JPS59117116A - 描画装置 - Google Patents

描画装置

Info

Publication number
JPS59117116A
JPS59117116A JP22614182A JP22614182A JPS59117116A JP S59117116 A JPS59117116 A JP S59117116A JP 22614182 A JP22614182 A JP 22614182A JP 22614182 A JP22614182 A JP 22614182A JP S59117116 A JPS59117116 A JP S59117116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information
pattern
data
chip
cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22614182A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0680627B2 (ja
Inventor
Toshio Suzuki
俊夫 鈴木
Toshiki Sugiyama
俊樹 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57226141A priority Critical patent/JPH0680627B2/ja
Publication of JPS59117116A publication Critical patent/JPS59117116A/ja
Publication of JPH0680627B2 publication Critical patent/JPH0680627B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、パターンジェネレータ(以下、PGという。
)に係り、特に、電、子線描画装置に適用するのに好適
なものに関する。
最近、半導体装置(以下、ICという。)の製造分野に
おいては、電、子ビームの高速処堆能力に着目し、ホ)
PGに代る高速PGとして、電子線描画装置をブスクや
レチクルの作成に利用することが実用面でも定着してき
ている。
従来のこの種の電子線描画装置として、例1えは第1図
に示すようなシステムでパターンデータを処理するよう
に構成でれたものがある。
第1図において、第1磁気テープ31に記録てれた階層
構造を有するパターン設計データ(詳細は後記参照)2
0はデータ変換器33に入力され、この変換器により展
開データ(後記参照)27を作成享れ、この状態で磁槃
記録装置34により磁気テープ32に記録保存される。
電子線描画装置BBにより所望のパターン’kW画しよ
うとする際、前記保存磁気テープ32はこの装置EBの
磁気記録再生装置35にかけられて前記疑問データ27
が再生これる。この展開データは描画制御信号変換器3
6により所望の回路パターンを描画するために鏡筒1を
動作ζせるのに心太な制御信号に変換づれる。この制御
信号は偏向系制御器14に入力これ、これらの制御によ
り餅筒1はM定の描画動作を実行し、所望の回路パター
ン30を描画する。
しかしながら、このよう外電子線描画システムにあって
は、描画すべき設計情報が展開した形で計1録保存され
るため、パターンの微細化、高集積化に伴って描画情報
量が増大化すると、描画情報を格納するのに必要な磁気
記録手段が膨大な容量のものになるという欠点がある。
本発明の1的は、前記従来技術の欠点全解消し、措匝す
べき設計情報全圧赴白した形で記録づせておくことが可
能なパターンジェネレτりを提供するにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にし女がって説明する
第2図は本発明を電子線描画装置に適用した場合の一実
施例を示す構成図であり、第3図はそれによる描画デー
タ処理ブロセヌを示すブロック囚である。
この電子線描画装置EBは描画動作部として使各11會
備オており、この鏝部は、電子銃2と、照射レンズ3と
、円形状のビームスボッ1lr−作る第1アパーチヤ4
と、整形レンズ5と、長ζを変更可能な矩形状のビーム
スポット7(針線で塗りつぶし2穴部分)を作る第27
パーチヤ6と、縮小レンズ8と、静電偏向器9と、投影
レンズ10と、電磁偏向器11と、電子銃の照射を受け
て感光するレジストが塗布されてなる被描画面を有する
被描画物としてのマスクブランク13を載置保持し7た
XYテーブル(試料台)12とを備えている。
また、この電子線描画装置FiBには前記錠筒1に所望
の描画動作を実行する女めに、化1向系制衝1器14に
h定の制御信号全入力ζせる図形データ処理装置1−5
が設備でれている。この曲に、この装置EBは、各種の
電源部、制御部文・よひこれらを統轄する中央処理ユニ
ノ) (CP U )等全備えている。
この電子線描画装置FliBに内蔵された前記図形デー
タ処理装置15は、第3図に示すように、磁気記録再生
装置16と、データ変換器17と、描画制御イ)号変神
器18とを備えており、七rしらは後述する作用を実行
するように構成さjている。
次に作用を説明する。
このTh子線構画装pEBで使用される描画情報は、第
3図に示すような階層構造を有するパターン設計データ
