JP3232583B2 - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JP3232583B2 JP3232583B2 JP11740891A JP11740891A JP3232583B2 JP 3232583 B2 JP3232583 B2 JP 3232583B2 JP 11740891 A JP11740891 A JP 11740891A JP 11740891 A JP11740891 A JP 11740891A JP 3232583 B2 JP3232583 B2 JP 3232583B2
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- Japan
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- stage
- field
- electron beam
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】高精度のマスク，レチクルを描画
する電子線描画装置に関する。
する電子線描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術を図１をもって説明する。ステ
ップ＆リピート方式の描画装置では、フィールド単位に
分割された描画パターン（１）をプレート（２）上に描
画する場合、まず、フィールド３の中心がビーム原点に
来る様にステージをＹの−方向に移動させる。次にフィ
ールド３全面を露光し、その後、フィールド４の中心が
ビーム原点に来る様にステージをＹの−方向に移動させ
る。同様に次のフィールドを描画し、プレート全面の描
画を終える。ここで、プレート全面を描画するのに約１
ｈｒ程度要する為、描画途中に、ビームドリフト補正が
実行される。ビームドリフト補正は、次の様に行われ
る。描画開始寸前にステージ上に固定された基準マーク
７の位置（ｘ1，ｙ1）をビームにより検出しておく。描
画開始して、途中、所定の時間（通常１分程度）毎に、
その時のフィールド描画終了時点で再度基準マーク位置
にステージを移動（Ｙの−方向）させ、マーク検出を実
行し、その時得られた（ｘ2，ｙ2）と初期値（ｘ1，
ｙ1）との差、Δｘ1＝ｘ2−ｘ1，Δｙ1＝ｙ2−ｙ1をビ
ームドリフト値として、次のフィールドを描画する時に
ステージの移動目標値に加算することによって、ビーム
ドリフト補正を行う。その為、約１ｈｒの描画中に６０
回程度、ビームドリフト補正が実行される。
ップ＆リピート方式の描画装置では、フィールド単位に
分割された描画パターン（１）をプレート（２）上に描
画する場合、まず、フィールド３の中心がビーム原点に
来る様にステージをＹの−方向に移動させる。次にフィ
ールド３全面を露光し、その後、フィールド４の中心が
ビーム原点に来る様にステージをＹの−方向に移動させ
る。同様に次のフィールドを描画し、プレート全面の描
画を終える。ここで、プレート全面を描画するのに約１
ｈｒ程度要する為、描画途中に、ビームドリフト補正が
実行される。ビームドリフト補正は、次の様に行われ
る。描画開始寸前にステージ上に固定された基準マーク
７の位置（ｘ1，ｙ1）をビームにより検出しておく。描
画開始して、途中、所定の時間（通常１分程度）毎に、
その時のフィールド描画終了時点で再度基準マーク位置
にステージを移動（Ｙの−方向）させ、マーク検出を実
行し、その時得られた（ｘ2，ｙ2）と初期値（ｘ1，
ｙ1）との差、Δｘ1＝ｘ2−ｘ1，Δｙ1＝ｙ2−ｙ1をビ
ームドリフト値として、次のフィールドを描画する時に
ステージの移動目標値に加算することによって、ビーム
ドリフト補正を行う。その為、約１ｈｒの描画中に６０
回程度、ビームドリフト補正が実行される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来方式によると、例
えば、フィールド３，４，５を描画後、ビームドリフト
補正が実行され、その後、フィールド６が描画されたと
すると、フィールド３からフィールド４，フィールド５
へのステージ移動は、Ｙの−方向の一定方向である。そ
の為、ステージの機械的特性（yawingなど）が一定に現
れ、フィールドにまたがったパターンの接続誤差は一定
となる。ところが、ビームドリフト補正後にフィールド
６を描画する為には、ステージを基準マーク位置より、
フィールド６に向かって、Ｙの＋方向に移動する。その
ため、フィールド６描画時のステージの機械的特性はフ
ィールド５と異なり、フィールド５とフィールド６にま
たがるパターンの接続誤差は大きくなる。つまり、フィ
