JP3340595B2 - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
- Publication number
- JP3340595B2 JP3340595B2 JP18516995A JP18516995A JP3340595B2 JP 3340595 B2 JP3340595 B2 JP 3340595B2 JP 18516995 A JP18516995 A JP 18516995A JP 18516995 A JP18516995 A JP 18516995A JP 3340595 B2 JP3340595 B2 JP 3340595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- mark
- rotation
- electron beam
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームやイオ
ンビームを用いて微細なパターンの描画を行うようにし
た荷電粒子ビーム描画方法に関する。
ンビームを用いて微細なパターンの描画を行うようにし
た荷電粒子ビーム描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体メモリデバイスは、その記
憶容量が４Ｍから６Ｍ、更には、６４Ｍビットと進むに
つれ、高密度，高精度となり、そのデバイスの製造過程
で用いられる電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装
置もそれに対応すべく高精度，高速化を要求されてい
る。
憶容量が４Ｍから６Ｍ、更には、６４Ｍビットと進むに
つれ、高密度，高精度となり、そのデバイスの製造過程
で用いられる電子ビーム描画装置やイオンビーム描画装
置もそれに対応すべく高精度，高速化を要求されてい
る。
【０００３】電子ビーム描画装置などでは、マスク材料
やレチクル材料などの被描画材料は、材料ホルダーに保
持され、描画装置内に導入される。材料ホルダーは描画
データに応じて描画装置内で移動させられ、材料の各部
分には描画データに応じて電子ビームが照射されて所望
のパターンの描画が行われる。マスクパターンやレチク
ルパターンが描画された材料は、ステッパーなどの光学
的描画装置においてＩＣデバイスのパターン露光のため
に用いられる。
やレチクル材料などの被描画材料は、材料ホルダーに保
持され、描画装置内に導入される。材料ホルダーは描画
データに応じて描画装置内で移動させられ、材料の各部
分には描画データに応じて電子ビームが照射されて所望
のパターンの描画が行われる。マスクパターンやレチク
ルパターンが描画された材料は、ステッパーなどの光学
的描画装置においてＩＣデバイスのパターン露光のため
に用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子ビーム
描画などによりデバイス材料へ直接描画を行う場合に
は、あらかじめ材料上に多数のマークが設けられてお
り、マークを検出してこのマーク位置から材料の位置合
わせや、ステージや材料の回転成分の補正などを行って
いる。
描画などによりデバイス材料へ直接描画を行う場合に
は、あらかじめ材料上に多数のマークが設けられてお
り、マークを検出してこのマーク位置から材料の位置合
わせや、ステージや材料の回転成分の補正などを行って
いる。
【０００５】しかしながら、マスクパターンやレチクル
パターンの描画では、材料の各描画領域にマークが設け
られていないために、必然的にステージの回転（ヨーイ
ング）による誤差の補正は行うことができない。このた
め、高精度の描画が困難である。
パターンの描画では、材料の各描画領域にマークが設け
られていないために、必然的にステージの回転（ヨーイ
ング）による誤差の補正は行うことができない。このた
め、高精度の描画が困難である。
【０００６】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、マスクパターンやレチクルパター
ンの描画時に、ステージの回転の補正を行い、高精度の
パターン描画を行うことができる荷電粒子ビーム描画方
法を実現するにある。
もので、その目的は、マスクパターンやレチクルパター
ンの描画時に、ステージの回転の補正を行い、高精度の
パターン描画を行うことができる荷電粒子ビーム描画方
法を実現するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく荷電粒子
ビーム描画方法は、被描画材料が載せられたステージを
Ｘ，Ｙ方向に動かして各描画位置に移動させ、該材料の
各フィールドに荷電粒子ビームを照射して所望のパター
ンを描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法におい
て、あらかじめ、描画領域の各部分にマークが設けられ
た基準材料が載せられたステージを各描画位置に移動さ
せ、その都度各描画位置における各マークごとに所望サ
イズステージをＸ，Ｙ方向に移動させて移動の前後にお
いてマーク位置を検出し、マーク位置のＹ，Ｘ方向にお
ける位置変化からフィールドのＸ方向とＹ方向の回転成
分を求めることにより、各描画位置における回転値を求
めて記憶し、実際の描画時には、各描画位置における回
転値に基づく回転補正を行って各フィールドに所望パタ
ーンの描画を行うようにしたことを特徴としている。
ビーム描画方法は、被描画材料が載せられたステージを
Ｘ，Ｙ方向に動かして各描画位置に移動させ、該材料の
各フィールドに荷電粒子ビームを照射して所望のパター
ンを描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法におい