20の形で磁気テープ19に記録されている。この階層
構造データ20はあらかじめ多数用意さf′したセル2
1A 、 21B・・・・・全基礎にしており、セルは
多数種類の基本パターン22A。
22B・・・・・・をそれぞれ個別的に設定さiて構成
さjている。しIIえば基本パターン22Aけ前記鎖部
1に−おける第2アパーチヤ6で作らnるビームスポッ
ト7の果合によシ形成されるように、このビームスポッ
ト7の大きさく例えば、縦横20×4μmの矩形)とセ
ル21Aの原点(xo 、70 )23Aに対する各ヌ
ボノトの原点24のそれぞれの座標(xI 、yI )
、(X2 .72 1・・・・・とにより表現さ扛て構
成されている。
階層構造データ20は、多数用意されたセルのうち必要
な基本パターン(図示例では、22A。
22Bの29類。以下これに憔する。)會有するセル2
.LA 、21Bi選定したことを内容とするセル選定
情報25と、こnら選定され女各セル21A。
21B’i後述するチップ上のどの位置に配するかをそ
れぞれ指定することを内容とする指定情報26とからな
る。前記指定情報26は、選定された各セル21A 、
 21Bの原点23A 、23Bのチップの原点(XO
,YO)に対する座標(X+  、Yi)、(X2 、
Y2 )、(X3  、Ys  )、(x、、y、)で
それぞれ表現されることにより構成されている。
このように構成さ扛て磁気テープ19に記録保存さf′
L食パターン設計データ20は、電子線描画1装flF
Bにより描画を実施する際、この装置1iEBに内蔵さ
れた磁気記録再生装置16にかけられて読み出され、デ
ータ変換器17に入力される。
データ変換器17はパターン設計データ20を第3図に
示すような展開データ27に展開して出力する。すなわ
ち、前記階層構造データ20は、まず前述のように選定
されたセル21A 、 21B ’i指定情報26の指
定にし女がって、チップ28の十にそれぞれ具体的に配
されfc展開構造の情報に変換される。具体的な分配は
チップ28の原点(Xo 、Yo )29に対する各選
定セル21A。
21、 B ’iその原点23A 、、23B(7)座
標(x、、Yl)(X2 、y2 )、(X:l  +
Y3  )、(X4.Y4)にそれぞ1当てはめること
よって実行される。かつ1女、前記階層構造データ20
はチップ28の各セル21.A 、 21Bの指定位置
にシける各ノくターン22A 、22Bをも具体的に展
開した情報に変換さnる。1例えば1、チップ28上に
最初に描画すべきパターン22Aの胃頭の情報は、縦1
20X4μmの矩形のスポット7全チツプ28の座標C
xl十X、  、 Yl +3’2  )に照射するこ
とを表現することによって構成され、第2番目は同形の
スポット7を座標(X l+ Xl−1−△x、、Y 
1 +y2 +△y )に照射すること全表現すること
によって構成される。したがって、この展開データ27
の出力は膨大な情報量になる。
このように展開されたデータ27は描画制御信号変換器
18に入力される。この変換器18は展開チーク2フ全
偏向系全制御に適する形の指令信号に変換し、偏向系制
御器14に入力する。偏向系制御器14は指令信号に基
いてφ筒1を制御して描画動作させる。
炉筒Iにおいて、電子銃2から電子線が発射され、電子
線は第1.第2アパーチャ4.6およびレンズ群で整形
かつ絞り込まれ、偏向i9.ilで前記偏向系制御系1
4の制御によシ偏向走査さ九、もって第3図に示すよう
な序望のチップパターン30が描画される。
本実M5例によれば、展開データの情報量は膨大になる
が、直接、描画信号変換器に入力されるので、これを記
録保存する磁気テープは不用になる。
すなわち、描画データは前述したような階層構造のパタ
ーン設計データの形で磁気テープに記録保存されるので
、これに使用されるテープの長さは短くて済む。また、
展開データは描画信号変換器に直接入力さjるので、従
来のように磁気テープに記録さf′LfCテータ全デー
出してから描画信号変換器で処理する場合に比べ、処理
時間を大幅に短縮することができる。
なお、前記実施例1では、電子線描画装部につき説明し
たが、本発明は、ホトPGやイオンビーム全相いたPG
等にも適用することができるし、づスフやレチクルにバ
クーン會形成する場合に限らす、ウェハに直接パターン
を形成することもできる。
また、パターン設割データの記録媒体、記録再生手段0
名データの変換手段の具体的構成等に限定はない。
以上説明し女ように、本発明によ′iNは、描画すべき
設計情報全圧縮した形で記録させておくことができる。
【図面の簡単な説明】
汁、1図は従来しくlを示すブロック図、第2図は本発
明の一実施例1を示す構成図、第3図は同じくブロック
図である。 1・・鎖部、9・・・静電偏向器、11・・・電磁偏向
部、13・・・マスクブランク、14・・・偏向系制御
器、15・・・図形データ処理装置、16・・・磁気記
録再生装置、17・・・データ変換器、18・・・描画
制御信号変換器、19・・・磁気テープ、20・・・パ
ターン設計データ、2LA 、21B・・・セル、22
A 、22B・・パルーン、23A 、23B・・・原
点、25・・・セル選定情報、26・・指定情報、27
・・展開データ、28・・・チップ、29・・・原点、
30・・・チップパターン。 代理人 弁理士 薄 1)利 辛″− ′、l

