JPS6257216A - 電子線描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、電子線描画装置に係り、特に、マスクとレチ
クルの作成に好敵な電子線描画装置に関する。

〔発明の背景〕

現在、ウェハー上に回路パターンを作成する方法として
、等倍の光ｎ光装置、又は光縮小投影震光装置が多く用
いられている。ウェハー上に何Ｊ１もの回路パターンを
作成する場合、一台の光ｎ光装置で全部を行なわず、一
層パターンに関して、一台の露光装置というふうに、層
数分課光装置を作り、作業能率をあげているのが現状で
ある。しかし、光投影露光装置は、レンズ等の個有な光
学的歪を有す。このため何台もの光露光装置を用いた場
合、電子線描画装置で設計値どおりに、マスタ又はレチ
クルを作成し、光ｎ光装置が正確にウェハーをアライメ
ントしても、霧光装置間の光学歪特性の差により、実際
には市な合わせ誤差が生じる。またこの光学レンズの歪
みを補正するように電子線描画装置で、描画するとして
も、１対１に投影されるマスクと、縮小露光される、レ
チクルでは補正の方法も異なる必要がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、マスク、レチクルともに満足すること
のできるパターンの作成をすることができる電子線描画
装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、光学レンズを用いた光投影露光装置の原画と
して用いられるマスクまたはレチクルを作成するために
照射される電子ビームの相対位置を制御する手段を有す
る電子線描画装置において、電子線による描画を行なう
前にマスクまたはレチクルのいずれかが描画対象である
かを判断し該選択された描画対象について上記光学レン
ズの歪を補正する補正信号にもとづいて上記制御手段に
よって前記照射位置を制御するようにしたことを特徴と
するものである。

したがって、まず、光投影露光装置によって描画された
結果より、光学系の歪み特性を知り、次に、描画のため
に必要なデータ（パターンの中心位置、描画対象が、ウ
ェハーか、マスクか、レチクルか、描画すべきパターン
データ名等。）を制御用コンピュータに連結された記憶
装置内に、ジョブデータとし蓋えておく、実際に描画を
行なう前に、前記で求めた光学的歪み特性より、これを
補正するのに必要なデータを計算機内部のあるアドレス
を持ったエリアに格納する。描画が実際に行なわれる場
合、描画制御のプログラムは、描画すべきジョブデータ
名を判断し、ジョブデータを選択し、ディスク内より、
そのデータを読み出し、描画対称が、マスクか、レチク
ルが判定し、すでに計算機内部のあるエリアに格納され
ている補正−画信号に加えることにより、描画結果では
、マスク、レチクルとも良好に光学レンズの歪を補正し
たパターンが得られる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例について説明する。

第１図には、本発明の一実施例を示す電子線描画装置の
構成が示されている。

図において。

電子線による描画の概要は、偏向系２９による電子線の
偏向だけでは試料全面を描画できないため、試料台３１
を移動させ、その停止期間中に、偏向系３１によりビー
ムを振り描画する。また、偏向系は、大きな偏向が可能
な電磁偏向器と、小領域ながら、高速な偏向が可能な静
電偏向器の２種類により構成され、この２種の偏向器に
よりビームの高速かつ広範囲な偏向を行なっている。今
電磁偏向器によるビーム偏向でカバーできる範囲をフィ
ールドと、このフィールドを更に静電偏向パターン霧光
を静電偏向器で行ない、フィールド内のサブフィールド
の位置決めを電磁偏向器で行ない。フィールド内を順次
露光し、更に試料面内のフィールドの位ち決めを試料台
の移動により行ない、試料面内全面を描画する。

描画に必要な電子線描画装置用パターンデータは、ＣＡ
Ｄデータよりデータ変更ソフトにより作成される。この
パターンデータは、フィールド位置、サブフィールド位
置、パターン形状、パターン位置、描画対象が、ウェハ
かマスクかレチクルであるか等の情報を持っている。こ
のパターンデータはミーボード３よりパターンデータ登
録プログラムを起動し磁気テープ６より磁気ディスク５
内に格納される。又描画手順、描画すべきパターンデー
ター、描画中心位置等の情報を持つ、ジョブデータ設定
プログラムをキーボード３より起動しジョブデータを設
定し、磁気ディスク５に格納する。（２０３）次に光投
影露光装置の描画結果より光学系の歪特性を知り、 ″　　Ｘ＝Ｘｏ　（１＋ａ／１０’） Ｙ＝Ｙｏ　（１＋ｂ／　１０’　）　＋Ｘｏ　　□（Ｘ
　ｏ　、　、Ｙ　ｏ）設計Ｘ、Ｙ座標、（ｕｍ）（Ｘ、
Ｙ）補正後Ｘ、Ｙ座標（μｍ） ａ、ｂ、ｃ補正係数 となるような光学歪補正係数ａ、ｂ、ｃを求める（２０
４）、求められたａ、ｂ、ｃを、キーボード３より、計
算機１−ヒの定められたエリアに格納すべき、コマンド
を入力することにより、エリア上にａ、ｂ、ｃが設定さ
れる（２０５）。

次に描画を行なうための描画を行なうジョブデータ名を
キーボード３より入力する（２０６）。

描画制御プログラムは指定されたジョブデータ名に従っ
てそのジョブデータをディスクより読み出す（２０７）
。このジョブデータより描画すべきパターンデータを磁
気ディスク５より読み出す。

このパターンデータより描画対象がマスクかレチルかを
知る。

もしレチクルであれば、パターンデータ内のフィールド
中心位置及びジョブデータ内のバタンデータ中心座標よ
り、フィールド中心座標を求める。

この値を第３図（Ｘｐ□ＩＸ−Ｆｌ）とすると、設計値
どおり描画するとすれば、レチクル３０１−１〕にはフ
ィールドは３０２の位置に描画されるが、前に設定した
ａ、ｂ、ｃを用い、補正座標（Ｘ’　Ｆ　１　＋　Ｙ’
　Ｆ　１　）を求め（２１１）、フィールド位置を決定
する。電磁偏向量を（ｘ’、、。

Ｙ’ＦＩ）に描画されるよう変更する（２１２）。

この後、偏向系２９によりビームを偏向しながら、フィ
ールドの描画を行なう（２１３）。このようにすると図
３の３０３のように、フィールドが描画される次のフィ
ールドについても同様な補正を行ない試料３０１全面を
描画する。パターンデータより描画対象がマスクである
と、１パターンデータが１チツプデータであるので、ジ
ョブデータより、パターンデータの描画すべき位置つま
りチップの中心位置を得る。これを第４図の（ｘｃｘｒ
Ｙｃｌ　）とする、この値に対して前記ａ、ｂ、ｃを用
いて、（Ｘｃ’　□、Ｙｃ’ｌ）を得る（２１５）。チ
ップをこの位置に描画するために、チップ内の全サブフ
ィールド位置を描画する時、（Ｘｃ’　１−Ｘｃｍ、Ｙ
ｃ’　、−Ｙｃｍ）だけ電磁偏向量に加えて（２１６）
１チップ描画を行なう（２１７）。このようにすると、
試料４０１−ｈに４０２のように描画されるものが、４
０３のように描画される。このようにして、試料面一ヒ
全面描画を行なう。

このようにして行なえば、レチクルの場合縮小昨光され
るので、フィールド間のつなぎのずれはほとんど無視さ
れるので、フィールド間のつなぎのずれはほとんど無視
され、かつ、光露光装置のもつ光学系の歪みを補正する
、レチクルが得られ、マスクの場合は、等倍露光なので
、フィールド間のずれは無視できないものであるが本発
明の場合、チップ単位で補正を行なうため、フィールド
のすれは生じず、かつ、光学系の歪を補正するマスクが
得られる。

上述の実施例は、偏向系で補正を行なっていたが、試料
台側に補正量を与えてもかまわない。また、レチクルの
場合、もつと細かい補正を行ないたい場合、サブフィー
ルド単位で行なってもかま□わない。また補正式は前記
のみとはかぎらず他にも多々ある。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、描画対象が、マ
スクであってもレチクルであっても、光露光装置の光学
系の歪を補正しうるマスク、レチクルを描画する電子線
描画装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は電子線描画装置のシステム構成図、第２図は本
発明のフローチャート図、第３図は本発明を説明するた
めのレチクル描画例を示す図、第４図は本発明を説明す
るためのマスク描画例を示す図である。 ３０１・・・レチクル描画用乾板、３０２・・・設計値
により描画されるフィールド、３０３・・・補正を与ら
れ実際に描画されるフィールド、３０３・・・補正を与
えられ実際に描画されるフィールド、４０１・・・マス
ク描画用乾板、４０２・・・設計値により描画されるチ
ップ、４０３・・・補正を与えられ実際に描画されるチ
ップ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、光学レンズを用いた光投影露光装置の原画として用
   いられるマスクまたはレチクルを作成するために照射さ
   れる電子ビームの相対位置を制御する制御手段を有する
   電子線描画装置において、電子線による描画を行なう前
   にマスクまたはレチクルのいずれかが描画対象であるか
   を判断し、該核選択された描画対象について上記光学レ
   ンズの歪を補正する補正信号を上記制御手段に出力する
   手段を設けたことを特徴とする電子線描画装置。