JP3105657B2 - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
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- JP3105657B2 JP3105657B2 JP04236933A JP23693392A JP3105657B2 JP 3105657 B2 JP3105657 B2 JP 3105657B2 JP 04236933 A JP04236933 A JP 04236933A JP 23693392 A JP23693392 A JP 23693392A JP 3105657 B2 JP3105657 B2 JP 3105657B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを用いて微細なパターンの描画を行うようにした荷
電粒子ビーム描画方法に関する。
ームを用いて微細なパターンの描画を行うようにした荷
電粒子ビーム描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体メモリデバイスは、その記
憶容量が４Ｍから１６Ｍ、更には、６４Ｍビットと進む
につれ、高密度，高精度となり、そのデバイスの製造過
程で用いられる電子ビーム描画装置やイオンビーム描画
装置もそれに対応すべく高精度，高速化を要求されてい
る。ところで、電子ビーム描画装置などでは、多数の材
料ホルダーが用意されており、レチクル材料などの被描
画材料は、材料ホルダーに保持され、描画装置内に導入
される。材料ホルダーは描画データに応じて描画装置内
で移動させられ、材料の各部分には描画データに応じて
電子ビームが照射されて所望のパターンの描画が行われ
る。レチクルパターンが描画されたレチクル材料は、ス
テッパーなどの光学的描画装置においてＩＣデバイスの
パターン露光のために用いられる。ＩＣデバイスの製作
過程では、多数のレチクルを一つの組とし、シリコンウ
エハなどのデバイス基板に対して各レチクルに基づく重
ね合わせ露光を行って所望のデバイスを製作する。
憶容量が４Ｍから１６Ｍ、更には、６４Ｍビットと進む
につれ、高密度，高精度となり、そのデバイスの製造過
程で用いられる電子ビーム描画装置やイオンビーム描画
装置もそれに対応すべく高精度，高速化を要求されてい
る。ところで、電子ビーム描画装置などでは、多数の材
料ホルダーが用意されており、レチクル材料などの被描
画材料は、材料ホルダーに保持され、描画装置内に導入
される。材料ホルダーは描画データに応じて描画装置内
で移動させられ、材料の各部分には描画データに応じて
電子ビームが照射されて所望のパターンの描画が行われ
る。レチクルパターンが描画されたレチクル材料は、ス
テッパーなどの光学的描画装置においてＩＣデバイスの
パターン露光のために用いられる。ＩＣデバイスの製作
過程では、多数のレチクルを一つの組とし、シリコンウ
エハなどのデバイス基板に対して各レチクルに基づく重
ね合わせ露光を行って所望のデバイスを製作する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レチクルなどの材料を
材料ホルダーに保持する場合、通常は３点において材料
を支持し、ホルダーに固定するようにしている。そし
て、材料ホルダーを電子ビーム描画装置内に導入するわ
けであるが、このような過程で、材料はホルダーへの保
持のために偏った力を受け、それ自体伸縮したり、ある
いは、基準方位から回転したりする。このため、電子ビ
ーム描画時には、材料上に設けられた多数のマークの位
置を検出し、この各マークの位置から材料の伸縮の量と
材料のローテイション成分（Ｘ軸に対するＹ軸の傾き）
を求め、電子ビーム描画の時に伸縮量によって電子ビー
ムの偏向のゲインを補正したり、回転成分を打ち消すよ
うに描画材料位置と電子ビームの照射位置との相対的な
補正を行っている。
材料ホルダーに保持する場合、通常は３点において材料
を支持し、ホルダーに固定するようにしている。そし
て、材料ホルダーを電子ビーム描画装置内に導入するわ
けであるが、このような過程で、材料はホルダーへの保
持のために偏った力を受け、それ自体伸縮したり、ある
いは、基準方位から回転したりする。このため、電子ビ
ーム描画時には、材料上に設けられた多数のマークの位
置を検出し、この各マークの位置から材料の伸縮の量と
材料のローテイション成分（Ｘ軸に対するＹ軸の傾き）
を求め、電子ビーム描画の時に伸縮量によって電子ビー
ムの偏向のゲインを補正したり、回転成分を打ち消すよ
うに描画材料位置と電子ビームの照射位置との相対的な
