JP2871627B2 - 電子線露光方法及びその装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光方法に
関し、特に半導体集積回路などのパターンを半導体に直
接描画する電子線露光方法に関する。
関し、特に半導体集積回路などのパターンを半導体に直
接描画する電子線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路においては、急速
な小型化・高密度化が推進されており、そのためデザイ
ンルールも微細化されている。従来の量産化ラインにお
けるパターン形成装置は、光露光装置が用いられてい
た。しかし光露光装置では形成できない微細パターンで
は、高解像度・レチクル不要といった特徴を有する電子
線露光装置を用いる方法が検討されている。デザインル
ールの大きいパターンでは光露光装置を用い、微細パタ
ーンは電子線露光装置を用いることによって、高密度回
路を作れるというメリットがあり、これを併用するに
は、電子線露光装置と光露光装置とのハイブリッド化が
必須である。
な小型化・高密度化が推進されており、そのためデザイ
ンルールも微細化されている。従来の量産化ラインにお
けるパターン形成装置は、光露光装置が用いられてい
た。しかし光露光装置では形成できない微細パターンで
は、高解像度・レチクル不要といった特徴を有する電子
線露光装置を用いる方法が検討されている。デザインル
ールの大きいパターンでは光露光装置を用い、微細パタ
ーンは電子線露光装置を用いることによって、高密度回
路を作れるというメリットがあり、これを併用するに
は、電子線露光装置と光露光装置とのハイブリッド化が
必須である。
【０００３】図４は、従来例の電子線露光装置を示す模
式図である。図４に示す電子線露光装置は、本体１と試
料室１３とを含んでいる。
式図である。図４に示す電子線露光装置は、本体１と試
料室１３とを含んでいる。
【０００４】本体１は、電子を発生させ加速電源１６に
より加速し電子ビーム１０を形成する電子銃部１１と、
電子ビーム１０のスポットの形成，ブランキング，ビー
ム照射位置決め，照射量決め等を行うための電磁レンズ
やアパチャなどの各種電極等から構成された電子鏡筒部
１２とを含む。
より加速し電子ビーム１０を形成する電子銃部１１と、
電子ビーム１０のスポットの形成，ブランキング，ビー
ム照射位置決め，照射量決め等を行うための電磁レンズ
やアパチャなどの各種電極等から構成された電子鏡筒部
１２とを含む。
【０００５】試料室１３には、描画されるウェハ２０を
載せるウェハ台と、その位置をコントロールするための
Ｘ−Ｙステージ１５とが備えられている。
載せるウェハ台と、その位置をコントロールするための
Ｘ−Ｙステージ１５とが備えられている。
【０００６】また本体１の各部は、それぞれ真空ポンプ
４Ａ〜４Ｃによって真空引きされる。また本体１は防震
台５上に設置されている。コンピュータ３Ｂは、データ
保存部２Ｂによりパターンデータを受け取り、このパタ
ーンデータ及び予め決められた各描画パラメータに従っ
て、電子鏡筒部１２内の電子ビーム１０及びＸ−Ｙステ
ージ１５を制御し、パターン描画が行われる。
４Ａ〜４Ｃによって真空引きされる。また本体１は防震
台５上に設置されている。コンピュータ３Ｂは、データ
保存部２Ｂによりパターンデータを受け取り、このパタ
ーンデータ及び予め決められた各描画パラメータに従っ
て、電子鏡筒部１２内の電子ビーム１０及びＸ−Ｙステ
ージ１５を制御し、パターン描画が行われる。
【０００７】次に従来の電子線露光装置における、フィ
ールド及びハイブリッド露光における重ね合わせ方法に
ついて説明する。
ールド及びハイブリッド露光における重ね合わせ方法に
ついて説明する。
【０００８】電子線露光装置においては、電子ビームを
偏向できる領域には限りがあり、大きな偏向角となる
と、偏向歪が無視できなくなり、描画精度が悪化する。
このため、偏向歪が無視できる程度で偏向できる領域を
描画領域（フィールド）と呼んでいる。通常フィールド
の大きさは、チップの大きさよりも小さい。このため、
通常はチップ内をある一定の大きさのフィールドに分割
し描画を行っている。
偏向できる領域には限りがあり、大きな偏向角となる
と、偏向歪が無視できなくなり、描画精度が悪化する。
このため、偏向歪が無視できる程度で偏向できる領域を
描画領域（フィールド）と呼んでいる。通常フィールド
の大きさは、チップの大きさよりも小さい。このため、
通常はチップ内をある一定の大きさのフィールドに分割
し描画を行っている。
【０００９】また、フィールド分割方法としては、特開
平３−２１９６１７号公報及び特公平８−１５１３９号
公報に提案されている方法がある。特開平３−２１９６
１７号公報に開示された方法をまず説明する。描画パタ
ーンデータのフィールド分割は、最大フィールドサイズ