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 多数ηi顛の基本パターンをそれぞれ個別的に設定
    された多数のセルのうち必要な基本パターンを有するセ
    ルを選定したセル選定情報と、選定し。 た各セルのチップ上における配置をそれぞれ指定する指
    定情報とから彦る階層構造のパターン設計データを入力
    これ、このデータから、前記選定さf’L *各セルの
    基本パターンを前記各指定情報に基きチップ上の指定位
    置にそれぞれ具体的に配するようI/CN’−開してな
    る展開データを作り、ζらに、この(2)開データから
    鏡筒に所望の回路パターンを描nす1動作でせる制御信
    号を作り出すように構成これた図形データ処理装置を内
    威してなるパターンジェネレータ。
JP57226141A 1982-12-24 1982-12-24 描画装置 Expired - Lifetime JPH0680627B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57226141A JPH0680627B2 (ja) 1982-12-24 1982-12-24 描画装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57226141A JPH0680627B2 (ja) 1982-12-24 1982-12-24 描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59117116A true JPS59117116A (ja) 1984-07-06
JPH0680627B2 JPH0680627B2 (ja) 1994-10-12

Family

ID=16840492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57226141A Expired - Lifetime JPH0680627B2 (ja) 1982-12-24 1982-12-24 描画装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0680627B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180410A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Yutaka Kanayama 移動ロボツトの走行指令方式
JP2004361507A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Renesas Technology Corp フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5358772A (en) * 1976-11-08 1978-05-26 Fujitsu Ltd Electron beam exposure apparatus
JPS57122529A (en) * 1981-01-23 1982-07-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Drawing data processing system for electron beam exposure apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5358772A (en) * 1976-11-08 1978-05-26 Fujitsu Ltd Electron beam exposure apparatus
JPS57122529A (en) * 1981-01-23 1982-07-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Drawing data processing system for electron beam exposure apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180410A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Yutaka Kanayama 移動ロボツトの走行指令方式
JPH0529924B2 (ja) * 1984-09-28 1993-05-06 Yutaka Kanayama
JP2004361507A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Renesas Technology Corp フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0680627B2 (ja) 1994-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1125441A (en) Electron beam exposure system and an apparatus for carrying out the same
JPH0357608B2 (ja)
US6200710B1 (en) Methods for producing segmented reticles
JP2744833B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法
JPS59117116A (ja) 描画装置
JPH04162710A (ja) 電子ビーム露光装置
US5384466A (en) Electron beam lithography apparatus and a method thereof
JP2591548B2 (ja) 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光方法
Chang et al. A computer-controlled electron-beam machine for microcircuit fabrication
JP2783445B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置
Samaroo et al. Device photolithography: The electron beam pattern generator
JPH10270341A (ja) 電子ビーム描画方法
JP2992081B2 (ja) パターン作成装置
JPS6257216A (ja) 電子線描画装置
JPH02139911A (ja) レチクル作成方法
JPH04302451A (ja) 荷電ビーム描画方法
JP2839587B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
JPS58223324A (ja) 描画装置
JPH0442915A (ja) パターン描画方法
JP2000208409A (ja) 電子線描画用デ―タの処理方法、電子線露光用マスク及び記録媒体
JPH03116922A (ja) 電子ビーム露光方法
JPH06112113A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法
JP2003100617A (ja) 電子線描画データの作成方法
JPH06104160A (ja) 描画データ変換方法
JPS5844714A (ja) 図形変換器