て、あらかじめ、描画領域の各部分にマークが設けられ
た基準材料が載せられたステージを各描画位置に移動さ
せ、その都度各描画位置における各マークごとに所望サ
イズステージをＸ，Ｙ方向に移動させて移動の前後にお
いてマーク位置を検出し、マーク位置のＹ，Ｘ方向にお
ける位置変化からフィールドのＸ方向とＹ方向の回転成
分を求めることにより、各描画位置における回転値を求
めて記憶し、実際の描画時には、各描画位置における回
転値に基づく回転補正を行って各フィールドに所望パタ
ーンの描画を行うようにしたことを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明に基づく方法を実施
するための電子ビーム描画システムの一例を示してい
る。電子銃１からの電子ビームは、電子レンズ２によっ
てレチクル材料などの被描画材料３上に集束される。材
料３は、材料ホルダー４に保持されており、材料ホルダ
ー４は、移動ステージ５上に載置されている。
施の形態を説明する。図１は本発明に基づく方法を実施
するための電子ビーム描画システムの一例を示してい
る。電子銃１からの電子ビームは、電子レンズ２によっ
てレチクル材料などの被描画材料３上に集束される。材
料３は、材料ホルダー４に保持されており、材料ホルダ
ー４は、移動ステージ５上に載置されている。
【０００９】材料３上の電子ビームの照射位置は、位置
決め偏向器６による電子ビームの偏向によって決められ
る。また、電子ビームによる材料の描画は、電子ビーム
をブランキングしながら行われ、そのため、ブランカー
７が設けられている。８は制御コンピュータであり、制
御コンピュータ８からの描画パターンデータは、パター
ンデータ転送回路９に送られる。
決め偏向器６による電子ビームの偏向によって決められ
る。また、電子ビームによる材料の描画は、電子ビーム
をブランキングしながら行われ、そのため、ブランカー
７が設けられている。８は制御コンピュータであり、制
御コンピュータ８からの描画パターンデータは、パター
ンデータ転送回路９に送られる。
【００１０】転送回路９からブランカー制御回路１０に
はブランキングデータが転送され、偏向器制御回路１１
には描画パターンに応じた偏向データが転送され、ステ
ージ制御回路１２には描画パターンに応じたステージ位
置データが転送される。なお、１３はステージ回転補正
メモリーであり、あらかじめステージを各描画位置に移
動させ、その都度各描画位置における回転値を求め、こ
の回転値に基づく補正値が記憶されている。
はブランキングデータが転送され、偏向器制御回路１１
には描画パターンに応じた偏向データが転送され、ステ
ージ制御回路１２には描画パターンに応じたステージ位
置データが転送される。なお、１３はステージ回転補正
メモリーであり、あらかじめステージを各描画位置に移
動させ、その都度各描画位置における回転値を求め、こ
の回転値に基づく補正値が記憶されている。
【００１１】材料３への電子ビームの照射によって発生
した反射電子は、反射電子検出器１４によって検出され
る。検出器１４の検出信号は、増幅器１５、ＡＤ変換器
１６を介して制御コンピュータ８に供給される。このよ
うな構成の動作を次に説明する。
した反射電子は、反射電子検出器１４によって検出され
る。検出器１４の検出信号は、増幅器１５、ＡＤ変換器
１６を介して制御コンピュータ８に供給される。このよ
うな構成の動作を次に説明する。
【００１２】まず、ステージ回転補正メモリー１３に
は、あらかじめ材料３の各描画位置におけるステージ５
の回転を補正するデータが格納される。このような前段
階の処理を行った後、レチクルパターンの描画が行われ
る。まず、レチクル材料が材料ホルダー４に装填されス
テージ５上に載置される。
は、あらかじめ材料３の各描画位置におけるステージ５
の回転を補正するデータが格納される。このような前段
階の処理を行った後、レチクルパターンの描画が行われ
る。まず、レチクル材料が材料ホルダー４に装填されス
テージ５上に載置される。
【００１３】ついでコンピュータ８からレチクルパター
ンデータがデータ転送回路８に送られ、そのデータに基
づいてステージ移動データがステージ制御回路１２に転
送される。ステージ５はステージ制御回路１２によって
所定の距離移動させられ、その後、材料３には電子ビー
ムが照射される。この電子ビームは、偏向器制御回路１
１からパターンデータに基づく偏向信号が供給される偏
向器６によって偏向されることから、材料の所定フィー
ルドには所望のパターンの描画が行われる。
ンデータがデータ転送回路８に送られ、そのデータに基
づいてステージ移動データがステージ制御回路１２に転
送される。ステージ５はステージ制御回路１２によって
所定の距離移動させられ、その後、材料３には電子ビー
ムが照射される。この電子ビームは、偏向器制御回路１
１からパターンデータに基づく偏向信号が供給される偏
向器６によって偏向されることから、材料の所定フィー
ルドには所望のパターンの描画が行われる。
【００１４】このようにして、異なったフィールドの描
画を行うときには、ステージが移動させられるが、この
時、ステージ回転補正メモリー１３には、材料３の各描
画位置ごとにステージ５の回転成分を補正するデータが
格納されている。偏向器制御回路１１から位置決め偏向
器６に供給される偏向信号は、ステージ回転補正メモリ
ー１３に記憶されている補正値によって補正される。そ
の結果、パターン描画はステージの回転成分が補正さ
れ、高精度の描画が実行される。
画を行うときには、ステージが移動させられるが、この
時、ステージ回転補正メモリー１３には、材料３の各描
画位置ごとにステージ５の回転成分を補正するデータが
格納されている。偏向器制御回路１１から位置決め偏向