補正を行っている。
【０００４】しかしながら、材料をホルダーに保持する
際、材料が歪み、伸縮や回転以外に直線性も損なわれ
る。この直線成分の歪みの現れ方は、各材料ホルダー固
有のもので再現性もあるが、各材料ホルダーの相互にそ
の歪みの状況は異なる。このため、ＩＣデバイスを製作
するときに、一つの組となる多数のレチクルにより、単
一の基板に対して重ね合わせ露光を行うが、各レチクル
は通常異なったホルダーに保持されて露光されるため、
各ホルダーに応じた非直線性の歪みに基づく露光誤差が
生じる。従って、重ね合わせ露光の精度が悪化するとい
う問題がある。
際、材料が歪み、伸縮や回転以外に直線性も損なわれ
る。この直線成分の歪みの現れ方は、各材料ホルダー固
有のもので再現性もあるが、各材料ホルダーの相互にそ
の歪みの状況は異なる。このため、ＩＣデバイスを製作
するときに、一つの組となる多数のレチクルにより、単
一の基板に対して重ね合わせ露光を行うが、各レチクル
は通常異なったホルダーに保持されて露光されるため、
各ホルダーに応じた非直線性の歪みに基づく露光誤差が
生じる。従って、重ね合わせ露光の精度が悪化するとい
う問題がある。
【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、材料ホルダーに保持された際の材
料の歪みに起因する重ね合わせ露光の精度の悪化を防止
することができる荷電粒子ビーム描画方法を実現するに
ある。
もので、その目的は、材料ホルダーに保持された際の材
料の歪みに起因する重ね合わせ露光の精度の悪化を防止
することができる荷電粒子ビーム描画方法を実現するに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画方法は、被描画材料を複数の材料ホルダーの
いずれかに保持し、この材料ホルダーを荷電粒子ビーム
描画装置に導入して所望パターンの描画を行う荷電粒子
ビーム描画方法において、予め、描画領域の各部分にマ
ークが設けられた基準材料を用意し、この材料を材料ホ
ルダーに保持して荷電粒子ビーム描画装置に導入し、荷
電粒子ビームを順に各マーク部分に照射してマークの位
置を求め、この求めたマーク位置に基づいて被描画材料
の歪みの情報を得、その情報を当該材料ホルダーの情報
と共に記憶し、この歪み情報を記憶するステップを複数
の材料ホルダーに対して行い、被描画材料に対する正規
の描画の際に、被描画材料が保持され、描画装置内に導
入されたホルダーに応じて、記憶された材料歪みの情報
を読みだし、この情報に基づいて描画位置の補正を行う
ようにしたことを特徴としている。
ビーム描画方法は、被描画材料を複数の材料ホルダーの
いずれかに保持し、この材料ホルダーを荷電粒子ビーム
描画装置に導入して所望パターンの描画を行う荷電粒子
ビーム描画方法において、予め、描画領域の各部分にマ
ークが設けられた基準材料を用意し、この材料を材料ホ
ルダーに保持して荷電粒子ビーム描画装置に導入し、荷
電粒子ビームを順に各マーク部分に照射してマークの位
置を求め、この求めたマーク位置に基づいて被描画材料
の歪みの情報を得、その情報を当該材料ホルダーの情報
と共に記憶し、この歪み情報を記憶するステップを複数
の材料ホルダーに対して行い、被描画材料に対する正規
の描画の際に、被描画材料が保持され、描画装置内に導
入されたホルダーに応じて、記憶された材料歪みの情報
を読みだし、この情報に基づいて描画位置の補正を行う
ようにしたことを特徴としている。
【０００７】
【作用】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法は、描
画領域の各部分にマークが設けられた基準材料を材料ホ
ルダーに保持し、荷電粒子ビームを順に各マーク部分に
照射してマークの位置を求め、この求めたマーク位置に
基づいて被描画材料の歪みの情報を得、その情報を当該
材料ホルダーの情報と共に記憶し、この歪み情報を記憶
するステップを複数の材料ホルダーに対して行い、被描
画材料に対する正規の描画の際に、被描画材料が保持さ
れ、描画装置内に導入されたホルダーに応じて、記憶さ
れた材料歪みの情報を読みだし、この情報に基づいて描
画位置の補正を行う。
画領域の各部分にマークが設けられた基準材料を材料ホ
ルダーに保持し、荷電粒子ビームを順に各マーク部分に
照射してマークの位置を求め、この求めたマーク位置に
基づいて被描画材料の歪みの情報を得、その情報を当該
材料ホルダーの情報と共に記憶し、この歪み情報を記憶
するステップを複数の材料ホルダーに対して行い、被描
画材料に対する正規の描画の際に、被描画材料が保持さ