ールド４とフィールド５の間のパターンの接続誤差とフ
ィールド５とフィールド６の間のパターンの接続誤差が
異なる為に、フィールド接続誤差の補正が、不可能であ
り、描画精度を向上させる事が難しかった。
えば、フィールド３，４，５を描画後、ビームドリフト
補正が実行され、その後、フィールド６が描画されたと
すると、フィールド３からフィールド４，フィールド５
へのステージ移動は、Ｙの−方向の一定方向である。そ
の為、ステージの機械的特性（yawingなど）が一定に現
れ、フィールドにまたがったパターンの接続誤差は一定
となる。ところが、ビームドリフト補正後にフィールド
６を描画する為には、ステージを基準マーク位置より、
フィールド６に向かって、Ｙの＋方向に移動する。その
ため、フィールド６描画時のステージの機械的特性はフ
ィールド５と異なり、フィールド５とフィールド６にま
たがるパターンの接続誤差は大きくなる。つまり、フィ
ールド４とフィールド５の間のパターンの接続誤差とフ
ィールド５とフィールド６の間のパターンの接続誤差が
異なる為に、フィールド接続誤差の補正が、不可能であ
り、描画精度を向上させる事が難しかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ビームドリフト補正用の
基準マークをステージＸ−Ｙ座標の１つのコーナに配置
し、基準マークに最も近いフィールドより順次描画す
る。
基準マークをステージＸ−Ｙ座標の１つのコーナに配置
し、基準マークに最も近いフィールドより順次描画す
る。
【０００５】つまり、描画時、基準マークから遠ざかる
方向に常にステージは移動される。
方向に常にステージは移動される。
【０００６】また、ビームドリフト補正の為に、基準マ
ーク位置にステージが移動し、再び、次のフィールドの
描画位置にステージが移動するので、ビームドリフト補
正後のステージの移動方向は、基準マークから遠ざかる
方向、つまり描画時と同一方向になり、ステージの移動
後のステージの機械的特性が常に一定に維持されるの
で、フィールド接続誤差が一定となる。
ーク位置にステージが移動し、再び、次のフィールドの
描画位置にステージが移動するので、ビームドリフト補
正後のステージの移動方向は、基準マークから遠ざかる
方向、つまり描画時と同一方向になり、ステージの移動
後のステージの機械的特性が常に一定に維持されるの
で、フィールド接続誤差が一定となる。
【０００７】
【作用】容易にフィールド接続誤差が補正でき、高精度
のレチクル，マスク描画が可能となる。
のレチクル，マスク描画が可能となる。
【０００８】
【実施例】図３に本発明の全体構成を示す。電子銃１か
ら放出される電子線２は電子レンズ４，７と絞り３，６
によって所望の形状と電流密度に制御されてマスク１１
上に照射される。一方描画データは通常磁気ディスク等
の外部メモリに格納されているが、コンピュータ２０に
よって順次偏向制御系２１に送出される。偏向制御系２
１は、偏向位置信号を偏向器８，電子線２のオン，オフ
信号をブランカー制御系２２へ送出し、マスク１１上に
所望のパタンの描画を実行する。
ら放出される電子線２は電子レンズ４，７と絞り３，６
によって所望の形状と電流密度に制御されてマスク１１
上に照射される。一方描画データは通常磁気ディスク等
の外部メモリに格納されているが、コンピュータ２０に
よって順次偏向制御系２１に送出される。偏向制御系２
１は、偏向位置信号を偏向器８，電子線２のオン，オフ
信号をブランカー制御系２２へ送出し、マスク１１上に
所望のパタンの描画を実行する。
【０００９】一般に電子ビームの偏向に伴う収差や偏向
歪を考慮すると、電子ビーム２をマスク１１の全面に亘
って偏向することは不可能であり、数mmの範囲を電子ビ
ームの偏向でカバーし、それ以上の領域はステージ１２
を移動し、精度良く偏向位置決めを実行することによ
り、プレート１１全面へ描画を行う。
歪を考慮すると、電子ビーム２をマスク１１の全面に亘
って偏向することは不可能であり、数mmの範囲を電子ビ
ームの偏向でカバーし、それ以上の領域はステージ１２
を移動し、精度良く偏向位置決めを実行することによ
り、プレート１１全面へ描画を行う。
【００１０】次に偏向位置の位置決め方法について述べ
る。ステージ１２の位置はレーザ干渉測長計によって精
度良く計測される。レーザ発振器１６から発したレーザ
ビームはハーフミラー１７によって基準光と計測光に分
けられ、基準光は基準ミラー１９に入射する。計測光は
計測ミラー１０に入射し、基準光とハーフミラー１８で
干渉を行う。受光器１５で干渉波の明暗をパルス化し、
レーザ干渉測長計２３に位置データとして認識され、さ
らにコンピュータ２０に読み込まれる。現在の技術レベ
ルにおける位置計測精度は約０.００５μｍである。
る。ステージ１２の位置はレーザ干渉測長計によって精
度良く計測される。レーザ発振器１６から発したレーザ
ビームはハーフミラー１７によって基準光と計測光に分
けられ、基準光は基準ミラー１９に入射する。計測光は
計測ミラー１０に入射し、基準光とハーフミラー１８で
干渉を行う。受光器１５で干渉波の明暗をパルス化し、
レーザ干渉測長計２３に位置データとして認識され、さ
らにコンピュータ２０に読み込まれる。現在の技術レベ
ルにおける位置計測精度は約０.００５μｍである。
【００１１】次に、ステージ２２の移動制御方法につい
て述べる。レーザ干渉測長計２３からステージ駆動系１
３に目標位置が与えられ、モータ１４に起動をかける。
ステージ１２が目標位置に到達するとレーザ干渉測長計
２３はステージ駆動系１３を停止させる。この時コンピ
ュータ２０は停止誤差をレーザ干渉測長計２３から読み
取り、偏向制御系２４に偏向位置補正データを送出す
る。この様にしてビーム偏向とステージ移動をステープ
アンドリピートで実行することにより、プレート１１上
全面に精度良くパタン描画が実施される。
て述べる。レーザ干渉測長計２３からステージ駆動系１
３に目標位置が与えられ、モータ１４に起動をかける。
ステージ１２が目標位置に到達するとレーザ干渉測長計
２３はステージ駆動系１３を停止させる。この時コンピ
ュータ２０は停止誤差をレーザ干渉測長計２３から読み
取り、偏向制御系２４に偏向位置補正データを送出す
る。この様にしてビーム偏向とステージ移動をステープ
アンドリピートで実行することにより、プレート１１上
全面に精度良くパタン描画が実施される。
【００１２】図２に基づいて、本発明を説明する。図２
のステージ１２，マスク１１は図３のステージ１２とマ
スク１１と同一であり、基準マーク１７をステージ１２
のＸ−Ｙ座標系のコーナに配置したものである。
のステージ１２，マスク１１は図３のステージ１２とマ
スク１１と同一であり、基準マーク１７をステージ１２
のＸ−Ｙ座標系のコーナに配置したものである。
【００１３】まず、描画するまえに、ステージを基準マ
ーク１７に移動させ、当基準マーク位置を検出する。そ
の位置を（ｘ1，ｙ1）とする。つぎにステージをＹの−
方向に移動させ、フィールド１３の中心に停止する。そ
して、フィールド１３より描画が開始され、次にステー
ジを同じくＹの−方向に移動させ、フィールド１４の位
置に停止し、描画する。同様に、フィールド１５を描画
終了した後、ビームドリフト補正の為、ステージをＹの
＋方向，Ｘの＋方向に移動させ、基準マーク１７の位置
の位置に停止する。基準マーク位置検出を実行し、その
位置を（ｘ2,ｙ2）とすると、ビームドリフト量(ｘ2−
ｘ1，ｙ2−ｙ1）が求められる。その後、ステージをＹ
の−方向，Ｘの−方向に移動させ、ビームドリフト量を
減算したフィールド１６の位置に停止し、ビームドリフ
トが補正され、フィールド１６を描画する。フィールド
１４からフィールド１５に移動する時は、Ｙの−方向に
ステージは動き、又、基準マーク１７からフィールド１
６に移動する時も、Ｙの−方向にステージは動く為、フ
ィールド１５，フィールド１６に停止した時のステージ
の静特性は同一となる。それ故、全てのフィールド間に
渡っているパターン、例えば、フィールド１６と１５及
びフィールド１５と１４の間のパターン接続誤差が同一
となる為、フィールド描画時に一定のフィールド補正を
加えれば、パターン接続誤差が容易に補正できる。故
に、フィールドにまたがるパターンの接続精度が向上
し、高精度のレチクル，マスクの描画が可能となる。
ーク１７に移動させ、当基準マーク位置を検出する。そ
の位置を（ｘ1，ｙ1）とする。つぎにステージをＹの−
方向に移動させ、フィールド１３の中心に停止する。そ
して、フィールド１３より描画が開始され、次にステー
ジを同じくＹの−方向に移動させ、フィールド１４の位
置に停止し、描画する。同様に、フィールド１５を描画
終了した後、ビームドリフト補正の為、ステージをＹの
＋方向，Ｘの＋方向に移動させ、基準マーク１７の位置
の位置に停止する。基準マーク位置検出を実行し、その
位置を（ｘ2,ｙ2）とすると、ビームドリフト量(ｘ2−
ｘ1，ｙ2−ｙ1）が求められる。その後、ステージをＹ
の−方向，Ｘの−方向に移動させ、ビームドリフト量を
減算したフィールド１６の位置に停止し、ビームドリフ
トが補正され、フィールド１６を描画する。フィールド
１４からフィールド１５に移動する時は、Ｙの−方向に
ステージは動き、又、基準マーク１７からフィールド１
６に移動する時も、Ｙの−方向にステージは動く為、フ