器６に供給される偏向信号は、ステージ回転補正メモリ
ー１３に記憶されている補正値によって補正される。そ
の結果、パターン描画はステージの回転成分が補正さ
れ、高精度の描画が実行される。
【００１５】次に、材料の各描画位置におけるステージ
５の回転値を求める実施の形態を説明する。まず、図２
に示すような表面に規則正しく多数の十字状のマークＭ
が形成された材料３を用意し、この材料を材料ホルダー
４に保持し、図１の装置の材料ステージ５上に載置す
る。なお、十字状マークＭは、描画の際のステージの単
位移動距離（描画時の電子ビームのフィールドの単位長
さ）ごとに設けられている。描画装置では、材料３の最
初のマーク位置が電子ビームの光軸上に位置するように
ステージを移動する。
５の回転値を求める実施の形態を説明する。まず、図２
に示すような表面に規則正しく多数の十字状のマークＭ
が形成された材料３を用意し、この材料を材料ホルダー
４に保持し、図１の装置の材料ステージ５上に載置す
る。なお、十字状マークＭは、描画の際のステージの単
位移動距離（描画時の電子ビームのフィールドの単位長
さ）ごとに設けられている。描画装置では、材料３の最
初のマーク位置が電子ビームの光軸上に位置するように
ステージを移動する。
【００１６】図３は電子ビームの光軸上に位置された特
定描画フィールドＦを示しており、最初にこのフィール
ドＦの中心Ｏが電子ビームの光軸上に位置される。この
時、フィールドの中心Ｏにマークが位置されている。そ
の後、ステージ５を移動させ、図中の位置を光軸上に
配置する。この状態で、マーク部分で電子ビームをＸ，
Ｙ方向に走査し、このマーク部分での電子ビームの走査
に伴って検出器１４で検出された信号を、制御コンピュ
ータ８に供給する。制御コンピュータ８は検出信号に基
づいてマーク位置を求めて記憶する。
定描画フィールドＦを示しており、最初にこのフィール
ドＦの中心Ｏが電子ビームの光軸上に位置される。この
時、フィールドの中心Ｏにマークが位置されている。そ
の後、ステージ５を移動させ、図中の位置を光軸上に
配置する。この状態で、マーク部分で電子ビームをＸ，
Ｙ方向に走査し、このマーク部分での電子ビームの走査
に伴って検出器１４で検出された信号を、制御コンピュ
ータ８に供給する。制御コンピュータ８は検出信号に基
づいてマーク位置を求めて記憶する。
【００１７】次に、ステージ５をＸ方向に移動させ、図
中の位置を光軸上に配置する。この状態で、マーク部
分で電子ビームをＸ，Ｙ方向に走査し、このマーク部分
での電子ビームの走査に伴って検出器１４で検出された
信号を、制御コンピュータ８に供給する。制御コンピュ
ータ８は検出信号に基づいてマーク位置を求めて記憶す
る。
中の位置を光軸上に配置する。この状態で、マーク部
分で電子ビームをＸ，Ｙ方向に走査し、このマーク部分
での電子ビームの走査に伴って検出器１４で検出された
信号を、制御コンピュータ８に供給する。制御コンピュ
ータ８は検出信号に基づいてマーク位置を求めて記憶す
る。
【００１８】ここで、の位置におけるマークのＹ方向
の位置がＹ１であり、の位置におけるマークのＹ方向
の位置がＹ２であると、このフィールドＦにおけるＸ方
向の回転成分は、Ｙ１−Ｙ２である。
の位置がＹ１であり、の位置におけるマークのＹ方向
の位置がＹ２であると、このフィールドＦにおけるＸ方
向の回転成分は、Ｙ１−Ｙ２である。
【００１９】次に、ステージ５を移動させ、図中の位
置を光軸上に配置する。この状態で、マーク部分で電子
ビームをＸ，Ｙ方向に走査し、このマーク部分での電子
ビームの走査に伴って検出器１４で検出された信号を、
制御コンピュータ８に供給する。制御コンピュータ８は
検出信号に基づいてマーク位置を求めて記憶する。
置を光軸上に配置する。この状態で、マーク部分で電子
ビームをＸ，Ｙ方向に走査し、このマーク部分での電子
ビームの走査に伴って検出器１４で検出された信号を、
制御コンピュータ８に供給する。制御コンピュータ８は
検出信号に基づいてマーク位置を求めて記憶する。
【００２０】次に、ステージ５をＹ方向に移動させ、図
中の位置を光軸上に配置する。この状態で、マーク部
分で電子ビームをＸ，Ｙ方向に走査し、このマーク部分
での電子ビームの走査に伴って検出器１４で検出された
信号を、制御コンピュータ８に供給する。制御コンピュ
ータ８は検出信号に基づいてマーク位置を求めて記憶す
る。
中の位置を光軸上に配置する。この状態で、マーク部
分で電子ビームをＸ，Ｙ方向に走査し、このマーク部分
での電子ビームの走査に伴って検出器１４で検出された
信号を、制御コンピュータ８に供給する。制御コンピュ
ータ８は検出信号に基づいてマーク位置を求めて記憶す
る。
【００２１】ここで、の位置におけるマークのＸ方向
の位置がＸ３であり、 の位置におけるマークのＸ方向
の位置がＸ４であると、このフィールドＦにおけるＹ方
向の回転成分は、Ｘ３−Ｘ４である。このようにして、
特定フィールドにおけるＸ方向とＹ方向の回転成分を求
めることができる。この回転成分を求める動作は、各フ
ィールドごとに行われ、その結果、材料３の各描画位置
における回転値が求められる。
の位置がＸ３であり、 の位置におけるマークのＸ方向
の位置がＸ４であると、このフィールドＦにおけるＹ方
向の回転成分は、Ｘ３−Ｘ４である。このようにして、
特定フィールドにおけるＸ方向とＹ方向の回転成分を求
めることができる。この回転成分を求める動作は、各フ
ィールドごとに行われ、その結果、材料３の各描画位置
における回転値が求められる。
【００２２】制御コンピュータ８は、各フィールドごと
の求められた回転値から、補正データを作成し、ステー
ジ回転補正メモリーにそのデータを格納する。なお、こ
の実施例では、各フィールドごとに回転成分の検出を行
ったが、飛び飛びのフィールドのみについて回転値を求