れ、描画装置内に導入されたホルダーに応じて、記憶さ
れた材料歪みの情報を読みだし、この情報に基づいて描
画位置の補正を行う。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳
細に説明する。図１は本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示している。電子
銃１からの電子ビームは、電子レンズ２によってレチク
ル材料などの被描画材料３上に集束される。材料３は、
材料ホルダー４に保持されており、材料ホルダー４は、
移動ステージ５上に載置されている。材料３上の電子ビ
ームの照射位置は、位置決め偏向器６による電子ビーム
の偏向によって決められる。また、電子ビームによる材
料の描画は、電子ビームをブランキングしながら行わ
れ、そのため、ブランカー７が設けられている。８は制
御コンピュータであり、制御コンピュータ８からの描画
パターンデータは、パターンデータ転送回路９に送られ
る。転送回路９からブランカー制御回路１０にはブラン
キングデータが転送され、偏向器制御回路１１には描画
パターンに応じた偏向データが転送され、ステージ制御
回路１２には描画パターンに応じたステージ位置データ
が転送される。なお、１３はステージ位置補正メモリー
である。材料３への電子ビームの照射によって発生した
反射電子は、反射電子検出器１４によって検出される。
検出器１４の検出信号は、増幅器１５、ＡＤ変換器１６
を介して制御コンピュータ８に供給される。このような
構成の動作を次に説明する。
細に説明する。図１は本発明に基づく方法を実施するた
めの電子ビーム描画システムの一例を示している。電子
銃１からの電子ビームは、電子レンズ２によってレチク
ル材料などの被描画材料３上に集束される。材料３は、
材料ホルダー４に保持されており、材料ホルダー４は、
移動ステージ５上に載置されている。材料３上の電子ビ
ームの照射位置は、位置決め偏向器６による電子ビーム
の偏向によって決められる。また、電子ビームによる材
料の描画は、電子ビームをブランキングしながら行わ
れ、そのため、ブランカー７が設けられている。８は制
御コンピュータであり、制御コンピュータ８からの描画
パターンデータは、パターンデータ転送回路９に送られ
る。転送回路９からブランカー制御回路１０にはブラン
キングデータが転送され、偏向器制御回路１１には描画
パターンに応じた偏向データが転送され、ステージ制御
回路１２には描画パターンに応じたステージ位置データ
が転送される。なお、１３はステージ位置補正メモリー
である。材料３への電子ビームの照射によって発生した
反射電子は、反射電子検出器１４によって検出される。
検出器１４の検出信号は、増幅器１５、ＡＤ変換器１６
を介して制御コンピュータ８に供給される。このような
構成の動作を次に説明する。
【０００９】まず、図２に示すような表面に規則正しく
多数の十字状のマークＭが形成された材料３を用意し、
この材料を第１の材料ホルダーに保持し、図１の装置の
材料ステージ５上に載置する。なお、十字状マークＭ
は、描画の際のステージの単位移動距離（描画時の電子
ビームのフィールドの単位長さ）ごとに設けることが望
ましい。描画装置では、材料３の最初のマーク位置に電
子ビームが照射され、マーク部分でＸ，Ｙ方向に走査さ
れる。このマーク部分での電子ビームの走査に伴って検
出器１４で検出された信号は、制御コンピュータ８に供
給される。制御コンピュータ８は検出信号に基づいてマ
ーク位置を求めて記憶する。
多数の十字状のマークＭが形成された材料３を用意し、
この材料を第１の材料ホルダーに保持し、図１の装置の
材料ステージ５上に載置する。なお、十字状マークＭ
は、描画の際のステージの単位移動距離（描画時の電子
ビームのフィールドの単位長さ）ごとに設けることが望
ましい。描画装置では、材料３の最初のマーク位置に電
子ビームが照射され、マーク部分でＸ，Ｙ方向に走査さ
れる。このマーク部分での電子ビームの走査に伴って検
出器１４で検出された信号は、制御コンピュータ８に供
給される。制御コンピュータ８は検出信号に基づいてマ
ーク位置を求めて記憶する。
【００１０】最初のマーク位置の検出が終わると、ステ
ージ制御回路１２へのコンピュータ８からの指示に基づ
き、ステージ制御回路１２はステージ５を単位距離移動
させる。この単位距離は電子ビーム描画の際の電子ビー
ム偏向フィールドの辺の長さに対応している。ステージ
５の移動後に電子ビームは最初のマークの隣りの２番目
のマーク部分でＸ，Ｙ方向に走査され、２番目のマーク
位置の検出が行われる。このようにして順々に多数のマ
ークの位置の検出をステージ５の移動と各マーク部分で
の電子ビームの走査によって行い、検出された各マーク
の位置はコンピュータ８に記憶される。
ージ制御回路１２へのコンピュータ８からの指示に基づ
き、ステージ制御回路１２はステージ５を単位距離移動
させる。この単位距離は電子ビーム描画の際の電子ビー
ム偏向フィールドの辺の長さに対応している。ステージ
５の移動後に電子ビームは最初のマークの隣りの２番目
のマーク部分でＸ，Ｙ方向に走査され、２番目のマーク
位置の検出が行われる。このようにして順々に多数のマ
ークの位置の検出をステージ５の移動と各マーク部分で
の電子ビームの走査によって行い、検出された各マーク
の位置はコンピュータ８に記憶される。
【００１１】次に、マークが形成された材料を第１のホ
ルダーから外し、同じ材料を第２のホルダーに保持して
描画装置内に導入する。そして、前記したと同様な方法
で材料上の多数のマーク位置の検出を行う。この時、検
出されたマーク位置と第１の材料ホルダーを用いた際の
対応した位置のマーク位置との差がコンピュータで求め
られる。その後、マークが形成された材料を第２のホル
ダーから外し、同じ材料を第３のホルダーに保持して描
画装置内に導入する。そして、前記したと同様な方法で
材料上の多数のマーク位置の検出を行う。この時、検出
されたマーク位置と第１の材料ホルダーを用いた際の対
応した位置のマーク位置との差がコンピュータで求めら
れる。
ルダーから外し、同じ材料を第２のホルダーに保持して
描画装置内に導入する。そして、前記したと同様な方法
で材料上の多数のマーク位置の検出を行う。この時、検
出されたマーク位置と第１の材料ホルダーを用いた際の
対応した位置のマーク位置との差がコンピュータで求め
られる。その後、マークが形成された材料を第２のホル
ダーから外し、同じ材料を第３のホルダーに保持して描
画装置内に導入する。そして、前記したと同様な方法で
材料上の多数のマーク位置の検出を行う。この時、検出
されたマーク位置と第１の材料ホルダーを用いた際の対
応した位置のマーク位置との差がコンピュータで求めら
れる。
【００１２】このようにして用意された全ての材料ホル
ダーにマークが形成された基準材料を保持し、そして各
材料ホルダーごとにマーク位置のずれ量が測定される。
図３は特定の材料ホルダーの各フィールドごとのマーク
位置のずれ量を表しており、点線で区切られた領域が一
辺の長さがａのフィールドである。各フィールドごとの
２つの数字の内、上段がＸ方向のずれ、下段がＹ方向の
ずれを表している。この図３の内容がステージ位置補正
テーブルとなり、コンピュータ８から位置補正メモリー
１３に供給されて記憶される。この時、ステージ位置補
正テーブルは多数の材料ホルダーごとに設けられる。
ダーにマークが形成された基準材料を保持し、そして各
材料ホルダーごとにマーク位置のずれ量が測定される。
図３は特定の材料ホルダーの各フィールドごとのマーク
位置のずれ量を表しており、点線で区切られた領域が一
辺の長さがａのフィールドである。各フィールドごとの
２つの数字の内、上段がＸ方向のずれ、下段がＹ方向の
ずれを表している。この図３の内容がステージ位置補正
テーブルとなり、コンピュータ８から位置補正メモリー
１３に供給されて記憶される。この時、ステージ位置補
正テーブルは多数の材料ホルダーごとに設けられる。
【００１３】このような前段階の処理を行った後、レチ
クルパターンの描画が行われる。まず、最初のレチクル
材料が特定の材料ホルダー４ａに装填され図１の装置の
ステージ５上に載置される。この時、材料ホルダー４ａ
についての情報がコンピュータ８に与えられる。ついで
コンピュータ８からレチクルパターンデータがデータ転
送回路８に送られ、そのデータに基づいてステージ移動
データがステージ制御回路１２に転送される。この時、
ステージ位置補正メモリー１３に記憶された補正データ
のうち、材料ホルダー４ａに対応したステージ位置補正
テーブルのデータが読み出され、ステージ制御回路１２
に送られる。
クルパターンの描画が行われる。まず、最初のレチクル
材料が特定の材料ホルダー４ａに装填され図１の装置の
ステージ５上に載置される。この時、材料ホルダー４ａ
についての情報がコンピュータ８に与えられる。ついで
コンピュータ８からレチクルパターンデータがデータ転
送回路８に送られ、そのデータに基づいてステージ移動
データがステージ制御回路１２に転送される。この時、
ステージ位置補正メモリー１３に記憶された補正データ
のうち、材料ホルダー４ａに対応したステージ位置補正
テーブルのデータが読み出され、ステージ制御回路１２
に送られる。
【００１４】ステージ制御回路１２は、パターンデータ