ィールド１５，フィールド１６に停止した時のステージ
の静特性は同一となる。それ故、全てのフィールド間に
渡っているパターン、例えば、フィールド１６と１５及
びフィールド１５と１４の間のパターン接続誤差が同一
となる為、フィールド描画時に一定のフィールド補正を
加えれば、パターン接続誤差が容易に補正できる。故
に、フィールドにまたがるパターンの接続精度が向上
し、高精度のレチクル，マスクの描画が可能となる。
【００１４】
【発明の効果】本発明を用いれば、ステップアンドリピ
ート方式におけるパターンの接続精度が向上し、高精度
のレチクル，マスクの描画が可能である。
ート方式におけるパターンの接続精度が向上し、高精度
のレチクル，マスクの描画が可能である。
【図１】従来技術の説明図である。
【図２】本発明の描画方式の説明図である。
【図３】本発明の全体構成図である。
２…プレート、７…基準マーク、１２…ステージ、１７
…基準マーク、２３…レーザ干渉測長計。
…基準マーク、２３…レーザ干渉測長計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 利彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株式会社 日立製作所 武蔵工場内 (56)参考文献 特開 平１−107441（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−85519（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−39518（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−308317（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−952（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (1)
- 【請求項１】電子線を発生する手段、前記電子線を収束
する手段、収束された電子線で以って、プレート上を走
査する手段、および、前記プレートを搭載するステージ
を設けた電子線描画装置において、基準マークをステー
ジ上のＸ−Ｙ座標系の１つのコーナーに配置し、前記基
準マークに最も近いフィールドよりＹ座標方向に描画を
開始し、描画中のフィールド間のステージ移動方向とビ
ームドリフト補正後のステージの移動方向を前記基準マ
ークから遠ざかる同一方向としたことを特徴とする電子
線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11740891A JP3232583B2 (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11740891A JP3232583B2 (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345013A JPH04345013A (ja) | 1992-12-01 |
| JP3232583B2 true JP3232583B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=14710911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11740891A Expired - Fee Related JP3232583B2 (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232583B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100598091B1 (ko) * | 1999-10-29 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 척을 갖는 웨이퍼 수리 시스템 |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP11740891A patent/JP3232583B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04345013A (ja) | 1992-12-01 |
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Legal Events
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