め、他のフィールドについては補間法によって回転値を
決定するようにしても良い。
の求められた回転値から、補正データを作成し、ステー
ジ回転補正メモリーにそのデータを格納する。なお、こ
の実施例では、各フィールドごとに回転成分の検出を行
ったが、飛び飛びのフィールドのみについて回転値を求
め、他のフィールドについては補間法によって回転値を
決定するようにしても良い。
【００２３】
【００２４】
【００２５】以上本発明の実施の形態を説明したが、本
発明はそれらに限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。
発明はそれらに限定されない。例えば、電子ビーム描画
装置のみならず、イオンビーム描画装置にも本発明を用
いることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく荷
電粒子ビーム描画方法は、被描画材料が載せられたステ
ージをＸ，Ｙ方向に動かして各描画位置に移動させ、該
材料の各フィールドに荷電粒子ビームを照射して所望の
パターンを描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法
において、あらかじめ、描画領域の各部分にマークが設
けられた基準材料が載せられたステージを各描画位置に
移動させ、その都度各描画位置における各マークごとに
所望サイズステージをＸ，Ｙ方向に移動させて移動の前
後においてマーク位置を検出し、マーク位置のＹ，Ｘ方
向における位置変化からフィールドのＸ方向とＹ方向の
回転成分を求めることにより、各描画位置における回転
値を求めて記憶し、実際の描画時には、各描画位置にお
ける回転値に基づく回転補正を行って各フィールドに所
望パターンの描画を行うようにしたので、マスクパター
ンやレチクルパターンの描画時に、ステージの回転誤差
による描画精度の劣化がなく、高精度の描画を行うこと
ができる。
電粒子ビーム描画方法は、被描画材料が載せられたステ
ージをＸ，Ｙ方向に動かして各描画位置に移動させ、該
材料の各フィールドに荷電粒子ビームを照射して所望の
パターンを描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法
において、あらかじめ、描画領域の各部分にマークが設
けられた基準材料が載せられたステージを各描画位置に
移動させ、その都度各描画位置における各マークごとに
所望サイズステージをＸ，Ｙ方向に移動させて移動の前
後においてマーク位置を検出し、マーク位置のＹ，Ｘ方
向における位置変化からフィールドのＸ方向とＹ方向の
回転成分を求めることにより、各描画位置における回転
値を求めて記憶し、実際の描画時には、各描画位置にお
ける回転値に基づく回転補正を行って各フィールドに所
望パターンの描画を行うようにしたので、マスクパター
ンやレチクルパターンの描画時に、ステージの回転誤差
による描画精度の劣化がなく、高精度の描画を行うこと
ができる。
【図１】本発明を実施するための電子ビーム描画システ
ムを示す図である。
ムを示す図である。
【図２】基準材料に設けられたマークを示す図である。
【図３】マーク検出によるフィールドの回転値検出を説
明するための図である。
明するための図である。
１ 電子銃 ２ 電子レンズ ３ 材料 ４ 材料ホルダー ５ 移動ステージ ６ 偏向器 ７ ブランカー ８ 制御コンピュータ ９ パターンデータ転送回路 １０ ブランカー制御回路 １１ 偏向器制御回路 １２ ステージ制御回路 １３ ステージ回転補正メモリー １４ 反射電子検出器 １５ 増幅器 １６ ＡＤ変換器
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−216815（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−52474（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163380（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−50238（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−50432（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−119120（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−200622（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 被描画材料が載せられたステージをＸ，
Ｙ方向に動かして各描画位置に移動させ、該材料の各フ
ィールドに荷電粒子ビームを照射して所望のパターンを
描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法において、
あらかじめ、描画領域の各部分にマークが設けられた基
準材料が載せられたステージを各描画位置に移動させ、
その都度各描画位置における各マークごとに所望サイズ
ステージをＸ，Ｙ方向に移動させて移動の前後において
マーク位置を検出し、マーク位置のＹ，Ｘ方向における
位置変化からフィールドのＸ方向とＹ方向の回転成分を
求めることにより、各描画位置における回転値を求めて
記憶し、実際の描画時には、各描画位置における回転値
に基づく回転補正を行って各フィールドに所望パターン