に基づくステージの移動データを、ステージ位置補正テ
ーブルの補正データに基づいて補正する。ステージ５は
ステージ制御回路１２によって所定の距離移動させら
れ、その後、材料３には電子ビームが照射され、この電
子ビームは、偏向器制御回路１１からパターンデータに
基づく偏向信号が供給される偏向器６によって偏向され
ることから、材料の所定フィールドには所望のパターン
の描画が行われる。このようにして、異なったフィール
ドの描画を行うときには、ステージが移動させられる
が、その時のステージの移動量もステージ移動補正テー
ブルからの補正データによって補正させられる。
に基づくステージの移動データを、ステージ位置補正テ
ーブルの補正データに基づいて補正する。ステージ５は
ステージ制御回路１２によって所定の距離移動させら
れ、その後、材料３には電子ビームが照射され、この電
子ビームは、偏向器制御回路１１からパターンデータに
基づく偏向信号が供給される偏向器６によって偏向され
ることから、材料の所定フィールドには所望のパターン
の描画が行われる。このようにして、異なったフィール
ドの描画を行うときには、ステージが移動させられる
が、その時のステージの移動量もステージ移動補正テー
ブルからの補正データによって補正させられる。
【００１５】次に、材料ホルダー４ａに装填されたレチ
クル材料３ａへの第１のレチクルパターンの描画が終了
した後、材料４ｂに装填されたレチクル材料３ｂへの第
２のレチクルパターンの描画が開始される。この時も材
料ホルダー４ｂを載せたステージの移動の際には、メモ
リー１３に記憶された材料ホルダー４ｂに対応したステ
ージ位置補正テーブルが読み出され、このテーブルに応
じてステージの移動量は補正される。このようにして組
レチクルを構成する全てのレチクル材料３ａ〜３ｎの描
画が行われるが、全てのレチクル材料が異なった材料ホ
ルダーに保持されていたとしても、材料ホルダーへの装
填の際に発生した歪み成分についてはステージの移動量
の補正によってその影響をなくすようにしているので、
組レチクルを用いて重ね合わせ露光を行っても、重ね合
わせ誤差が発生することは防止される。
クル材料３ａへの第１のレチクルパターンの描画が終了
した後、材料４ｂに装填されたレチクル材料３ｂへの第
２のレチクルパターンの描画が開始される。この時も材
料ホルダー４ｂを載せたステージの移動の際には、メモ
リー１３に記憶された材料ホルダー４ｂに対応したステ
ージ位置補正テーブルが読み出され、このテーブルに応
じてステージの移動量は補正される。このようにして組
レチクルを構成する全てのレチクル材料３ａ〜３ｎの描
画が行われるが、全てのレチクル材料が異なった材料ホ
ルダーに保持されていたとしても、材料ホルダーへの装
填の際に発生した歪み成分についてはステージの移動量
の補正によってその影響をなくすようにしているので、
組レチクルを用いて重ね合わせ露光を行っても、重ね合
わせ誤差が発生することは防止される。
【００１６】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。また、材料の歪み情報に基づいて、
ステージの移動距離を補正するようにしたが、材料の歪
み情報に基づいて荷電粒子ビームの偏向量を補正するよ
うにしても良い。また、被描画材料の歪みを測定する時
のマーク間隔は、測定時間を短縮する為に、描画フィー
ルドの単位長さよりも大きくとも良い。この場合は、ス
テージ位置補正テーブルは補間法で求める。
はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。また、材料の歪み情報に基づいて、
ステージの移動距離を補正するようにしたが、材料の歪
み情報に基づいて荷電粒子ビームの偏向量を補正するよ
うにしても良い。また、被描画材料の歪みを測定する時
のマーク間隔は、測定時間を短縮する為に、描画フィー
ルドの単位長さよりも大きくとも良い。この場合は、ス
テージ位置補正テーブルは補間法で求める。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム描画方法は、描画領域の各部分にマークが
設けられた基準材料を材料ホルダーに保持し、荷電粒子
ビームを順に各マーク部分に照射してマークの位置を求
め、この求めたマーク位置に基づいて被描画材料の歪み
の情報を得、その情報を当該材料ホルダーの情報と共に
記憶し、この歪み情報を記憶するステップを複数の材料
ホルダーに対して行い、被描画材料に対する正規の描画
の際に、被描画材料が保持され、描画装置内に導入され
たホルダーに応じて、記憶された材料歪みの情報を読み
だし、この情報に基づいて描画位置の補正を行うように
したので、材料ホルダーに保持された際の材料の歪みに
起因する重ね合わせ露光の精度の悪化を防止することが
できる。
電粒子ビーム描画方法は、描画領域の各部分にマークが
設けられた基準材料を材料ホルダーに保持し、荷電粒子
ビームを順に各マーク部分に照射してマークの位置を求
め、この求めたマーク位置に基づいて被描画材料の歪み
の情報を得、その情報を当該材料ホルダーの情報と共に
記憶し、この歪み情報を記憶するステップを複数の材料
ホルダーに対して行い、被描画材料に対する正規の描画
の際に、被描画材料が保持され、描画装置内に導入され
たホルダーに応じて、記憶された材料歪みの情報を読み
だし、この情報に基づいて描画位置の補正を行うように
したので、材料ホルダーに保持された際の材料の歪みに
起因する重ね合わせ露光の精度の悪化を防止することが
できる。
【図１】本発明を実施するための電子ビーム描画システ
ムを示す図である。
ムを示す図である。
【図２】基準材料に設けられたマーク示す図である。
【図３】ステージ位置補正テーブルの一例を示す図であ
る。
る。
１ 電子銃 ２ 電子レンズ ３ 材料 ４ 材料ホルダー ５ 移動ステージ ６ 偏向器 ７ ブランカー ８ 制御コンピュータ ９ パターンデータ転送回路 １０ ブランカー制御回路 １１ 偏向器制御回路 １２ ステージ制御回路 １３ 補正メモリー １４ ２次電子検出器 １５ 増幅器 １６ ＡＤ変換器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (1)
- 【請求項１】 被描画材料を複数の材料ホルダーのいず
れかに保持し、この材料ホルダーを荷電粒子ビーム描画
装置に導入して所望パターンの描画を行う荷電粒子ビー
ム描画方法において、予め、描画領域の各部分にマーク
が設けられた基準材料を用意し、この材料を材料ホルダ
ーに保持して荷電粒子ビーム描画装置に導入し、荷電粒
子ビームを順に各マーク部分に照射してマークの位置を
求め、この求めたマーク位置に基づいて被描画材料の歪
みの情報を得、その情報を当該材料ホルダーの情報と共
に記憶し、この歪み情報を記憶するステップを複数の材
料ホルダーに対して行い、被描画材料に対する正規の描
画の際に、被描画材料が保持され、描画装置内に導入さ
れたホルダーに応じて、記憶された材料歪みの情報を読
みだし、この情報に基づいて描画位置の補正を行うよう
にした荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04236933A JP3105657B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04236933A JP3105657B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684768A JPH0684768A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3105657B2 true JP3105657B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=17007906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04236933A Expired - Fee Related JP3105657B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3105657B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3491106B2 (ja) * | 1994-12-14 | 2004-01-26 | 株式会社ニコン | 位置検出装置、位置合せ装置及び位置測定方法 |
| JP2007220937A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 基板の重ね描画方法 |
| JP2016225357A (ja) | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP04236933A patent/JP3105657B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684768A (ja) | 1994-03-25 |
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