の整数分の１で分割し、高い描画精度が要求される場合
は、描画フィールド毎に描画を行う。
平３−２１９６１７号公報及び特公平８−１５１３９号
公報に提案されている方法がある。特開平３−２１９６
１７号公報に開示された方法をまず説明する。描画パタ
ーンデータのフィールド分割は、最大フィールドサイズ
の整数分の１で分割し、高い描画精度が要求される場合
は、描画フィールド毎に描画を行う。
【００１０】また、描画精度がそれ程要求されず、高速
で描画を行いたい場合には、複数の分割フィールドを組
み合わせ、比較的大きなフィールドまたは最大フィール
ドで描画を行う。
で描画を行いたい場合には、複数の分割フィールドを組
み合わせ、比較的大きなフィールドまたは最大フィール
ドで描画を行う。
【００１１】次に特公平８−１５１３９号公報に開示さ
れた方法を説明する。この場合は、小パターンでは小フ
ィールドを用いて寸法精度を高め、一方、大パターンに
ついては大フィールドを使用してスループットを向上さ
せる。
れた方法を説明する。この場合は、小パターンでは小フ
ィールドを用いて寸法精度を高め、一方、大パターンに
ついては大フィールドを使用してスループットを向上さ
せる。
【００１２】次に、ハイブリッド露光の重ね合わせ方法
について説明する。特開昭５７−１８６３３１号公報，
特開昭６２−０５７２１６号公報に提案されている方法
がある。特開昭５７−１８６３３１号公報に開示された
方法では、歪値を測定するため、予め光露光装置で露光
する際にレチクルに歪測定用のマークを配しておく。そ
して電子線露光装置でそのマークを検出することにより
歪値を測定する。この歪値から照射位置信号と歪値との
加算信号を供給することによってハイブリッド露光を行
う。
について説明する。特開昭５７−１８６３３１号公報，
特開昭６２−０５７２１６号公報に提案されている方法
がある。特開昭５７−１８６３３１号公報に開示された
方法では、歪値を測定するため、予め光露光装置で露光
する際にレチクルに歪測定用のマークを配しておく。そ
して電子線露光装置でそのマークを検出することにより
歪値を測定する。この歪値から照射位置信号と歪値との
加算信号を供給することによってハイブリッド露光を行
う。
【００１３】また特開昭６２−０５７２１６号公報に開
示された方法では、予め測定されている歪値と、すでに
計算機内部のあるエリアに格納されている補正データを
用いて適した補正信号を作成し、照射信号に加えること
によってハイブリッド露光を行う。
示された方法では、予め測定されている歪値と、すでに
計算機内部のあるエリアに格納されている補正データを
用いて適した補正信号を作成し、照射信号に加えること
によってハイブリッド露光を行う。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路等にお
いて、光露光装置による下地パターンに電子線露光装置
によるパターンを重ね合わせる場合、いわゆるハイブリ
ッド露光を行う場合、光露光装置で形成したパターンは
チップ内で光学的歪みがあり、電子線露光装置ではチッ
プ内をフィールドに分割した領域において偏向歪が生じ
る。このため、光露光装置，電子線露光装置にそれぞれ
において形成したパターンを精度よく重ね合わせること
が非常に困難である。
いて、光露光装置による下地パターンに電子線露光装置
によるパターンを重ね合わせる場合、いわゆるハイブリ
ッド露光を行う場合、光露光装置で形成したパターンは
チップ内で光学的歪みがあり、電子線露光装置ではチッ
プ内をフィールドに分割した領域において偏向歪が生じ
る。このため、光露光装置，電子線露光装置にそれぞれ
において形成したパターンを精度よく重ね合わせること
が非常に困難である。
【００１５】本発明の目的は、ハイブリッド露光におけ
る重ね合わせ精度を向上させる電子線露光方法及びその
装置をを提供することにある。
る重ね合わせ精度を向上させる電子線露光方法及びその
装置をを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る電子線露光方法は、光露光によるパタ
ーンに電子線露光によるパターンを重ねて形成する電子
線露光方法であって、電子線露光において、描画パター
ンデータを電子線の電気的偏向領域（フィールド）に分
割する際、最大偏向領域以下の複数のサイズの領域に分
割するものである。
め、本発明に係る電子線露光方法は、光露光によるパタ
ーンに電子線露光によるパターンを重ねて形成する電子
線露光方法であって、電子線露光において、描画パター
ンデータを電子線の電気的偏向領域（フィールド）に分
割する際、最大偏向領域以下の複数のサイズの領域に分
割するものである。
【００１７】また分割される電気的偏向領域のサイズ
は、予め与えられているパターンの位置歪に対し、電気
的偏向領域の予め設定された次数での多項式近似を行
い、近似誤差が予め設定された値以下になるサイズであ
る。
は、予め与えられているパターンの位置歪に対し、電気
的偏向領域の予め設定された次数での多項式近似を行
い、近似誤差が予め設定された値以下になるサイズであ
る。
【００１８】また分割された個々の電気的偏向領域につ
いて、予め与えられているパターンの位置歪に対する、
予め設定された次数での多項式近似誤差が最小になるよ
うに偏向位置補正を行う。
いて、予め与えられているパターンの位置歪に対する、
予め設定された次数での多項式近似誤差が最小になるよ
うに偏向位置補正を行う。
【００１９】また分割された個々の電気的偏向領域に対
する偏向位置の補正量は、偏向量と補正量の関係を表わ
した任意の次数の多項式あるいはテーブルで与えられる
ものである。
する偏向位置の補正量は、偏向量と補正量の関係を表わ
した任意の次数の多項式あるいはテーブルで与えられる
ものである。
【００２０】また本発明に係る電子線露光装置は、外部
記憶装置と、磁気ディスクと、ＣＰＵ部と、メモリと、
加算回路とを有し、光露光による下地パターンに電子線
露光によるパターンを重ねて形成する電子線露光装置で
あって、外部記憶装置は、設計された描画パターンデー
タを記憶するものであり、磁気ディスクは、光露光によ
るパターンの歪値を記憶するものであり、ＣＰＵ部は、
外部記憶装置から描画パターンデータを読み出し、この
データと磁気ディスクに記憶された歪値とに基づいて電
子線露光を行う電気的偏向領域を適当な大きさのものに
分割するものであり、メモリは、ＣＰＵ部の分割処理に
よる歪値の補正値を記憶するものであり、加算回路は、
設計時の描画パターンデータにおける電子ビームの照射
位置とメモリに記憶されている歪値の補正値とを加算
し、電子ビームの試料に対する照射位置を制御する指令
を出力するものである。
記憶装置と、磁気ディスクと、ＣＰＵ部と、メモリと、
加算回路とを有し、光露光による下地パターンに電子線
露光によるパターンを重ねて形成する電子線露光装置で
あって、外部記憶装置は、設計された描画パターンデー
タを記憶するものであり、磁気ディスクは、光露光によ
るパターンの歪値を記憶するものであり、ＣＰＵ部は、
外部記憶装置から描画パターンデータを読み出し、この
データと磁気ディスクに記憶された歪値とに基づいて電
子線露光を行う電気的偏向領域を適当な大きさのものに
分割するものであり、メモリは、ＣＰＵ部の分割処理に
よる歪値の補正値を記憶するものであり、加算回路は、
設計時の描画パターンデータにおける電子ビームの照射
位置とメモリに記憶されている歪値の補正値とを加算
し、電子ビームの試料に対する照射位置を制御する指令
を出力するものである。
【００２１】
【作用】描画データのフィールド（電気的偏向領域）分
割に当たっては、まず最大フィールドサイズに分割す
る。各々のフィールドにおいて、光露光装置の光学的歪
値を補正式にてフィッティングを行い、その結果よりフ
ィールド分割を行う。また、このときの歪値に対する補
正値（シフト，ゲイン，ローテーションなど）を設定す
る。このフィールド分割を設定したサイズまで繰り返し
行う。
割に当たっては、まず最大フィールドサイズに分割す
る。各々のフィールドにおいて、光露光装置の光学的歪
値を補正式にてフィッティングを行い、その結果よりフ
ィールド分割を行う。また、このときの歪値に対する補
正値（シフト，ゲイン，ローテーションなど）を設定す
る。このフィールド分割を設定したサイズまで繰り返し
行う。
【００２２】このようにチップを歪値の程度により、最
適フィールドサイズ及び補正を行うことができ、ハイブ
リッド露光における重ね合わせ精度を向上させる。
適フィールドサイズ及び補正を行うことができ、ハイブ
リッド露光における重ね合わせ精度を向上させる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００２４】図１は、本発明の実施形態に係る電子線露
光方法を実施するための電子線露光装置の一例を示す構
成図である。
光方法を実施するための電子線露光装置の一例を示す構
成図である。
【００２５】図１において、電子銃２１より発生し加速
された電子ビーム２６は、電子レンズ２２，２３により
描画する試料２７上に収束・転写される。試料２７上へ
の電子ビーム２６の照射位置は、偏向器２４にビーム偏
向制御回路２１３から発せられた偏向信号によって変え
られる。
された電子ビーム２６は、電子レンズ２２，２３により
描画する試料２７上に収束・転写される。試料２７上へ
の電子ビーム２６の照射位置は、偏向器２４にビーム偏
向制御回路２１３から発せられた偏向信号によって変え
られる。
【００２６】試料２７は、ステージ２５上に載置されて
おり、ステージ制御信号がステージ制御回路２１２から
発せられることにより制御される。２８は、制御コンピ
ュータであり、磁気ディスク２１４には予め測定されて
いる光露光装置の歪値が記憶されている。外部記憶装置
２９には、予めＣＡＤなどを用いて設計された描画パタ
ーンデータが記憶されている。メモリ２１０には、フィ
ールド分割を行った後の各々のフィールド（電気的偏向
領域）について、そのサイズと補正値（シフト，ローテ
ーション，ゲインなど）の情報を格納する。
おり、ステージ制御信号がステージ制御回路２１２から
発せられることにより制御される。２８は、制御コンピ
ュータであり、磁気ディスク２１４には予め測定されて
いる光露光装置の歪値が記憶されている。外部記憶装置
２９には、予めＣＡＤなどを用いて設計された描画パタ
ーンデータが記憶されている。メモリ２１０には、フィ
ールド分割を行った後の各々のフィールド（電気的偏向
領域）について、そのサイズと補正値（シフト，ローテ
ーション，ゲインなど）の情報を格納する。
【００２７】制御コンピュータ２８は、外部記憶装置２
９から描画パターンデータを読み出し、演算部２１１に
送る。演算部２１１では、描画パターンデータを歪値に
対して適当な大きさのフィールド（電気的偏向領域）に
分割をする。この結果を制御コンピュータ２８を介して
メモリ２１０へ格納する。加算回路２１５は、設計時の
描画パターンデータにおける電子ビーム２６の照射位置
とメモリ２１０に格納されている歪値の補正値とを加算
する。２１３は、加算回路２１５より送られてきた信号
に基づいて、電子ビーム２６の試料２７上への照射位置
を制御するビーム制御回路である。ここに、制御コンピ
ュータ２８と演算部２１１とは、ＣＰＵ部を構成してい
る。
９から描画パターンデータを読み出し、演算部２１１に
送る。演算部２１１では、描画パターンデータを歪値に
対して適当な大きさのフィールド（電気的偏向領域）に
分割をする。この結果を制御コンピュータ２８を介して
メモリ２１０へ格納する。加算回路２１５は、設計時の
描画パターンデータにおける電子ビーム２６の照射位置
とメモリ２１０に格納されている歪値の補正値とを加算
する。２１３は、加算回路２１５より送られてきた信号
に基づいて、電子ビーム２６の試料２７上への照射位置
を制御するビーム制御回路である。ここに、制御コンピ
ュータ２８と演算部２１１とは、ＣＰＵ部を構成してい
る。
【００２８】次に図２のフィールド分割フローチャート
と、図３のフィールド分割概念図を用いて、フィールド
分割動作を説明する。ステップＳ１において、フィール
ド分割の条件および分割するためのデータなどを最初に
入力する。すなわち、予め測定した光露光装置の歪値
を磁気ディスク２１４に格納しておく。チップをフィ
ールドに分割するとき、どの位の大きさまで分割する
か、最小分割フィールドサイズを入力する。歪値に対
して行う補正式（例えば、３次の補正式）のフィッティ
ングについての入力をする。ここでは、歪値に対してフ
ィッティングを行ったときの補正式に対する歪値の許容
範囲を指定（フィッティングエラー値）する。
と、図３のフィールド分割概念図を用いて、フィールド
分割動作を説明する。ステップＳ１において、フィール
ド分割の条件および分割するためのデータなどを最初に
入力する。すなわち、予め測定した光露光装置の歪値
を磁気ディスク２１４に格納しておく。チップをフィ
ールドに分割するとき、どの位の大きさまで分割する
か、最小分割フィールドサイズを入力する。歪値に対
して行う補正式（例えば、３次の補正式）のフィッティ
ングについての入力をする。ここでは、歪値に対してフ
ィッティングを行ったときの補正式に対する歪値の許容
範囲を指定（フィッティングエラー値）する。
【００２９】ステップＳ２では、記憶装置２９に予め格
納されている描画パターンデータ３ａを制御コンピュー
タ８により、例えば３ｂのようにＡ〜Ｈの最大フィール
ドサイズに分割し、これをメモリ２１０に格納する。最
大フィールドサイズは、電子線露光装置における偏向歪
３ｅが無視できる程度の大きさで決定される。
納されている描画パターンデータ３ａを制御コンピュー
タ８により、例えば３ｂのようにＡ〜Ｈの最大フィール
ドサイズに分割し、これをメモリ２１０に格納する。最
大フィールドサイズは、電子線露光装置における偏向歪
３ｅが無視できる程度の大きさで決定される。
【００３０】ステップＳ３においては、分割した各々の
フィールドＡ〜Ｈの中から例えばフィールドＡをメモリ
２１０から読み出し、制御コンピュータ８を介し演算部
２１１へ送る。演算部２１１では、ステップＳ１で磁気
ディスク２１４に入力されている歪値と、ステップＳ３
で読み出されているフィールドＡにおいて、補正式との
フィッティングを行う。
フィールドＡ〜Ｈの中から例えばフィールドＡをメモリ
２１０から読み出し、制御コンピュータ８を介し演算部
２１１へ送る。演算部２１１では、ステップＳ１で磁気
ディスク２１４に入力されている歪値と、ステップＳ３
で読み出されているフィールドＡにおいて、補正式との
フィッティングを行う。
【００３１】ステップＳ４においては、フィッティング
結果が許容値以下かどうかをステップＳ１で入力された
許容値と比較する。ここで、許容値以内であれば、ステ
ップＳ７へ移行し、フィールド分割を終了し、次のフィ
ールドＢの分割を行う。許容値以下であれば、ステップ
Ｓ５に移り、例えばフィールドＡをａ，ｂのフィールド
３ｃに２分割する。
結果が許容値以下かどうかをステップＳ１で入力された
許容値と比較する。ここで、許容値以内であれば、ステ
ップＳ７へ移行し、フィールド分割を終了し、次のフィ
ールドＢの分割を行う。許容値以下であれば、ステップ
Ｓ５に移り、例えばフィールドＡをａ，ｂのフィールド
３ｃに２分割する。
【００３２】そして、このときのフィールド３ｃの大き
さがステップＳ１で入力した最小フィールドサイズであ
るかをステップＳ６で判定する。
さがステップＳ１で入力した最小フィールドサイズであ
るかをステップＳ６で判定する。
【００３３】判定後、最小フィールドサイズであれば、
フィールドの分割を終了する。そうでなければ、フィー
ルドａ，ｂ各々についてステップＳ３から同様にフィー
ルド３ｄの分割動作を繰り返す。フィールド分割動作
は、フィッティング結果が許容値以下、或いは最小フィ
ールドサイズになるまで行われる。ステップＳ３〜Ｓ７
までのフィールド分割動作を各フィールドに対して行
う。
フィールドの分割を終了する。そうでなければ、フィー
ルドａ，ｂ各々についてステップＳ３から同様にフィー
ルド３ｄの分割動作を繰り返す。フィールド分割動作
は、フィッティング結果が許容値以下、或いは最小フィ
ールドサイズになるまで行われる。ステップＳ３〜Ｓ７
までのフィールド分割動作を各フィールドに対して行
う。
【００３４】次に、フィッティングについての詳細を説
明する。歪に対し、例えば３次の補正式を用いて、フィ
ッティングしたとき、補正式は、 Ｘ’＝ａ0＋ａ1Ｘ＋ａ2Ｙ＋ａ3Ｘ2＋ａ4Ｙ2＋ａ5Ｘ3＋ａ6Ｙ3…式１ Ｙ’＝ｂ0＋ｂ1Ｙ＋ｂ2Ｘ＋ｂ3Ｙ2＋ｂ4Ｘ2＋ｂ5Ｙ3＋ｂ6Ｘ3…式２ で表わすものとする。式１はＸ方向の補正式、式２はＹ
方向の補正式である。
明する。歪に対し、例えば３次の補正式を用いて、フィ
ッティングしたとき、補正式は、 Ｘ’＝ａ0＋ａ1Ｘ＋ａ2Ｙ＋ａ3Ｘ2＋ａ4Ｙ2＋ａ5Ｘ3＋ａ6Ｙ3…式１ Ｙ’＝ｂ0＋ｂ1Ｙ＋ｂ2Ｘ＋ｂ3Ｙ2＋ｂ4Ｘ2＋ｂ5Ｙ3＋ｂ6Ｘ3…式２ で表わすものとする。式１はＸ方向の補正式、式２はＹ
方向の補正式である。
【００３５】チップの描画パターンデータ３ａに対して
歪３ｅが存在している場合、まず、フィールドＡ内にお
ける歪値に対して、式１，式２を用いてフィッティング
を行う。このとき、例えば、歪値と補正式とで求められ
た補正値がある許容値以下（例えば、歪値と補正値のず
れ量が５％以内）かどうかを計算する。許容値内であれ
ば、補正式から得た補正値によってフィールド内で歪補
正を行う。許容値以上であれば、フィールドの分割を行
う。補正式の１次項はシフト補正，２次項はゲイン補
正，３次項はローテーションの補正を行う。
歪３ｅが存在している場合、まず、フィールドＡ内にお
ける歪値に対して、式１，式２を用いてフィッティング
を行う。このとき、例えば、歪値と補正式とで求められ
た補正値がある許容値以下（例えば、歪値と補正値のず
れ量が５％以内）かどうかを計算する。許容値内であれ
ば、補正式から得た補正値によってフィールド内で歪補
正を行う。許容値以上であれば、フィールドの分割を行
う。補正式の１次項はシフト補正，２次項はゲイン補
正，３次項はローテーションの補正を行う。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、歪
値に対し最適なフィールド分割及び歪補正を行うことが
でき、このためハイブリッド露光においても、重ね合わ
せ精度を飛躍的に向上させることができる。
値に対し最適なフィールド分割及び歪補正を行うことが
でき、このためハイブリッド露光においても、重ね合わ
せ精度を飛躍的に向上させることができる。
【図１】本発明に係る電子線露光方法を実施する電子線
露光装置を示す構成図である。
露光装置を示す構成図である。
【図２】本発明に係る電子線露光方法におけるフィール
ド分割手順を示すフローチャートである。
ド分割手順を示すフローチャートである。
【図３】本発明に係る電子線露光方法におけるフィール
ド分割動作を説明するための図である。
ド分割動作を説明するための図である。
【図４】従来の電子線露光装置を示す構成図である。
２１ 電子銃 ２４ 偏向器 ２５ ステージ ２６ 電子ビーム ２８ 制御コンピュータ ２９ 記憶装置 ２１０ メモリ ２１１ 演算部 ２１２ ステージ制御回路 ２１３ ビーム偏向制御回路 ２１４ 磁気ディスク ２１５ 加算回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 光露光によるパターンに電子線露光によ
るパターンを重ねて形成する電子線露光方法であって、 電子線露光において、描画パターンデータを電子線の電
気的偏向領域（フィールド）に分割する際、最大偏向領
域以下の複数のサイズの領域に分割することを特徴とす
る電子線露光方法。 - 【請求項２】 分割される電気的偏向領域のサイズは、
予め与えられているパターンの位置歪に対し、電気的偏
向領域の予め設定された次数での多項式近似を行い、近
似誤差が予め設定された値以下になるサイズであること
を特徴とする請求項１に記載の電子線露光方法。 - 【請求項３】 分割された個々の電気的偏向領域につい
て、予め与えられているパターンの位置歪に対する、予
め設定された次数での多項式近似誤差が最小になるよう
に偏向位置補正を行うことを特徴とする請求項１に記載
の電子線露光方法。 - 【請求項４】 分割された個々の電気的偏向領域に対す
る偏向位置の補正量は、偏向量と補正量の関係を表わし
た任意の次数の多項式あるいはテーブルで与えられるこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子線露光方法。 - 【請求項５】 外部記憶装置と、磁気ディスクと、ＣＰ
Ｕ部と、メモリと、加算回路とを有し、光露光による下
地パターンに電子線露光によるパターンを重ねて形成す
る電子線露光装置であって、 外部記憶装置は、設計された描画パターンデータを記憶
するものであり、 磁気ディスクは、光露光によるパターンの歪値を記憶す
るものであり、 ＣＰＵ部は、外部記憶装置から描画パターンデータを読
み出し、このデータと磁気ディスクに記憶された歪値と
に基づいて電子線露光を行う電気的偏向領域を適当な大
きさのものに分割するものであり、 メモリは、ＣＰＵ部の分割処理による歪値の補正値を記
憶するものであり、 加算回路は、設計時の描画パターンデータにおける電子
ビームの照射位置とメモリに記憶されている歪値の補正
値とを加算し、電子ビームの試料に対する照射位置を制
御する指令を出力するものであることを特徴とする電子
線露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8274770A JP2871627B2 (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 電子線露光方法及びその装置 |
| KR1019970053279A KR100257640B1 (ko) | 1996-10-17 | 1997-10-17 | 전자선 노광 방법 및 그 장치 |
| US08/953,589 US5908733A (en) | 1996-10-17 | 1997-10-17 | Method of electron beam exposure for superimposing second pattern over existing pattern |
| US09/253,075 US5949079A (en) | 1996-10-17 | 1999-02-19 | Method of and an apparatus for electron beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8274770A JP2871627B2 (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 電子線露光方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125574A JPH10125574A (ja) | 1998-05-15 |
| JP2871627B2 true JP2871627B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17546336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8274770A Expired - Fee Related JP2871627B2 (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 電子線露光方法及びその装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5908733A (ja) |
| JP (1) | JP2871627B2 (ja) |
| KR (1) | KR100257640B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246064B1 (en) * | 1997-09-03 | 2001-06-12 | Hitachi, Ltd. | Electron beam drawing apparatus |
| JP4268233B2 (ja) * | 1998-02-25 | 2009-05-27 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11329322A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| US6424879B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate |
| US6503672B2 (en) * | 2001-03-27 | 2003-01-07 | Intel Corporation | Electron beam projection utilizing multiple exposures with different current densities |
| JP4866683B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-02-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体デバイスの製造方法、データ作成装置、データ作成方法、およびプログラム |
| JP5205983B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-06-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置のデータ作成方法、および電子線露光システム |
| US8450552B2 (en) * | 2009-05-18 | 2013-05-28 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Pyrolysis reactor materials and methods |
| JP5836773B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2015-12-24 | キヤノン株式会社 | 描画装置、及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186331A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Jeol Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6257216A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| JP2744833B2 (ja) * | 1990-01-24 | 1998-04-28 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| US5051598A (en) * | 1990-09-12 | 1991-09-24 | International Business Machines Corporation | Method for correcting proximity effects in electron beam lithography |
| JPH0815139A (ja) * | 1994-07-02 | 1996-01-19 | Horiba Ltd | 自動車用触媒のガス吸・脱着測定方法 |
-
1996
- 1996-10-17 JP JP8274770A patent/JP2871627B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-17 KR KR1019970053279A patent/KR100257640B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 US US08/953,589 patent/US5908733A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-19 US US09/253,075 patent/US5949079A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5908733A (en) | 1999-06-01 |
| US5949079A (en) | 1999-09-07 |
| KR19980032917A (ko) | 1998-07-25 |
| JPH10125574A (ja) | 1998-05-15 |
| KR100257640B1 (ko) | 2000-06-01 |
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|---|---|---|---|
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