の描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18516995A JP3340595B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18516995A JP3340595B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936022A JPH0936022A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3340595B2 true JP3340595B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=16166046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18516995A Expired - Fee Related JP3340595B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3340595B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4511707B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2010-07-28 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP18516995A patent/JP3340595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0936022A (ja) | 1997-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4423959A (en) | Positioning apparatus | |
| US3900737A (en) | Electron beam exposure system | |
| US6870171B2 (en) | Exposure apparatus | |
| US6222195B1 (en) | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method | |
| US6864488B2 (en) | Charged particle beam exposure method and apparatus | |
| EP0298495B1 (en) | Method and apparatus for correcting defects of x-ray mask | |
| US5422491A (en) | Mask and charged particle beam exposure method using the mask | |
| EP0367126B1 (en) | Charged particle beam exposure method using a mask | |
| US4396901A (en) | Method for correcting deflection distortion in an apparatus for charged particle lithography | |
| JPH0732111B2 (ja) | 荷電ビ−ム投影露光装置 | |
| US5894132A (en) | Charged-particle-beam projection-exposure apparatus with focus and tilt adjustments | |
| US5608226A (en) | Electron-beam exposure method and system | |
| JP2871627B2 (ja) | 電子線露光方法及びその装置 | |
| JP3340595B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH0744145B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JP3105657B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPS6221216A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH0414490B2 (ja) | ||
| JP3101100B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP3242122B2 (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3157968B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP3232583B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JP2796121B2 (ja) | 電子線描画方法および電子線描画装置 | |
| JP2848417B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 | |
| JP3083428B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020730 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130816 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130816 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |