子ビームの中心位置誤差
の補正を副偏向器で行うようにしたので、被描画材料上
の複数の位置に同時に同一パターンの描画を、高い精度
で短時間に実行することができる。
出力の偏向アンプで駆動される主偏向器で行い、各カラ
ムごとの偏向幅、偏向歪み、電子ビームの中心位置誤差
の補正を副偏向器で行うようにしたので、被描画材料上
の複数の位置に同時に同一パターンの描画を、高い精度
で短時間に実行することができる。
【００３５】第２の発明では、第１の発明において、各
副偏向器に、補正データメモリーに書き込まれている補
正値と被描画材料の移動位置誤差の値とに基づいた偏向
補正信号を供給するようにした。その結果、被描画材料
の移動による位置誤差も各カラムごとに正確に補正され
る。
副偏向器に、補正データメモリーに書き込まれている補
正値と被描画材料の移動位置誤差の値とに基づいた偏向
補正信号を供給するようにした。その結果、被描画材料
の移動による位置誤差も各カラムごとに正確に補正され
る。
【図１】本発明に基づく電子ビーム描画装置を示す図で
ある。
ある。
【図２】図１の装置に用いられた補正データメモリーの
詳細を示す図である。
詳細を示す図である。
１ 被描画材料 ２ ステージ ３ ステージ駆動部 ４ ステージ制御部 ５ 位置検出器 ６ 管理コンピュータ ７ 信号処理ユニット ８ 主偏向アンプ ９ データメモリー １０ データ変換ユニット １１ ＤＡ変換器 １２ 補正演算ユニット １３ 補正データメモリー Ｓ1 〜Ｓn 電子銃 ＭＤ1 〜ＭＤn 主偏向器 ＳＤ1 〜ＳＤn 副偏向器 ＢＥ1 〜ＢＥn 反射電子検出器
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の電子ビーム源と、複数の電子ビー
ム源に対応して設けられ各電子ビーム源から発生した電
子ビームを被描画材料上に集束するためのレンズと、複
数の電子ビームそれぞれに対して設けられた主偏向器と
副偏向器と、各電子ビームの電子光学系ごとの偏向補正
データを記憶した補正データメモリーと、各主偏向器に
描画パターンに応じた共通の偏向信号を供給する信号供
給系と、主偏向器による電子ビームの偏向に応じて補正
データメモリーから補正データを読みだし、各副偏向器
にそれぞれ独立した偏向補正信号を供給する信号供給系
とを備えた電子ビーム描画装置。 - 【請求項２】 各副偏向器には、補正データメモリーに
書き込まれている補正値と被描画材料の移動位置誤差の
値とに基づいた偏向補正信号を供給するようにした請求
項１記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035720A JPH11233418A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035720A JPH11233418A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233418A true JPH11233418A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12449701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10035720A Pending JPH11233418A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233418A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100327593B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-03-15 | 박종섭 | 패터닝된 전자 빔 형성방법 |
| WO2002041374A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a des faisceaux d'electrons, procede de correction de faisceaux d'electrons, procede d'exposition a des faisceaux d'electrons, et procede permettant de produire un element semi-conducteur |
| WO2002041372A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede d'exposition a un faisceau electronique et procede de production d'elements semi-conducteurs |
| WO2002041373A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Procede de correction de faisceaux d'electrons et systeme d'exposition a des faisceaux d'electrons |
| KR100439099B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 전자선 노광 방법 |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP10035720A patent/JPH11233418A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002041372A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Advantest Corporation | Systeme d'exposition a un faisceau electronique, procede d'exposition a un faisceau electronique et procede de production d'elements semi-conducteurs |
| KR100439099B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 전자선 노광 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031007 |